Analitikai szenzorok második rész
|
|
- Frigyes Tamás
- 8 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető struktúrákkal együtt, azokkal azonos anyagból és azonos módszerekkel készül. Mint ismeretes, a félvezető anyagok közül a szilícium alapú félvezetők a legnépszerűbbek, ami nem véletlen: a Si nagyon gyakori elem, előállítása tiszta kristályos y formában viszonylag y g olcsó és könnyű, y, ráadásul kémiailagg és fizikailagg is ellenálló (pl. olvadáspont 1410 C, forráspont 2355 C; rugalmatlan, a kristályai az acéléhoz hasonló szilárdságúak, stb.). *egykristály 1
2 A szilícium fizikai tulajdonságai A szilíciumnak ráadásul számos olyan fizikai jellemzője van, ami nagyon alkalmassá teszi szenzor struktúrák kialakítására. Például: Sugárzás jellegű stimulusok: Mechanikai jellegű stimulusok: Termikus jellegű stimulusok: Mágneses jellegű stimulusok: Kémiai stimulusok: fotovoltaikus és fotoelektromos hatás, fotokonduktív hatás, stb. piezorezisztív hatás, stb. Seebeck effektus, az elektromos vezetés hőmérsékletfüggése, stb. Hall effektus, stb. Ion szelektív érzékelés, stb. Ezek alapján igen sokféle szenzor és transducer (pl. nyomásmérő, hőmérsékletmérő, erőmérő, foto és ion szelektív szenzorok) készíthetők Si alapanyagból a mikrofabrikáció eszközeivel, amint erre a későbbiekben példákat is látunk. A sokoldalúság mellett két hátrányt is meg kell említeni: 1.) bár a fenti fizikai effektusok erősek, azok hőmérsékletfüggése is jelentős, 2.) A Si nem mutat piezoelektromos effektust. Az utóbbi probléma elhárítható kompozit eszközökkel: pl. egy alkalmas fém oxidjának vékonyrétegét (pl. ZnO) leválasztva a Si ra, előállítható a kívánt eszköz, ami a Si subsztrátban keletkező mechanikai feszültséget továbbítja a piezoelektromos vékonyréteg felé, így elektromos feszültséget produkál. A szilícium fizikai tulajdonságai Meg kell azt is jegyezni, hogy a szilíciumot nem csak a klasszikus egykristály (SCS, single crystral silicon) formában alkalmazzák a szenzorok kialakítására. Az ún. polikristályos szilícium (PS, polysilicon vagy polycrystralline silicon) forma is használatos, amelyet pl. szilán származékok (SiH 4 ) pirolíziséből származó Si krisztallitok leválasztásával állítanak elő. Az egykristályok előállítása (növesztése) leggyakrabban a Czochralski módszerrel történik. SiCl 4(g) + 2H 2(g) Si (s) + 4HCl (g) A szenzorok kialakításához a PS vagy SCS alapanyagot dópolva (mesterségesen szennyezve) használják fel. SiH 4
3 A szilícium fizikai tulajdonságai AzSCSésPSfizikaitulajdonságaitöbb szempontból is eltérőek, amelyeket egyes effektusokon és azok hőmérséklet függésén, illetve a szennyező anyagok koncentrációján keresztül az alábbi grafikonok is szemléltetnek. Látható pl.: eltérő a fajlagos ellenállásuk a szennyezőkoncentráció függvényében pozitív és negatív hőmérsékleti koefficiens is kialakítható az ellenállás hőmérséklet függése sokkal erőteljesebb PS esetén (SCS esetében közel nulla a tényező) jelentős piezorezisztív érzékenysége van a PS nek Fajlagos ellenállás (A) és annak relatív változása a hőmérséklet és a szennyezőkoncentráció függvényében (B) A fajlagos ellenállás változása a hőmérséklet és szennyezőkonc. függvényében (A), valamint piezorezisztív effektus PS ben (B) A szilícium alapanyag módosítása: dópolás A Si alapanyag módosításának legfontosabb módszerei közé tartozik a dópolás/szennyezés. A Si intrinsic félvezető, vagyis benne a negatív (elektronok) és pozitív (lyukak, vakanciák) töltéshordozók azonos számban fordulnak elő. Ha szennyezők bevitelével a töltéshordozók arányát eltoljuk, akkor szennyezéses félvezetőtő hozunk létre. A szennyezések koncentrációja a /cm 3 körüli, vagyis ppm nagyságrendű arácsalkotósi hoz képest (kb /cm 3 ). n típusú szennyezéses félvezető: a P, As vagy Sb atomokat építenek be, amelyek szabad elektronokat juttatnak a kristályrácsba p típusú szennyezéses félvezető: B, Al vagy Ga atomokat építenek be, amelyek lyukakat juttatnak a kristályrácsba
4 A szilícium alapanyag módosítása: dópolás A Si alapanyag dópolását általában az epitaxiális növesztésével (a rétegvastagság növelése) párhuzamosan, vagy azzal alternálva szokták megvalósítani. A következő elterjedt, fontosabb módszerei ismertek a dópolásra: A) pirolízissel az epitaxiális növesztés során: a PS előállításához hasonlóan, a szilán származék gázba hidrogént és pl. foszfin (n típusú réteghez) vagy pl. bór trietil (ptípusú réteghez) adalékot is kevernek, ami szintén pirolizálódik. A módszer előnye, hogy lényegében tetszőleges vastagságú rétegek is előállíthatók vele (tip.: kb. 5 µm) és növesztésre amúgy is szükség van a félvezető struktúrák készítése során. B) diffúzió: kiteszik a Si lapkát a p vagy n típusú szennyező nagy koncentrációját tartalmazó anyagnak (azzal közvetlen kontaktusba hozzák), majd magas ( C) hőmérséklet alkalmazásával segítik a szennyezőknek a bediffundálását. Ma ritkán használják a módszert, mert bár nagy szennyező koncentrációk hozhatók létre így, a magas hőmérséklet és a felület felérdesítése előnytelen. C) ion implantáció: a gázhalmazállapotú dópoló forrást elbontjál (ionizálják), majd az ionokat kv feszültséggel gyorsítják, mágneses szektorban tisztítják és a nyalábot a félvezetőre irányítják. A módszer gyors, tiszta, de csak a legfelső kb. 1 µm réteg dópolható így. A szilícium alapanyag módosítása: oxidáció Fontos szerep jut az oxidációnak is a félvezető eszközök, struktúrák kialakítása során. A tiszta Si réteg kémiai ellenállóképessége ugyanis lényegesen kisebb, mint a SiO 2 rétegé, ezért mind a maratás, mind a diffúzió során, mind a környezeti hatásokkal szemben (nemkívánt szennyezések) sérülékenyebb, emellett a SiO 2 jó szigetelő is. Midezek miatt rendesen egy kb. 0.5 µm vastag oxidréteget mindig növesztenek a kész félvezetőő struktúrák felületére zárórétegként, illetve azon részeken, amelyeket nem akarnak kitenni az említett műveleteknek (diffúzió/maratás, stb.). Az oxidációt oxigén áramban vagy atmoszférában való hevítéssel történik.
