MEMS. Datz Dániel Anyagtudomány MSc
|
|
- Margit Fehér
- 7 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 MEMS Datz Dániel Anyagtudomány MSc
2 1. Bevezetés Az ember, több százezer éves történelme során használati eszközök rengetegét készítette. Aerodinamikailag megfelelő lándzsák és nyilak már a Homo Sapiens megjelenésének idejéből is találhatók. Az ember történelme során nem elégedett meg azzal, hogy a saját mérettartományában alkosson; az egyiptomi piramisok kb. 150 m magasak, míg a 13. századi órakészítők már sikeresen próbálkoztak az óra alkatrészeinek miniatürizálásával. 1. Ábra. Az emberiség mindig törekedett eszközeinek kicsinyítésére. A mai napig ez a tendencia tovább folytatódik. A felhőkarcolók átlépik az 1000 m-t, míg a tranzisztorok már néhány nm-es tartományban működőképesek, az utóbbi néhány évtizedben pedig megjelentek a miniatürizált mechanikai alkotóelemek, illetve gépek. Elektrosztatikus, mágneses, elektromágneses, pneumatikus és termális aktuátorok, motorok, csapok, fogaskerekek, diafragmák készültek el néhány mikrométeres jellemző hosszal. Ezeket az eszközöket sikerrel használták nyomás-, hő-, sebesség-, gyorsulás és kémiai szenzorokként, lab-on-a-chip, robotok és mikro hőgépek alkatrészeiként, illetve mikro pumpaként. Az egyik legkorábbi példa MEMS rendszerre az egyszerű ellenállás.
3 2. Ábra. A MEMS eszközök felhasználási területeinek egy része A MEMS (MicroElectroMechanical Systems), vagy MST (Micro Systems Technology) kifejezést olyan eszközökre használják, amelyek karakterisztikus hossza kisebb, mint egy mm, de nagyságrendileg nem kisebb, mint egy mikrométer. Az egy mikrométernél lényegesen kisebb nanoméretű eszközöket már NEMS-nek nevezik. A MEMS és NEMS eszközök akkor váltak igazán praktikussá, amikor lehetővé vált az előállításuk az integrált áramkörökéhez hasonló módszerekkel, ám a felhasználásuk nagyfokú változatossága miatt a felhasznált technológia eltérhet ettől. Gyakori technikák a szilícium felületi maratása (nedves maratás KOH-val, szárazmaratás), EDM technológiák, különböző leválasztási módszerek (pl. kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD), atomi rétegleválasztás (ALD)) és litográfia. Felhasználásuk rendkívül széleskörű; gépkocsikban a légzsák irányítását végző gyorsulásmérők, a nagy sűrűségű optikai kijelzők mikrotükör tömbjei, pásztázó elektronmikroszkóp hegye, katéter hegyek nyomásmérői, vér analizátorok, miniatűr giroszkópok csak néhány példa a MEMS-ek kereskedelmi felhasználására. Régóta nagy az igény az ún. lab-on-a-chip rendszerre, amely olyan szinten automatizálhatja a kémiát és a biológiát, ahogy az integrált áramkörök nagymennyiségű számítások elvégzését. Néhány évtizedes kutatásuk ellenére már most több milliárd dolláros iparág épül ezeknek a rendszereknek a gyártására és kutatásukat is hasonló nagyságrendű összeggel támogatják. Ennek megfelelően a MEMS és NEMS irodalma is robbanásszerűen növekedett, már több tucat kötet jelent meg, amelyek a témát nagy részletességgel tárgyalják, illetve több tudományos folyóirat foglalkozik kizárólag MEMS és NEMS témával.
4 2. Mechanikai rendszerek skálázhatósága Amikor nagyságrendi változtatásokat eszközölünk egy rendszer méretében, fontos figyelembe venni, hogy a rendszer működése szempontjából fontos kölcsönhatások méretektől való nagyságrendi függését, hiszen más és más paraméterek máshogy skálázódhatnak. Ha a tervezés közben rajzolt és a valós rendszer méretei közötti lineáris skálatényező S (azaz S-ed részére csökkenek a távolságok), akkor a felület S 2 -el, a térfogat S 3 -el csökken. Ehhez képest a felületi feszültség S-el, a az elektrosztatikus S 2 -el, bizonyos mágneses erők S 3 -el skálázódnak. MEMS-ek készítésénél nagyon fontos tudni, hogy milyen erők fognak fellépni a működés során, illetve hogy ezek hogyan skálázódnak a mérettel; ennek ellenére nem ad pontos megoldást a tervezés során felmerülő kérdésekre, csak útmutatásként használható. Könnyen nyomon követhetjük, hogy a rendszer működése során fellépő erők hogyan skálázódnak, a következő formalizmussal: Rendezzük a különbözőféleképpen skálázódó erőket egy vektorba: S F = [ S 2 ] S 3 Ekkor például a munka kifejezhető egy képlettel az összes erőt tekintve: S S S 2 W = F D = [ S 2 ] [ S] = [ S 3 ] S 3 S S 4 Hasonlóan kifejezhető pl. a gyorsulás (m ~ S -3, mert a térfogattal arányos): S S 3 S 2 a = F m 1 = [ S 2 ] [ S 3 ] = [ S 1 ] S 3 S 3 S 0 Ez azt jelenti, hogy olyan erők hatására, amelyek a mérettől lineárisan függnek, a rendszer gyorsulása óriási mértékben növekszik. Ez lehetőséget ad érzékeny gyorsulásmérők készítésére a méret csökkentésével. Ugyanakkor látható az is, hogy a nagy fajlagos felület miatt a felületi folyamatok (nedvesedés, ill. elektrosztatika) sokkal nagyobb szerepet kapnak. Fontos megemlíteni, hogy a méret csökkentése ellenére a MEMS és NEMS rendszerek különböznek a molekuláris gépektől, illetve a molekuláris elektronikától. Ennek ellenére ezeken a mérettartományokon a klasszikus fizika szabályai nem mindig hasznosak. A működésük leírására szimulációs programok állnak rendelkezésre.
