MEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS alkalmazási területei - szemelvények. MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció
|
|
- Virág Hajdu
- 7 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út MEMS technológia kialakulása MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök 70-es évek vége: mikroprocesszorok fejlődése olcsó személyi számítógépek kulcstechnológiája 80-as évek vége: olcsó szilárdtest-lézer tömeggyártása internet kommunikáció kulcstechnológiája 90-es évek vége: mikrorendszerek fejlesztése érzékelők illesztésének kulcstechnológiája a valósidejű monitorozás és vezérlés számára Pap Andrea Edit pap@mfa.kfki.hu MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja nagy rendszer változások vezérlése kis erőkkel minőségi előnyök a méretcsökkentés révén, új működési elvek realizálása csoportos megmunkálás, az eszközök integrálása akár IC-ben tetszőleges funkciók társítása; érzékelés, számítás, beavatkozás (aktuálás), vezérlés, kommunikáció az ezeket megvalósító eszközök integrálása egy rendszerben; erőforrás (telep, tápegység), antenna, érzékelők, beavatkozók alapvetően felületi-, rétegtechnológiai realizálás MEMS eszközök kialakítása, fejlesztése nem csak szisztematikus kutatás eredménye, hanem kreatív, innovatív munka eredménye. MEMS alkalmazási területei - szemelvények civil fogyasztók 1 % számítástechnika 7 % gyógyászat és bio 8 % pl. mikro-robot, mikro-szonda, labon-a-chip, elektronikus orr, stb. egyéb ipar 28 % pl. mezőgazdasági munkagépben a munkabeállítás vezérlése, vetőmag szelekció méret-, épség-, orientáció-, minőség ellenőrzése, válogatás, stb. autóipar 56 % pl. motor- és futómű vezérlése, diagnosztika, élet- és menetbiztonság, kényelem, stb. MEMS technológiák, eljárások Nagy tisztaságú térben végzett, több ember precíz, összehangolt munkája drága infrastruktúra Kiindulási pont - Si egykristály szelet nagy görbületi sugarú sík! kristályrács - hiba mentes egy vagy két oldalon polírozott definiált orientációjú (100) Felületkezelés - kémiai tisztítás füstölgő HNO 3 és forró HNO 3 (feloxidált felület) RCA tisztítás; 2 lépésben szerves anyagok eltávolítása: NH 4 OH és H 2 O 2 fémszennyeződés eltávolítása: HCl és H 2 O 2 MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció Funkciói: maszkoló réteg szigetelő réteg passziváló réteg Kialakítása: termikus oxidáció magas T, oxidatív atmoszféra (O 2, H 2 O) száraz nedves kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) anódos oxidáció (elektrolízis pl. KOH-ban) plazma oxidáció (RF porlasztás) Minősítés (pl. C-V mérés, szivárgási áram mérése, stb.): vastagság / homogenitás tisztaság 1
2 MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Adalékolás, felgyorsított részecskék ionok, ioncsoportok - testekbe való belövése. szilárd Funkciója: diffúziót megelőző leválasztás - predepozíció p-n átmenetek kialakítása MOS tranzisztorok küszöbfeszültségének beállítása forrás és nyelő területeinek önillesztett kialakítása amorfizálás, getterezés felületi réteg mechanikai, elektromos, kémiai, optikai tulajdonságainak megváltoztatása, miközben ezek a térfogati tartományban nem változnak. Lokálisan homogén tulajdonságok kialakítása. MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Megvalósítása: nagy vákuumban ionforrásból kilépő, gyorsított ionok, tömegszeparátoron áthaladva érkeznek a Si felületre kezelendő felület söpörtetett homogenitás biztosítása gyorsító feszültség reprodukálható és precízen beállított kontrollált hőmérsékletű target Hatása a szilárd testekre: az ionok eloszlását számítással, táblázatokból lehet meghatározni, mely alapján a valószínű eloszlás, várható érték megadható rugalmas / rugalmatlan ütközés adalékeloszlás nagyjából Gauss eloszlás rácskárosodás; ponthibák, összetett hibák MEMS technológiák, eljárások - Ionimplantáció Implantált ionok újraelosztása hőkezeléssel rácskárosodás megszüntetése az adalék elektromos aktiválása Az ion és a meglökött atomok pályája Vékonyréteg leválasztás Követelmények: egyenletes eloszlás a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet; azonos