MEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS technológia kialakulása
|
|
- Donát Halász
- 9 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Pap Andrea Edit pap@mfa.kfki.hu MEMS technológia kialakulása 70-es évek vége: mikroprocesszorok fejlıdése olcsó személyi számítógépek kulcstechnológiája 80-as évek vége: olcsó szilárdtest-lézer tömeggyártása internet kommunikáció kulcstechnológiája 90-es évek vége: mikrorendszerek fejlesztése érzékelık illesztésének kulcstechnológiája a valósidejő monitorozás és vezérlés számára
2 MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja nagy rendszer változások vezérlése kis erıkkel minıségi elınyök a méretcsökkentés révén, új mőködési elvek realizálása csoportos megmunkálás, az eszközök integrálása akár IC-ben tetszıleges funkciók társítása; érzékelés, számítás, beavatkozás (aktuálás), vezérlés, kommunikáció az ezeket megvalósító eszközök integrálása egy rendszerben; erıforrás (telep, tápegység), antenna, érzékelık, beavatkozók alapvetıen felületi-, rétegtechnológiai realizálás MEMS eszközök árképzése; % a chip, % a tokozás MEMS eszközök kialakítása, fejlesztése nem szisztematikus kutatás eredménye, hanem kreatív, innovatív munka eredménye. MEMS alkalmazási területei - szemelvények civil fogyasztók 1 % számítástechnika 7 % gyógyászat és bio 8 % pl. mikro-robot, mikro-szonda, lab-on-a-chip, elektronikus orr, stb. egyéb ipar 28 % pl. mezıgazdasági munkagépben a munkabeállítás vezérlése, vetımag szelekció méret-, épség-, orientáció-, minıség ellenırzése, válogatás, stb. autóipar 56 % pl. motor- és futómő vezérlése, diagnosztika, élet- és menetbiztonság, kényelem, stb.
3 MEMS technológiák, eljárások - Start Nagy tisztaságú térben végzett, több ember precíz, összehangolt munkája drága infrastruktúra Kiindulási pont - Si egykristály szelet nagy görbületi sugarú sík! kristályrács - hiba mentes egy vagy két oldalon polírozott definiált orientációjú (100) Felületkezelés - kémiai tisztítás füstölgı HNO 3 és forró HNO 3 (feloxidált felület) RCA tisztítás; 2 lépésben szerves anyagok eltávolítása: NH 4 OH és H 2 O 2 fémszennyezıdés eltávolítása: HCl és H 2 O 2 MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció Funkciói: maszkoló réteg szigetelı réteg passziváló réteg Kialakítása: termikus oxidáció magas T, oxidatív atmoszféra (O 2, H 2 O) száraz nedves kémiai gızfázisú leválasztás (CVD) anódos oxidáció (elektrolízis pl. KOH-ban) plazma oxidáció (RF porlasztás) Minısítés (pl. C-V mérés, szivárgási áram mérése, stb.): vastagság / homogenitás tisztaság
4 MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Adalékolás, felgyorsított részecskék ionok, ioncsoportok - testekbe való belövése. szilárd Funkciója: diffúziót megelızı leválasztás - predepozíció p-n átmenetek kialakítása MOS tranzisztorok küszöbfeszültségének beállítása forrás és nyelı területeinek önillesztett kialakítása amorfizálás, getterezés felületi réteg mechanikai, elektromos, kémiai, optikai tulajdonságainak megváltoztatása, miközben ezek a térfogati tartományban nem változnak. Lokálisan homogén tulajdonságok kialakítása. MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Megvalósítása: nagy vákuumban ionforrásból kilépı, gyorsított ionok, tömegszeparátoron áthaladva érkeznek a Si felületre kezelendı felület söpörtetett homogenitás biztosítása gyorsító feszültség reprodukálható és precízen beállított kontrollált hımérséklető target Hatása a szilárd testekre: az ionok eloszlását számítással, táblázatokból lehet meghatározni, mely alapján a valószínő eloszlás, várható érték megadható rugalmas / rugalmatlan ütközés adalékeloszlás nagyjából Gauss eloszlás rácskárosodás; ponthibák, összetett hibák
5 MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Implantált ionok újraelosztása hıkezeléssel rácskárosodás megszüntetése az adalék elektromos aktiválása Az ion és a meglökött atomok pályája MEMS technológiák, eljárások Vékonyréteg leválasztás Követelmények: egyenletes eloszlás a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet; azonos fizikai, kémiai tulajdonságok tömörség; szivacs vs. réteg, tőlyuk tapadás kis termomechanikai feszültség lépcsıfedés speciális követelmények; súrlódás, nedvesítés, biokompatibilitás gazdaságosság