5 3. Technikák A MEMS rendszerek gyártása leginkább a félvezető iparra épül, így ezeknek a rendszereknek a gyártása is erősen támaszkodik a félvezető-technikában használt módszerekhez. Ennek megfelelően az alap kiindulási anyag a szilícium, a felhasznált technikák az anyagrétegek leválasztása, fotolitográfia és maratás. Alapanyagok: A szilícium, mint kiindulási vegyület előnye, hogy már régóta kiépült, fejlett ipara van, ezért könnyen és olcsón beszerezhetőek a magas minőségű alapanyagok, a megépített rendszerek könnyen és még ugyanazon a szilícium felületen összeköthetők elektromos számítási eszközökkel. Ezért a szilícium alapú eszközök általában egy központi mikroprocesszorhoz kötött többféle komponensből állnak, amelyek képesek kölcsönhatásba lépni a környezetükkel (pl. mikroszenzorok). A szilícium előnye továbbá, hogy egykristályos állapotban majdnem tökéletesen rugalmasan deformálódik a MEMSek méretskáláján, azaz gyakorlatilag nincs hődisszipáció, ha ismételten meg van hajlítva. Mivel gyakorlatilag nincs anyagfáradás, a szilíciumalapú giroszkópok, vagy gyorsulásmérők rendkívül nagy élettartammal rendelkeznek. Alapanyagként használatosak más anyagok is. A polimerek egyszerűbb, olcsóbb, nagyobb mennyiségben előállítható vegyületek, mint a szilícium egykristály, emellett sok féle különböző anyagi tulajdonsággal rendelkezhetnek. Leginkább mikrofluidikai alkalmazásokban használatosak, mint pl. eldobható vér tesztek. A különböző fémek nem rendelkeznek a szilícium jó mechanikai tulajdonságaival, de figyelembe véve ezeket a limitációkat, jó eredmények érhetők el velük (pl. mikroprocesszorok aranyvezetékei). Kerámiák egyre szélesebb körben felhasználtak. A szilícium, alumínium és titán nitridjei, illetve a szilícium karbid és más kerámiák kiváló anyagi tulajdonságaik miatt kedvelt anyagok MEMS-ekben, leginkább, mint dielektrikumok, szigetelők. Az alumínium nitrid (AlN) egyszerre piroelektromos és piezzoelektromos (wurtzite kristályban kristályosodik), ezért érzékeny normális és nyíró feszültségek is kimutathatók vele. A TiN jó elektromos vezető és nagy rugalmas modulusa van, ami lehetővé teszi a MEMS-es elektrosztatikus irányítást ultravékony membránokkal. Emellett, mivel ellenáll a biokorróziónak, megfelelő anyag bioszenzorok készítésére. Leválasztási technikák: A konkrét rendszerek kialakításának gyakran az első, alapvető lépése lehet vékony rétegek kialakítása. A rétegek vastagsága alkalmazástól, felépítéstől függően néhány nanométertől néhány milliméterig terjedhet. Alapvetően a leválasztási módszerek két csoport sorolhatóak.
6 Fizikai gőzfázisú leválasztás során a leválasztandó anyagot először el kell választani attól a target molekulától, amellyel a felszín közelébe visszük. Ez történhet ionnyalábbal, illetve hő-, vagy elektronnyaláb aktiválta vákuumlepárlással. 3. Ábra. Tipikus PVD berendezés vázlata Kémiai módszerek közé tartozik a kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD), amely során egy prekurzor gáz reagál még a gőzfázisban, amely reakció(k) termékei a felületre kötődnek, ahol felületi vándorlás és nukleációt követően kialakítják a kívánt réteget. Bizonyos rétegek (leginkább oxid rétegek) növeszthetőek is a felületen megfelelő hőkezeléssel. A MEMS technológiában leggyakrabban használt polikristályos szilícium rétegeket alacsonynyomású kémiai gőzfázisú leválasztással (LPCVD) választják le. Ezzel kb. 2 mikrométer vastag rétegek választhatók le. Ha ennél vastagabb rétegre van szükség, akkor a megfelelő technika az epitaxiális növesztés, amellyel a 10 mikrométeres vastagság is elérhető. 4. Ábra. CVD reakciók sematikus ábrája.
7 Mintázat kialakítás: A megfelelő réteg kialakítása után következik a mintázatok kialakítása. A legfontosabb módszer erre a litográfia, amely a legelterjedtebb technika a CMOS alapú integrált áramkörök gyártásában is. A módszer alapja egy fotoszenzitiv polimer felvitele a felületre (ún. fotoreziszt), majd ebbe a filmbe a pontos mintázat felvitele. Fotoszenzitív anyag az, amely fizikai tulajdonságai változnak, ha megfelelő besugárzást kap. A fotorezisztet általában forgatásos technikával, ún. spin-coatinggal viszik a felületre. Ezt megelőzően a felületet meg kell tisztítani, a vizet és a szerves anyagokat teljes mértékben el kell távolítani. Esetenként szükséges lehet olyan anyagok használata a megtisztított felületen, amelyek elősegítik a fotoreziszt megtapadását a felületen. A felvitel után a mintát gyengén hevítik, hogy az oldószert eltávolítsák, illetve rögzítsék a fotorezisztet a felületen. Ezután a mintát UV fény alá helyezik, amely az ún. litográfiás maszkon keresztül világít a felületre. A legjobb felbontás akkor érhető el, ha a maszk hozzáér a felülethez, ez azonban problémákat okozhat mind a maszkban, mind a felületben. Általában a maszk kb. 20 μm-rel a felület felett helyezkedik el. Ahol fény éri a felületet, ott a fotoreziszt polimerszerkezete megváltozik. A pozitív fotoreziszt esetén a megvilágított, a negatív fotoreziszt esetén a meg nem világított rész válik leoldhatóvá. 5. Ábra. A fotolitográfiai technika lépéseinek felületes ábrája
8 A legtöbb MEMS szerkezet több rétegű mintázatot tartalmaz. Ezek kialakításához a maszk beállításának nagyon pontosan kell követnie a már meglévő mintázatokat. Ehhez a módszer nagyfokú automatizálása szükséges. A megfelelő gépek infravörös spektroszkópiás módszerekkel képesek követni a különböző rétegek elhelyezkedését. A fotoreziszt, illetve a maszk mintázatának a konkrét anyag felületén való pontos kialakításához leggyakrabban maratási módszerek használatosak. A maratási módszerek mindegyike szelektív anyageltávolításon alapszik. Nedves maratás során folyékony kémiai vegyületek segítségével alakítják ki a megfelelő felületet. A megmunkálandó felületre először egy maszkréteget visznek, amelyen kialakítják a megfelelő mintázatot, pl. litográfiai módszerekkel. Mind a maszk, a felület és a marató vegyület anyagait megfelelően kell kiválasztani, hogy a megfelelő specificitás elérhető legyen. Azok a felületek, amelyek nincsen beborítva a maszkkal, a marató folyadékba merítéskor reakcióba lépnek a marató reagensekkel. A maratás mechanizmusénak három lépése van; a marató reagensek megmunkálandó felületre való diffúziója, a kémiai reakció a felület és a reagensek között, majd a reakciótermékek diffúziója a felületről az oldatba. Polikristályos szilícium maratása izotróp folyamat, azaz a maratási reakció minden irányban ugyanolyan sebességgel megy végbe, azonban egykristályok maratása lehet anizotróp folyamat is, amely esetben a maratás mértéke függ a kristály orientációjától. Egykristály szilícium esetén a leggyakrabban használ KOH maratószer pl. erősen anizotróp, a <111> kristálytani irány kb. 400-szor lassabban maratódik, mint a <100> irány. Ez a tulajdonság kihasználható 3D struktúrák kialakításához. A szilícium dópolása is befolyásolja a maratási sebességet, olyannyira, hogy a bórral való (p típusú) dópolást gyakran használják a maratás megállítására is. 6. Ábra. Izotróp és anizotróp maratások a kristályorientáció függvényében Száraz maratás során mind fizikai, mind kémiai reakciókat felhasználnak a felület megmunkálásakor. A száraz maratás előnye, hogy a legtöbb maratási paraméter jóval flexibilisebben határozható meg, és elkerülhetők a marató folyadék felületre tapadása is. A reaktív ionmaratás (RIE), illetve a mély reaktív ionmaratás (DRIE) a két legfontosabb módszer.