fizikai, kémiai tulajdonságok tömörség; szivacs vs. réteg, tűlyuk tapadás kis termomechanikai feszültség lépcsőfedés speciális követelmények; súrlódás, nedvesítés, biokompatibilitás gazdaságosság Vékonyréteg leválasztás Előállítás: Fizikai módszerek szilárd forrásból párologtatás, porlasztás; dc, rf, magnetron, MBE (Molecular Beam Epitaxy) olvadékból LPE (Liquide Phase Epitaxy) pl. Cz, Fz Kémiai módszerek elektrolitból galvanizálás oldatból, szuszpenzióból lecsapatás, szol-gél technika gázfázisból CVD (Chemical Vapour Deposition), VPE (Vapour Phase Epitaxy), MOCVD (Metal Organic ), LPCVD (Low Pressure ), PECVD (Plasma Enhanced ), MWCVD (Micro Wave ), PACVD (Photon/Plasma Assisted ), ALCVD (Atomic Layer ) Vékonyréteg leválasztás CVD A szilárd terméket eredményező kémiai reakció csak a felületen megy végbe! Metódus: transzport a felületre adszorbció migráció vándorlás a felületen; adszorpció deszorpció kemiszorpció kémiai reakció deszorpció transzport a felületről Sebesség-meghatározó lépés transzport reagens, ill. termék (PACVD) kémiai reakció (LPCVD, PECVD) kemiszorpció (ALD) 2
3 MEMS: 2D IC technológia 3D szerkezetek membránok, felfüggesztett elemek, mozgó alkatrészek mikrofluidikai alkalmazások: csatornák, üregek, reaktorok Mikromechanika: száraz és nedves kémiai marások elektrokémiai módszerek esetleg lézer vagy gyémánttárcsás vágások Jellemző µm Si kristály vastagsága µm Felületi mikromechanika felületi vékonyrétegekből amorf vagy polikristályos membrán 2-3 µm üreg Felületi mikromechanika eljárásai Felületre felvitt rétegekből épít/bont segédréteggel pl. oxid rétegen polisi leválasztás, majd oxid eltávolítás Tömbi mikromechanika: Si egykristályban vagy leválasztott rétegben 2-3 µm és µm közötti üreg esetleg lézer vagy gyémánttárcsás vágások pórusos Si alkalmazásával elérhető a felületi mikromechanika mérettartománya tömbi Si-ban Tömbi mikromechanika eljárásai: Si anizotróp lúgos marása Redox reakciósorozat (oxidáció redukció - oldódás) Si + 2 OH H 2 O SiO 2 (OH) H 2 marási sebesség függ a Si kristály orientációjától és dópoltságától ( v <111> << v <100> << v <331> ) marásmegállító réteg (orientáció, dópoltság) ECES marás elektrokémiai marásmegállítás Tömbi mikromechanika eljárásai: Si elektrokémiai marása pórusos Si kialakítása dópoltság mértéke meghatározza a kialakuló réteg fizikai minőségét, homogenitása jó elektrolit koncentrációja, áramsűrűség, marási idő beállításával tervezhető a kialakított réteg porozitása, vastagsága, rendezettsége optikai tulajdonságai szelektivitás (p, p +, n) HF alapú elektrolit + C 2 H 5 OH (esetleg + H 2 O) Si + 2 HF SiF 2 + 2H + SiF HF H 2 SiF 6 + H 2 porsi szelektíven, gyorsan kioldható az egykristályos Si-ból Tömbi mikromechanika eljárásai: Si elektrokémiai marása pórusos Si kialakítása Funkciója: feláldozandó réteg előállítás, szelektív kioldás pl. üreg, membrán kialaításakor funkcionális szerkezeti réteg hőszigetelő érzékelő (nagy fajlagos felület) katalizátor (érzékenyített felület) SiO 2 -ban n-si szigetek kialakítása optikai elem pl. szűrő, rezonátor, hullámvezető Tömbi mikromechanika eljárásai: nagy sűrűségű plazmamarók (HDPE, DRIE) mély árkok kialakítása reaktív ionokkal ciklikus marás passziválás folyamat passziválás: n C 4 F 8 4n CF 2 marás: SF 6 F + ionok enyhén anizotróp marás függőleges falak kialakítása 3
4 Rétegeltávolítás Rétegeltávolítás Nedves és száraz (plazma) marás Követelmény (mindkét esetben): egyenletesség szelektivitás marási sebesség kontrollja reprodukálhatóság megfelelő marási profil Nedves kémiai marás általában izotróp egyes marószerek a Si egykristályt anizotrópan marják maszkoló réteg szükséges (lakk csak a savas marószerekre jó!), fontos a réteg tapadása, ábra alakjának megtartása Nedves kémiai marás Si izotróp marása HF HNO 3 CH 3 COOH = (3:5:3) 80 µm/min, (2:5:15) 5 µm/min 3 Si + 4 HNO HF 3H 2 SiF NO + 8 H 2 O (a HNO 3 oxidál, a HF az oxidot oldja) HF:HNO 3 :H 2 O = (3:50:20) polikristályos Si marása 0.8 µm/min Si anizotróp marása szervetlen és szerves lúgokban, lásd 3D megmunkálás Si 3 N 4 Si 3 N HF H 2 SiF (NH 4 ) 2 SiF 6 3 Si 