MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja
|
|
- Emília Fodorné
- 8 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 1 MTA TTK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Csikósné Dr Pap Andrea Edit pap.andrea@kvk.uni-obuda.hu 2 MEMS technológia kialakulása 70-es évek vége: mikroprocesszorok fejlődése olcsó személyi számítógépek kulcstechnológiája 80-as évek vége: olcsó szilárdtest-lézer tömeggyártása internet kommunikáció kulcstechnológiája 90-es évek vége: mikrorendszerek fejlesztése érzékelők illesztésének kulcstechnológiája a valósidejű monitorozás és vezérlés számára 1
2 3 MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja nagy rendszer változások vezérlése kis erőkkel minőségi előnyök a méretcsökkentés révén, új működési elvek realizálása csoportos megmunkálás, az eszközök integrálása akár IC-ben tetszőleges funkciók társítása; érzékelés, számítás, beavatkozás (aktuálás), vezérlés, kommunikáció az ezeket megvalósító eszközök integrálása egy rendszerben; erőforrás (telep, tápegység), antenna, érzékelők, beavatkozók alapvetően felületi-, rétegtechnológiai realizálás MEMS eszközök árképzése; % a chip, % a tokozás MEMS eszközök kialakítása, fejlesztése nem szisztematikus kutatás eredménye, hanem kreatív, innovatív munka eredménye. 4 MEMS alkalmazási területei - szemelvények civil fogyasztók 1 % számítástechnika 7 % gyógyászat és bio 8 % pl. mikro-robot, mikro-szonda, lab-on-a-chip, elektronikus orr, stb. egyéb ipar 28 % pl. mezőgazdasági munkagépben a munkabeállítás vezérlése, vetőmag szelekció méret-, épség-, orientáció-, minőség ellenőrzése, válogatás, stb. autóipar 56 % pl. motor- és futómű vezérlése, diagnosztika, élet- és menetbiztonság, kényelem, stb. 2
3 5 MEMS technológiák, eljárások - Start Nagy tisztaságú térben végzett, több ember precíz, összehangolt munkája drága infrastruktúra Kiindulási pont - Si egykristály szelet nagy görbületi sugarú sík! kristályrács - hiba mentes egy vagy két oldalon polírozott definiált orientációjú (100) Felületkezelés - kémiai tisztítás füstölgő HNO 3 és forró HNO 3 (feloxidált felület) RCA tisztítás; 2 lépésben szerves anyagok eltávolítása: NH 4 OH és H 2 O 2 fémszennyeződés eltávolítása: HCl és H 2 O 2 6 MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció Funkciói: maszkoló réteg szigetelő réteg passziváló réteg Kialakítása: termikus oxidáció magas T, oxidatív atmoszféra (O 2, H 2 O) száraz nedves kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) anódos oxidáció (elektrolízis pl. KOH-ban) plazma oxidáció (RF porlasztás) Minősítés (pl. C-V mérés, szivárgási áram mérése, stb.): vastagság / homogenitás tisztaság 3
4 7 MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Adalékolás, felgyorsított részecskék ionok, ioncsoportok - szilárd testekbe való belövése. Funkciója: diffúziót megelőző leválasztás - predepozíció p-n átmenetek kialakítása MOS tranzisztorok küszöbfeszültségének beállítása forrás és nyelő területeinek önillesztett kialakítása amorfizálás, getterezés felületi réteg mechanikai, elektromos, kémiai, optikai tulajdonságainak megváltoztatása, miközben ezek a térfogati tartományban nem változnak. Lokálisan homogén tulajdonságok kialakítása. 8 MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Megvalósítása: nagy vákuumban ionforrásból kilépő, gyorsított ionok, tömegszeparátoron áthaladva érkeznek a Si felületre kezelendő felület söpörtetett homogenitás biztosítása gyorsító feszültség reprodukálható és precízen beállított kontrollált hőmérsékletű target Hatása a szilárd testekre: az ionok eloszlását számítással, táblázatokból lehet meghatározni, mely alapján a valószínű eloszlás, várható érték megadható rugalmas / rugalmatlan ütközés adalékeloszlás nagyjából Gauss eloszlás rácskárosodás; ponthibák, összetett hibák 4
5 9 MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Implantált ionok újraelosztása hőkezeléssel rácskárosodás megszüntetése az adalék elektromos aktiválása Az ion és a meglökött atomok pályája 10 MEMS technológiák, eljárások Vékonyréteg leválasztás Követelmények: egyenletes eloszlás a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet; azonos fizikai, kémiai tulajdonságok tömörség; szivacs vs. réteg, tűlyuk tapadás kis termomechanikai feszültség lépcsőfedés speciális követelmények; súrlódás, nedvesítés, biokompatibilitás gazdaságosság 5