9 A DRIE technológia segítségével hatékony inerciaszenzorok készíthetők, mivel a kialakított mélyedés 3D-s alakja gyakorlatilag szabadon irányítható. A technika lényege, hogy periodikusan váltogatja az induktív csatolású plazma maratást és egy passzivációs lépést, amely során a kimart mélyedés oldalfalait védik. 7. A DRIE módszer lépései egy perióduson belül A fentebb leirt módszerek a megfelelő mintázatokat általában egy vékony (pl. Si) lemezen (ún. szilícium waferen) alakítják ki. MEMS eszközök (különösen inerciaszenzorok) kialakításánál nagyon fontos lépés vastag, akár egykristály funkcionális rétegek wafer felületre vitele és ott a megkötése. A waferszintű kötési módszerek közül a legrégebben ismert kötési típus az ún. anódos kötődés, amely lehetővé teszi a szilícium és az üveg kötését. Ehhez egyszerre alkalmaznak nagy feszültségeket (néhány kv) a waferek között fellépő elektrosztatikus kölcsönhatás miatt és magas hőmérsékletet. Mivel az üveg és a szilícium hőtágulási együtthatója közel megegyezik, így ez a módszer megfelelő a MEMS-ek védelmére, csomagolására is. Szilicium-szilicium waferer közti kötéseket ún. fúziós kötési technikával, magas hőmérsékleten lehet elérni. Ilyen technikával megmaradhat a CMOS integrációs lehetőség a kötődés után is. A fentebb leirt módszerek kombinálásával mozgó részekkel rendelkező MEMS-ek (pl. giroszkópok) is készíthetők. Megkülönböztethetünk a felületi és a teljes anyagvastagságot felhasználó, tömbi (bulk) megmunkálást. Az utóbbihoz általában több összekötött wafert használnak fel és a mozgó alkatrészeket a szilícium wafer teljes mélységét felhasználva alakítják ki.
10 Egy megmunkálási folyamat a következőképpen mehet végbe: - A folyamat egy ún. SOI (silicon-on-insulator) waferrel kezdődik, amelyben 4 μm oxidréteg választ el 100 μm vastag egykristály sziliciumréteget (100) kristályorientációval és egy 400 μm vastag polikristályos szilícium réteget. - Az első lépés a felület teljes megtisztítása minden szerves szennyezőtől. Ehhez szekvenciális oxidatív deszorpciót alkalmaznak. Ezután egy órán keresztül dehidratációs lépések következnek, hogy minden nedvességet is eltüntessenek a felületről. - A felületre adhéziót elősegítő anyagot visznek fel spincoating technikával majd egy percig melegítik. Majd 7 μm vastag fotoreziszt anyagot visznek fel ugyancsak spincoatinggal, 30 mp forgási idővel, 1500 rpm fordulatszám mellett. A fotoreziszt vastagsága úgy van megállapítva, hogy kibírja a DRIE technikát. A fotoreziszt oldószereinek eltávolításához a felületet 90 mp-ig, 90 fokon melegítik. - A mintát 35 mp-re UV fénynek teszik ki, előre elkészített maszkot használva. Maszk definiálja a teljes struktúrát és a rendszer tulajdonságait. - A kezelt fotorezisztet egy percen keresztül előhívják, majd desztilláltvízzel mossák, hogy megállítsák a reakciót. A mintát ezután 90 fokos kályhában kihevítik. - DRIE módszerrel, induktívan csatolt plazma kamrában, 8 másodperces ciklusidővel SF 6 és O 2 alkalmazásával maratják a felületet, míg a passzivációs lépés minden ciklusban 5 másodpercig tart. A teljes maratás kb. 85 percig tart. - Fotoreziszt eltávolítása 10 perces aceton fürdővel, majd 15 perc oxigén plazma alkalmazásával. - Végül a megmunkált mintát 49%-os HF oldatban áztatják 25 percig, hogy a két szilícium wafer közti, el nem maratott oxidréteget eltávolítsák. A 25 perces áztatási idő elég kicsi ahhoz, hogy a megfelelően nagy felületi elemek továbbra is rögzítve maradjanak az alap szilíciumhoz, de elég nagy ahhoz, hogy a megfelelően kicsi szerkezeti elemek elváljanak tőle, ezzel a MEMS szabadon mozgó részeit alkotják. Ez a végső maratási lépés vízbe, majd izopropil alkoholba mártással állítható meg. AZ alkohol azonnal 100 fokon elpárologtatják.
11 8. Ábra. Az előző oldalon részletezett megmunkálási lépések felületes reprezentációja
12 A fent leirt módszer az alábbi giroszkóp elkészítéséhez használatos. 9. Ábra. A fent leirt megmunkálási lépések e giroszkóp elkészítéséhez tartoztak
13 4. MEMS giroszkópok A giroszkópok működése a Coriolis-effektuson alapul. Gyorsuló koordinátarendszerben Newton egyenlete a következőképpen alakul: ma = F ma 0 mω (ω r) 2m(ω r) m(β r) ahol a 0 a rendszer tömegközéppontjának a gyorsulása, ω a rendszer szögsebessége, β a rendszer szöggyorsulása. A 2m(ω r) tag a Coriolis erő, amely pl. a Föld esetében a Focoult inga elfordulásában, illetve a szelek irányában mutatkozik meg. Az eszköz, amely képes megmérni egy tárgy forgásának sebességét a giroszkóp. A giroszkóp nevet Focault adta annak a szerkezetnek, amelyet a Föld forgási sebességének méréséhez használt. 10. Ábra. Focault inga a Coriolis-erő bemutatására A legtöbb modern giroszkóp egy forgó lendkerékhez csatlakozó vázszerkezetből áll. Ezek a szerkezetek azonban folyamatosan súrlódnak, amelyek mérések során problémákhoz, illetve elhasználódáshoz vezethetnek.