3 N H 2 O + H 3 PO 4 4 (NH 4 ) 3 PO H 2 SiO 3 ( C) Rétegeltávolítás Rétegeltávolítás Nedves kémiai marás SiO 2 SiO HF = H 2 SiF H 2 O sebesség a HF (H +, F -, HF 2- ) koncentrációtól függ ph és T függő puffer oldatban, állandó ph, azaz állandó HF (H+, F-, HF 2 -) koncentráció mellett alkalmazzuk HF:NH 4 F = 10 :1 Al savban 2 Al + 6 H + 2 Al H 2 lúgban 2 Al + OH H 2 O 2 [Al(OH) 4 ] H 2 Száraz kémiai, avagy plazma marás halogénekkel: F és Cl alapú plazmák a termék gázhalmazállapotú Si CF 4 plazma, de ebben kicsi a Si marási sebessége csökkenteni kell a CF 3* mennyiségét és növelni a F * mennyiségét marógázok: CF 4 + O 2 (5 20%), SiF 6 + O 2, NF 3 SiO 2 CF 3* + 3 SiO 2 SiF CO + 2 CO 2 csökkenteni kell a F * mennyiségét és növelni a CF 3* mennyiségét marógázok: CF 4 + H 2, CHF 3 + H 2, C 3 F 8 + H 2 Rétegeltávolítás Fotolitográfia Plazma marási profilok ionmarás csak fizikai porlasztás anizotróp + geometriai hatások és visszaporlódás marás gyökökkel tisztán kémiai izotróp marás gyökökkel és irányított ionokkal fizikai és kémiai marás izotróp anizotróp marási hatások marás gyökökkel és irányított ionokkal + oldalfal maszkolás polimerrel fizikai és kémiai anizotróp Ábrakészítés, mintázat átvitel kontakt proximity projekciós Fotolakk optikai tulajdonságai monokromatikus fénnyel való exponálás esetén állóhullámok keletkeznek a hatás csökkenthető, eliminálható több hullámhosszat tartalmazó fényforrás alkalmazásával utóhőkezeléssel 4
5 Fotolitográfia Fotolitográfia Fotolakk kémiája általában pozitív fotolakkot alkalmaznak az IC iparban, mert nem változtatja az alakját az előhívásnál alkalmas nagy felbontásra ellenáll a plazma műveleteknek negatív lakkok általában mérgezőek komponensei vízben oldódó, fényérzékeny fenol alapú filmképző polimer fényérzékeny, vízben való oldást gátló makromolekula oldószer elegy (szerves) Fotolitográfia felbontás növelése vékony reziszt alkalmazása 0.1 µm kisebb λ levilágítás pl. Hg, Hg/Xe, KrF excimer lézer lézer-plasma forrás rtg, syncothron elektron sugár direkt írás ionsugár Ábrakialakítás vékonyrétegben visszamarással lift-off módszerrel nano-nyomtatás Fotolitográfia Fotolitográfiai műveletsor felület előkészítése lásd kémiai tisztítás lakkfelvitel porszennyezés kizárása tisztatéri körülmények! homogén rétegvastagság lakkszárítás oldószer eltávolítása C-on lakkvastagság csökken 25 %-al exponálás, előhívás az előhívó csak az exponált területet oldja ki exponáláskor fontos a precíz illesztés lakkbeégetés mintázat stabilizálása, általában 130 C-on változik az ábra mérete megmunkálás - a maszkoló fotolakk mintázat segítségével lakkeltávolítás, tisztítás aceton, plazma marás O 2 plazmában, füstölgő HNO 3 -ban egy példa a sok közül; Bolometer Bolometer - Nitrid leválasztás Bolometer - Al leválasztás Al = 0.5 µm 5
6 Bolometer Bolomeander maszk litográfiája Bolometer Al marás Al = 0.5 µm Al = 0.5 µm Bolometer Ti Pt porlasztás Bolometer Lift-off és Al marás Al = 0.5 µm Ti = 300 Å Pt = 2500 Å Ti = 300 Å Pt = 2500 Å Bolometer Al leválasztás Bolometer Kontakt litográfia omikus kontaktusok kialakítására 6
7 Bolometer Al marás Bolometer Pt leválasztás Pt = 3000 Å Bolometer Lift off és Al marás Bolometer Előoldali védelem fotolakkal Pt Pt Bolometer Bolomemrán maszk kialakítása a hátoldalon Bolometer - Nitrid marás a mintázat előhívására 7
8 Bolometer Al leválasztás védelem/maszkolás céljából Bolometer Bolomemrán maszk kialakítása a hátoldalon Al = 0.3 µm Bolometer Al marás Bolometer Nitrid marás Bolometer reziszt eltávolítása és Al marás Bolometer hőkezelés 8
9 Bolometer KOH marás Bolometer Shadow maszk alkalmazása Si x N y = 1.5 um Bolometer Wolfram porlasztás Wolfram Piezorezisztív híd egy korábbi, 2 2-es érzékelőben 8 8 as érzékelő hálózat CMOS technológiával kialakított kiolvasó áramkörrel 9