5 A szilícium alapanyag módosítása: fotolitográfia, maratás A mikrostruktúrákat (szigeteket, sávokat, mélyedéseket, stb.) leginkább a fotolitográfia módszerével szokták kialakítani. Ennek (ma már robotizált) lépései a következők: 1. a felület tisztítása,. pl. H 2 O 2 tartalmú oldatokkal 2. a felület szárítása és fotolakk tapadását segítő adalék felvitele 3. viszkózus folyadék formájában felviszik a fotolakkot (photoresist) a felületre és a lapka párezres fordulatszámmal való megpörgetésével azt egy µm vastagságú egyenletes rétegben szétterítik, majd azt a felületre rászárítják C on (30 60 s) 4. egy pozitív vagy negatív maszkon (filmen) keresztül intenzív, egyenletes lézerfénnyel (excimer, UV) világítják meg a lapkát. Ez kémiai roncsolódást okoz a lakkban azokon a részeken, ahol a maszk átlátszik. 5. oldószeres mosás (előhívó, developer) következik, ami az exponált részeket kioldja a lakkból. 6. maratás (etching) következik, ami a lakk által már nem védett részeken megtámadja a félvezetőt, és a szükséges sebességgel kimarja azt. 7. a lakk maradványait oxidatív eljárással eltávolítják a felületről. Illusztrációképpen álljon itt egy Si alapú, nyomásmérő szenzor (piezorezisztorokból) készítésének menete. Si membrán
6 Illusztrációképpen álljon itt egy Si alapú, nyomásmérő szenzor (piezorezisztorokból) készítésének menete. piezorezisztorok Illusztrációképpen álljon itt egy Si alapú, nyomásmérő szenzor (piezorezisztorokból) készítésének menete. Alumínium kontakt felületek 6
7 Kiindulási alapanyag: kb. 400 µm vastag, <100> orientációjú n típusú Si lapka
8
9 KÉSZ!
10 Integrált áramkörök kialakítása félvezető, vezető és szigetelő rétegekből Lézeres mikrofabrikáció Az elmondottakon túl a mikrofabrikáció eszköztárába még sok módszer beletartozik, legfőképpen a lézerekkel megvalósított vágási, fúrási, felület érdesítési, film és rétegleválasztási műveletek, stb., amelyek nem csak félvezetőkben, hanem fémekben, polimerekben is megvalósíthatók és segíthetik a szenzorok vagy kapcsolódó MEMS (micro electromechanical systems) eszközök létrehozását.
11 A Si dióda (p n átmenet) működése Afélvezető dióda strukturálisan két, egymással szoros kontaktusba hozott p illetve n típusú félvezető rétegből áll. Funkcionális jellegzetessége, hogy az áram az egyik irányban könnyen átfolyik rajta, a másik irányban gyakorlatilag nem. Ebből adódóan az elektronikában egyenirányításra, jelfeldolgozásra, logikai áramkörök kialakítására használatos. A záróirányban előfeszített p n átmenetben a széles kiürített sávban nincsenek töltéshordozók, ezért az áramvezetés nagyon csekély (µa na nagyságrendű). Fotoszenzor kialakítására például az ad lehetőséget, hogy a megfelelő energiájú fotonok elnyelődése a félvezető anyagában elektron lyuk párokat hoz létre, ami áramlökésként jelentkezik az áramlökéseket megszámolva megállapítható, hány foton érkezett a szenzorra. A térvezérlésű tranzisztor (FET/MOSFET) működése A Field Effect Transistor (FET, vagy másképpen MOSFET) működésétazalábbiábra illusztrálja. Három kivezetéssel rendelkezik: a hordozóban (pl. p típusú Si) kialakított két n típusú sziget (a forrás vagy source ésanyelő vagy drain ), továbbá a két sziget között, a hordozó felett húzódó, elszigetelt fémelektród (kapu vagy gate ). Ha a kapuelektródán k nincs pozitív ií potenciál, akkor a forrás és nyelő elektródák között nincs vezetés, mivel azok két egymással szembefordított p n átmenetként viselkednek. Ha viszont a kapuelektródára megfelelően nagy pozitív potenciált kapcsolunk, akkor az oda vonzza magához a hordozóban található elektronokat, amelyek keresztirányban könnyen elmozdulhatnak, vagyis áramvezetés jön létre. Mindezek miatt a FET (és minden más tranzisztor is) kapcsolóként vagy erősítőként alkalmazható.