14 11. Ábra. Egyszerű felépítésű giroszkóp. Ezeket a negatív tulajdonságokat kiküszöbölik a vibrációs giroszkópok, amelyek a MEMS giroszkópok alapjait képezik. Ezek mellett léteznek még modernebb technológiák giroszkópok készítésére, mint a szál-optika giroszkóp (FOG Fiber Optic Gyroscope), vagy a gyűrű lézer giroszkóp (RLG - Ring Laser Gyroscope), amelyek a Sagnac-effektuson alapulnak. A MEMS vibrációs giroszkópok szinuszos Coriolis-erő kiváltásán alapulnak, amelyet egy rezgő próba-tömeg és egy merőleges, szögsebeséggel arányos bemenet. A próbatest általában a szubsztrát felület felett van felfüggesztve és általában rezonanciában van egy meghajtó, szinuszos elektromágneses erővel. Ez csatolódik egy Coriolis gyorsulásmérőhöz. Amikor ez a rendszer elfordul, szinuszos Coriolis-erő generálódik, amely merőleges mind a meghajtó erőre, mind a szögsebesség vektorra. Mind a meghajtó oszcillátor, mind az érzékelő gyorsulásmérő lehet lineáris, vagy torziós rezonátor. Lineáris vibrációs giroszkóp esetén a Coriolis-erő lineáris meghajtó oszcillációk, míg a torziós vibrációs giroszkóp esetén a rotációs meghajtó oszcillációk váltják ki a Coriolis erő forgatónyomatékát.
15 Lineáris giroszkóp dinamika: A legegyszerűbb MEMS giroszkóp egyetlen, a szubsztrát felett felfüggesztett próbatestből áll, amely két, egymásra merőleges irányban is szabadon tud mozogni. Az egyik irány a meghajtó irány, a másik az érzékelő irány. 12. Ábra. A legegyszerűbb MEMS giroszkóp vázlatos rajza A próbatest rezonanciában rezeg a meghajtó irányban, a rá ható elektromágneses meghajtó erők miatt. Az érzékelő irányban érzékelő elektródák vannak. Ha a giroszkóp elfordul, az érzékelő irányban meghajtó frekvenciás, szinuszos Coriolis erők támadnak, amelyet az elektródák érzékelnek (ezzel egy Coriolis gyorsulásmérőt alkotnak). Ezzel a felépítéssel a giroszkóp valójában egy két szabadsági fokú, csillapított rezgőmozgást végez.
16 13. Ábra. A fenti giroszkóp dinamikáját tekintve egy merőleges, két szabadsági fokú oszcillátorral modellezhető Ha a rendszer elfordul, a ható erőket a fenti egyenlet szabja meg. Ha az elfordulás egyenletes és a z irány mentén megy végbe ( dω z dt = 0), valamint ha az elfordulás körfrekvenciája sokkal kisebb, mint a meghajtó frekvencia (ω x 2, ω y 2, ω x ω y tagok elhanyagolhatóak), a fenti differenciálegyenlet kibontva és egyszerűsítve a következő alakot ölti: ahol τ jelöli a külső erő komponenseit. A második egyenlet jobb oldalán lévő utolsó tag, (ami az érzékelés irányába eső, a forgás által kiváltott Coriolis erő) okozza az érzékelhető, a forgási sebességgel arányos választ, amely a szilícium felületen kialakított feldolgozó elektronikával összekötve azonnal egy inercia érzékelő rendszer részévé válhat.
17 14. Ábra. MEMS giroszkóp Si felületen, áramkör részeként
18 5. Források Mohamed Gad-el-Hak, MEMS: Introduction and Fundamentals, Second Edition, Taylor and Francis Cenk Acar, Andrei Shkel, MEMS Vibratory Gyroscopes: Structural Approaches to Improve Robustness, Springer Marc J. Madou, Fundamentals of Microfabrication and Nanotechnology, Volume III: From MEMS to Bio-MEMS and Bio-NEMS: Manufacturing Techniques and Applications Southwest Center for Microsystems Education:
MEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
RészletesebbenSOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
RészletesebbenMoore & more than Moore
1 Moore & more than Moore Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 A SZILÍCIUM (silex) 3 A SZILÍCIUM Felfedező: Jons Berzelius 1823, Svédország Természetes előfordulás: gránit, kvarc, agyag, homok 2. leggyakoribb
RészletesebbenMEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI
MEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI Dr. Bonyár Attila, adjunktus bonyar@ett.bme.hu Budapest, 2015.10.13. BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY Tematika
RészletesebbenMérés és adatgyűjtés
Mérés és adatgyűjtés 7. óra Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2013. április 11. MA - 7. óra Verzió: 2.2 Utolsó frissítés: 2013. április 10. 1/37 Tartalom I 1 Szenzorok 2 Hőmérséklet mérése 3 Fény
RészletesebbenNYÁK technológia 2 Többrétegű HDI
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI 1 Többrétegű NYHL pre-preg Hatrétegű pakett rézfólia ónozatlan Cu huzalozás (fekete oxid) Pre-preg: preimpregnated material, félig kikeményített, üvegszövettel erősített
RészletesebbenVIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC)
VIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC) 1 A korszerű digitális tervezés itt ismertetendő (harmadik) irányára az a jellemző, hogy az adott alkalmazásra céleszközt (ASIC - application
RészletesebbenAnyagos rész: Lásd: állapotábrás pdf. Ha többet akarsz tudni a metallográfiai vizsgálatok csodáiról, akkor: http://testorg.eu/editor_up/up/egyeb/2012_01/16/132671554730168934/metallografia.pdf
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-05 MINTÁZAT- ÉS SZERKEZET-KIALAKÍTÁS FÉLVEZETŐ SZELETEN ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
RészletesebbenMéréstechnika. Rezgésmérés. Készítette: Ángyán Béla. Iszak Gábor. Seidl Áron. Veszprém. [Ide írhatja a szöveget] oldal 1
Méréstechnika Rezgésmérés Készítette: Ángyán Béla Iszak Gábor Seidl Áron Veszprém 2014 [Ide írhatja a szöveget] oldal 1 A rezgésekkel kapcsolatos alapfogalmak A rezgés a Magyar Értelmező Szótár megfogalmazása
RészletesebbenMIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY
MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TV Kiforrott technológia Kiváló képminőség Környezeti fény nem befolyásolja 4:3, 16:9 Max méret 100 cm Mélységi
RészletesebbenGázok. 5-7 Kinetikus gázelmélet 5-8 Reális gázok (limitációk) Fókusz Légzsák (Air-Bag Systems) kémiája
Gázok 5-1 Gáznyomás 5-2 Egyszerű gáztörvények 5-3 Gáztörvények egyesítése: Tökéletes gáz egyenlet és általánosított gáz egyenlet 5-4 A tökéletes gáz egyenlet alkalmazása 5-5 Gáz halmazállapotú reakciók
RészletesebbenELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp
ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek
RészletesebbenFBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40. I. előadás. Geretovszky Zsolt
Bevezetés s az anyagtudományba nyba FBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40 I. előadás Geretovszky Zsolt Követelmények Az előadások látogatása kvázi-kötelező. 2010. május 21. péntek 8:00-10:00 kötelező
RészletesebbenNYOMTATOTT HUZALOZÁSÚ LAPOK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
NYOMTATOTT HUZALOZÁSÚ LAPOK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA Az elektronikai tervező általában nem gyárt nyomtatott lapokat, mégis kell, hogy legyen némi rálátása a gyártástechnológiára, hogy terve kivitelezhető legyen.