10 Ami már megvalósult TactoPad 2x2 TactoFlex 2x2 TactoScope 2x1 TactoPad 8x8 Funkcionális vizsgálatok TactoLogic Ltd. MEMS/NEMS eszközök - Tapintás érzékelő nano-ban ZnO nanorudak előállítása Felületkezelés Fémleválasztás Elektronsugaras litográfia 4. Ionmarás 1. Hőkezelés T=1050 C; t=12 h; O 2 atmoszféra Zn-kel borított oldal c/2 lépcsők O-nel borított oldal c lépcsők MEMS / NEMS eszközök - Tapintás érzékelő Rendezett ZnO nanorúd struktúrák Hossz: L= 500 nm-2 µm Távolság a szálak között: Λ= nm Átmérő: D= nm 5. Hidrotermális növesztés 5. Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O és (CH 2 ) 6 N 4 c=0.004 M; T= 93 C; t=40 min-4 h 10
11 MEMS / NEMS eszközök - Tapintás érzékelő ZnO nanrúdból C 1 F C 3 C 2 Piezoelektromos tulajdonsága folytán alkalmas a ZnO irány szelektív erőmérésre. MEMS eszközök Magas hőmérsékleten működő gázérzékelő Pellisztor Éghető gázok meghatározása magas hőmérsékleten katalizált elégetésük során képződött hő mérésével. T= o C Alkalmazás Biztonságtechnika: robbanásveszélyes gázelegyek (alsó robbanási határértékek) kialakulásának jelzése ARH H 2 :4%, CH 4 :5.3%, C 4 H 10 :1.5%, C 6 H 6 :1.6%, 20%, 40%, 100% mérendő Speciális követelmények Távadó szabványoknak megfelelő érzékelő és működtető elektronika: kis teljesítmény, robbanás-biztos felépítés Megoldás Mikroméretű eszköz MEMS eszközök Gázérzékelő Pt fűtőszál MEMS eszközök Gázérzékelő Az aktív és a referencia elem kialakítása saját fűtéssel ref. H 2 [PtCl 6 ] SiN x 100µm b a T vs.p karakterisztika a Pt Tk-ből számolva és mikro olvadáspont mérésekkel hitelesítve Integrált gázérzékelő: mikropelleisztorok és hővezetőképességi szenzorok MEMS eszközök Gázérzékelő Minden érdeklődést szívesen fogadunk! TDK, nyári gyakorlat, diploma téma Tapintás- és gázérzékelő chipek minősítése, technológia: Ádám Antalné - adam@mfa.kfki.hu szoftver-fejlesztés: Vásárhelyi Gábor vasarhelyi@mfa.kfki.hu 40%LEL 75%LEL Nano tapintásérzékelő ZnO mintapreparáció, szimuláció (Ansys) Volk János volk@mfa.kfki.hu 20%LEL MEMS eszközök tervezése, Ansys modellezése Fürjes Péter furjes@mfa.kfki.hu Minták vizsgálata, minősítése pásztázó elektron mikroszkóppal (SEM) Tóth Attila Lajos tothal@mfa.kfki.hu 11
MEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja
1 MTA TTK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Csikósné Dr Pap Andrea Edit
RészletesebbenMEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS technológia kialakulása
MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Pap Andrea Edit pap@mfa.kfki.hu
RészletesebbenVékonyrétegek - általános követelmények
Vékonyrétegek - általános követelmények egyenletes vastagság a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet (amorf, polikristályos, epitaxiális) azonos fizikai és kémiai tulajdonságok tömörség
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mond valamit? MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 Szilícium
RészletesebbenMEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
RészletesebbenMikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter. MEMS technológia - marások
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia / lift-off izotróp
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
RészletesebbenLaboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában
1 Laboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában Ádám Antalné, Csikósné Dr Pap Andrea Edit Cím: 1121 Budapest, Konkoly-Thege Miklós út 29-33, KFKI Campus 18/D épület http://www.kfki.hu/campus/index.html
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
RészletesebbenMikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter.
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail: furjes@mfa.kfki.hu, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-05 MINTÁZAT- ÉS SZERKEZET-KIALAKÍTÁS FÉLVEZETŐ SZELETEN ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
RészletesebbenA technológiában a fotolitográfiás lépés ismétlődik Fabrication of pmos (poly gate) transistor 4 level mask set. Source Gate Drain. Process sequence 1
1 2 Fotólitográfia Egy sok lépésből álló művelet, amely során először lakk ábrák kialakítása történik fény hatására egy fényérzékeny bevonatban. Ezután ezt a mintázatot visszük át különböző vékonyrétegekbe.
Részletesebben$% % & #&' ( ,,-."&#& /0, 1!! Félvezetk &2/3 4#+ 5 &675!! "# " $%&"" Az 1. IC: Jack Kilby # + 8 % 9/99: "#+ % ;! %% % 8/</< 4: % !