6 11 MEMS technológiák, eljárások Vékonyréteg leválasztás Alkalmazás: félvezető gyártástechnológia Mikro-elektromechanikai rendszerek hővezető bevonatok napelemek optikai alkalmazások (szűrők, rácsok, antireflexiós rétegek, stb.) kopásálló bevonatok (szerszámok, optikai elemek, humán protézisek, stb.) korrózióálló bevonatok dekorációs bevonatok 12 MEMS technológiák, eljárások Vékonyréteg leválasztás Előállítás: Fizikai módszerek szilárd forrásból párologtatás, porlasztás; dc, rf, magnetron, MBE (Molecular Beam Epitaxy) olvadékból LPE (Liquide Phase Epitaxy) pl. Cz, Fz Kémiai módszerek elektrolitból galvanizálás oldatból, szuszpenzióból lecsapatás, szol-gél technika gázfázisból CVD (Chemical Vapour Deposition), VPE (Vapour Phase Epitaxy), MOCVD (Metal Organic ), LPCVD (Low Pressure ), PECVD (Plasma Enhanced ), MWCVD (Micro Wave ), PACVD (Photon/Plasma Assisted ), ALCVD (Atomic Layer ) 6
7 13 CVD A szilárd terméket eredményező kémiai reakció csak a felületen megy végbe! Metódus: transzport a felületre adszorbció migráció vándorlás a felületen; adszorpció deszorpció kemiszorpció kémiai reakció deszorpció transzport a felületről Sebesség-meghatározó lépés transzport reagens, ill. termék (PACVD) kémiai reakció (LPCVD, PECVD) kemiszorpció (ALD) 14 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása MEMS: 2D IC technológia 3D szerkezetek membránok, felfüggesztett elemek, mozgó alkatrészek mikrofluidikai alkalmazások: csatornák, üregek, reaktorok Mikromechanika: száraz és nedves kémiai marások elektrokémiai módszerek esetleg lézer vagy gyémánttárcsás vágások Jellemző µm Si kristály vastagsága µm 7
8 15 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Felületi mikromechanika felületi vékonyrétegekből amorf vagy polikristályos membrán 2-3 µm üreg Tömbi mikromechanika: Si egykrisályban vagy leválasztott rétegben 2-3 µm és µm közötti üreg esetleg lézer vagy gyémánttárcsás vágások pórusos Si alkalmazásával elérhető a felületi mikromechanika mérettartománya tömbi Si-ban DRIE alkalmazása 16 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Felületi mikromechanika eljárásait lásd fentebb segédréteggel pl. oxid rétegen polisi leválasztás, majd oxid eltávolítás Tömbi mikromechanika eljárásai: Si anizotróp lúgos marása Redox reakciósorozat (oxidáció redukció - oldódás) Si + 2 OH H 2 O SiO 2 (OH) H 2 marási sebesség függ a Si kristály orientációjától és dópoltságától v <111> << v <100> << v <331> marásmegállító réteg (orientáció, dópoltság) ECES marás elektrokémiai marásmegállítás 8
9 17 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Tömbi mikromechanika eljárásai: Si elektrokémiai marása pórusos Si kialakítása dópoltság mértéke meghatározza a kialakuló réteg fizikai minőségét, homogenitása jó elektrolit koncentrációja, áramsűrűség, marási idő beállításával tervezhető a kialakított réteg porozitása, vastagsága, rendezettsége optikai tulajdonásgai szelektivitás (p, p +, n) HF alapú elektrolit + C 2 H 5 OH (esetleg + H 2 O) Si + 2 HF SiF 2 + 2H + SiF HF H 2 SiF 6 + H 2 porsi szelektíven, gyorsan kioldható az egykristályos Si-ból 18 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Tömbi mikromechanika eljárásai: Si elektrokémiai marása pórusos Si kialakítása Funkciója: feláldozandó réteg előállítás, szelektív kioldás pl. üreg, membrán kialaításakor funkcionális szerkezeti réteg hőszigetelő érzékelő (nagy fajlagos felület) katalizátor (érzékenyített felület) SiO 2 -ban n-si szigetek kialakítása optikai elem pl. szűrő, rezonátor, hullámvezető 9
10 19 MEMS technológiák, eljárások Si micromachining: Si 3D megmunkálása Tömbi mikromechanika eljárásai: nagy sűrűségű plazmamarók (HDPE, DRIE) mély árkok kialakítása reaktív ionokkal ciklikus marás passziválás folyamat passziválás: n C 4 F 8 4n CF 2 marás: SF 6 F + ionok enyhén anizotróp marás függőleges falak kialakítása 20 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Nedves és száraz (plazma) marás Követelmény (mindkét esetben): egyenletesség szelektivitás marási sebesség kontrollja reprodukálhatóság megfelelő marási profil Nedves kémiai marás általában izotróp egyes marószerek a Si egykristályt anizotrópan marják maszkoló réteg szükséges (lakk csak a savas marószerekre jó!), fontos a réteg tapadása, ábra alakjának megtartása 10
11 21 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Nedves kémiai marás Si izotróp marása HF HNO 3 CH 3 COOH = (3:5:3) 80 µm/min, (2:5:15) 5 µm/min 3 Si + 4 HNO HF 3H 2 SiF NO + 8 H 2 O (a HNO 3 oxidál, a HF az oxidot oldja) HF:HNO 3 :H 2 O = (3:50:20) polikristályos Si marása 0.8 µm/min Si anizotróp marása szervetlen és szerves lúgokban, lásd 3D megmunkálás Si 3 N 4 Si 3 N HF H 2 SiF (NH 4 ) 2 SiF 6 3 Si 3 N H 2 O + H 3 PO 4 4 (NH 4 ) 3 PO H 2 SiO 3 ( C) 22 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Nedves kémiai marás SiO 2 SiO HF = H 2 SiF H 2 O sebesség a HF (H +, F -, HF 2- ) koncentrációtól függ ph és T függő puffer oldatban, állandó ph, azaz állandó HF (H+, F-, HF 2 -) koncentráció mellett alkalmazzuk HF:NH 4 F = 10 :1 Al savban 2 Al + 6 H + 2 Al H 2 lúgban 2 Al + OH H 2 O 2[Al(OH) 4 ] H 2 11