12 A térvezérlésű tranzisztor (FET/MOSFET) működése
Térvezérlésű tranzisztor
Térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztorok a vékonyréteg félvezetős eszközök kategoriájába sorolhatók és a tranzisztorok harmadik generációját képviselik. 1948-ban jelentik be amerikai kutatók
RészletesebbenA jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
RészletesebbenF1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok
E, Kísérleti Fizika Tanszék F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect
RészletesebbenA PC vagyis a személyi számítógép. VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória
i smer d meg! A PC vagyis a személyi számítógép VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória (lásd a klasszikus architekturájú univerzális számítógép rendszertömbvázlatát
RészletesebbenTFBE1301 Elektronika 1.
E, Kísérleti Fizika Tanszék TFBE1301 Elektronika 1. Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect Transistor
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások 1 Felhasznált irodalom CONRAD Elektronik: Elektronikai kíséletező készlet útmutatója 2 FET tranzisztorok FET = Field Effect Transistor,
Részletesebben8.B 8.B. 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok
8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok Értelmezze az unipoláris tranzisztorok felépítését, mőködését, feszültség- és áramviszonyait, s emelje ki a térvezérlés szerepét! Rajzolja fel a legfontosabb
Részletesebben- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok
lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezetı anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok - vezetık: normál körülmények között
RészletesebbenSzigetelők Félvezetők Vezetők
Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).
RészletesebbenVillamos tulajdonságok
Villamos tulajdonságok A vezetés s magyarázata Elektron függıleges falú potenciálgödörben: állóhullámok alap és gerjesztett állapotok Több elektron: Pauli-elv Sok elektron: Energia sávok Sávelméletlet
RészletesebbenGÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA. Mérési útmutató. Gyurkócza Csaba
GÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA Mérési útmutató Gyurkócza Csaba BME NTI 1997 2 Tartalom 1. BEVEZETÉS... 3 2. ELMÉLETI ÖSSZEFOGLALÁS... 3 2.1. Töltéshordozók keletkezése (ionizáció) töltött részecskéknél...
RészletesebbenElektronika I. Dr. Istók Róbert. II. előadás
Elektronika I Dr. Istók Róbert II. előadás Tranzisztor működése n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban p-n átmeneteknél kiürített réteg jön létre Az emitter-bázis réteg között kialakult diódát emitterdiódának,
RészletesebbenKONDUKTOMETRIÁS MÉRÉSEK
A környezetvédelem analitikája KON KONDUKTOMETRIÁS MÉRÉSEK A GYAKORLAT CÉLJA: A konduktometria alapjainak megismerése. Elektrolitoldatok vezetőképességének vizsgálata. Oxálsav titrálása N-metil-glükamin
RészletesebbenXXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN
2007. február 6. 1 Pálinkás József: Fizika 2. XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN Bevezetés: Az előző fejezetekben megismertük, hogy a kvantumelmélet milyen jól leírja az atomok és a molekulák felépítését.
RészletesebbenMit mond ki a Huygens elv, és miben több ehhez képest a Huygens Fresnel-elv?
Ismertesse az optika fejlődésének legjelentősebb mérföldköveit! - Ókor: korai megfigyelések - Euklidész (i.e. 280) A fény homogén közegben egyenes vonalban terjed. Legrövidebb út elve (!) Tulajdonképpen
RészletesebbenELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat
ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat Tranzisztorok Elemi félvezető eszközök Alkalmazásuk Analóg áramkörökben: erősítők Digitális áramkörökben: kapcsolók Típusai BJT
Részletesebbenkapillárisok vizsgálatából szerzett felületfizikai információk széleskörűen alkalmazhatók az anyagvizsgálatban, vékonyrétegek analízisében.