6 MEMS technológiák, eljárások Vékonyréteg leválasztás Alkalmazás: félvezetı gyártástechnológia Mikro-elektromechanikai rendszerek hıvezetı bevonatok napelemek optikai alkalmazások (szőrık, rácsok, antireflexiós rétegek, stb.) kopásálló bevonatok (szerszámok, optikai elemek, humán protézisek, stb.) korrózióálló bevonatok dekorációs bevonatok MEMS technológiák, eljárások Vékonyréteg leválasztás Elıállítás: Fizikai módszerek szilárd forrásból párologtatás, porlasztás; dc, rf, magnetron, MBE (Molecular Beam Epitaxy) olvadékból LPE (Liquide Phase Epitaxy) pl. Cz, Fz Kémiai módszerek elektrolitból galvanizálás oldatból, szuszpenzióból lecsapatás, szol-gél technika gázfázisból CVD (Chemical Vapour Deposition), VPE (Vapour Phase Epitaxy), MOCVD (Metal Organic ), LPCVD (Low Pressure ), PECVD (Plasma Enhanced ), MWCVD (Micro Wave ), PACVD (Photon/Plasma Assisted ), ALCVD (Atomic Layer )
7 MEMS technológiák, eljárások Vékonyréteg leválasztás CVD A szilárd terméket eredményezı kémiai reakció csak a felületen megy végbe! Metódus: transzport a felületre adszorbció migráció vándorlás a felületen; adszorpció deszorpció kemiszorpció kémiai reakció deszorpció transzport a felületrıl Sebesség-meghatározó lépés transzport reagens, ill. termék (PACVD) kémiai reakció (LPCVD, PECVD) kemiszorpció (ALD) MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása MEMS: 2D IC technológia 3D szerkezetek membránok, felfüggesztett elemek, mozgó alkatrészek mikrofluidikai alkalmazások: csatornák, üregek, reaktorok Mikromechanika: száraz és nedves kémiai marások elektrokémiai módszerek esetleg lézer vagy gyémánttárcsás vágások Jellemzı µm Si kristály vastagsága µm
8 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Felületi mikromechanika felületi vékonyrétegekbıl amorf vagy polikristályos membrán 2-3 µm üreg Tömbi mikromechanika: Si egykrisályban vagy leválasztott rétegben 2-3 µm és µm közötti üreg esetleg lézer vagy gyémánttárcsás vágások pórusos Si alkalmazásával elérhetı a felületi mikromechanika mérettartománya tömbi Si-ban MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Felületi mikromechanika eljárásait lásd fentebb segédréteggel pl. oxid rétegen polisi leválasztás, majd oxid eltávolítás Tömbi mikromechanika eljárásai: Si anizotróp lúgos marása Redox reakciósorozat (oxidáció redukció - oldódás) Si + 2 OH H 2 O SiO 2 (OH) H 2 marási sebesség függ a Si kristály orientációjától és dópoltságától v <111> << v <100> << v <331> marásmegállító réteg (orientáció, dópoltság) ECES marás elektrokémiai marásmegállítás
9 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Tömbi mikromechanika eljárásai: Si elektrokémiai marása pórusos Si kialakítása dópoltság mértéke meghatározza a kialakuló réteg fizikai minıségét, homogenitása jó elektrolit koncentrációja, áramsőrőség, marási idı beállításával tervezhetı a kialakított réteg porozitása, vastagsága, rendezettsége optikai tulajdonásgai szelektivitás (p, p +, n) HF alapú elektrolit + C 2 H 5 OH (esetleg + H 2 O) Si + 2 HF SiF 2 + 2H + SiF HF H 2 SiF 6 + H 2 porsi szelektíven, gyorsan kioldható az egykristályos Si-ból MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Tömbi mikromechanika eljárásai: Si elektrokémiai marása pórusos Si kialakítása Funkciója: feláldozandó réteg elıállítás, szelektív kioldás pl. üreg, membrán kialaításakor funkcionális szerkezeti réteg hıszigetelı érzékelı (nagy fajlagos felület) katalizátor (érzékenyített felület) SiO 2 -ban n-si szigetek kialakítása optikai elem pl. szőrı, rezonátor, hullámvezetı
10 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Tömbi mikromechanika eljárásai: nagy sőrőségő plazmamarók (HDPE, DRIE) mély árkok kialakítása reaktív ionokkal ciklikus marás passziválás folyamat passziválás: n C 4 F 8 4n CF 2 marás: SF 6 F + ionok enyhén anizotróp marás függıleges falak kialakítása MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Nedves és száraz (plazma) marás Követelmény (mindkét esetben): egyenletesség szelektivitás marási sebesség kontrollja reprodukálhatóság megfelelı marási profil Nedves kémiai marás általában izotróp egyes marószerek a Si egykristályt anizotrópan marják maszkoló réteg szükséges (lakk csak a savas marószerekre jó!), fontos a réteg tapadása, ábra alakjának megtartása