RészletesebbenIpari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban
Gyártás 08 konferenciára 2008. november 6-7. Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban Szerző: Varga Bernadett, okl. gépészmérnök, III. PhD hallgató a BME VIK ET Tanszékén
Részletesebben9. Laboratóriumi gyakorlat NYOMÁSÉRZÉKELŐK
9. Laboratóriumi gyakorlat NYOMÁSÉRZÉKELŐK 1.A gyakorlat célja Az MPX12DP piezorezisztiv differenciális nyomásérzékelő tanulmányozása. A nyomás feszültség p=f(u) karakterisztika megrajzolása. 2. Elméleti
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenMolekuláris dinamika I. 10. előadás
Molekuláris dinamika I. 10. előadás Miről is szól a MD? nagy részecskeszámú rendszerek ismerjük a törvényeket mikroszkópikus szinten minden részecske mozgását szimuláljuk? Hogyan tudjuk megérteni a folyadékok,
RészletesebbenMilyen simaságú legyen a minta felülete jó minőségű EBSD mérésekhez
1 Milyen simaságú legyen a minta felülete jó minőségű EBSD mérésekhez Havancsák Károly Dankházi Zoltán Ratter Kitti Varga Gábor Visegrád 2012. január Elektron diffrakció 2 Diffrakció - kinematikus elmélet
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenAktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György
Aktuátorok korszerű anyagai Készítette: Tomozi György Technológiai fejlődés iránya Mikro nanotechnológia egyre kisebb aktuátorok egyre gyorsabb aktuátorok nem feltétlenül villamos, hanem egyéb csatolás
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat (fonon, elektron, atom, ion, hőmennyiség...) Elektromos vezetés (Ohm) töltés áram elektr. potenciál grad. Hővezetés (Fourier) energia áram hőmérséklet különbség Kémiai
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 8. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK I 8. ELİADÁS 1.
RészletesebbenAnalitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
RészletesebbenMérésadatgyűjtés, jelfeldolgozás.
Mérésadatgyűjtés, jelfeldolgozás. Nem villamos jelek mérésének folyamatai. Érzékelők, jelátalakítók felosztása. Passzív jelátalakítók. 1.Ellenállás változáson alapuló jelátalakítók -nyúlásmérő ellenállások
RészletesebbenPerifériáknak nevezzük a számítógép központi egységéhez kívülről csatlakozó eszközöket, melyek az adatok ki- vagy bevitelét, illetve megjelenítését
Perifériák monitor Perifériáknak nevezzük a számítógép központi egységéhez kívülről csatlakozó eszközöket, melyek az adatok ki- vagy bevitelét, illetve megjelenítését szolgálják. Segít kapcsolatot teremteni
Részletesebben9. évfolyam. Osztályozóvizsga tananyaga FIZIKA
9. évfolyam Osztályozóvizsga tananyaga A testek mozgása 1. Egyenes vonalú egyenletes mozgás 2. Változó mozgás: gyorsulás fogalma, szabadon eső test mozgása 3. Bolygók mozgása: Kepler törvények A Newtoni
RészletesebbenRezgőmozgás. A mechanikai rezgések vizsgálata, jellemzői és dinamikai feltétele
Rezgőmozgás A mechanikai rezgések vizsgálata, jellemzői és dinamikai feltétele A rezgés fogalma Minden olyan változás, amely az időben valamilyen ismétlődést mutat rezgésnek nevezünk. A rezgések fajtái:
RészletesebbenJegyzetelési segédlet 8.
Jegyzetelési segédlet 8. Informatikai rendszerelemek tárgyhoz 2009 Szerkesztett változat Géczy László Billentyűzet, billentyűk szabványos elrendezése funkció billentyűk ISO nemzetközi írógép alap billentyűk
RészletesebbenTextíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
RészletesebbenGázok. 5-7 Kinetikus gázelmélet 5-8 Reális gázok (korlátok) Fókusz: a légzsák (Air-Bag Systems) kémiája
Gázok 5-1 Gáznyomás 5-2 Egyszerű gáztörvények 5-3 Gáztörvények egyesítése: Tökéletes gázegyenlet és általánosított gázegyenlet 5-4 A tökéletes gázegyenlet alkalmazása 5-5 Gáz reakciók 5-6 Gázkeverékek
RészletesebbenADATTÁROLÁS: LÁGY- ÉS MEREVLEMEZEK KOVÁCS MÁTÉ
ADATTÁROLÁS: LÁGY- ÉS MEREVLEMEZEK KOVÁCS MÁTÉ 2017. 05. 10. HAJLÉKONYLEMEZ 2 TÖRTÉNETE 8 inch floppy Fejlesztés: 1967 IBM Megjelenés: 1971, 80kB (Shugart) Első írható floppy: Memorex 650, 1972, 175 kb
RészletesebbenMechanikai rezgések Ismétlő kérdések és feladatok Kérdések
Mechanikai rezgések Ismétlő kérdések és feladatok Kérdések 1. Melyek a rezgőmozgást jellemző fizikai mennyiségek?. Egy rezgés során mely helyzetekben maximális a sebesség, és mikor a gyorsulás? 3. Milyen
RészletesebbenOszcillátorok. Párhuzamos rezgőkör L C Miért rezeg a rezgőkör?