Fiatal kutatói témák az Atomkiban 2009 1. ÚJ RÉSZECSKÉK KERESÉSE A CERN CMS DETEKTORÁVAL Új részecskék keresése a CERN CMS detektorával (Témavezető: Trócsányi Zoltán, zoltant@atomki.hu) Az új fiatal kutatói
RészletesebbenA szilárd állapot. A szilárd állapot. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011
A szilárd állapot A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 1 Szobahőmérsékleten és légköri nyomáson szilárd halmazállapot létrejöttének feltétele, hogy a szilárd részecskék
RészletesebbenAz elektrosztatika törvényei anyag jelenlétében, dielektrikumok
TÓTH.: Dielektrikumok (kibővített óravázlat) 1 z elektrosztatika törvényei anyag jelenlétében, dielektrikumok z elektrosztatika alatörvényeinek vizsgálata a kezdeti időkben levegőben történt, és a különféle
RészletesebbenSzilárd anyagok. Műszaki kémia, Anyagtan I. 7. előadás. Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék
Szilárd anyagok Műszaki kémia, Anyagtan I. 7. előadás Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Szilárd anyagok felosztása Szilárd anyagok Kristályos szerkezetűek Üvegszerű anyagok
RészletesebbenSZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK ITRISIC (TISZTA) FÉLVEZETŐK E EXTRÉM AGY TISZTASÁG (kb: 10 10 Si, v. Ge, 1 szennyező atom) HIBÁTLA KRISTÁLYSZERKEZET abszolút nulla hőmérsékleten T = 0K = elektron kevés
RészletesebbenKapacitív áramokkal működtetett relés áramkörök 621.316.92S:621.318.B7:S21.3S2.$
DR. GÁL JÓZSEF Budapesti Műszaki Egyetem Kapacitív áramokkal működtetett relés áramkörök BTO 621.316.92S:621.318.B7:S21.3S2.$ A cikk cím szerinti témáját két, egymástól időben nagyon távoleső kapcsolási
RészletesebbenAzonosító jel: KÉMIA EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA. 2006. október 31. 14:00. Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc
É RETTSÉGI VIZSGA 2006. október 31. KÉMIA EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2006. október 31. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS MINISZTÉRIUM
Részletesebben1 Elektronika 2 Jegyzet. Elektronika 2. Jegyzet
1 Elektronika 2 Jegyzet Elektronika 2 2010 Jegyzet 2 Elektronika 2 Jegyzet Fél vezetők A félvezetők úgy forradalmasították az ipart, mint ahogyan azt korábban a gőzgép tette. Ma már aligha lehetne olyan
Részletesebben4** A LINA 1 jelzésű félkész áramkör felépítése és alkalmazása DR. BALOGH BÉLÁNÉ-GERGELY ISTVÁN MÉHN MÁRTON MEV. 1. Bevezetés
A LINA 1 jelzésű félkész áramkör felépítése és alkalmazása DR. BALOGH BÉLÁNÉ-GERGELY ISTVÁN MÉHN MÁRTON MEV ÖSSZEFOGLALÁS A LINA 1 félkész áramkör közepes bonyolultságú analóg áramkörök integrált formában
Részletesebben1. Atomspektroszkópia
1. Atomspektroszkópia 1.1. Bevezetés Az atomspektroszkópia az optikai spektroszkópiai módszerek csoportjába tartozó olyan analitikai eljárás, mellyel az anyagok elemi összetételét határozhatjuk meg. Az
RészletesebbenElektromágneses hullámok, a fény
Elektromágneses hullámok, a fény Az elektromos töltéssel rendelkező testeknek a töltésük miatt fellépő kölcsönhatását az elektromos és mágneses tér segítségével írhatjuk le. A kölcsönhatás úgy működik,
RészletesebbenMűanyagok galvanizálása
BAJOR ANDRÁS Dr. FARKAS SÁNDOR ORION Műanyagok galvanizálása ETO 678.029.665 A műanyagok az ipari termelés legkülönbözőbb területein speciális tulajdonságaik révén kiszorították az egyéb anyagokat. A hőre
RészletesebbenA furatfémezett nyomtatott huzalozású lemezek előállítása
A furatfémezett nyomtatott huzalozású lemezek előállítása A nyomtatott huzalozású lemezek előállítására a szubtraktív, a féladditív és az additív technológia terjedt el. Mindhárom technológia egyaránt
RészletesebbenElektronmikroszkópia. Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47
Elektronmikroszkópia Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47 x Miért van szükség elektronmikroszkópra? intenzitásprofil képernyő apertúra Egy fénnyel
RészletesebbenLaptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
RészletesebbenKülönböző fényforrások (UV,VIS, IR) működési alapjai, legújabb fejlesztések
Különböző fényforrások (UV,VIS, IR) működési alapjai, legújabb fejlesztések Sugárzás kölcsönhatása az anyaggal Készítette: Fehértói Judit (Z0S8CG) Fábián Balázs (IT23JG) Budapest, 2014.04.15. 1 Bevezetés:
RészletesebbenDiagnosztikai röntgen képalkotás, CT
Diagnosztikai röntgen képalkotás, CT ALAPELVEK A röntgenkép a röntgensugárzással átvilágított test árnyéka. A detektor vagy film az áthaladó, azaz nem elnyelt sugarakat érzékeli. A képen az elnyelő tárgyaknak
RészletesebbenElektromágneses sugárözönben élünk
Elektromágneses sugárözönben élünk Az Életet a Nap, a civilizációnkat a Tűz sugarainak köszönhetjük. - Ha anya helyett egy isten nyitotta föl szemed, akkor a halálos éjben mindenütt tűz, tűz lobog fel,
RészletesebbenÓbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet. Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC)
Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC) Laboratóriumi gyakorlatok Mérési útmutató 3. Hall-szondák alkalmazásai a. Félvezető
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Villamosmérnöki és Informatikai Kar. Doktori értekezés
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar ELEKTRONVEZETŐ POLIMER ALAPÚ BIOKATALITIKUS HÚGYSAVÉRZÉKELŐ Doktori értekezés Készítette: Dobay Róbert okl. villamosmérnök
RészletesebbenGalvanizálás a híradástechnikában
BAJOR ANDRÁS F A R K A S SÁNDOR ORION Galvanizálás a híradástechnikában ETO 621.337.6/7:621.39 Az ipari fejlődés során az eredetileg díszítő és korrózióvédő bevonatok előállítására szolgáló galvanizálást
RészletesebbenKerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok. BME Anyagtudomány és Technológia Tsz.
Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok BME Anyagtudomány és Technológia Tsz. Bevezetés A kerámiákat régóta használja az orvostechnika implantátumanyagként, elsõsorban bioinert tulajdonságaik, kopásállóságuk
RészletesebbenA semleges testeket a + és a állapotú anyagok is vonzzák. Elnevezés: töltés: a negatív állapotú test negatív töltéssel, a pozitív állapotú test
Elektrosztatika Elektromos alapjelenségek Egymással szorosan érintkező ( pl. megdörzsölt) felületű anyagok a szétválás után elektromos állapotba kerülnek. Azonos elektromos állapotú anyagok taszítják egymást,
RészletesebbenÁramvezetés Gázokban
Áramvezetés Gázokban Líceumban láthattuk több alkalommal az elektromos áram hatásait, mikor fémes vezetőre egyen-, vagy váltóáramot kapcsolunk. Megfigyelhettük a hőtermelés és hő elnyeléssel kapcsolatos
RészletesebbenMagyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben
Erdélyi Magyar Műszaki Tudományos Társaság Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben Kolozsvári Műszaki Egyetem Számítástechnika Kar Szerzők dr. Baruch Zoltán Bíró Botond dr. Buzás Gábor dr.
RészletesebbenTartalom ELEKTROSZTATIKA AZ ELEKTROMOS ÁRAM, VEZETÉSI JELENSÉGEK A MÁGNESES MEZÕ
Tartalom ELEKTROSZTATIKA 1. Elektrosztatikai alapismeretek... 10 1.1. Emlékeztetõ... 10 2. Coulomb törvénye. A töltésmegmaradás törvénye... 14 3. Az elektromos mezõ jellemzése... 18 3.1. Az elektromos
RészletesebbenKOCH VALÉRIA GIMNÁZIUM HELYI TANTERV FIZIKA. 7-8. évfolyam. 9-11. évfolyam valamint a. 11-12. évfolyam emelt szintű csoport
KOCH VALÉRIA GIMNÁZIUM HELYI TANTERV FIZIKA 7-8. évfolyam 9-11. évfolyam valamint a 11-12. évfolyam emelt szintű csoport A tanterv készítésekor a fejlesztett kompetenciákat az oktatási célok közül vastag
RészletesebbenTermoelektromos polimerek és polimerkompozitok
MŰANYAGFAJTÁK Termoelektromos polimerek és polimerkompozitok A villamos energia hőmérséklet-különbséggé vagy fordítva a hőmérséklet-különbség villamos energiává való közvetlen átalakítása bizonyos polimerekkel
RészletesebbenA polimer elektronika
Tartalom A polimer elektronika Mi a polimer elektronika? Vezető szerves molekulák, ; a vezetés mechanizmusa Anyagválaszték: vezetők, félvezetők, fénykibocsátók szigetelők, hordozók Technológiák Eszközök
RészletesebbenAdatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei
GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekI.Közgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési
RészletesebbenSPEKTROFOTOMETRIAI MÉRÉSEK
SPEKTROFOTOMETRIAI MÉRÉSEK Elméleti bevezetés Ha egy anyagot a kezünkbe veszünk (valamilyen technológiai céllal alkalmazni szeretnénk), elsı kérdésünk valószínőleg az lesz, hogy mi ez az anyag, milyen
RészletesebbenNANOELEKTRONIKA ÉS KATONAI ALKALMAZÁSAI
Nánai László NANOELEKTRONIKA ÉS KATONAI ALKALMAZÁSAI A mikroelektronika és a számítástechnika rendkívül gyors fejlődésének következményeképpen az eszközkomponensek mérete rendkívül gyors ütemben csökkent,
Részletesebbenτ Γ ħ (ahol ħ=6,582 10-16 evs) 2.3. A vizsgálati módszer: Mössbauer-spektroszkópia (Forrás: Buszlai Péter, szakdolgozat) 2.3.1. A Mössbauer-effektus
2.3. A vizsgálati módszer: Mössbauer-spektroszkópia (Forrás: Buszlai Péter, szakdolgozat) 2.3.1. A Mössbauer-effektus A Mössbauer-spektroszkópia igen nagy érzékenységű spektroszkópia módszer. Alapfolyamata
RészletesebbenKötő- és rögzítőtechnológiák
Kötő- és rögzítőtechnológiák Szilárd anyagok illeszkedő felületük mentén külső (fizikai eredetű) vagy belső (kémiai eredetű) erővel köthetők össze. Külső erőnek az anyagok darabjait összefogó, összeszorító
RészletesebbenNehéz töltött részecskék (pl. α-sugárzás) kölcsönhatása
Az ionizáló sugárzások kölcsönhatása anyaggal, nehéz és könnyű töltött részek kölcsönhatása, röntgen és γ-sugárzás kölcsönhatása Az ionizáló sugárzások mérése, gáztöltésű detektorok (ionizációs kamra,
RészletesebbenMŰGYANTA FELHASZNÁLÁSÁVAL KAPCSOLATOS INFORMÁCIÓK
MŰGYANTA FELHASZNÁLÁSÁVAL KAPCSOLATOS INFORMÁCIÓK Általános tudnivalók Kötési mechanizmus: A műgyanta a hagyományos ragasztókkal illetve kötőanyagokkal szemben nem az oldószer elpárologtatásával köt meg,
RészletesebbenAZ ÉGÉSGÁTLÁS KÖRNYEZETI HATÁSAINAK VIZSGÁLATA
Bevezető AZ ÉGÉSGÁTLÁS KÖRNYEZETI HATÁSAINAK VIZSGÁLATA A műanyagok felhasználási területe egyre bővül, így mennyiségük is rohamosan növekszik. Elhasználódás után csekély hányaduk kerül csak újrahasznosításra,
RészletesebbenPolimer nanokompozitok
Polimer nanokompozitok Hári József és Pukánszky Béla BME Fizikai Kémia és Anyagtudományi Tanszék Műanyag- és Gumiipari Laboratórium MTA TTK Anyag- és Környezetkémiai Intézet 2013. november 6. Tartalom
RészletesebbenMAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT. 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu
MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu Tartalom 1. A villamos csatlakozások és érintkezôk fajtái............................5 2. Az érintkezések
RészletesebbenKOVÁCS ENDRe, PARIpÁS BÉLA, FIZIkA II.