12 23 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Száraz kémiai, avagy plazma marás halogénekkel: F és Cl alapú plazmák a termék gázhalmazállapotú Si CF 4 plazma, de ebben kicsi a Si marási sebessége csökkenteni kell a CF 3* mennyiségét és növelni a F * mennyiségét marógázok: CF 4 + O 2 (5 20%), SiF 6 + O 2, NF 3 SiO 2 CF 3* + 3 SiO 2 SiF CO + 2 CO 2 csökkenteni kell a F * mennyiségét és növelni a CF 3* mennyiségét marógázok: CF 4 + H 2, CHF 3 + H 2, C 3 F 8 + H 2 24 MEMS technológiák, eljárások Rétegeltávolítás Plazma marási profilok ionmarás csak fizikai porlasztás anizotróp + geometriai hatások és visszaporlódás marás gyökökkel tisztán kémiai izotróp marás gyökökkel és irányított ionokkal fizikai és kémiai marás izotróp anizotróp marási hatások marás gyökökkel és irányított ionokkal + oldalfal maszkolás polimerrel fizikai és kémiai anizotróp 12
13 25 MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Ábrakészítés, mintázat átvitel kontakt proximity projekciós Fotolakk optikai tulajdonságai monokromatikus fénnyel való exponálás esetén állóhullámok keletkeznek a hatás csökkenthető, eliminálható több hullámhosszat tartalmazó fényforrás alkalmazásával utóhőkezeléssel 26 MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Fotolakk kémiája általában pozitív fotolakkot alkalmaznak az IC iparban, mert nem változtatja az alakját az előhívásnál alkalmas nagy felbontásra ellenáll a plazma műveleteknek negatív lakkok általában mérgezőek komponensei vízben oldódó, fényérzékeny fenol alapú filmképző polimer fényérzékeny, vízben való oldást gátló makromolekula oldószer elegy (szerves) 13
14 27 MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Fotolitográfia felbontás növelése vékony reziszt alkalmazása 0.1 µm kisebbλlevilágítás pl. Hg, Hg/Xe, KrF excimer lézer lézer-plasma forrás rtg, syncothron elektron sugár direkt írás ionsugár Ábrakialakítás vékonyrétegben visszamarással lift-off módszerrel nano-nyomtatás 28 MEMS technológiák, eljárások Fotolitográfia Fotolitográfiai műveletsor felület előkészítése kémiai tisztítás + vízmentesítés lakkfelvitel porszennyezés kizárása tisztatéri körülmények! homogén rétegvastagság lakkszárítás oldószer eltávolítása C-on lakkvastagság csökken 25 %-al exponálás, előhívás az előhívó csak az exponált területet oldja ki exponáláskor fontos a precíz illesztés lakkbeégetés mintázat stabilizálása, általában 130 C-on változik az ábra mérete megmunkálás - a maszkoló fotolakk mintázat segítségével lakkeltávolítás, tisztítás aceton, plazma marás O 2 plazmában, füstölgő HNO 3 -ban 14
15 29 MOS tranzisztor kialakításának lépései Aktív terület kialakítása Oxidáció, száraz 0,1 µm 30 Aktív terület kialakítása Nitrid leválasztás LPCVD Si 3 N 4 0,1 µm 15
16 31 Aktív terület kialakítása CVD oxid leválasztás 0,3 µm 32 Aktív terület kialakítása Fotolitográfia, aktív terület 16
17 33 Aktív terület kialakítása Oxidmarás (CVD oxid) 34 Aktív terület kialakítása Lakkeltávolítás 17
18 35 Aktív terület kialakítása Nitridmarás 36 Aktív terület kialakítása Oxidmarás 18
19 37 Aktív terület kialakítása Channel stop implantáció 38 Aktív terület kialakítása Téroxid növesztés, nedves oxidáció (HYOX), 1µm 19
20 39 Aktív terület kialakítása Nitridmarás 40 Aktív terület kialakítása Oxidmarás 20
21 41 Gate elektróda kialakítása Gate oxid növesztés, 60 nm 42 Gate elektróda kialakítása Ionimplantáció, küszöb feszültség beállítása 21
22 43 Gate elektróda kialakítása Poli Si leválasztás LPCVD 0,4 µm 44 Gate elektróda kialakítása Poli Si adalékolása, ionimplantáció 22
23 45 Gate elektróda kialakítása Fotolitográfia, gate elektróda kialakítása 46 Gate elektróda kialakítása Poli Si marás 23
24 47 Gate elektróda kialakítása Oxidmarás Source, Drain helyekről 48 Gate elektróda kialakítása Lakkeltávolítás 24
25 49 Source, Drain elektródák kialakítása Fotolitográfia, n-csatornás S-D helyek kitakarása 50 Source, Drain elektródák kialakítása S-D helyek adalékolása ionimplantációval (önillesztett) 25
26 51 Body elektróda kialakítása Fotolitográfia, n-csatornás S-D helyek betakarása 52 Body elektróda kialakítása Body kivezetés adalékolása ionimplantációval 26
27 53 Source, Drain és Body elektródák kialakítása Lakkeltávolítás után az ionimplantált adalékok behajtása 54 Kontaktus ablakok kialakítása CVD oxid leválasztás 27
