Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke.
|
|
|
- Gréta Ballané
- 9 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz Technológia Alapvető technológiai lépések Egyes gyártóberendezések Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
2 Alapvető gyártási lépések Rétegleválasztás vagy növesztés: új anyagréteg jön létre a félvezető (szilícium) szelet teljes felületén Struktúrálás (patterning): a kialakított anyagrétegben mintázatot alakítunk ki fotoreziszt felvitele mintázat ráfényképezése a rezisztre, a reziszt előhívása mintázat átvitele a rezisztről valamilyen marási művelettel (etching) reziszt eltávolítása Külső adalékok mélységi bevitele: ion implantáció (korábban diffúzió) Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Mintázat kialakítása Az eredeti mintázat egy fotomaszkon van üveg hordozón króm mintázat Nagy pontossági igény: 0.03µm / 30cm! 10-7 Látható fény: λ= µm deep UV-re van szükség! Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
3 Monolitikus IC-k Mono lit = egy kő Mélységi struktúra Felületi struktúra (mintázat, pattern) MFS min. csíkszélesség a legfontosabb jellemző: 15 µm 0.18µm vagy még kisebb Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Mélységi struktúra kialakítása Rétegleválasztás / rétegnövesztés: epitaxiális réteg növesztése (a meglévő Si egykristállyal egyező szerkezetű, esetleg másképp adalékolt réteg) ma pl.: IBE ion-beam epitaxy: atomi rétegek leválasztásának a lehetősége / kvantumos hatások lehetősége az eszközökben oxidáció (SiO 2 leválasztás vagy növesztés) vákuumpárologtatás (evaporation) pl. Al fémezés Egyéb rétegleválasztási módszerek katódporlasztás (sputtering) CVD: chemical vapor deposition kémiai gőzfázisú leválasztás, stb Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
4 Epitaxiális rétegnövesztés A klasszikus epitaxia: egykristályos réteg hozzánövesztése a hordozóhoz gőz vagy folyadék fázisból Si szeletek ~1200 o C SiCl + H Si 4HCl A növesztett réteg kristályszerkezet u.a. mint szubsztráté Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Epitaxiális rétegnövesztés Molekula sugaras epitaxia: ún. kvantum eszközök készülnek ilyennel MBE: molecular beam epitaxy Oxidnövesztés Termikus oxidálás ( o C) Kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) d SiO ~ Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET t 4
5 Epitaxiális rétegnövesztés A SiCl 4 /H 2 arányától függően egkristály növesztése polikristályos Si növesztése: poliszilícium lehet még amorf szilíciumot is létrehozni maratás Adalékolni is lehet! Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Vákuumpárologtatás Szabad úthossz > edény mérte Fémezés: ~ µm Ma: elektronsugaras forrás Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
6 Katódporlasztás Kis nyomáson gázkisülés (pl. Ar atmoszférában) hordozza a leválasztandó anyagot Nagyfrekvenciás meghajtással szigeteleő anyagok is porlaszthatók Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Mélységi struktúra kialakítása Adalék atomok bevitele a Si-egykristályba tulajdonságainak módosítása végett Egyszerű 2D nézet 3D gyémántrács V. oszlopbeli adalék (5 v.é): extra elektron DONOR n-típusú Si III. oszlopbeli adalék (3 v.é.): elektron hiány ACCEPTOR p-típusú Si Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
7 Az adalékolás szelektivitása? A SiO 2 kitűnően maszkolja az adalék atomokat (ellenálló, összefüggő réteg GaAs-nél ilyen nincs) Ahol ablak van benne, ott behatolnak az adalékok Diffúzió mély profil Ion implantáció sekély profil A SiO 2 mintázat maszkolja Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Mélységi struktúra kialakítása Adalékok bevitele diffúzióval Az adalék atomok diffundálnak az igen nagy hőmérsékletű Si-ban Mozgató az atomok energiájának statisztikus eloszlása: intersticiális vándorlás: helycsere a Si atomokkal hibahelyeken vándorlás Milyen mélységi eloszlás alakul ki? Fick törvények: J c = D x D = D(T )! c J = t x 2 c c = D 2 t x Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