11 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Nedves kémiai marás Si izotróp marása HF HNO 3 CH 3 COOH = (3:5:3) 80 µm/min, (2:5:15) 5 µm/min 3 Si + 4 HNO HF 3H 2 SiF NO + 8 H 2 O (a HNO 3 oxidál, a HF az oxidot oldja) HF:HNO 3 :H 2 O = (3:50:20) polikristályos Si marása 0.8 µm/min Si anizotróp marása szervetlen és szerves lúgokban, lásd 3D megmunkálás Si 3 N 4 Si 3 N HF H 2 SiF (NH 4 ) 2 SiF 6 3 Si 3 N H 2 O + H 3 PO 4 4 (NH 4 ) 3 PO H 2 SiO 3 ( C) MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Nedves kémiai marás SiO 2 SiO HF = H 2 SiF H 2 O sebesség a HF (H +, F -, HF 2- ) koncentrációtól függ ph és T függı puffer oldatban, állandó ph, azaz állandó HF (H+, F-, HF 2 -) koncentráció mellett alkalmazzuk HF:NH 4 F = 10 :1 Al savban 2 Al + 6 H + 2 Al H 2 lúgban 2 Al + OH H 2 O 2 [Al(OH) 4 ] H 2
12 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Száraz kémiai, avagy plazma marás halogénekkel: F és Cl alapú plazmák a termék gázhalmazállapotú Si CF 4 plazma, de ebben kicsi a Si marási sebessége csökkenteni kell a CF 3* mennyiségét és növelni a F * mennyiségét marógázok: CF 4 + O 2 (5 20%), SiF 6 + O 2, NF 3 SiO 2 CF 3* + 3 SiO 2 SiF CO + 2 CO 2 csökkenteni kell a F * mennyiségét és növelni a CF 3* mennyiségét marógázok: CF 4 + H 2, CHF 3 + H 2, C 3 F 8 + H 2 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Plazma marási profilok ionmarás csak fizikai porlasztás anizotróp + geometriai hatások és visszaporlódás marás gyökökkel tisztán kémiai izotróp marás gyökökkel és irányított ionokkal fizikai és kémiai marás izotróp anizotróp marási hatások marás gyökökkel és irányított ionokkal + oldalfal maszkolás polimerrel fizikai és kémiai anizotróp
13 MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Ábrakészítés, mintázat átvitel kontakt proximity projekciós Fotolakk optikai tulajdonságai monokromatikus fénnyel való exponálás esetén állóhullámok keletkeznek a hatás csökkenthetı, eliminálható több hullámhosszat tartalmazó fényforrás alkalmazásával utóhıkezeléssel MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Fotolakk kémiája általában pozitív fotolakkot alkalmaznak az IC iparban, mert nem változtatja az alakját az elıhívásnál alkalmas nagy felbontásra ellenáll a plazma mőveleteknek negatív lakkok általában mérgezıek komponensei vízben oldódó, fényérzékeny fenol alapú filmképzı polimer fényérzékeny, vízben való oldást gátló makromolekula oldószer elegy (szerves)
14 MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Fotolitográfia felbontás növelése vékony reziszt alkalmazása 0.1 µm kisebb λ levilágítás pl. Hg, Hg/Xe, KrF excimer lézer lézer-plasma forrás rtg, syncothron elektron sugár direkt írás ionsugár Ábrakialakítás vékonyrétegben visszamarással lift-off módszerrel nano-nyomtatás MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Fotolitográfiai mőveletsor felület elıkészítése lásd kémiai tisztítás lakkfelvitel porszennyezés kizárása tisztatéri körülmények! homogén rétegvastagság lakkszárítás oldószer eltávolítása C-on lakkvastagság csökken 25 %-al exponálás, elıhívás az elıhívó csak az exponált területet oldja ki exponáláskor fontos a precíz illesztés lakkbeégetés mintázat stabilizálása, általában 130 C-on változik az ábra mérete megmunkálás - a maszkoló fotolakk mintázat segítségével lakkeltávolítás, tisztítás aceton, plazma marás O 2 plazmában, füstölgı HNO 3 -ban
15 MEMS technológiák, eljárások egy példa a sok közül; Bolometer Bolometer - Nitrid leválasztás
16 Bolometer - Al leválasztás Al = 0.5 µm Bolometer Bolomeander maszk litográfiája Al = 0.5 µm Photoresist
17 Bolometer Al marás Al = 0.5 µm Photoresist Bolometer Ti Pt porlasztás Al = 0.5 µm Photoresist Ti = 300 Å Pt = 2500 Å
18 Bolometer Lift-off és Al marás Ti = 300 Å Pt = 2500 Å Bolometer Al leválasztás Al = 1 µm
19 Bolometer Kontakt litográfia omikus kontaktusok kialakítására Al = 1 µm Photoresist Bolometer Al marás Al = 1 µm Photoresist
20 Bolometer Pt leválasztás Al = 1 µm Photoresist Pt = 3000 Å Bolometer Lift off és Al marás Pt
21 Bolometer Elıoldali védelem fotolakkal Pt Photoresist Bolometer Bolomemrán maszk kialakítása a hátoldalon Photoresist
22 Bolometer - Nitrid marás a mintázat elıhívására Photoresist Bolometer Al leválasztás védelem/maszkolás céljából Al = 0.3 µm
23 Bolometer Bolomemrán maszk kialakítása a hátoldalon Al = 1 µm Photoresist Bolometer Al marás Al = 1 µm Photoresist
24 Bolometer Nitrid marás Al = 1 µm Photoresist Bolometer reziszt eltávolítása és Al marás
25 Bolometer hıkezelés Bolometer KOH marás
26 Bolometer Shadow maszk alkalmazása Si x N y = 1.5 um Bolometer Wolfram porlasztás Wolfram