28 55 Kontaktus ablakok kialakítása Fotolitográfia, kontaktusablakok helyének kijelölése 56 Kontaktus ablakok kialakítása CVD oxid kimarása 28
29 57 Kontaktus ablakok kialakítása Lakkeltávolítás 58 Kontaktus ablakok kialakítása Fémezés, Al 1 µm 29
30 59 Kontaktus ablakok kialakítása Fotolitográfia, fémkivezetések helyének kijelölése 60 Kontaktus ablakok kialakítása Al marás 30
31 61 Kontaktusok kialakítása Lakkeltávolítás 62 A MOS tranzisztor készítéséhez használt maszkok 31
32 63 MEMS eszközök - Tapintás érzékelő 8 8 as érzékelő hálózat CMOS technológiával kialakított kiolvasó áramkörrel 64 32
33 65 66 TactoPad 2x2 TactoFlex 2x2 TactoScope 2x1 TactoPad 8x8 33
34 67 MEMS/NEMS eszközök - Tapintás érzékelő nano-ban ZnO nanorudak előállítása 1. Felületkezelés 1. Hőkezelés T=1050 C; t=12 h; c/2 lépcsők O2 atmoszféra 2. Fémleválasztás 3. Elektronsugaras litográfia Zn-kel borított oldal O-nel borított oldal c lépcsők Ionmarás 5. Hidrotermális növesztés 5. Zn(NO3)2 6H2O és (CH2)6N4 c=0.004 M; T= 93 C; t=40 min-4 h 68 Hossz: Távolság a szálak között: Átmérő: L= 500 nm-2 µm Λ= nm D= nm 34
35 69 C 1 F C 3 C 2 Piezoelektromos tulajdonsága folytán alkalmas a ZnO irány szelektív erőmérésre. 70 Taguchy és pellistor típusú gázérzékelők Nem perforált membránon alakítottunk ki Pt mikro-fűtőtesteket A két eltérő érzékelési mechanizmusnak megfelelően több féle katalizátor anyagot alkalmazhatunk 35
36 71 Taguchy típusú gázérzékelő Laterálisan szelektíven alakítottunk ki pórusos TiO 2 réteget; sol-gel eljárással, spincoatinggal, amihez új lift-off technikát dolgoztunk ki Az Au nano-részecskék felületre történő leválasztásán még dolgozunk kisebb részecskeméretre törekszünk 72 Pellistor típusú gázérzékelő Szeparáltan helyezkedik el az aktív és referencia fűtőtest a feszültségmentes membránokon A kialakított MEMS szerkezet élettartamának vizsgálata folyamatban van a tesztnek alávetett chipek 8-10 éves működésre képesek 36
37 73 Pellistor típusú gázérzékelő A pellistor aktív fűtőtestére vittük fel a katalizátort tartalmazó anyagot itt fémoxid keveréket 74 Pellistor típusú gázérzékelő Air Air+2000ppm CO Air voltage (V) V Active = 11mV V Passive =0.9mV active passive Heater current: 7mA Hotplate temperature: approx C time (s) A CeO 2 alapú katalizátorok funkcionális tesztjei kimutatták, hogy a Pd mentes érzékelők még magasabb hőmérsékleten sem működnek A Pd tartalmú katalizátor keverékek bíztató eredményt hoztak, de a szemcsék mérete kritikus kérdés itt is 37
38 75 voltage (V) 0,016 0,014 0,012 0,010 0,008 0,006 0,004 0,002 0,000-0,002 Pellistor típusú gázérzékelő 4784 ppm 4366 ppm 3925 ppm 3460 ppm 2967 ppm 2449 ppm Air Output voltage (V) Baseline 1890 ppm 1300 ppm 671 ppm Heating power: 13.8mW for one hotplate Gas cycles: - Air - Air+CO time (s) Alumina hordozón 5 m/m% Pt részecskével ismételve a mérést igazoltunk, hogy nem a MEMS szerkezet okozza az alapvető problémát az érzékelésben 76 Pellistor típusú gázérzékelő A katalizátort hordozó anyag hővezetéséből adódó problémát, a katalizátor anyag részecskéinek méretcsökkentését és a katalizátor anyag kontrollálható felvitelének problémáját a fűtőtesteken, lokálisan kialakított pórusos Al 2 O 3 alkalmazásával oldottuk meg Elektrokémiai marással, definiált paraméterek mellett, kontrollált vastagságban és geometriával, valamint azonos porozitással tudunk előállítani pórusos alumina réteget a kívánt helyeken Erre a szerkezetre a Pt vagy Pd nano-részecskék felvitele sokkal egyszerűbb (dispenzer) pl. H 2 PtCl 6 vagy Pd[(NH 3 ) 4 ] 2+ alkalmazásával az aktív fűtőtestre 38
MEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS technológia kialakulása
MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Pap Andrea Edit pap@mfa.kfki.hu
RészletesebbenMEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS alkalmazási területei - szemelvények. MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS technológia kialakulása MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök
RészletesebbenVékonyrétegek - általános követelmények
Vékonyrétegek - általános követelmények egyenletes vastagság a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet (amorf, polikristályos, epitaxiális) azonos fizikai és kémiai tulajdonságok tömörség
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mond valamit? MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 Szilícium
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenMikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter. MEMS technológia - marások