8 Diffúzió Egy fontos megoldás: c( x,0) = M 0 δ ( x) 2 ( x / Dt) M 0 c( x, t) = exp 4 4πDt Gyakorlati végrehajtás 2 lépésben elődiffúzió (pl o C, 3 óra) behajtás / drive-in (pl o C, 1 óra) Ma: ion implantáció után végső profil kialakítása Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Diffúzió A diffúziós kályha (furnace) kvarc csónak A SiO 2 mintázat maszkolja Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
9 Ipari méretű diffúziós kályha Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Ion implantáció Tömegspektrométerrel egy ionsugárból kiválasztott ionokat lövünk a Si szeletre mint target-re Az adalékok kezdeti eloszlása az ionsugár energiájától és dózisától függ Az implantációt hőkezelés követi a szilícium egykristály szerkezetének helyreállítása az adalékok behajtása: végső adalékeloszlás (adalék profil) kialakítása ~100 kv nagyságrendű feszültség Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
10 Ion implantáció Átlagos behatolási mélység, körülötte véletlen eloszlás Gauss profil r = mv qb A SiO 2 mintázat maszkolja Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Ion implantáció Alacsony hőmérsékletű lépés. Előny: korábbi adalékprofilokat nem nagyon rontjuk el A SiO 2 mintázat maszkolja Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
11 A felületi struktúra kialakítása Fotolitográfiával ez minden mintázatkialakítás (patterning) első lépése Az oxidlépcsők problémája: step coverage Ablaknyitás az oxidon - fotolitográfiával Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Struktúrálás: fotolitográfia Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
12 Az ablaknyitás lépései Fémezés mintázatához teli-fémezés fotoreziszt fényképezés, előhívás fölösleges fém kimaratása reziszt eltávolítása Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia Sárga fényű helyiségben a reziszt UV-re érzékeny, sárgára nem EET, V2 306 IC gyár valahol a világban EET, V2 306 Monolit IC Labor, Mikroelektronika szakirány az EET-n Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
13 Egy egyszerű pmos technológia Technológiai lépések az EET Félvezető Laboratóriumában (tiszta szobájában) Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Szelettisztítás Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
14 Vastagoxid-növesztés (ún. field oxide) Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia: reziszt cseppentés, felpörgetés Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
15 Fotolitográfia: maszkillesztés Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia: megvilágítás Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
16 Fotolitográfia: előhívás Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Mintázat átmásolása: az oxid kimarásával Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
17 Fotolitográfia: oxidmarás, lakkeltávolítás Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Bórdiffúzió szilárd fázisból, elődiffúzió Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
18 Bórüveg eltávolítása Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Bórdiffúzió második lépése: behajtás (oxigénben) Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
19 Vékonyoxid-növesztés Fotolitográfia: Alumínium vákuumgőzölése ablaknyitás lakk eltávolítása a gate a gate-oxid fémezés számára számára céljára Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia: Kész struktúrafém lakk vezetékhálózat eltávolítása kialakítása Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
20 Darabolás, eutektikus kötés, termokompresszió Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET napelem készítése Akit érdekel, érdeklődhet Tímárné Horváth Veronika c. docensnél vagy Juhász László adjunktusnál Lehetőségek: Monolit IC készítése Napelem készítés választható tárgyak, valamint: TDK (érdeklődni: Bognár György TDK felelősnél) Önálló labor (érdeklődni: Bognár Györgynél, Tímár tanár nőnél) Szakdolgozat (érdeklődni: Kollár Ernőnél) Mikroelektronika - Technológiai áttekintés Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Bevezetés http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/01-bevez.ppt http://www.eet.bme.hu Alapfogalmak IC-k egy felületszerelt panelon
$% % & #&' ( ,,-."&#& /0, 1!! Félvezetk &2/3 4#+ 5 &675!! "# " $%&"" Az 1. IC: Jack Kilby # + 8 % 9/99: "#+ % ;! %% % 8/</< 4: % !