27 MEMS eszközök - Tapintás érzékelı Piezorezisztív híd egy korábbi, 2 2-es érzékelıben MEMS eszközök - Tapintás érzékelı 8 8 as érzékelı hálózat CMOS technológiával kialakított kiolvasó áramkörrel
28 MEMS eszközök - Tapintás érzékelı MEMS eszközök - Tapintás érzékelı
29 MEMS eszközök - Tapintás érzékelı Ami már megvalósult TactoPad 2x2 TactoFlex 2x2 TactoScope 2x1 TactoPad 8x8 MEMS eszközök - Tapintás érzékelı Funkcionális vizsgálatok
30 MEMS eszközök - Tapintás érzékelı TactoLogic Ltd. Ltd. MEMS/NEMS eszközök - Tapintás érzékelı nano-ban ZnO nanorudak elıállítása Hıkezelés Felületkezelés T=1050 C; t=12 h; c/2 lépcsık O2 atmoszféra 2. Fémleválasztás 3. Elektronsugaras litográfia Zn-kel borított oldal Ionmarás 5. Hidrotermális növesztés 5. Zn(NO3)2 6H2O és (CH2)6N4 c=0.004 M; T= 93 C; t=40 min-4 h O-nel borított oldal c lépcsık
31 MEMS / NEMS eszközök - Tapintás érzékelı Rendezett ZnO nanorúd struktúrák Hossz: L= 500 nm-2 µm Távolság g a szálak közöttk tt: Λ= = nm Átmérı: D= nm MEMS / NEMS eszközök - Tapintás érzékelı ZnO nanrúdból C 1 F C 3 C 2 Piezoelektromos tulajdonsága folytán alkalmas a ZnO irány szelektív erımérésre.
32 MEMS eszközök Magas hımérsékleten mőködı gázérzékelı Pellisztor Éghetı gázok meghatározása magas hımérsékleten katalizált elégetésük során képzıdött hı mérésével. T= o C Alkalmazás Biztonságtechnika: robbanásveszélyes gázelegyek (alsó robbanási határértékek) kialakulásának jelzése ARH H 2 :4%, CH 4 :5.3%, C 4 H 10 :1.5%, C 6 H 6 :1.6%, 20%, 40%, 100% mérendı Speciális követelmények Távadó szabványoknak megfelelı érzékelı és mőködtetı elektronika: kis teljesítm tmény, robbanás-biztos biztos felépítés Megoldás Mikromérető eszköz MEMS eszközök Gázérzékelı 100µm Pt főtıszál SiN x Hımérséklet [oc] PS unsupported supported 100 b a T ( o C) Teljesítmény(mW) 0 Idı [ms] T vs.p karakterisztika a Pt Tk-bıl számolva és mikro olvadáspont mérésekkel hitelesítve
33 MEMS eszközök Gázérzékelı Az aktív és a referencia elem kialakítása saját főtéssel ref. H2[PtCl6] 8 75%LEL 6 40%LEL 4 20%LEL Time (min) Heat-conductivity type sensor responses for methane ( 506 oc) %LEL 1.39%LEL Out of balance voltage (mv) Integrált gázérzékelı: mikropelleisztorok és hıvezetıképességi szenzorok Out of balance voltage (mv) MEMS eszközök Gázérzékelı 40%LEL 0.7%LEL 20%LEL 0.35% LEL Time (min) 70 Pt-Pellistor responses, propane, 18.2mW ( 585oC) 80
34 Minden érdeklıdést szívesen fogadunk! TDK, nyári gyakorlat, diploma téma Tapintás- és gázérzékelı chipek minısítése, technológia: Ádám Antalné - adam@mfa.kfki.hu szoftver-fejlesztés: Vásárhelyi Gábor vasarhelyi@mfa.kfki.hu Nano tapintásérzékelı ZnO mintapreparáció, szimuláció (Ansys) Volk János volk@mfa.kfki.hu MEMS eszközök tervezése, Ansys modellezése Fürjes Péter furjes@mfa.kfki.hu Minták vizsgálata, minısítése pásztázó elektron mikroszkóppal (SEM) Tóth Attila Lajos tothal@mfa.kfki.hu
MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja
1 MTA TTK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Csikósné Dr Pap Andrea Edit
MEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS alkalmazási területei - szemelvények. MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS technológia kialakulása MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök
Vékonyrétegek - általános követelmények
Vékonyrétegek - általános követelmények egyenletes vastagság a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet (amorf, polikristályos, epitaxiális) azonos fizikai és kémiai tulajdonságok tömörség
Mikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
Mikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mond valamit? MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 Szilícium
MEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
Mikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter. MEMS technológia - marások
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia / lift-off izotróp
Mikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
Felületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
Laboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában
1 Laboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában Ádám Antalné, Csikósné Dr Pap Andrea Edit Cím: 1121 Budapest, Konkoly-Thege Miklós út 29-33, KFKI Campus 18/D épület http://www.kfki.hu/campus/index.html
$% % & #&' ( ,,-."&#& /0, 1!! Félvezetk &2/3 4#+ 5 &675!! "# " $%&"" Az 1. IC: Jack Kilby # + 8 % 9/99: "#+ % ;! %% % 8/</< 4: % !