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia / lift-off izotróp
RészletesebbenMEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
RészletesebbenLaboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában
1 Laboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában Ádám Antalné, Csikósné Dr Pap Andrea Edit Cím: 1121 Budapest, Konkoly-Thege Miklós út 29-33, KFKI Campus 18/D épület http://www.kfki.hu/campus/index.html
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-05 MINTÁZAT- ÉS SZERKEZET-KIALAKÍTÁS FÉLVEZETŐ SZELETEN ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
Részletesebben$% % & #&' ( ,,-."&#& /0, 1!! Félvezetk &2/3 4#+ 5 &675!! "# " $%&"" Az 1. IC: Jack Kilby # + 8 % 9/99: "#+ % ;! %% % 8/</< 4: % !
Félvezetk $ & &' ( )*+,,-.&& /0, 1 &2/3 4+ 56 5 &675 $& Az 1. I: Jack Kilby 1958 4 + 8 9/99: + ; 8/
RészletesebbenFélvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
RészletesebbenMikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter.
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail: furjes@mfa.kfki.hu, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia
RészletesebbenVÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK
3 VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK 3-01 VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIA ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TARTALOM
RészletesebbenA technológiában a fotolitográfiás lépés ismétlődik Fabrication of pmos (poly gate) transistor 4 level mask set. Source Gate Drain. Process sequence 1
1 2 Fotólitográfia Egy sok lépésből álló művelet, amely során először lakk ábrák kialakítása történik fény hatására egy fényérzékeny bevonatban. Ezután ezt a mintázatot visszük át különböző vékonyrétegekbe.
RészletesebbenZH November 27.-én 8:15-től
ZH-2 2017 November 27.-én 8:15-től Érzékelési elvek Érzékelési módszerek Mikrotechnológia http://www.mogi.bme.hu/tamop/mikromechanika/math-index.html 1 Mikrotechnológia alapjai Mikrotechnológia = szerszámkészlet
RészletesebbenAnalitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
RészletesebbenTextíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
RészletesebbenAnyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész
SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM GYŐR Felületi technológiák Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész 4. Gőzfázisból történő bevonatolás PVD eljárás CVD eljárás 5. Ionimplantáció 6. Passziválás Áttekintés
Részletesebben09/05/2016. Félvezetők. Az 1. IC: Jack Kilby 1958
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 1 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
RészletesebbenMEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI
MEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI Dr. Bonyár Attila, adjunktus bonyar@ett.bme.hu Budapest, 2015.10.13. BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY Tematika
RészletesebbenSOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-04 RÉTEGLEVÁLASZTÁSI, ÉS ADALÉKOLÁSI TECHNOLÓGIÁK ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT
RészletesebbenSZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2015/2016 tanév 2. félév 1 TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák 2.
RészletesebbenMikrohullámú abszorbensek vizsgálata
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
RészletesebbenElektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező
Elektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező Témák Kötelező Ajánlott 1. Nyomtatott Huzalozású Lemezek technológiája A NYHL funkciói, előnyei, alaptípusok A NYHL anyagai; hordozók,
RészletesebbenSZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2014/2015 tanév 2. félév 1 2. ELŐADÁS: TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák
RészletesebbenG04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
RészletesebbenIntegrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák MOS áramkörök alkatrészkészlete Bipoláris áramkörök alkatrészkészlete 11/2/2007 2/27 MOS áramkörök alkatrészkészlete Tranzisztorok
RészletesebbenNanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék 2011. szeptember 22. Mi az a nano? 1 nm = 10 9 m = 0.000000001 m Nanotudományok: 1-100
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-03 FÉLVEZETŐ SZELET ELŐÁLLÍTÁSA (ALAPANYAGTÓL A SZELETIG) ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
Részletesebben4. változat. 2. Jelöld meg azt a részecskét, amely megőrzi az anyag összes kémiai tulajdonságait! A molekula; Б atom; В gyök; Г ion.
4. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
RészletesebbenFényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
RészletesebbenSzepes László ELTE Kémiai Intézet
Szepes László ELTE Kémiai Intézet Szárnyaló molekulák felületi rétegek ALKÍMIA MA c. előadássorozat 2013. február 14. Az előadás témája és vázlata Téma: felületi gőzfázisú rétegleválasztás (Chemical Vapour
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
RészletesebbenHibrid Integrált k, HIC
Hordozók Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek
Részletesebben1. változat. 4. Jelöld meg azt az oxidot, melynek megfelelője a vas(iii)-hidroxid! A FeO; Б Fe 2 O 3 ; В OF 2 ; Г Fe 3 O 4.
1. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
RészletesebbenBetekintés a napelemek világába
Betekintés a napelemek világába (mőködés, fajták, alkalmazások) Nemcsics Ákos Óbudai Egyetem Tartalom Bevezetés energetikai problémák napenergia hasznosítás módjai Napelemrıl nem középiskolás fokon napelem
RészletesebbenDr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft
Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Környezetvédelemben felhasznált elektroanalitikai módszerek csoportosítása Potenciometria (ph, Li +, F - ) Voltametria (oldott oxigén) Coulometria
RészletesebbenHavancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
RészletesebbenNYÁK technológia 2 Többrétegű HDI
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI 1 Többrétegű NYHL pre-preg Hatrétegű pakett rézfólia ónozatlan Cu huzalozás (fekete oxid) Pre-preg: preimpregnated material, félig kikeményített, üvegszövettel erősített
RészletesebbenMTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor Kétdimenziós kémia. Balogh Ádám Pósa Szonja Polett. Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós
MTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor 2 0 1 6. Kétdimenziós kémia Balogh Ádám Pósa Szonja Polett Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós A műanyagok és azok felületi kezelése Miért népszerűek napjainkban
RészletesebbenAmorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra. Csarnovics István
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2012.10.03. Mátrafüred Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra Csarnovics István Debreceni
RészletesebbenKémiai energia - elektromos energia
Általános és szervetlen kémia 12. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a redoxi reakciók lejátszódásának milyen feltételei vannak a galvánelemek hogyan mőködnek Mai témakörök az elektrolízis és alkalmazása
Részletesebben3D bútorfrontok (előlapok) gyártása
3D bútorfrontok (előlapok) gyártása 1 2 3 4 5 6 7 8 9 MDF lapok vágása Marás rakatolás Tisztítás Ragasztófelhordás 3D film laminálás Szegély eltávolítása Tisztítás Kész bútorfront Membránpréses kasírozás
Részletesebben(11) Lajstromszám: E 003 977 (13) T2 EURÓPAI SZABADALOM SZÖVEGÉNEK FORDÍTÁSA
!HU000003977T2! (19) HU (11) Lajstromszám: E 003 977 (13) T2 MAGYAR KÖZTÁRSASÁG Magyar Szabadalmi Hivatal (21) Magyar ügyszám: E 06 008081 (22) A bejelentés napja: 06. 04. 19. (96) Az európai bejelentés
RészletesebbenKémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz
Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz 1. A vízmolekula szerkezete Elektronegativitás, polaritás, másodlagos kötések 2. Fizikai tulajdonságok a) Szerkezetből adódó különleges
RészletesebbenJellemző redoxi reakciók:
Kémia a elektronátmenettel járó reakciók, melynek során egyidejű elektron leadás és felvétel történik. Oxidáció - elektron leadás - oxidációs sám nő Redukció - elektron felvétel - oxidációs sám csökken
RészletesebbenSzilícium alapú mikrofluidikai eszközök technológiája Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter
Szilícium alapú mikrofluidikai eszközök technológiája Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter A mérés célja: Szilícium nedves kémiai és száraz marási eljárásainak megismerése A mérési feladat: 3D tömbi
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
RészletesebbenLaptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
RészletesebbenAnyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió
Anyagismeret 6/7 Diffúzió Dr. Mészáros István meszaros@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd Diffúzió Diffúzió -
Részletesebben7.3. Plazmasugaras megmunkálások
7.3. Plazmasugaras megmunkálások (Plasma Beam Machining, PBM) Plazma: - nagy energiaállapotú gáz - az anyag negyedik halmazállapota - ionok és elektronok halmaza - egyenáramú ív segítségével állítják elő
RészletesebbenFény és anyag munkában
Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány Fény és anyag munkában Dr. Koppa Pál BME TTK, Fizikai ntézet, Atomfizika Tsz. 1 Alkalmazott fizika az ipar szolgálatában Néhány alkalmazási terület: Fényforrások
RészletesebbenSzénszálak és szén nanocsövek
Szénszálak és szén nanocsövek Hernádi Klára Szegedi Tudományegyetem Alkalmazott Kémiai Tanszék 1 Rendszám: 6 IV. főcsoport Nemfémek Négy vegyértékű Legjelentősebb allotróp módosulatok: SZÉN Kötéserősség:
Részletesebben6. változat. 3. Jelöld meg a nem molekuláris szerkezetű anyagot! A SO 2 ; Б C 6 H 12 O 6 ; В NaBr; Г CO 2.