Félvezetk $ & &' ( )*+,,-.&& /0, 1 &2/3 4+ 56 5 &675 $& Az 1. I: Jack Kilby 1958 4 + 8 9/99: + ; 8/
Félvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-04 RÉTEGLEVÁLASZTÁSI, ÉS ADALÉKOLÁSI TECHNOLÓGIÁK ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT
FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-05 MINTÁZAT- ÉS SZERKEZET-KIALAKÍTÁS FÉLVEZETŐ SZELETEN ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
09/05/2016. Félvezetők. Az 1. IC: Jack Kilby 1958
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 1 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
Elektronikai technológia vizsgatematika 2016 Táv, Levelező
Elektronikai technológia vizsgatematika 2016 Táv, Levelező Témák Kötelező Ajánlott 1. Nyomtatott Huzalozású Lemezek technológiája A NYHL funkciói, előnyei, alaptípusok A kétoldalas NYHL gyártásának menete
Elektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező
Elektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező Témák Kötelező Ajánlott 1. Nyomtatott Huzalozású Lemezek technológiája A NYHL funkciói, előnyei, alaptípusok A NYHL anyagai; hordozók,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok II. A MOSFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/12-mosfet1.ppt http://www.eet.bme.hu Ismétlés: Működési
Integrált áramkörök/1. Informatika-elekronika előadás 10/20/2007
Integrált áramkörök/1 Informatika-elekronika előadás 10/20/2007 Mai témák Fejlődési tendenciák, roadmap-ek VLSI alapfogalmak A félvezető gyártás alapműveletei A MOS IC gyártás lépései 10/20/2007 2/48 Integrált
Az integrált áramkörök technológiájának gyakorlati oktatása a BME Elektronikus Eszközök Tanszékén
Az integrált áramkörök technológiájának gyakorlati oktatása a BME Elektronikus Eszközök Tanszékén TÍMÁRNÉ HORVÁTH VERONIKA - HARSÁNYI JÓZSEF-DR. MIZSEI JÁNOS BME Elektronikus Eszközök Tanszéke ÖSSZEFOGLALÁS
MEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
MEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI
MEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI Dr. Bonyár Attila, adjunktus bonyar@ett.bme.hu Budapest, 2015.10.13. BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY Tematika
SOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
Felületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
Betekintés a napelemek világába
Betekintés a napelemek világába (mőködés, fajták, alkalmazások) Nemcsics Ákos Óbudai Egyetem Tartalom Bevezetés energetikai problémák napenergia hasznosítás módjai Napelemrıl nem középiskolás fokon napelem
VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK
3 VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK 3-01 VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIA ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TARTALOM
ZH November 27.-én 8:15-től
ZH-2 2017 November 27.-én 8:15-től Érzékelési elvek Érzékelési módszerek Mikrotechnológia http://www.mogi.bme.hu/tamop/mikromechanika/math-index.html 1 Mikrotechnológia alapjai Mikrotechnológia = szerszámkészlet
Diffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat (fonon, elektron, atom, ion, hőmennyiség...) Elektromos vezetés (Ohm) töltés áram elektr. potenciál grad. Hővezetés (Fourier) energia áram hőmérséklet különbség Kémiai
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK A leggyakrabban használt félvezető anyagok a germánium (Ge), és a szilícium (Si). Félvezető tulajdonsággal rendelkező elemek: szén (C),
Diffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 5/6 Diffúzió Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomáyi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alaok htt://www.eet.bme.hu/~oe/miel/hu/03-felvez-fiz.tx htt://www.eet.bme.hu Budaesti
FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-03 FÉLVEZETŐ SZELET ELŐÁLLÍTÁSA (ALAPANYAGTÓL A SZELETIG) ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
Integrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák MOS áramkörök alkatrészkészlete Bipoláris áramkörök alkatrészkészlete 11/2/2007 2/27 MOS áramkörök alkatrészkészlete Tranzisztorok
Anyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió
Anyagismeret 6/7 Diffúzió Dr. Mészáros István meszaros@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd Diffúzió Diffúzió -
Vékonyrétegek - általános követelmények
Vékonyrétegek - általános követelmények egyenletes vastagság a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet (amorf, polikristályos, epitaxiális) azonos fizikai és kémiai tulajdonságok tömörség
1. Az elektronikai termékek és technológiák rendszere. A diszkrét alkatrészek fajtái.
1. Az elektronikai termékek és technológiák rendszere. A diszkrét alkatrészek fajtái. A technológia az ismereteknek az az ága, amely tudományos és ipari módszerekre és azoknak az iparban való gyakorlati
5. VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIÁK
5. VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIÁK Definíció: vékonyréteg az anyag olyan megjelenési formája, melynél valamilyen lényeges fizikai sajátság tekintetében az egyik térbeli irány kitüntetett szerepet játszik [1].
MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja
1 MTA TTK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Csikósné Dr Pap Andrea Edit
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A MOS inverterek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/13-mosfet2.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER
NYOMTATOTT HUZALOZÁSÚ LAPOK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
NYOMTATOTT HUZALOZÁSÚ LAPOK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA Az elektronikai tervező általában nem gyárt nyomtatott lapokat, mégis kell, hogy legyen némi rálátása a gyártástechnológiára, hogy terve kivitelezhető legyen.
Mikroelektronika Laboratórium
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/00-labtaj.ppt http://www.eet.bme.hu Célok VLSI laborjainkban a legújabb és
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MKROELEKTRONKA, VEEA306 A bipoláris tranzisztor. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/08-bipol3.ppt http://www.eet.bme.hu Az ideális tranzisztor karakterisztikái
Többrétegű struktúrák technológiai modellezése
Többrétegű struktúrák technológiai modellezése DR TARNAY K Á L M Á N - DR MASSZ FERENC DR DROZDY GYŐZŐ* BME Elektronikus Eszközök Tanszéke *MTA Központi Fizikai Kutató ntézet Mikroelektronikai Kutató ntézete
Elektronikai Technológia és Anyagismeret mintakérdések
Elektronikai Technológia és Anyagismeret mintakérdések 1-01 A FURAT- ÉS FELÜLETSZERELHETŐ ALKATRÉSZEK MEGJELENÉSI FORMÁI ÉS TÍPUSAI Mutassa be a furatszerelt alkatrészeket rajzokkal és leírással! Furatszerelt
Bevezetés a modern fizika fejezeteibe. 4. (c) Kvantummechanika. Utolsó módosítás: november 25. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék
Bevezetés a modern fizika fejezeteibe 4. (c) Kvantummechanika Utolsó módosítás: 2015. november 25. 1 Az impulzusmomentum (1) A mechanikában az impulzusmomentumot a hely és impulzus vektoriális szorzataként
Szepes László ELTE Kémiai Intézet
Szepes László ELTE Kémiai Intézet Szárnyaló molekulák felületi rétegek ALKÍMIA MA c. előadássorozat 2013. február 14. Az előadás témája és vázlata Téma: felületi gőzfázisú rétegleválasztás (Chemical Vapour
MEMS technológiák, eljárások
ÓBUDAI EGYETEM KANDÓ KÁLMÁN VILLAMOSMÉRNÖKI KAR TÁVOKTATÁS TAGOZAT MEMS technológiák, eljárások Brindzik József 2010.12.12. A MEMS-ekről általában. A nanotechnológia indulását az integrált áramkörök fejlődése
Hibrid Integrált k, HIC
Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek
2.) CVD rétegleválasztás alapvonásai, főbb felhasználási területei
1.) Si alapanyag előállítás lépései, egy lépés részletes leírása részletesen Szilícium nagy mennyiségben van a földön. A kvarc homokot (SiO2) megtisztítjuk desztillálással, redukcióval, kémiai leválasztással.
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2014/2015 tanév 2. félév 1 2. ELŐADÁS: TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák
OTDK ápr Grafén nanoszalagok. Témavezető: : Dr. Csonka Szabolcs BME TTK Fizika Tanszék MTA MFA
OTDK 2011. ápr. 27-29. 29. Tóvári Endre Grafén nanoszalagok előáll llítása Témavezető: : Dr. Csonka Szabolcs BME TTK Fizika Tanszék MTA MFA Tóvári Endre: Grafén nanoszalagok előállítása OTDK 2011 2 Tartalom
Újabb eredmények a grafén kutatásában
Újabb eredmények a grafén kutatásában Magda Gábor Zsolt Atomoktól a csillagokig 2014. március 13. Új anyag, új kor A kőkortól kezdve egy új anyag felfedezésekor új lehetőségek nyíltak meg, amik akár teljesen
Folyadékok. Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 2. Általános anyagszerkezeti ismeretek Folyadékok, szilárd anyagok, folyadékkristályok
Folyadékok víz Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 2. Általános anyagszerkezeti ismeretek Folyadékok, szilárd anyagok, folyadékkristályok 1 saját térfogat nincs saját alak/folyékony nincsenek belső nyíróerők
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Elektronikus Eszközök Tanszéke. A modern CMOS. eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A modern CMOS A MOS tranzisztor Ezt tanultuk Ez pedig a valóság, 2013 14nm. A MOS tranzisztor skálázása ugyanazt, kicsiben
A technológiában a fotolitográfiás lépés ismétlődik Fabrication of pmos (poly gate) transistor 4 level mask set. Source Gate Drain. Process sequence 1
1 2 Fotólitográfia Egy sok lépésből álló művelet, amely során először lakk ábrák kialakítása történik fény hatására egy fényérzékeny bevonatban. Ezután ezt a mintázatot visszük át különböző vékonyrétegekbe.