KOVÁCS ENDRe, PARIpÁS BÉLA, FIZIkA II. 4 ELeKTROMOSSÁG, MÁGNeSeSSÉG IV. MÁGNeSeSSÉG AZ ANYAGbAN 1. AZ alapvető mágneses mennyiségek A mágneses polarizáció, a mágnesezettség vektora A nukleonok (proton,
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Dankházi Zoltán 2013. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok
RészletesebbenÚj kötőanyagrendszer előállítása ipari hulladékanyag mechanokémiai aktiválásával
Új kötőanyagrendszer előállítása ipari hulladékanyag mechanokémiai aktiválásával Szerző: Hullár Hanna Dóra, Anyagmérnök BSc, IV. évfolyam Témavezető: Balczár Ida Anna, PhD hallgató Munka helyszíne: PE-MK,
RészletesebbenNANOELEKTRONIKA JEGYZET MIZSEI JÁNOS RÉSZEIHEZ
NANOELEKTRONIKA JEGYZET MIZSEI JÁNOS RÉSZEIHEZ Készítette: Riedl Tamás Tartalomjegyzék 1. Történeti áttekintés... 3 2. A technológia fejlődése, alapok... 3 A MOS tranzisztor... 4 3. Nemlinearitás: A bináris
RészletesebbenA talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor
Bevezetés talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor z ember már õsidõk óta ki van téve a radioaktív sugárzásoknak 1 1 ( α, β, γ, n, p, ν, ~,... ). Egy személy évi sugárterhelésének
RészletesebbenKÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2014. május 19. FIZIKA KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2014. május 19. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 120 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK MINISZTÉRIUMA Fizika
RészletesebbenTárgyszavak: kompozit; önerősítés; polipropilén; műanyag-feldolgozás; mechanikai tulajdonságok.
MŰANYAGFAJTÁK Önerősített műanyagkompozitok Az önerősített polimerrendszerek amelyek alapanyaga döntően polipropilén előállítására ma már több technológia ismert. Ütésállóságuk és szilárdságuk nagyobb
Részletesebben- 1 - Tubics József K. P. K. P.
- - Tubics József.A. CSOPORTOSÍTSA A KÉTPÓLUSOKAT ÉS ÉRTELMEZZE AZ EGYES CSOPORTOK JELLEMZŐ TULAJDONSÁGAIT! MAGYARÁZZA EL A NORTON ÉS A THEVENIN TÉTELT, MUTASSON PÉLDÁT ALKALMAZÁSUKRA! ISMERTESSE A GYAKORIBB
RészletesebbenTárgyszavak: alakmemória-polimerek; elektromosan vezető adalékok; nanokompozitok; elektronika; dópolás.
MŰANYAGFAJTÁK Elektroaktív polimerek Nikkel és vas-oxid tartalmú keverékek előállítását és tulajdonságait vizsgálták a vezetőképesség növelése és alakmemóriával rendelkező polimerek előállítása céljából.
RészletesebbenKimenő üzemmód ; Teljesítmény
állítható, ezért gyógyászati anyagként is használhatóak: leszűkült érbe húzva megakadályozza a vérrögök haladását miután a test hőmérsékletén rugóvá ugrik vissza. Hasonlóan széles körben használják az
RészletesebbenElektrotermikus mikrorendszerek modellezése és karakterizációja
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektrotermikus mikrorendszerek modellezése és karakterizációja Doktori értekezés Szerző: Szabó Péter Gábor Témavezető:
Részletesebben2. modul 2. lecke: Oxidkerámiák
2. modul 2. lecke: Oxidkerámiák A lecke célja, az egyes oxidkerámia fajták szerkezetének, tulajdonságainak, alkalmazásainak a megismerése. Rendkívül érdekes általános és speciális alkalmazási területekkel
RészletesebbenTeljesítményelektronika
Teljesítményelektronika Szakirodalom Csáky-Ganszky-Ipsits-Marti, Teljesítményelektronika, Műszaki Könyvkiadó, Budapest, 1971. Heumann, K., A teljesítményelektronika alapjai, Műszaki Könyvkiadó, Budapest,
Részletesebben17. Kapcsolok. 26. Mit nevezünk crossbar kapcsolónak? Egy olyan kapcsoló, amely több bemenet és több kimenet között kapcsol mátrixos módon.