Oszcillátorok Párhuzamos rezgőkör L C Miért rezeg a rezgőkör? Töltsük fel az ábrán látható kondenzátor egy megadott U feszültségre, majd zárjuk az áramkört az ábrán látható módon. Mind a tekercsen, mind
RészletesebbenHangfrekvenciás mechanikai rezgések vizsgálata
Hangfrekvenciás mechanikai rezgések vizsgálata (Mérési jegyzőkönyv) Hagymási Imre 2007. május 7. (hétfő délelőtti csoport) 1. Bevezetés Ebben a mérésben a szilárdtestek rugalmas tulajdonságait vizsgáljuk
RészletesebbenNanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék 2011. szeptember 22. Mi az a nano? 1 nm = 10 9 m = 0.000000001 m Nanotudományok: 1-100
RészletesebbenSiAlON. , TiC, TiN, B 4 O 3
ALKALMAZÁSOK 2. SiAlON A műszaki kerámiák (Al 2 O 3, Si 3 N 4, SiC, ZrO 2, TiC, TiN, B 4 C, stb.) fémekhez képest igen kemény, kopásálló, ugyanakkor rideg, azaz dinamikus igénybevételek elviselésére csak
RészletesebbenGépészmérnöki alapszak, Mérnöki fizika 2. ZH, december 05. Feladatok (maximum 3x6 pont=18 pont)
1. 2. 3. Mondat E1 E2 NÉV: Gépészmérnöki alapszak, Mérnöki fizika 2. ZH, 2017. december 05. Neptun kód: Aláírás: g=10 m/s 2 ; ε 0 = 8.85 10 12 F/m; μ 0 = 4π 10 7 Vs/Am; c = 3 10 8 m/s Előadó: Márkus /
RészletesebbenA II. kategória Fizika OKTV mérési feladatainak megoldása
Nyomaték (x 0 Nm) O k t a t á si Hivatal A II. kategória Fizika OKTV mérési feladatainak megoldása./ A mágnes-gyűrűket a feladatban meghatározott sorrendbe és helyre rögzítve az alábbi táblázatban feltüntetett
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
RészletesebbenÚjabb eredmények a grafén kutatásában
Újabb eredmények a grafén kutatásában Magda Gábor Zsolt Atomoktól a csillagokig 2014. március 13. Új anyag, új kor A kőkortól kezdve egy új anyag felfedezésekor új lehetőségek nyíltak meg, amik akár teljesen
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
RészletesebbenA jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
RészletesebbenMit nevezünk nehézségi erőnek?
Mit nevezünk nehézségi erőnek? Azt az erőt, amelynek hatására a szabadon eső testek g (gravitációs) gyorsulással esnek a vonzó test centruma felé, nevezzük nehézségi erőnek. F neh = m g Mi a súly? Azt
RészletesebbenKerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok
Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok Bagi István BME MTAT Bevezetés Kerámiák csoportosítása teljesen tömör bioinert porózus bioinert teljesen tömör bioaktív oldódó Definíciók Bioinert a szomszédos
RészletesebbenElektromágneses hullámok, a fény
Elektromágneses hullámok, a fény Az elektromos töltéssel rendelkező testeknek a töltésük miatt fellépő kölcsönhatását az elektromos és mágneses tér segítségével írhatjuk le. A kölcsönhatás úgy működik,
Részletesebben72-74. Képernyő. monitor
72-74 Képernyő monitor Monitorok. A monitorok szöveg és grafika megjelenítésére alkalmas kimeneti (output) eszközök. A képet képpontok (pixel) alkotják. Általános jellemzők (LCD) Képátló Képarány Felbontás
RészletesebbenHavancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja Archeometriai műhely ELTE TTK 2013. Elektronmikroszkópok TEM SEM Transzmissziós elektronmikroszkóp Átvilágítós vékony minta < 100
RészletesebbenHavancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
RészletesebbenMEMS eszközök redukált rendű modellezése a Smart Systems Integration mesterképzésben Dr. Ender Ferenc
MEMS eszközök redukált rendű modellezése a Smart Systems Integration mesterképzésben Dr. Ender Ferenc BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Smart Systems Integration EMMC+ Az EU által támogatott 2 éves mesterképzési
RészletesebbenElektromos áram. Vezetési jelenségek
Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai
RészletesebbenMéréstechnika. Hőmérséklet mérése
Méréstechnika Hőmérséklet mérése Hőmérséklet: A hőmérséklet a termikus kölcsönhatáshoz tartozó állapotjelző. A hőmérséklet azt jelzi, hogy egy test hőtartalma milyen szintű. Amennyiben két eltérő hőmérsékletű
RészletesebbenTranszformátor rezgés mérés. A BME Villamos Energetika Tanszéken
Transzformátor rezgés mérés A BME Villamos Energetika Tanszéken A valóság egyszerűsítése, modellezés. A mérés tervszerűen végrehajtott tevékenység, ezért a bonyolult valóságos rendszert először egyszerűsítik.
RészletesebbenFotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2011.10.05 Visegrád Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó
RészletesebbenElektromos áramerősség
Elektromos áramerősség Két különböző potenciálon lévő fémet vezetővel összekötve töltések áramlanak amíg a potenciál ki nem egyenlítődik. Az elektromos áram iránya a pozitív töltéshordozók áramlási iránya.
RészletesebbenFélvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-03 FÉLVEZETŐ SZELET ELŐÁLLÍTÁSA (ALAPANYAGTÓL A SZELETIG) ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
RészletesebbenDiffúzió 2003 március 28
Diffúzió 3 március 8 Diffúzió: különféle anyagi részecskék (szilárd, folyékony, gáznemű) anyagon belüli helyváltozása. Szilárd anyagban való mozgás Öndiffúzió: a rácsot felépítő saját atomok energiaszint-különbség
RészletesebbenAnyagvizsgálati módszerek Elemanalitika. Anyagvizsgálati módszerek
Anyagvizsgálati módszerek Elemanalitika Anyagvizsgálati módszerek Pannon Egyetem Mérnöki Kar Anyagvizsgálati módszerek Kémiai szenzorok 1/ 18 Elemanalitika Elemek minőségi és mennyiségi meghatározására
RészletesebbenIntegrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák MOS áramkörök alkatrészkészlete Bipoláris áramkörök alkatrészkészlete 11/2/2007 2/27 MOS áramkörök alkatrészkészlete Tranzisztorok
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 5/6 Diffúzió Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
RészletesebbenHarmadik generációs infra fűtőfilm. forradalmian új fűtési rendszer
Harmadik generációs infra fűtőfilm forradalmian új fűtési rendszer Figyelmébe ajánljuk a Toma Family Mobil kft. által a magyar piacra bevezetett, forradalmian új technológiájú, kiváló minőségű elektromos
RészletesebbenAz elektron hullámtermészete. Készítette Kiss László
Az elektron hullámtermészete Készítette Kiss László Az elektron részecske jellemzői Az elektront Joseph John Thomson fedezte fel 1897-ben. 1906-ban Nobel díj! Az elektronoknak, az elektromos és mágneses
RészletesebbenRezgőmozgás, lengőmozgás
Rezgőmozgás, lengőmozgás A rezgőmozgás időben ismétlődő, periodikus mozgás. A rezgő test áthalad azon a helyen, ahol egyensúlyban volt a kitérítés előtt, és két szélső helyzet között periodikus mozgást
Részletesebben11.3. Az Achilles- ín egy olyan rugónak tekinthető, amelynek rugóállandója 3 10 5 N/m. Mekkora erő szükséges az ín 2 mm- rel történő megnyújtásához?
Fényemisszió 2.45. Az elektromágneses spektrum látható tartománya a 400 és 800 nm- es hullámhosszak között található. Mely energiatartomány (ev- ban) felel meg ennek a hullámhossztartománynak? 2.56. A
RészletesebbenViaszvesztéses technológia
Viaszvesztéses technológia Áttekintés Falvastagság Viaszmintázat - Szóló korona nemesfémből legalább 0.5 mm - Pillér korona nemesfémből legalább 0.5 mm - Szóló korona nem nemesfémből legalább 0.4 mm -
RészletesebbenHa vasalják a szinusz-görbét
A dolgozat szerzőjének neve: Szabó Szilárd, Lorenzovici Zsombor Intézmény megnevezése: Bolyai Farkas Elméleti Líceum Témavezető tanár neve: Szász Ágota Beosztása: Fizika Ha vasalják a szinusz-görbét Tartalomjegyzék
RészletesebbenFelhasználói kézikönyv
Felhasználói kézikönyv 9234C Fordulatszámmérő TARTALOMJEGYZÉK 1. Termékjellemzők... 2 2. Műszaki jellemzők... 2 3. Előlap és kezelőszervek... 2 4. LCD Kijelző... 3 5. Működési leírás... 3 6. Karbantartás...
RészletesebbenPÉLDÁK ERŐTÖRVÉNYEKRE
PÉLÁ ERŐTÖRVÉNYERE Szabad erők: erőtörvénnyel megadhatók, általában nem függenek a test mozgásállapotától (sebességtől, gyorsulástól) Példák: nehézségi erő, súrlódási erők, rugalmas erők, felhajtóerők,
RészletesebbenAnyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió
Anyagismeret 6/7 Diffúzió Dr. Mészáros István meszaros@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd Diffúzió Diffúzió -
RészletesebbenKecskeméti Főiskola GAMF Kar. Poliolefinek öregítő vizsgálata Szűcs András. Budapest, 2011. X. 18
Kecskeméti Főiskola GAMF Kar Poliolefinek öregítő vizsgálata Szűcs András Budapest, 211. X. 18 1 Tartalom Műanyagot érő öregítő hatások Alapanyag és minta előkészítés Vizsgálati berendezések Mérési eredmények
RészletesebbenHangfrekvenciás mechanikai rezgések vizsgálata
KLASSZIKUS FIZIKA LABORATÓRIUM 3. MÉRÉS Hangfrekvenciás mechanikai rezgések vizsgálata Mérést végezte: Enyingi Vera Atala ENVSAAT.ELTE Mérés időpontja: 2011. november 23. Szerda délelőtti csoport 1. A
RészletesebbenA kísérlet, mérés megnevezése célkitűzései: Váltakozó áramú körök vizsgálata, induktív ellenállás mérése, induktivitás értelmezése.
A kísérlet, mérés megnevezése célkitűzései: Váltakozó áramú körök vizsgálata, induktív ellenállás mérése, induktivitás értelmezése. Eszközszükséglet: tanulói tápegység funkcionál generátor tekercsek digitális
Részletesebbenazonos sikban fekszik. A vezetőhurok ellenállása 2 Ω. Számítsuk ki a hurok teljes 4.1. ábra ábra
4. Gyakorlat 31B-9 A 31-15 ábrán látható, téglalap alakú vezetőhurok és a hosszúságú, egyenes vezető azonos sikban fekszik. A vezetőhurok ellenállása 2 Ω. Számítsuk ki a hurok teljes 4.1. ábra. 31-15 ábra
RészletesebbenMikrohullámú abszorbensek vizsgálata
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
RészletesebbenVTOL UAV. Inerciális mérőrendszer kiválasztása vezetőnélküli repülőeszközök számára. Árvai László, Doktorandusz, ZMNE
Inerciális mérőrendszer kiválasztása vezetőnélküli repülőeszközök számára Árvai László, Doktorandusz, ZMNE Tartalom Fejezet Témakör 1. Vezető nélküli repülőeszközök 2. Inerciális mérőrendszerek feladata
RészletesebbenLed - mátrix vezérlés
Led - mátrix vezérlés Készítette: X. Y. 12.F Konzulens tanár: W. Z. Led mátrix vezérlő felépítése: Mátrix kijelzőpanel Mikrovezérlő panel Működési elv: 1) Vezérlőpanel A vezérlőpanelen található a MEGA8
RészletesebbenFényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
RészletesebbenFelhasználói kézikönyv
Felhasználói kézikönyv 9236C Fordulatszámmérő TARTALOMJEGYZÉK 1. Termékjellemzők... 2 2. Műszaki jellemzők... 2 3. Előlap és kezelőszervek... 2 4. Működési leírás... 3 5. Mérési folyamat... 4 6. Elem cseréje...
RészletesebbenGeometriai és hullámoptika. Utolsó módosítás: május 10..