Félvezetk $ & &' ( )*+,,-.&& /0, 1 &2/3 4+ 56 5 &675 $& Az 1. I: Jack Kilby 1958 4 + 8 9/99: + ; 8/
RészletesebbenZH November 27.-én 8:15-től
ZH-2 2017 November 27.-én 8:15-től Érzékelési elvek Érzékelési módszerek Mikrotechnológia http://www.mogi.bme.hu/tamop/mikromechanika/math-index.html 1 Mikrotechnológia alapjai Mikrotechnológia = szerszámkészlet
RészletesebbenMEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI
MEMS TECHNOLÓGIÁK MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI Dr. Bonyár Attila, adjunktus bonyar@ett.bme.hu Budapest, 2015.10.13. BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY Tematika
RészletesebbenVÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK
3 VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK 3-01 VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIA ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TARTALOM
RészletesebbenTextíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
RészletesebbenAnyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész
SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM GYŐR Felületi technológiák Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész 4. Gőzfázisból történő bevonatolás PVD eljárás CVD eljárás 5. Ionimplantáció 6. Passziválás Áttekintés
RészletesebbenFélvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
RészletesebbenAnalitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-04 RÉTEGLEVÁLASZTÁSI, ÉS ADALÉKOLÁSI TECHNOLÓGIÁK ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT
RészletesebbenHavancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
RészletesebbenSZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2015/2016 tanév 2. félév 1 TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák 2.
RészletesebbenMTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor Kétdimenziós kémia. Balogh Ádám Pósa Szonja Polett. Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós
MTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor 2 0 1 6. Kétdimenziós kémia Balogh Ádám Pósa Szonja Polett Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós A műanyagok és azok felületi kezelése Miért népszerűek napjainkban
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
RészletesebbenSZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 2. ELŐADÁS: ÉRZÉKELŐK TECHNOLÓGIÁI: SPECIÁLIS ANYAGTÍPUSOK ÉS TECHNOLÓGIÁK 2014/2015 tanév 2. félév 1 2. ELŐADÁS: TECHNOLÓGIÁK ÉS ANYAGOK: ÁTTEKINTÉS 1. Monolit félvezető technológiák
RészletesebbenSOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
Részletesebben1. változat. 4. Jelöld meg azt az oxidot, melynek megfelelője a vas(iii)-hidroxid! A FeO; Б Fe 2 O 3 ; В OF 2 ; Г Fe 3 O 4.
1. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
Részletesebben09/05/2016. Félvezetők. Az 1. IC: Jack Kilby 1958
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 1 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
RészletesebbenNanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék 2011. szeptember 22. Mi az a nano? 1 nm = 10 9 m = 0.000000001 m Nanotudományok: 1-100
RészletesebbenJellemző redoxi reakciók:
Kémia a elektronátmenettel járó reakciók, melynek során egyidejű elektron leadás és felvétel történik. Oxidáció - elektron leadás - oxidációs sám nő Redukció - elektron felvétel - oxidációs sám csökken
RészletesebbenMikrohullámú abszorbensek vizsgálata
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 8. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK I 8. ELİADÁS 1.
RészletesebbenDr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft
Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Környezetvédelemben felhasznált elektroanalitikai módszerek csoportosítása Potenciometria (ph, Li +, F - ) Voltametria (oldott oxigén) Coulometria
RészletesebbenFényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
RészletesebbenAktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György
Aktuátorok korszerű anyagai Készítette: Tomozi György Technológiai fejlődés iránya Mikro nanotechnológia egyre kisebb aktuátorok egyre gyorsabb aktuátorok nem feltétlenül villamos, hanem egyéb csatolás
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-03 FÉLVEZETŐ SZELET ELŐÁLLÍTÁSA (ALAPANYAGTÓL A SZELETIG) ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
RészletesebbenBetekintés a napelemek világába
Betekintés a napelemek világába (mőködés, fajták, alkalmazások) Nemcsics Ákos Óbudai Egyetem Tartalom Bevezetés energetikai problémák napenergia hasznosítás módjai Napelemrıl nem középiskolás fokon napelem
Részletesebben4. változat. 2. Jelöld meg azt a részecskét, amely megőrzi az anyag összes kémiai tulajdonságait! A molekula; Б atom; В gyök; Г ion.
4. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
RészletesebbenSzakmai összefoglaló a T047002 sz. kutatási projekt eredményeiről
Szakmai összefoglaló a T047002 sz. kutatási projekt eredményeiről Kutatási célok és eredmények: A tervezett kutatási program célja elsősorban új, tömbi mikromechanikai megmunkálási eljárások (bulk micromaching)
RészletesebbenKémiai energia - elektromos energia
Általános és szervetlen kémia 12. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a redoxi reakciók lejátszódásának milyen feltételei vannak a galvánelemek hogyan mőködnek Mai témakörök az elektrolízis és alkalmazása
RészletesebbenSzilícium alapú mikrofluidikai eszközök technológiája Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter
Szilícium alapú mikrofluidikai eszközök technológiája Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter A mérés célja: Szilícium nedves kémiai és száraz marási eljárásainak megismerése A mérési feladat: 3D tömbi
RészletesebbenSzepes László ELTE Kémiai Intézet
Szepes László ELTE Kémiai Intézet Szárnyaló molekulák felületi rétegek ALKÍMIA MA c. előadássorozat 2013. február 14. Az előadás témája és vázlata Téma: felületi gőzfázisú rétegleválasztás (Chemical Vapour
RészletesebbenAnyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió
Anyagismeret 6/7 Diffúzió Dr. Mészáros István meszaros@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd Diffúzió Diffúzió -
RészletesebbenA nanotechnológia mikroszkópja
1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június
RészletesebbenFény és anyag munkában
Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány Fény és anyag munkában Dr. Koppa Pál BME TTK, Fizikai ntézet, Atomfizika Tsz. 1 Alkalmazott fizika az ipar szolgálatában Néhány alkalmazási terület: Fényforrások
RészletesebbenNYÁK technológia 2 Többrétegű HDI
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI 1 Többrétegű NYHL pre-preg Hatrétegű pakett rézfólia ónozatlan Cu huzalozás (fekete oxid) Pre-preg: preimpregnated material, félig kikeményített, üvegszövettel erősített
Részletesebben(11) Lajstromszám: E 003 977 (13) T2 EURÓPAI SZABADALOM SZÖVEGÉNEK FORDÍTÁSA
!HU000003977T2! (19) HU (11) Lajstromszám: E 003 977 (13) T2 MAGYAR KÖZTÁRSASÁG Magyar Szabadalmi Hivatal (21) Magyar ügyszám: E 06 008081 (22) A bejelentés napja: 06. 04. 19. (96) Az európai bejelentés
RészletesebbenMCS. MCS - Gázérzékelők
Medium Control Systeme Franke & Hagenest GmbH Borngasse 1a * 04600 Altenburg Telefon : 03447 499313-0 Telefax : 03447 499313-6 email : info@mcs-gaswarnanlagen.de MCS MCS - Gázérzékelők 1. Típus 2. Típus
RészletesebbenSzeletkötés háromdimenziós mikroszerkezetekhez
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki Tudományok Doktori Iskola, Mikroelektronika és Technológia Szakmacsoport Magyar Tudományos Akadémia, Energiatudományi Kutatóközpont, Műszaki
RészletesebbenA félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter
A félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter A mérés célja: A gyakorlat célja az optikai litográfia elméleti alapjainak, valamint az ábrakészítés lépéseinek
RészletesebbenMIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I
MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem, KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 6. ELŐADÁS 2009/2010 tanév 1. félév 1 ÁLTALÁNOS BEVEZETÉS A mikro- és nanotechnika c. tárgy megkísérli
RészletesebbenKémiai reakciók. Közös elektronpár létrehozása. Általános és szervetlen kémia 10. hét. Elızı héten elsajátítottuk, hogy.
Általános és szervetlen kémia 10. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a kémiai reakciókat hogyan lehet csoportosítani milyen kinetikai összefüggések érvényesek Mai témakörök a közös elektronpár létrehozásával
Részletesebben7.3. Plazmasugaras megmunkálások
7.3. Plazmasugaras megmunkálások (Plasma Beam Machining, PBM) Plazma: - nagy energiaállapotú gáz - az anyag negyedik halmazállapota - ionok és elektronok halmaza - egyenáramú ív segítségével állítják elő
RészletesebbenSzénszálak és szén nanocsövek
Szénszálak és szén nanocsövek Hernádi Klára Szegedi Tudományegyetem Alkalmazott Kémiai Tanszék 1 Rendszám: 6 IV. főcsoport Nemfémek Négy vegyértékű Legjelentősebb allotróp módosulatok: SZÉN Kötéserősség:
RészletesebbenElektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező
Elektronikai technológia vizsgatematika 2015 Nappali, Táv, Levelező Témák Kötelező Ajánlott 1. Nyomtatott Huzalozású Lemezek technológiája A NYHL funkciói, előnyei, alaptípusok A NYHL anyagai; hordozók,
RészletesebbenHavancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja Archeometriai műhely ELTE TTK 2013. Elektronmikroszkópok TEM SEM Transzmissziós elektronmikroszkóp Átvilágítós vékony minta < 100
Részletesebben6. változat. 3. Jelöld meg a nem molekuláris szerkezetű anyagot! A SO 2 ; Б C 6 H 12 O 6 ; В NaBr; Г CO 2.