Félvezetk $ & &' ( )*+,,-.&& /0, 1 &2/3 4+ 56 5 &675 $& Az 1. I: Jack Kilby 1958 4 + 8 9/99: + ; 8/
Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész
SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM GYŐR Felületi technológiák Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész 4. Gőzfázisból történő bevonatolás PVD eljárás CVD eljárás 5. Ionimplantáció 6. Passziválás Áttekintés
FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-05 MINTÁZAT- ÉS SZERKEZET-KIALAKÍTÁS FÉLVEZETŐ SZELETEN ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
Mikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter.
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail: furjes@mfa.kfki.hu, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia
VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK
3 VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK 3-01 VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIA ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TARTALOM
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 8. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK I 8. ELİADÁS 1.
Betekintés a napelemek világába
Betekintés a napelemek világába (mőködés, fajták, alkalmazások) Nemcsics Ákos Óbudai Egyetem Tartalom Bevezetés energetikai problémák napenergia hasznosítás módjai Napelemrıl nem középiskolás fokon napelem
MEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI
MEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI Dr. Bonyár Attila, adjunktus bonyar@ett.bme.hu Budapest, 2015.10.13. BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY Tematika
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2015/2016 tanév 2. félév 1 TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák 2.
Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
ZH November 27.-én 8:15-től
ZH-2 2017 November 27.-én 8:15-től Érzékelési elvek Érzékelési módszerek Mikrotechnológia http://www.mogi.bme.hu/tamop/mikromechanika/math-index.html 1 Mikrotechnológia alapjai Mikrotechnológia = szerszámkészlet
Analitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
Félvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK II
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK II Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 3. ELİADÁS: GÁZÉRZÉKELİK I 3. ELİADÁS 1. Bevezetés
A technológiában a fotolitográfiás lépés ismétlődik Fabrication of pmos (poly gate) transistor 4 level mask set. Source Gate Drain. Process sequence 1
1 2 Fotólitográfia Egy sok lépésből álló művelet, amely során először lakk ábrák kialakítása történik fény hatására egy fényérzékeny bevonatban. Ezután ezt a mintázatot visszük át különböző vékonyrétegekbe.
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2014/2015 tanév 2. félév 1 2. ELŐADÁS: TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák
Kémiai energia - elektromos energia
Általános és szervetlen kémia 12. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a redoxi reakciók lejátszódásának milyen feltételei vannak a galvánelemek hogyan mőködnek Mai témakörök az elektrolízis és alkalmazása
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék 2011. szeptember 22. Mi az a nano? 1 nm = 10 9 m = 0.000000001 m Nanotudományok: 1-100
Fókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 9. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK II 9. ELİADÁS: NYOMÁS,
Integrált áramköri technológia
BUDAPESTI MŐSZAKI ÉS GAZDASÁGTUDOMÁNYI EGYETEM Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Dr. Mizsei János, Timárné Horváth Veronika Integrált áramköri technológia Segédlet a Mikroelektronika
09/05/2016. Félvezetők. Az 1. IC: Jack Kilby 1958
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 1 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
MTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor Kétdimenziós kémia. Balogh Ádám Pósa Szonja Polett. Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós
MTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor 2 0 1 6. Kétdimenziós kémia Balogh Ádám Pósa Szonja Polett Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós A műanyagok és azok felületi kezelése Miért népszerűek napjainkban
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
Jellemző redoxi reakciók:
Kémia a elektronátmenettel járó reakciók, melynek során egyidejű elektron leadás és felvétel történik. Oxidáció - elektron leadás - oxidációs sám nő Redukció - elektron felvétel - oxidációs sám csökken
Szepes László ELTE Kémiai Intézet
Szepes László ELTE Kémiai Intézet Szárnyaló molekulák felületi rétegek ALKÍMIA MA c. előadássorozat 2013. február 14. Az előadás témája és vázlata Téma: felületi gőzfázisú rétegleválasztás (Chemical Vapour
FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-04 RÉTEGLEVÁLASZTÁSI, ÉS ADALÉKOLÁSI TECHNOLÓGIÁK ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT
1. változat. 4. Jelöld meg azt az oxidot, melynek megfelelője a vas(iii)-hidroxid! A FeO; Б Fe 2 O 3 ; В OF 2 ; Г Fe 3 O 4.
1. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft
Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Környezetvédelemben felhasznált elektroanalitikai módszerek csoportosítása Potenciometria (ph, Li +, F - ) Voltametria (oldott oxigén) Coulometria
Kémiai reakciók. Közös elektronpár létrehozása. Általános és szervetlen kémia 10. hét. Elızı héten elsajátítottuk, hogy.
Általános és szervetlen kémia 10. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a kémiai reakciókat hogyan lehet csoportosítani milyen kinetikai összefüggések érvényesek Mai témakörök a közös elektronpár létrehozásával
Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
Fókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
SOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
Szilícium alapú mikrofluidikai eszközök technológiája Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter
Szilícium alapú mikrofluidikai eszközök technológiája Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter A mérés célja: Szilícium nedves kémiai és száraz marási eljárásainak megismerése A mérési feladat: 3D tömbi
4. változat. 2. Jelöld meg azt a részecskét, amely megőrzi az anyag összes kémiai tulajdonságait! A molekula; Б atom; В gyök; Г ion.
4. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
Fény és anyag munkában
Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány Fény és anyag munkában Dr. Koppa Pál BME TTK, Fizikai ntézet, Atomfizika Tsz. 1 Alkalmazott fizika az ipar szolgálatában Néhány alkalmazási terület: Fényforrások
Kémiai reakciók Műszaki kémia, Anyagtan I. 11. előadás
Kémiai reakciók Műszaki kémia, Anyagtan I. 11. előadás Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Kémiai reakció Kémiai reakció: különböző anyagok kémiai összetételének, ill. szerkezetének
(11) Lajstromszám: E 003 977 (13) T2 EURÓPAI SZABADALOM SZÖVEGÉNEK FORDÍTÁSA
!HU000003977T2! (19) HU (11) Lajstromszám: E 003 977 (13) T2 MAGYAR KÖZTÁRSASÁG Magyar Szabadalmi Hivatal (21) Magyar ügyszám: E 06 008081 (22) A bejelentés napja: 06. 04. 19. (96) Az európai bejelentés
Faanyagok modifikációja_06
Faanyagok modifikációja_06 Faanyagok módosítása hıkezeléssel kémiai változások a faanyagban a hıkezelés hatására Dr. Németh Róbert, NymE Faipari Mérnöki Kar, Sopron, Faanyagtudományi Intézet, 2009. nemethr@fmk.nyme.hu
Szeletkötés háromdimenziós mikroszerkezetekhez
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki Tudományok Doktori Iskola, Mikroelektronika és Technológia Szakmacsoport Magyar Tudományos Akadémia, Energiatudományi Kutatóközpont, Műszaki
Elektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező
Elektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező Témák Kötelező Ajánlott 1. Nyomtatott Huzalozású Lemezek technológiája A NYHL funkciói, előnyei, alaptípusok A NYHL anyagai; hordozók,
Szakmai összefoglaló a T047002 sz. kutatási projekt eredményeiről
Szakmai összefoglaló a T047002 sz. kutatási projekt eredményeiről Kutatási célok és eredmények: A tervezett kutatási program célja elsősorban új, tömbi mikromechanikai megmunkálási eljárások (bulk micromaching)
József Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat.
1 MESTERSÉGEM CÍMERE F, mint FIZIKUS Tateyama Kagaku Ind. Co. Ltd., Toyama, Japan 3 irányú szilícium gyorsulásérzékelő József Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi
Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz
Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz 1. A vízmolekula szerkezete Elektronegativitás, polaritás, másodlagos kötések 2. Fizikai tulajdonságok a) Szerkezetből adódó különleges
Kémiai reakciók. Kémiai reakció feltételei: Aktivált komplexum:
Kémiai reakció feltételei: részecskék ütközése nagyobb koncentrációban gyakoribb: a részecskék megfelelı térhelyzetben legyenek Aktivált komplexum: részecskék ütközés utáni nagyon rövid ideig tartó összekapcsolódása
7.3. Plazmasugaras megmunkálások
7.3. Plazmasugaras megmunkálások (Plasma Beam Machining, PBM) Plazma: - nagy energiaállapotú gáz - az anyag negyedik halmazállapota - ionok és elektronok halmaza - egyenáramú ív segítségével állítják elő
ELEKTROKÉMIA. - elektrolitokban: ionok irányított mozgása. Elektrolízis: elektromos áram által előidézett kémiai átalakulás
ELEKTROKÉMIA 1 ELEKTROKÉMIA Elektromos áram: - fémekben: elektronok áramlása - elektrolitokban: ionok irányított mozgása Elektrolízis: elektromos áram által előidézett kémiai átalakulás Galvánelem: elektromos
Moore & more than Moore
1 Moore & more than Moore Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 A SZILÍCIUM (silex) 3 A SZILÍCIUM Felfedező: Jons Berzelius 1823, Svédország Természetes előfordulás: gránit, kvarc, agyag, homok 2. leggyakoribb
Aktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György
Aktuátorok korszerű anyagai Készítette: Tomozi György Technológiai fejlődés iránya Mikro nanotechnológia egyre kisebb aktuátorok egyre gyorsabb aktuátorok nem feltétlenül villamos, hanem egyéb csatolás
Elektrokémia. A nemesfém elemek és egymással képzett vegyületeik
Elektrokémia Redoxireakciók: Minden olyan reakciót, amelyben elektron leadás és elektronfelvétel történik, redoxi reakciónak nevezünk. Az elektronleadás és -felvétel egyidejűleg játszódik le. Oxidálószer
6. változat. 3. Jelöld meg a nem molekuláris szerkezetű anyagot! A SO 2 ; Б C 6 H 12 O 6 ; В NaBr; Г CO 2.