6. változat Az 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Jelöld meg azt a sort, amely helyesen
RészletesebbenSzakmai összefoglaló a T047002 sz. kutatási projekt eredményeiről
Szakmai összefoglaló a T047002 sz. kutatási projekt eredményeiről Kutatási célok és eredmények: A tervezett kutatási program célja elsősorban új, tömbi mikromechanikai megmunkálási eljárások (bulk micromaching)
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat (fonon, elektron, atom, ion, hőmennyiség...) Elektromos vezetés (Ohm) töltés áram elektr. potenciál grad. Hővezetés (Fourier) energia áram hőmérséklet különbség Kémiai
RészletesebbenA jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
RészletesebbenKémiai reakciók. Közös elektronpár létrehozása. Általános és szervetlen kémia 10. hét. Elızı héten elsajátítottuk, hogy.
Általános és szervetlen kémia 10. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a kémiai reakciókat hogyan lehet csoportosítani milyen kinetikai összefüggések érvényesek Mai témakörök a közös elektronpár létrehozásával
RészletesebbenSZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK
SZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK Budapesti Reáltanoda Fontos! Sok reakcióegyenlet több témakörhöz is hozzátartozik. Zárójel jelzi a reakciót, ami más témakörnél található meg. REAKCIÓK FÉMEKKEL fém
RészletesebbenMIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I
MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem, KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 6. ELŐADÁS 2009/2010 tanév 1. félév 1 ÁLTALÁNOS BEVEZETÉS A mikro- és nanotechnika c. tárgy megkísérli
RészletesebbenTranszportfolyamatok. Alapfogalmak. Lokális mérlegegyenlet. Transzportfolyamatok 15/11/2015
Alapfogalmak Transzportfolyamatok Diffúzió, Hővezetés Viszkozitás Önként végbemenő folyamat: Egyensúlyi állapot irányába Intenzív paraméterek kiegyenlítődése (p, T, µ) Extenzív paraméterek áramlása (V,
RészletesebbenSzigetelők Félvezetők Vezetők
Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).
RészletesebbenAnyagismeret. Az anyagtudomány szerepe
Anyagismeret Az anyagtudomány szerepe Az anyagtudomány szerepe a XX-XXI. század fordulóján Stratégia: anyag- és energiatakarékos rendszerek Reciklizálható rendszerek! Kritikus tudományok: energetika, számítástechnika,
RészletesebbenMIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II
NANO MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem, KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 11. ELŐADÁS: MIKRO- ÉS NANOAKTUÁTOROK, MIKRO- ÉS NANOFLUIDIKAI ESZKÖZÖK 2012/2013 tanév 1. félév
RészletesebbenFotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2011.10.05 Visegrád Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó
RészletesebbenNagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC)
Nagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC) Kromatográfiás módszerek osztályba sorolása 2 Elúciós technika A mintabevitel ún. dugószerűen történik A mozgófázis a kromatogram kifejlesztése alatt folyamatosan
Részletesebbena réz(ii)-ion klorokomplexének előállítása...
Általános és szervetlen kémia Laborelőkészítő előadás IX-X. (2008. október 18.) A réz(i)-oxid és a lecsapott kén előállítása Metallurgia, a fém mangán előállítása Megfordítható redoxreakciók Szervetlen
RészletesebbenSzeletkötés háromdimenziós mikroszerkezetekhez
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki Tudományok Doktori Iskola, Mikroelektronika és Technológia Szakmacsoport Magyar Tudományos Akadémia, Energiatudományi Kutatóközpont, Műszaki
RészletesebbenElektronikai technológia vizsgatematika 2016 Táv, Levelező
Elektronikai technológia vizsgatematika 2016 Táv, Levelező Témák Kötelező Ajánlott 1. Nyomtatott Huzalozású Lemezek technológiája A NYHL funkciói, előnyei, alaptípusok A kétoldalas NYHL gyártásának menete
RészletesebbenMSc - Környezettechnika Levegőtisztaság-védelem dr. Örvös Mária
MSc - Környezettechnika Levegőtisztaság-védelem dr. Örvös Mária 1. Gáztisztítási lehetőségek 2. Gáztisztító rendszer egységei 3. Porleválasztó berendezések - kiválasztási szempontok - porleválasztó ciklon
RészletesebbenKÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ
KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ 1) A rejtvény egy híres ember nevét és halálának évszámát rejti. Nevét megtudod, ha a részmegoldások betűit a számozott négyzetekbe írod, halálának évszámát pedig pici számolással.