Fotonika 4.ZH 17. Kapcsolok 26. Mit nevezünk crossbar kapcsolónak? Egy olyan kapcsoló, amely több bemenet és több kimenet között kapcsol mátrixos módon. 27. Soroljon fel legalább négy optikai kapcsoló
Részletesebben2. ábra: A belső érintkezősorok
1.1 Dugaszolós felület A kísérleteket egy labor kísérleti kártyán építjük meg. A 2,54 mm raszteres, 270 kontaktusos dugaszoló felület biztosítja az alkatrészek biztos összekötését. Conrad Szaküzlet 1067
Részletesebbenψ a hullámfüggvény KVANTUMELEKTRONIKA Kvantummechanikai alapok
KVANTUMELEKTRONIKA Kvantummechanikai alapok Miért nem jó a klasszikus megközelítés azon módon, ahogy a mikroelektronika dolgozik és eszközöket épít? Egyre komolyabb akadályok és nehézségek merülnek fel
RészletesebbenTevékenység: Olvassa el a fejezetet! Gyűjtse ki és jegyezze meg a ragasztás előnyeit és a hátrányait! VIDEO (A ragasztás ereje)
lvassa el a fejezetet! Gyűjtse ki és jegyezze meg a ragasztás előnyeit és a hátrányait! VIDE (A ragasztás ereje) A ragasztás egyre gyakrabban alkalmazott kötéstechnológia az ipari gyakorlatban. Ennek oka,
Részletesebben1. Prefix jelentések. 2. Mi alapján definiáljuk az 1 másodpercet? 3. Mi alapján definiáljuk az 1 métert? 4. Mi a tömegegység definíciója?
1. Prefix jelentések. 10 1 deka 10-1 deci 10 2 hektó 10-2 centi 10 3 kiló 10-3 milli 10 6 mega 10-6 mikró 10 9 giga 10-9 nano 10 12 tera 10-12 piko 10 15 peta 10-15 fento 10 18 exa 10-18 atto 2. Mi alapján
RészletesebbenSzerves oldószerek vízmentesítése zeolitokkal
Szerves oldószerek vízmentesítése zeolitokkal Hannus István Kiricsi Imre Szegedi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Alkalmazott és Környezeti Kémiai Tanszék Összefoglaló Az adszorpció jelenségét
RészletesebbenAz elemeket 3 csoportba osztjuk: Félfémek vagy átmeneti fémek nemfémek. fémek
Kémiai kötések Az elemeket 3 csoportba osztjuk: Félfémek vagy átmeneti fémek nemfémek fémek Fémek Szürke színűek, kivétel a színesfémek: arany,réz. Szilárd halmazállapotúak, kivétel a higany. Vezetik az
RészletesebbenNagy Sándor: RADIONUKLIDOK ELVÁLASZTÁSA Leírás a Vegyész MSc Nukleáris analitikai labor 2. méréséhez
Bevezető Nagy Sándor: RADIONUKLIDOK ELVÁLASZTÁSA Leírás a Vegyész MSc Nukleáris analitikai labor 2. méréséhez A Függelékben két eredeti angol nyelvű szemelvényt olvashatunk néhány elválasztási módszer
RészletesebbenBŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz
BŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz Az anyag szerveződési formái Ebben a részben bemutatjuk az anyag elemi építőköveinek sokszerű kapcsolódási formáit, amelyek makroszkopikusan
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK
Nagy Gábor1 1 - Vincze Árpád 2 FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK Absztrakt Mindennapi életünkben igen gyakori feladat a radioaktív sugárzások mérése, pl. laboratóriumokban, üzemekben,
RészletesebbenHibrid Integrált k, HIC
Hordozók Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek
RészletesebbenEredmények és feladatok a hibrid vastagréteg technikában ETO 621.3.049.776.21
DUTKA TIBOR DR. SZABÓ LÁSZLÓ WOLLITZER GYÖRGY: Eredmények és feladatok a hibrid vastagréteg technikában ETO 621.3.049.776.21 Általános áttekintés A magyar elektronikai ipar előtt álló hosszú távú feladatok,
RészletesebbenKlasszikus analitikai módszerek:
Klasszikus analitikai módszerek: Azok a módszerek, melyek kémiai reakciókon alapszanak, de az elemzéshez csupán a tömeg és térfogat pontos mérésére van szükség. A legfontosabb klasszikus analitikai módszerek
RészletesebbenSE Bővített fokozatú sugárvédelmi tanfolyam, 2005 márc. 21-24 IONIZÁLÓ SUGÁRZÁSOK DOZIMETRIÁJA. (Dr. Kanyár Béla, SE Sugárvédelmi Szolgálat)
SE Bővített fokozatú sugárvédelmi tanfolyam, 2005 márc. 21-24 IONIZÁLÓ SUGÁRZÁSOK DOZIMETRIÁJA (Dr. Kanyár Béla, SE Sugárvédelmi Szolgálat) A sugárzások a károsító hatásuk mértékének megítélése szempontjából
RészletesebbenIII/1. Kisfeszültségű vezetékméretezés általános szempontjai (feszültségesés, teljesítményveszteség fogalma, méretezésben szokásos értékei.
III/1. Kisfeszültségű vezetékméretezés általános szempontjai (feszültségesés, teljesítményveszteség fogalma, méretezésben szokásos értékei. A vezetékméretezés során, mint minden műszaki berendezés tervezésénél
RészletesebbenL Ph 1. Az Egyenlítő fölötti közelítőleg homogén földi mágneses térben a proton (a mágneses indukció
A 2008-as bajor fizika érettségi feladatok (Leistungskurs) Munkaidő: 240 perc (A vizsgázónak két, a szakbizottság által kiválasztott feladatsort kell kidolgoznia) L Ph 1 1. Kozmikus részecskék mozgása
RészletesebbenElektrokémia. A nemesfém elemek és egymással képzett vegyületeik
Elektrokémia Redoxireakciók: Minden olyan reakciót, amelyben elektron leadás és elektronfelvétel történik, redoxi reakciónak nevezünk. Az elektronleadás és -felvétel egyidejűleg játszódik le. Oxidálószer
RészletesebbenA tételekhez segédeszköz nem használható.
A vizsgafeladat ismertetése: Egy kiválasztott műanyag jellemző fizikai és kémiai tulajdonságainak ismertetése Adott műanyag termék gyártásához anyag, gép és szerszám választása, majd a gyártástechnológia
RészletesebbenPOLIÉSZTER ALAPÚ ABLONCZY MŰGYANTA
POLIÉSZTER ALAPÚ ABLONCZY MŰGYANTA ÁLTALÁNOS TUDNIVALÓK Kötési mechanizmus: A műgyanta a hagyományos ragasztókkal, illetve kötőanyagokkal szemben nem az oldószer elpárologtatásával köt meg, hanem a B komponens
RészletesebbenKétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése
Kétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése Ebben a jegyzetben a Nyomtatott Áramköri Kártyák előállításának főbb műveletei olvashatók úgy, hogy az elméleti ismertetés kapcsolódik a
RészletesebbenDokumentum száma. Oktatási segédlet. ESD Alapismeretek. Kiadás dátuma: 2009.10.20. ESD alapismeretek. Készítette: Kovács Zoltán
Oktatási segédlet ESD Alapismeretek Dokumentum száma Kiadás dátuma: 2009.10.20. ESD alapismeretek Készítette: Kovács Zoltán 1 Kivel nem fordult még elő, hogy az ajtókilincs megérintésekor összerándult?
RészletesebbenPoliészterszövet ragasztása fólia alakú poliuretán ömledékragasztóval
MÛANYAGFAJTÁK 1.3 1.5 3.18 Poliészterszövet ragasztása fólia alakú poliuretán ömledékragasztóval Tárgyszavak: poliészterszövet; poliuretán; ömledékragasztó; ragasztás; felületkezelés; ragasztási szilárdság.
RészletesebbenA villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa*
t DR. DÉKÁNY BHG LÁZLÓNÉ- DR. TKI K O R M Á N Y T E R É Z A villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa* ETO 621.3.066.6.004.62 A gyengeáramú érintkezők megbízhatóságát a felületükön lejátszódó
Részletesebben1. Ismertesse és ábrán is szemléltesse a BGA tokozás (műanyag és kerámia) szerkezeti felépítését és
1. Ismertesse és ábrán is szemléltesse a BGA tokozás (műanyag és kerámia) szerkezeti felépítését és röviden ismertesse technológiáját! Műanyag tokozás Kerámia tokozás: A bumpok megnyúlnak, vetemednek,
RészletesebbenMéréstechnika. Vízben zavarosság, vezetőképesség és oldott oxigéntartalom mérése
Méréstechnika Vízben zavarosság, vezetőképesség és oldott oxigéntartalom mérése Bagladi Péter (MBGKF1) (vezetőképesség) Kapocsi Dániel (M885FC) (zavarosság) Kovács Ádám (HIWQUO) (zavarosság) Molnár Tamás
Részletesebben- az egyik kiemelked fontosságú állapotjelz a TD-ban
Alapvet fizikai-kémiai mennyiségek (állapotjelzk) mérése Melyek ezek? m T, p, V, m, = ρ v A hmérséklet, T: - SI alapmennyiség, mértékegysége a K. - az egyik kiemelked fontosságú állapotjelz a TD-ban -
Részletesebben1. tesztlap. Fizikát elsı évben tanulók számára
1. tesztlap Fizikát elsı évben tanulók számára 1.) Egy fékezı vonatban menetiránynak megfelelıen ülve feldobunk egy labdát. Hová esik vissza? A) Éppen a kezünkbe. B) Elénk C) Mögénk. D) Attól függ, milyen
RészletesebbenA PLÁ k programozhatóságát biztosító eszközök
Programozható logikai áramkörök A PLÁ k programozhatóságát biztosító eszközök Előadó: Nagy István (A65) Ajánlott irodalom: Ajtonyi I.: Digitális rendszerek, Miskolci Egyetem, 2002. Ajtonyi I.: Vezérléstechnika
RészletesebbenFizikaverseny, Döntő, Elméleti forduló 2013. február 8.
Fizikaverseny, Döntő, Elméleti forduló 2013. február 8. 1. feladat: Az elszökő hélium Több helyen hallhattuk, olvashattuk az alábbit: A hélium kis móltömege miatt elszökik a Föld gravitációs teréből. Ennek
RészletesebbenSzerves kémiai analízis TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ
BSC ANYAGMÉRNÖK SZAK VEGYIPARI TECHNOLÓGIAI SZÁMÁRA KÖTELEZŐ TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM MŰSZAKI ANYAGTUDOMÁNYI KAR KÉMIAI INTÉZET Miskolc, 2016 1 Tartalomjegyzék 1. Tantárgyleírás,
RészletesebbenA RÖNTGENSUGÁRZÁS HATÁSA HÉTKÖZNAPJAINKRA
A RÖNTGENSUGÁRZÁS HATÁSA HÉTKÖZNAPJAINKRA Faigel Gyula MTA Szilárdtestfizikai és Optikai Kutató Intézet 1. ábra. Példa atomok kristályrácsba történô rendezôdésére. Az atomok a kockák csúcsaiban helyezkednek
RészletesebbenKörnyezetvédelmi mérések fotoakusztikus FTIR műszerrel
Környezetvédelmi mérések fotoakusztikus FTIR műszerrel A légszennyezés mérése nem könnyű méréstechnikai feladat. Az eszközök széles skáláját fejlesztették ki, hagyományosan az emissziómérésre, ezen belül
Részletesebben