6. változat Az 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Jelöld meg azt a sort, amely helyesen
KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ
KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ 1) A rejtvény egy híres ember nevét és halálának évszámát rejti. Nevét megtudod, ha a részmegoldások betűit a számozott négyzetekbe írod, halálának évszámát pedig pici számolással.
FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-03 FÉLVEZETŐ SZELET ELŐÁLLÍTÁSA (ALAPANYAGTÓL A SZELETIG) ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
13 Elektrokémia. Elektrokémia Dia 1 /52
13 Elektrokémia 13-1 Elektródpotenciálok mérése 13-2 Standard elektródpotenciálok 13-3 E cella, ΔG és K eq 13-4 E cella koncentráció függése 13-5 Elemek: áramtermelés kémiai reakciókkal 13-6 Korrózió:
Őrtechnológia a gyakorlatban
Őrtechnológia a gyakorlatban ENERGIAFORRÁSOK II. Akkumulátorok, elemek, peltier elemek Szimler András BME HVT, Őrkutató Csoport, 708.labor Li alapú akkumulátorok Li-ion Mechanikailag erısebb Szivárgásveszély
Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
Villamos tulajdonságok
Villamos tulajdonságok A vezetés s magyarázata Elektron függıleges falú potenciálgödörben: állóhullámok alap és gerjesztett állapotok Több elektron: Pauli-elv Sok elektron: Energia sávok Sávelméletlet
SZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK
SZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK Budapesti Reáltanoda Fontos! Sok reakcióegyenlet több témakörhöz is hozzátartozik. Zárójel jelzi a reakciót, ami más témakörnél található meg. REAKCIÓK FÉMEKKEL fém
A nanotechnológia mikroszkópja
1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június
Elektronátadás és elektronátvétel
Általános és szervetlen kémia 11. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a közös elektronpár létrehozásával járó reakciók csoportjában milyen jellemzıi vannak sav-bázis és komplexképzı reakcióknak Mai témakörök
Megújuló energiaforrások
Megújuló energiaforrások Energiatárolási módok Marcsa Dániel Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék 2015 tavaszi szemeszter Energiatárolók 1) Akkumulátorok: ólom-savas 2) Akkumulátorok: lítium-ion
2. változat. 6. Jelöld meg, hány párosítatlan elektronja van alapállapotban a 17-es rendszámú elemnek! A 1; Б 3; В 5; Г 7.
2. változat 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II
NANO MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem, KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 11. ELŐADÁS: MIKRO- ÉS NANOAKTUÁTOROK, MIKRO- ÉS NANOFLUIDIKAI ESZKÖZÖK 2012/2013 tanév 1. félév
Anyagismeret. Az anyagtudomány szerepe
Anyagismeret Az anyagtudomány szerepe Az anyagtudomány szerepe a XX-XXI. század fordulóján Stratégia: anyag- és energiatakarékos rendszerek Reciklizálható rendszerek! Kritikus tudományok: energetika, számítástechnika,
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI 1 Többrétegű NYHL pre-preg Hatrétegű pakett rézfólia ónozatlan Cu huzalozás (fekete oxid) Pre-preg: preimpregnated material, félig kikeményített, üvegszövettel erősített
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja Archeometriai műhely ELTE TTK 2013. Elektronmikroszkópok TEM SEM Transzmissziós elektronmikroszkóp Átvilágítós vékony minta < 100
3D bútorfrontok (előlapok) gyártása
3D bútorfrontok (előlapok) gyártása 1 2 3 4 5 6 7 8 9 MDF lapok vágása Marás rakatolás Tisztítás Ragasztófelhordás 3D film laminálás Szegély eltávolítása Tisztítás Kész bútorfront Membránpréses kasírozás
MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY
MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TV Kiforrott technológia Kiváló képminőség Környezeti fény nem befolyásolja 4:3, 16:9 Max méret 100 cm Mélységi
Nagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC)
Nagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC) Kromatográfiás módszerek osztályba sorolása 2 Elúciós technika A mintabevitel ún. dugószerűen történik A mozgófázis a kromatogram kifejlesztése alatt folyamatosan
Kémiai átalakulások. A kémiai reakciók körülményei. A rendszer energiaviszonyai
Kémiai átalakulások 9. hét A kémiai reakció: kötések felbomlása, új kötések kialakulása - az atomok vegyértékelektronszerkezetében történik változás egyirányú (irreverzibilis) vagy megfordítható (reverzibilis)
a réz(ii)-ion klorokomplexének előállítása...