Diffúzió 2003 március 28
Diffúzió 3 március 8 Diffúzió: különféle anyagi részecskék (szilárd, folyékony, gáznemű) anyagon belüli helyváltozása. Szilárd anyagban való mozgás Öndiffúzió: a rácsot felépítő saját atomok energiaszint-különbség
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába V. Félvezető diódák Félvezető dióda Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. (Si, Ge)
Integrált áramköri technológia
BUDAPESTI MŐSZAKI ÉS GAZDASÁGTUDOMÁNYI EGYETEM Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Dr. Mizsei János, Timárné Horváth Veronika Integrált áramköri technológia Segédlet a Mikroelektronika
A napenergia alapjai
A napenergia alapjai Magyarország energia mérlege sötét Ahonnan származik Forrás: Kardos labor 3 A légkör felső határára és a Föld felszínére érkező sugárzás spektruma Nem csak az a spektrum tud energiát
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 6. Anyagcsaládok Fémek Kerámiák, üvegek Műanyagok Kompozitok A családok közti különbségek tárgyalhatóak: atomi szinten
Mikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mond valamit? MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 Szilícium
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2015/2016 tanév 2. félév 1 TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák 2.
Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok
Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok Bagi István BME MTAT Bevezetés Kerámiák csoportosítása teljesen tömör bioinert porózus bioinert teljesen tömör bioaktív oldódó Definíciók Bioinert a szomszédos
Mikroelektronika. Számolja ki, hogy mekkora nyitófeszültség mellett lesz a nmos tranzisztor telítési árama 10mA. (V T =0.
Mikroelektronika Minek a rövidítése az MPW? Ez mit jelent magyarul? Mi a gazdasági előnye? MPW = multi project wafer, magyarul a lényege: egy szeleten 10-15 terv kerül legyártásra. Gazdasági előnye: a
Analitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2011.10.05 Visegrád Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó
Ipari vizek tisztítási lehetőségei rövid összefoglalás. Székely Edit BME Kémiai és Környezeti Folyamatmérnöki Tanszék
Ipari vizek tisztítási lehetőségei rövid összefoglalás Székely Edit BME Kémiai és Környezeti Folyamatmérnöki Tanszék Kezelés Fizikai, fizikai-kémiai Biológiai Kémiai Szennyezők típusai Módszerek Előnyök
Mikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
Folyadékok. Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 2. Általános anyagszerkezeti ismeretek Folyadékok, szilárd anyagok, folyadékkristályok.
Folyadékok folyékony nincs saját alakja szilárd van saját alakja (deformálás után úgy marad, nem (deformálás után visszaalakul, mert ébrednek benne visszatérítő nyíróerők) visszatérítő nyíróerők léptek
A napelemek fizikai alapjai
A napelemek fizikai alapjai Dr. Rácz Ervin Ph.D. egyetemi docens intézetigazgató-helyettes kari oktatási igazgató Óbudai Egyetem, Villamosenergetikai Intézet Budapest 1034, Bécsi u. 94. racz.ervin@kvk.uni-obuda.hu
MEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS alkalmazási területei - szemelvények. MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS technológia kialakulása MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök
1. Energia-sávdiagram erősen adalékolt n, ill. p-típusú félvezető esetén
1. Energia-sávdiagram erősen adalékolt n, ill. p-típusú félvezető esetén 2. A napsugárzás spektruma a Föld felszínén (feketetest sugárzó: 5800K ~kb AM 0) 3. Hogyan érkezik a napsugárzás a napelemre? [nap->űr->légkör->modul
Hornos Tamás. Atomfizika Tanszék. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem (2008)
Theoretical study of defects in silicon carbide and at the silicon dioxide interface Sziĺıciumkarbidbeli és a sziĺıciumkarbid-sziĺıciumdioxid határfelületi hibák elméleti vizsgálata Ph.D. értekezés Hornos