Geometriai és hullámoptika Utolsó módosítás: 2016. május 10.. 1 Mi a fény? Részecske vagy hullám? Isaac Newton (1642-1727) Pierre de Fermat (1601-1665) Christiaan Huygens (1629-1695) Thomas Young (1773-1829)
RészletesebbenGyakorlati Forduló Válaszlap Fizika, Kémia, Biológia
Gyakorlati Forduló Válaszlap Fizika, Kémia, Biológia Töltsd ki az alábbiakat! A DIÁKOK NEVEI: CSOPORT JELE: ORSZÁG: ALÁÍRÁSOK: 1 Milyen változás(oka)t figyeltetek meg az alkoholnak a DNS-oldathoz adása
RészletesebbenKÖZEG. dv dt. q v. dm q m. = dt GÁZOK, GŐZÖK ÉS FOLYADÉKOK ÁRAMLÓ MENNYISÉGÉNEK MÉRÉSE MÉRNI LEHET:
GÁZOK, GŐZÖK ÉS FOLYADÉKOK ÁRAMLÓ MENNYISÉGÉNEK MÉRÉSE MÉRNI LEHET: AZ IDŐEGYSÉG ALATT ÁTÁRAMLÓ MENNYISÉG TÉRFOGATÁT TÉRFOGATÁRAM MÉRÉS q v = dv dt ( m 3 / s) AZ IDŐEGYSÉG ALATT ÁTÁRAMLÓ MENNYISÉG TÖMEGÉT
RészletesebbenMerev testek kinematikája
Merev testek kinematikája Egy pontrendszert merev testnek tekintünk, ha bármely két pontjának távolsága állandó. (f=6, Euler) A merev test tetszőleges mozgása leírható elemi transzlációk és elemi rotációk
RészletesebbenOrvosi Biofizika I. 12. vizsgatétel. IsmétlésI. -Fény
Orvosi iofizika I. Fénysugárzásanyaggalvalókölcsönhatásai. Fényszóródás, fényabszorpció. Az abszorpciós spektrometria alapelvei. (Segítséga 12. tételmegértéséhezésmegtanulásához, továbbá a Fényabszorpció
RészletesebbenIpari robotok megfogó szerkezetei
IPARI ROBOTOK Ipari robotok megfogó szerkezetei 6. előadás Dr. Pintér József Tananyag vázlata Ipari robotok megfogó szerkezetei 1. Effektor fogalma 2. Megfogó szerkezetek csoportosítása 3. Mechanikus megfogó
RészletesebbenMolekuláris dinamika. 10. előadás
Molekuláris dinamika 10. előadás Mirőlis szól a MD? nagy részecskeszámú rendszerek ismerjük a törvényeket mikroszkópikus szinten? Hogyan tudjuk megérteni a folyadékok, gázok, szilárdtestek makroszkópikus
RészletesebbenFogorvosi anyagtan fizikai alapjai 2.
Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 2. Általános anyagszerkezeti ismeretek Folyadékok, szilárd anyagok, folyadékkristályok Kiemelt témák: Viszkozitás Víz és nyál Kristályok - apatit Polimorfizmus Kristályhibák
RészletesebbenFelhasználói kézikönyv
Felhasználói kézikönyv 6234C Fordulatszámmérő TARTALOMJEGYZÉK 1. Termékjellemzők... 2 2. Műszaki jellemzők... 2 3. Előlap és kezelőszervek... 2 4. Működési leírás... 3 5. Mérési folyamat... 4 6. Elem cseréje...
Részletesebben10. előadás Kőzettani bevezetés
10. előadás Kőzettani bevezetés Mi a kőzet? Döntően nagy földtani folyamatok során képződik. Elsősorban ásványok keveréke. Kőzetalkotó ásványok építik fel. A kőzetalkotó komponensek azonban nemcsak ásványok,
RészletesebbenVizsgatémakörök fizikából A vizsga minden esetben két részből áll: Írásbeli feladatsor (70%) Szóbeli felelet (30%)
Vizsgatémakörök fizikából A vizsga minden esetben két részből áll: Írásbeli feladatsor (70%) Szóbeli felelet (30%) A vizsga értékelése: Elégtelen: ha az írásbeli és a szóbeli rész összesen nem éri el a
RészletesebbenOsztályozó vizsga anyagok. Fizika
Osztályozó vizsga anyagok Fizika 9. osztály Kinematika Mozgás és kölcsönhatás Az egyenes vonalú egyenletes mozgás leírása A sebesség fogalma, egységei A sebesség iránya Vektormennyiség fogalma Az egyenes
RészletesebbenAnyagok az energetikában
Anyagok az energetikában BMEGEMTBEA1, 6 krp (3+0+2) Környezeti tényezők hatása, időfüggő mechanikai tulajdonságok Dr. Tamás-Bényei Péter 2018. szeptember 19. Ütemterv 2 / 20 Dátum 2018.09.05 2018.09.19
RészletesebbenMEMS technológiák, eljárások
ÓBUDAI EGYETEM KANDÓ KÁLMÁN VILLAMOSMÉRNÖKI KAR TÁVOKTATÁS TAGOZAT MEMS technológiák, eljárások Brindzik József 2010.12.12. A MEMS-ekről általában. A nanotechnológia indulását az integrált áramkörök fejlődése
RészletesebbenDistanceCheck. Laser nm
44 Laser 645-655 nm Laser 2 x Typ AAA / LR03 1,5V / Alkaline 02 x x y = m 2 y z x y x y z = m 3 03 ! Olvassa el végig a kezelési útmutatót és a mellékelt Garanciális és egyéb útmutatások c. füzetet. Kövesse
RészletesebbenHiszterézis: Egy rendszer kimenete nem csak az aktuális állapottól függ, hanem az állapotváltozás aktuális irányától is.
1. Mi az érzékelő? Definiálja a típusait (belső/külső). Mit jelent a hiszterézis? Miért nem tudunk közvetlenül mérni, miért származtatunk? Hogyan kapcsolódik össze az érzékelés és a becslés a mérések során?
Részletesebben3. (b) Kereszthatások. Utolsó módosítás: április 1. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék
3. (b) Kereszthatások Utolsó módosítás: 2013. április 1. Vezetési együtthatók fémekben (1) 1 Az elektrongáz hővezetési együtthatója A levezetésben alkalmazott feltételek: 1. Minden elektron ugyanazzal
RészletesebbenIntegrált áramkörök/1. Informatika-elekronika előadás 10/20/2007
Integrált áramkörök/1 Informatika-elekronika előadás 10/20/2007 Mai témák Fejlődési tendenciák, roadmap-ek VLSI alapfogalmak A félvezető gyártás alapműveletei A MOS IC gyártás lépései 10/20/2007 2/48 Integrált
RészletesebbenSzilárd testek rugalmassága
Fizika villamosmérnököknek Szilárd testek rugalmassága Dr. Giczi Ferenc Széchenyi István Egyetem, Fizika és Kémia Tanszék Győr, Egyetem tér 1. 1 Deformálható testek (A merev test idealizált határeset.)
Részletesebben