6. változat Az 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Jelöld meg azt a sort, amely helyesen
RészletesebbenMoore & more than Moore
1 Moore & more than Moore Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 A SZILÍCIUM (silex) 3 A SZILÍCIUM Felfedező: Jons Berzelius 1823, Svédország Természetes előfordulás: gránit, kvarc, agyag, homok 2. leggyakoribb
RészletesebbenG04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat (fonon, elektron, atom, ion, hőmennyiség...) Elektromos vezetés (Ohm) töltés áram elektr. potenciál grad. Hővezetés (Fourier) energia áram hőmérséklet különbség Kémiai
RészletesebbenKÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ
KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ 1) A rejtvény egy híres ember nevét és halálának évszámát rejti. Nevét megtudod, ha a részmegoldások betűit a számozott négyzetekbe írod, halálának évszámát pedig pici számolással.
RészletesebbenSZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK
SZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK Budapesti Reáltanoda Fontos! Sok reakcióegyenlet több témakörhöz is hozzátartozik. Zárójel jelzi a reakciót, ami más témakörnél található meg. REAKCIÓK FÉMEKKEL fém
RészletesebbenNév: Dátum: Oktató: 1.)
1.) Jelölje meg az egyetlen helyes választ (minden helyes válasz 1 pontot ér)! i). Redős szűrőpapírt akkor célszerű használni, ha a). növelni akarjuk a szűrés hatékonyságát; b). a csapadékra van szükségünk;
RészletesebbenJózsef Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat.
1 MESTERSÉGEM CÍMERE F, mint FIZIKUS Tateyama Kagaku Ind. Co. Ltd., Toyama, Japan 3 irányú szilícium gyorsulásérzékelő József Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi
RészletesebbenKatalízis. Tungler Antal Emeritus professzor 2017
Katalízis Tungler Antal Emeritus professzor 2017 Fontosabb időpontok: sósav oxidáció, Deacon process 1860 kéndioxid oxidáció 1875 ammónia oxidáció 1902 ammónia szintézis 1905-1912 metanol szintézis 1923
RészletesebbenAmorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra. Csarnovics István
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2012.10.03. Mátrafüred Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra Csarnovics István Debreceni
Részletesebben3D bútorfrontok (előlapok) gyártása
3D bútorfrontok (előlapok) gyártása 1 2 3 4 5 6 7 8 9 MDF lapok vágása Marás rakatolás Tisztítás Ragasztófelhordás 3D film laminálás Szegély eltávolítása Tisztítás Kész bútorfront Membránpréses kasírozás
RészletesebbenHibrid Integrált k, HIC
Hordozók Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 5/6 Diffúzió Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
RészletesebbenKémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz
Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz 1. A vízmolekula szerkezete Elektronegativitás, polaritás, másodlagos kötések 2. Fizikai tulajdonságok a) Szerkezetből adódó különleges
RészletesebbenKémiai reakciók Műszaki kémia, Anyagtan I. 11. előadás
Kémiai reakciók Műszaki kémia, Anyagtan I. 11. előadás Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Kémiai reakció Kémiai reakció: különböző anyagok kémiai összetételének, ill. szerkezetének
Részletesebbena réz(ii)-ion klorokomplexének előállítása...
Általános és szervetlen kémia Laborelőkészítő előadás IX-X. (2008. október 18.) A réz(i)-oxid és a lecsapott kén előállítása Metallurgia, a fém mangán előállítása Megfordítható redoxreakciók Szervetlen
RészletesebbenPeriodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban Zolnai Zsolt MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, H-1525 Budapest, P.O.B. 49, Hungary Tartalom: Kolloid
RészletesebbenELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp
ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek
Részletesebben2. változat. 6. Jelöld meg, hány párosítatlan elektronja van alapállapotban a 17-es rendszámú elemnek! A 1; Б 3; В 5; Г 7.