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 5/6 Diffúzió Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
RészletesebbenHavancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja Archeometriai műhely ELTE TTK 2013. Elektronmikroszkópok TEM SEM Transzmissziós elektronmikroszkóp Átvilágítós vékony minta < 100
RészletesebbenA projekt rövidítve: NANOSTER A projekt időtartama: 2009. október 2012. december
A projekt címe: Egészségre ártalmatlan sterilizáló rendszer kifejlesztése A projekt rövidítve: NANOSTER A projekt időtartama: 2009. október 2012. december A konzorcium vezetője: A konzorcium tagjai: A
RészletesebbenA nanotechnológia mikroszkópja
1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok II. A MOSFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/12-mosfet1.ppt http://www.eet.bme.hu Ismétlés: Működési
Részletesebbenés vékonyrétegek) előállítása elektrokémiai és kémiai redukciós eljárással
Fém nanoszerkezetek (nanorészecskék és vékonyrétegek) előállítása elektrokémiai és kémiai redukciós eljárással Dr. Lakatos-Varsányi Magda 2008. 01. 08, Visegrád Nanoszerkezetű anyagok előállítása stacionárius
RészletesebbenMIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY
MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TV Kiforrott technológia Kiváló képminőség Környezeti fény nem befolyásolja 4:3, 16:9 Max méret 100 cm Mélységi
RészletesebbenBevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába V. Félvezető diódák Félvezető dióda Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. (Si, Ge)
RészletesebbenPeriodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban Zolnai Zsolt MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, H-1525 Budapest, P.O.B. 49, Hungary Tartalom: Kolloid
RészletesebbenKatalízis. Tungler Antal Emeritus professzor 2017
Katalízis Tungler Antal Emeritus professzor 2017 Fontosabb időpontok: sósav oxidáció, Deacon process 1860 kéndioxid oxidáció 1875 ammónia oxidáció 1902 ammónia szintézis 1905-1912 metanol szintézis 1923
RészletesebbenFBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40. I. előadás. Geretovszky Zsolt
Bevezetés s az anyagtudományba nyba FBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40 I. előadás Geretovszky Zsolt Követelmények Az előadások látogatása kvázi-kötelező. 2010. május 21. péntek 8:00-10:00 kötelező
RészletesebbenMegújuló energiaforrások
Megújuló energiaforrások Energiatárolási módok Marcsa Dániel Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék 2015 tavaszi szemeszter Energiatárolók 1) Akkumulátorok: ólom-savas 2) Akkumulátorok: lítium-ion
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 8. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK I 8. ELİADÁS 1.
RészletesebbenAz egyensúly. Általános Kémia: Az egyensúly Slide 1 of 27
Az egyensúly 6'-1 6'-2 6'-3 6'-4 6'-5 Dinamikus egyensúly Az egyensúlyi állandó Az egyensúlyi állandókkal kapcsolatos összefüggések Az egyensúlyi állandó számértékének jelentősége A reakció hányados, Q:
RészletesebbenA félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter
A félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter A mérés célja: A gyakorlat célja az optikai litográfia elméleti alapjainak, valamint az ábrakészítés lépéseinek
RészletesebbenELEKTROKÉMIA. - elektrolitokban: ionok irányított mozgása. Elektrolízis: elektromos áram által előidézett kémiai átalakulás
ELEKTROKÉMIA 1 ELEKTROKÉMIA Elektromos áram: - fémekben: elektronok áramlása - elektrolitokban: ionok irányított mozgása Elektrolízis: elektromos áram által előidézett kémiai átalakulás Galvánelem: elektromos
Részletesebben13 Elektrokémia. Elektrokémia Dia 1 /52
13 Elektrokémia 13-1 Elektródpotenciálok mérése 13-2 Standard elektródpotenciálok 13-3 E cella, ΔG és K eq 13-4 E cella koncentráció függése 13-5 Elemek: áramtermelés kémiai reakciókkal 13-6 Korrózió:
RészletesebbenAerogél alapú gyógyszerszállító rendszerek. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
Aerogél alapú gyógyszerszállító rendszerek Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 04. 22. 1 A gyógyszerszállítás problémái A hatóanyag nem oldódik megfelelően Szelektivitás hiánya Nem megfelelő eloszlás A
RészletesebbenElektronátadás és elektronátvétel
Általános és szervetlen kémia 11. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a közös elektronpár létrehozásával járó reakciók csoportjában milyen jellemzıi vannak sav-bázis és komplexképzı reakcióknak Mai témakörök
RészletesebbenElektrokémia. A nemesfém elemek és egymással képzett vegyületeik
Elektrokémia Redoxireakciók: Minden olyan reakciót, amelyben elektron leadás és elektronfelvétel történik, redoxi reakciónak nevezünk. Az elektronleadás és -felvétel egyidejűleg játszódik le. Oxidálószer
RészletesebbenMARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFOM
MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MA RKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARKETINFO MARK ETINFO MARKETINFO MARKETINFO
RészletesebbenKémiai alapismeretek 6. hét
Kémiai alapismeretek 6. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék biner 2013. október 7-11. 1/15 2013/2014 I. félév, Horváth Attila c Egyensúly:
RészletesebbenElektromos áram. Vezetési jelenségek
Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai
RészletesebbenALPHA spektroszkópiai (ICP és AA) standard oldatok
Jelen kiadvány megjelenése után történõ termékváltozásokról, új standardokról a katalógus internetes oldalán, a www.laboreszközkatalogus.hu-n tájékozódhat. ALPHA Az alábbi standard oldatok fémek, fém-sók
Részletesebben