Előzmények. a:sige:h vékonyréteg. 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása
a:sige:h vékonyréteg Előzmények 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása 5 nm vastag rétegekből álló Si/Ge multiréteg diffúziós keveredés során a határfelületek
Fókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
Határfelületi jelenségek félvezetőkben
Határfelületi jelenségek félvezetőkben MTA Doktori értekezés Battistig Gábor Magyar Tudományos Akadémia Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet Budapest 2016 Határfelületi
MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I
MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem, KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 6. ELŐADÁS 2009/2010 tanév 1. félév 1 ÁLTALÁNOS BEVEZETÉS A mikro- és nanotechnika c. tárgy megkísérli
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/14-cmos.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált
A technológia hatása a bipoláris tranzisztor paramétereire
A technológia hatása a bipoláris tranzisztor paramétereire Készítette Katona József Mikro és nanotechnológia 2002. október 2. A bipoláris tranzisztor alkalmazási területei Nagyáramú, nagyteljesítményű
Kémiai alapismeretek 14. hét
Kémiai alapismeretek 14. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék 2011. december 6. 1/9 2010/2011 I. félév, Horváth Attila c 1785 Cavendish:
8. Mérések napelemmel
A MÉRÉS CÉLJA: 8. Mérések napelemmel Megismerkedünk a fény-villamos átalakítók típusaival, a napelemekkel kapcsolatos alapfogalmakkal, az alternatív villamos rendszerek tervezési alapelveivel, a napelem
NAPELEMEK KÖRNYEZETI SZEMPONTÚ VIZSGÁLATA AZ ÉLETCIKLUS ELEMZÉS SEGÍTSÉGÉVEL. Darvas Katalin
NAPELEMEK KÖRNYEZETI SZEMPONTÚ VIZSGÁLATA AZ ÉLETCIKLUS ELEMZÉS SEGÍTSÉGÉVEL Darvas Katalin AZ ÉLETCIKLUS ELEMZÉS Egy termék, folyamat vagy szolgáltatás környezetre gyakorolt hatásainak vizsgálatára használt
Szénszálak és szén nanocsövek
Szénszálak és szén nanocsövek Hernádi Klára Szegedi Tudományegyetem Alkalmazott Kémiai Tanszék 1 Rendszám: 6 IV. főcsoport Nemfémek Négy vegyértékű Legjelentősebb allotróp módosulatok: SZÉN Kötéserősség:
Szelektív emitteres kristályos napelemek és az önadalékoló kontaktus
Szelektív emitteres kristályos napelemek és az önadalékoló kontaktus KUTHI EDVÁRD eddye@freestart.hu Reviewed Kulcsszavak: fényelektromos átalakítás, napelem-cellák, hatásfok, gyártástechnológia A mai
Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok
A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok Szalai István ELTE Kémiai Intézet 1/45 Az előadás vázlata ˆ Ismétlés ˆ Történeti áttekintés ˆ Mengyelejev periódusos rendszere ˆ Atomsugár, ionsugár ˆ Ionizációs
Transzportfolyamatok. Alapfogalmak. Lokális mérlegegyenlet. Transzportfolyamatok 15/11/2015
Alapfogalmak Transzportfolyamatok Diffúzió, Hővezetés Viszkozitás Önként végbemenő folyamat: Egyensúlyi állapot irányába Intenzív paraméterek kiegyenlítődése (p, T, µ) Extenzív paraméterek áramlása (V,
Katalízis. Tungler Antal Emeritus professzor 2017
Katalízis Tungler Antal Emeritus professzor 2017 Fontosabb időpontok: sósav oxidáció, Deacon process 1860 kéndioxid oxidáció 1875 ammónia oxidáció 1902 ammónia szintézis 1905-1912 metanol szintézis 1923
A félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter
A félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter A mérés célja: A gyakorlat célja az optikai litográfia elméleti alapjainak, valamint az ábrakészítés lépéseinek
Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra. Csarnovics István
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2012.10.03. Mátrafüred Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra Csarnovics István Debreceni
A szilárd testek alakja és térfogata észrevehetően csak nagy erő hatására változik meg. A testekben a részecskék egymáshoz közel vannak, kristályos