2. változat 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
RészletesebbenDIPLOMAMUNKA TÉMÁK AZ MSC HALLGATÓK RÉSZÉRE A SZILÁRDTEST FIZIKAI TANSZÉKEN 2018/19.II.félévre
DIPLOMAMUNKA TÉMÁK AZ MSC HALLGATÓK RÉSZÉRE A SZILÁRDTEST FIZIKAI TANSZÉKEN 2018/19.II.félévre Nanostruktúrák számítógépes modellezése Atomi vastagságú rétegek előállítása ALD (Atomic Layer Deposition)
RészletesebbenTranszportfolyamatok. Alapfogalmak. Lokális mérlegegyenlet. Transzportfolyamatok 15/11/2015
Alapfogalmak Transzportfolyamatok Diffúzió, Hővezetés Viszkozitás Önként végbemenő folyamat: Egyensúlyi állapot irányába Intenzív paraméterek kiegyenlítődése (p, T, µ) Extenzív paraméterek áramlása (V,
RészletesebbenMegújuló energiaforrások
Megújuló energiaforrások Energiatárolási módok Marcsa Dániel Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék 2015 tavaszi szemeszter Energiatárolók 1) Akkumulátorok: ólom-savas 2) Akkumulátorok: lítium-ion
RészletesebbenFBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40. I. előadás. Geretovszky Zsolt
Bevezetés s az anyagtudományba nyba FBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40 I. előadás Geretovszky Zsolt Követelmények Az előadások látogatása kvázi-kötelező. 2010. május 21. péntek 8:00-10:00 kötelező
RészletesebbenKÉMIAI ALAPISMERETEK (Teszt) Összesen: 150 pont. HCl (1 pont) HCO 3 - (1 pont) Ca 2+ (1 pont) Al 3+ (1 pont) Fe 3+ (1 pont) H 2 O (1 pont)
KÉMIAI ALAPISMERETEK (Teszt) Összesen: 150 pont 1. Adja meg a következő ionok nevét, illetve képletét! (12 pont) Az ion neve Kloridion Az ion képlete Cl - (1 pont) Hidroxidion (1 pont) OH - Nitrátion NO
RészletesebbenElektrokémia. A nemesfém elemek és egymással képzett vegyületeik
Elektrokémia Redoxireakciók: Minden olyan reakciót, amelyben elektron leadás és elektronfelvétel történik, redoxi reakciónak nevezünk. Az elektronleadás és -felvétel egyidejűleg játszódik le. Oxidálószer
Részletesebben13 Elektrokémia. Elektrokémia Dia 1 /52
13 Elektrokémia 13-1 Elektródpotenciálok mérése 13-2 Standard elektródpotenciálok 13-3 E cella, ΔG és K eq 13-4 E cella koncentráció függése 13-5 Elemek: áramtermelés kémiai reakciókkal 13-6 Korrózió:
RészletesebbenMinta feladatsor. Az ion neve. Az ion képlete O 4. Szulfátion O 3. Alumíniumion S 2 CHH 3 COO. Króm(III)ion
Minta feladatsor A feladatok megoldására 90 perc áll rendelkezésére. A megoldáshoz zsebszámológépet használhat. 1. Adja meg a következő ionok nevét, illetve képletét! (8 pont) Az ion neve.. Szulfátion
RészletesebbenA 27/2012. (VIII. 27.) NGM rendelet (29/2016. (VIII. 26.) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján.
A 27/2012. (VIII. 27.) NGM rendelet (29/2016. (VIII. 26.) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján. Szakképesítés azonosítószáma és megnevezése 54 524 03 Vegyész technikus Tájékoztató
RészletesebbenNagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC)
Nagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC) Kromatográfiás módszerek osztályba sorolása 2 Elúciós technika A mintabevitel ún. dugószerűen történik A mozgófázis a kromatogram kifejlesztése alatt folyamatosan
RészletesebbenKerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok
Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok Bagi István BME MTAT Bevezetés Kerámiák csoportosítása teljesen tömör bioinert porózus bioinert teljesen tömör bioaktív oldódó Definíciók Bioinert a szomszédos
RészletesebbenNi 2+ Reakciósebesség mol. A mérés sorszáma
1. feladat Összesen 10 pont Egy kén-dioxidot és kén-trioxidot tartalmazó gázelegyben a kén és oxigén tömegaránya 1,0:1,4. A) Számítsa ki a gázelegy térfogatszázalékos összetételét! B) Számítsa ki 1,0 mol
RészletesebbenMIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY
MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TV Kiforrott technológia Kiváló képminőség Környezeti fény nem befolyásolja 4:3, 16:9 Max méret 100 cm Mélységi
RészletesebbenKémiai alapismeretek 6. hét
Kémiai alapismeretek 6. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék biner 2013. október 7-11. 1/15 2013/2014 I. félév, Horváth Attila c Egyensúly:
RészletesebbenElektromos áram. Vezetési jelenségek
Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai
RészletesebbenSzigetelők Félvezetők Vezetők
Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).
RészletesebbenAz egyensúly. Általános Kémia: Az egyensúly Slide 1 of 27
Az egyensúly 6'-1 6'-2 6'-3 6'-4 6'-5 Dinamikus egyensúly Az egyensúlyi állandó Az egyensúlyi állandókkal kapcsolatos összefüggések Az egyensúlyi állandó számértékének jelentősége A reakció hányados, Q:
RészletesebbenFotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2011.10.05 Visegrád Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó
RészletesebbenT I T - M T T. Hevesy György Kémiaverseny. A megyei forduló feladatlapja. 8. osztály. A versenyző jeligéje:... Megye:...
T I T - M T T Hevesy György Kémiaverseny A megyei forduló feladatlapja 8. osztály A versenyző jeligéje:... Megye:... Elért pontszám: 1. feladat:... pont 2. feladat:... pont 3. feladat:... pont 4. feladat:...
RészletesebbenPásztázó mikroszkópiás módszerek
Pásztázó mikroszkópiás módszerek - Pásztázó alagútmikroszkóp, Scanning tunneling microscope, STM - Pászázó elektrokémiai mikroszkóp, Scanning electrochemical microscopy, SECM - pásztázó közeli mező optikai
Részletesebben