Általános és szervetlen kémia Laborelőkészítő előadás IX-X. (2008. október 18.) A réz(i)-oxid és a lecsapott kén előállítása Metallurgia, a fém mangán előállítása Megfordítható redoxreakciók Szervetlen
Kémiai alapismeretek 6. hét
Kémiai alapismeretek 6. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék biner 2013. október 7-11. 1/15 2013/2014 I. félév, Horváth Attila c Egyensúly:
Pásztázó mikroszkópiás módszerek
Pásztázó mikroszkópiás módszerek - Pásztázó alagútmikroszkóp, Scanning tunneling microscope, STM - Pászázó elektrokémiai mikroszkóp, Scanning electrochemical microscopy, SECM - pásztázó közeli mező optikai
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban Zolnai Zsolt MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, H-1525 Budapest, P.O.B. 49, Hungary Tartalom: Kolloid
Kémiai kötések és kristályrácsok ISMÉTLÉS, GYAKORLÁS
Kémiai kötések és kristályrácsok ISMÉTLÉS, GYAKORLÁS Milyen képlet adódik a következő atomok kapcsolódásából? Fe - Fe H - O P - H O - O Na O Al - O Ca - S Cl - Cl C - O Ne N - N C - H Li - Br Pb - Pb N
Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás
Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Redoxi reakciók Például: 2Mg + O 2 = 2MgO Részfolyamatok:
Hibrid Integrált k, HIC
Hordozók Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek
Poliaddíció. Polimerek kémiai reakciói. Poliaddíciós folyamatok felosztása. Addíció: két molekula egyesülése egyetlen fıtermék keletkezése közben
Polimerek kémiai reakciói 6. hét Addíció: két molekula egyesülése egyetlen fıtermék keletkezése közben Poliaddíció bi- vagy polifunkciós monomerek lépésenkénti összekapcsolódása: dimerek, trimerek oligomerek
Szigetelők Félvezetők Vezetők
Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).
Katalízis. Tungler Antal Emeritus professzor 2017
Katalízis Tungler Antal Emeritus professzor 2017 Fontosabb időpontok: sósav oxidáció, Deacon process 1860 kéndioxid oxidáció 1875 ammónia oxidáció 1902 ammónia szintézis 1905-1912 metanol szintézis 1923
Ragasztás, ragasztóanyagok. Kötés kialakulása kémiai úton. Kötés kialakulása kémiai úton. Kötés kialakulása kémiai úton
Ragasztás, ragasztóanyagok 10. hét kötıanyag: oligomer, monomer kis moláris tömeg felvitel: folyadékállapot és viszkozitás biztosítása a kötés tisztán kémiai reakció poliaddíciós vagy polimerizációs folyamat
Anyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió
Anyagismeret 6/7 Diffúzió Dr. Mészáros István meszaros@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd Diffúzió Diffúzió -
ELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp
ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek
KÉMIA ÍRÁSBELI ÉRETTSÉGI- FELVÉTELI FELADATOK 1997
1. oldal KÉMIA ÍRÁSBELI ÉRETTSÉGI- FELVÉTELI FELADATOK 1997 JAVÍTÁSI ÚTMUTATÓ I. A HIDROGÉN, A HIDRIDEK 1s 1, EN=2,1; izotópok:,, deutérium,, trícium. Kétatomos molekula, H 2, apoláris. Szobahőmérsékleten
Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei
GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekI.Közgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési
KÉMIAI ALAPISMERETEK (Teszt) Összesen: 150 pont. HCl (1 pont) HCO 3 - (1 pont) Ca 2+ (1 pont) Al 3+ (1 pont) Fe 3+ (1 pont) H 2 O (1 pont)
KÉMIAI ALAPISMERETEK (Teszt) Összesen: 150 pont 1. Adja meg a következő ionok nevét, illetve képletét! (12 pont) Az ion neve Kloridion Az ion képlete Cl - (1 pont) Hidroxidion (1 pont) OH - Nitrátion NO
Minta feladatsor. Az ion neve. Az ion képlete O 4. Szulfátion O 3. Alumíniumion S 2 CHH 3 COO. Króm(III)ion
Minta feladatsor A feladatok megoldására 90 perc áll rendelkezésére. A megoldáshoz zsebszámológépet használhat. 1. Adja meg a következő ionok nevét, illetve képletét! (8 pont) Az ion neve.. Szulfátion