Az anyagok lehetséges állapotai, a fizikai körülményektől (nyomás, hőmérséklet) függően. Az anyagokat általában a normál körülmények között jellemző állapotuk alapján soroljuk be szilád, folyékony vagy
FÉLVEZETŐK. Boros Alex 10AT
FÉLVEZETŐK Boros Alex 10AT Definíció Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. A félvezetők fajlagos elektromos vezetése közönséges hőmérsékleten
Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban
Gyártás 08 konferenciára 2008. november 6-7. Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban Szerző: Varga Bernadett, okl. gépészmérnök, III. PhD hallgató a BME VIK ET Tanszékén
5. Laboratóriumi gyakorlat. A p-n ÁTMENET HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE
5. Laboratóriumi gyakorlat A p-n ÁTMENET HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE 1. A gyakorlat célja: A p-n átmenet hőmérsékletfüggésének tanulmányozása egy nyitóirányban polarizált dióda esetében. A hőmérsékletváltozási
MEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS technológia kialakulása
MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Pap Andrea Edit pap@mfa.kfki.hu
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI 1 Többrétegű NYHL pre-preg Hatrétegű pakett rézfólia ónozatlan Cu huzalozás (fekete oxid) Pre-preg: preimpregnated material, félig kikeményített, üvegszövettel erősített
Fókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
PHD tézisfüzet. Szabó Zoltán. Témavezető: Dr. Volk János Konzulens: Dr. Hárs György
PHD tézisfüzet Vékonyréteg és nanoszerkezetű cink-oxid tervezett szintézise és vizsgálata optoelektronikai eszközök számára Szabó Zoltán Témavezető: Dr. Volk János Konzulens: Dr. Hárs György MTA Energiatudományi
Elektromos áram. Vezetési jelenségek
Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai
A polimer elektronika
A polimer elektronika Tartalom Mi a polimer elektronika? Vezető szerves molekulák, polimerek; a vezetés mechanizmusa Anyagválaszték: vezetők, félvezetők, fénykibocsátók szigetelők, hordozók Technológiák
Poliszilicium emitteres tranzisztorok
Poliszilicium emitteres tranzisztorok NGUYEN SY NAM BME Elektronikus Eszközök Tanszék ÖSSZEFOGLALÁS A cikk új fajta bipoláris tranzisztort ismertet. Ebben a fajta tranzisztorban az adalékolt poliszilicium-réteg
Diszlokációk és elektromos paraméterek korrelációjának vizsgálata félvezető eszközökben*
Diszlokációk és elektromos paraméterek korrelációjának vizsgálata félvezető eszközökben* VÉRTESY ANDRÁS- LÉNART TIROR Híradástechnikai ipari Kutató Intézet MTA Műszaki PÁL Fizikai EDIT Kutató Intézet A
Szabó Zoltán VÉKONYRÉTEG ÉS NANOSZERKEZETŰ CINK-OXID TERVEZETT SZINTÉZISE ÉS VIZSGÁLATA OPTOELEKTRONIKAI ESZKÖZÖK SZÁMÁRA PHD ÉRTEKEZÉS
VÉKONYRÉTEG ÉS NANOSZERKEZETŰ CINK-OXID TERVEZETT SZINTÉZISE ÉS VIZSGÁLATA OPTOELEKTRONIKAI ESZKÖZÖK SZÁMÁRA PHD ÉRTEKEZÉS Szabó Zoltán TÉMAVEZETŐ Dr. Volk János KONZULENS Dr. Hárs György MTA EK MŰSZAKI
1. SI mértékegységrendszer
I. ALAPFOGALMAK 1. SI mértékegységrendszer Alapegységek 1 Hosszúság (l): méter (m) 2 Tömeg (m): kilogramm (kg) 3 Idő (t): másodperc (s) 4 Áramerősség (I): amper (A) 5 Hőmérséklet (T): kelvin (K) 6 Anyagmennyiség
Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 2. Általános anyagszerkezeti ismeretek Molekulák, folyadékok, szilárd anyagok, folyadékkristályok
Molekulák energiaállapotai E molekula E elektron E (A tankönyvben nem található téma!) vibráció E rotáció pl. vibráció 1 ev 0,1 ev 0,01 ev Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 2. Általános anyagszerkezeti
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 13. A lézeres l anyagmegmunkálás szempontjából l fontos anyagi tulajdonságok Optikai tulajdonságok Mechanikai tulajdonságok
Adatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei
Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Gazdálkodási modul Gazdaságtudományi ismeretek I. Közgazdasá Adatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSI