Villamos tulajdonságok

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Méret: px
Mutatás kezdődik a ... oldaltól:

Download "Villamos tulajdonságok"

Átírás

1 Villamos tulajdonságok A vezetés s magyarázata Elektron függıleges falú potenciálgödörben: állóhullámok alap és gerjesztett állapotok Több elektron: Pauli-elv Sok elektron: Energia sávok Sávelméletlet Alapfogalmak Fémrácsban: sok elektron egy kollektív rendszerben A megengedett energiasávok között tiltott sávok Ohm törvény: j = σ E σ = 1/ρ j: áramsőrőség, σ: fajlagos vezetıképesség, E: térerısség ρ: fajlagos ellenálás σ = n e µ n: töltéshordozók száma, e: töltés, µ: töltéshordozó mozgékonysága Vezetık - szigetelık σ [Ωcm] -1 Szabad elektronmozgás (vezetés) csak az üres, vagy a részben betöltött sávokban lehet. Ag, Cu, Al Fe, Ni Félvezetık Ge, Si Szigetelık üvegek, polimerek kerámiák Vezetık: E tiltott < 0,5 ev Félvezetık: E tiltott ~ 0,5..2 ev Szigetelık: E tiltott > 3 ev Töltéshordozók: Fémes vezetık: elektron Félvezetık: elektron, lyuk Szigetelık, gázok: Ionok, elektronok Hımérsékletfüggés: szigetelık, félvezetık ρ ~ exp(-t) Mert a töltéshordozók száma nı Hımérsékletfüggés: Fémes vezetık: A vegyért rtéksáv és s a vezetési sáv v kialakulása a Li atomok kondenzálódása során Az egymáshoz közeledı atomok külsı elektronpályái ( a betöltetlenek és a betöltöttek) közössé válnak. A sok azonos szint egy-egy sávvá szélesedik. A betöltött legfelsı a vegyértéksáv, a betöltetlen legalsó a vezetési sáv. 1

2 Az energiasávok betölt ltöttsége A Fermi szint szerepe A Fermi energia Elektronok energia-eloszlásának leírására: Egy sávon belül hogyan töltıdnek fel az energiaszintek Fermi-Dirac statisztika f(e) azt mutatja meg, hogy egy adott E szint mennyire van feltöltve elektronokkal ( a megengedetthez képest) Két vezetı érintkezésénél a Fermi szintek igazodnak egymáshoz Az elektronok az alacsonyabb potenciál (=kisebb E F ) felé vándorolnak töltésszétválás kontaktpotenciál, Volta potenciál Kilépési munka: E 0 - E F W ki E 0 Vez. sáv E F Vegy. sáv A Fermi-Dirac függvf ggvény Energiaminimum elv + Pauli elv T = 0K en: a sávon belül az elektronok alulról kezdik feltölteni a szinteket, minden szint teljesen betöltve, a legnagyobb energiájú: Fermi-energia Nagyobb T-n: a felsı szintekre jut többlet energia Az energiaállapotok eloszlása sa Az adott szinten (az E és E+dE intervallumban) található elektronok számát mutatja meg. Az ábra szabad elektronokra vonatkozik, a fémrács elektronjaira hasonló, csak a Fermi szint környékén kissé torzul. a legmagasabb betöltött energiaszint 0K-en (50%-os betöltési valószínőség nagyobb hımérsékleten). Az elızı függvény 90 -kal elforgatva és ráillesztve a sávdiagramra Fermi szint E F : Fermi szinten f(e) = 0,5 A vezetıképess pességet meghatároz rozó tényezık Klasszikus modell: Szabadelektron közelítés Elektron gyorsul Ütközik a rács atomjaival Újra gyorsul. Átlagos haladási (drift) sebesség számítható fajlagos vezetıképesség A töltéshordozók száma egységnyi térfogatban 2

3 Emlékeztet keztetı: Brillouin-zónák A rácstávolságot az egyszerő cm helyett a rácsban terjedı hullám hullámszámával (k) fejezi ki. k = 2π/λ A rácssíkra merıleges hullám interferenciájának feltétele: n λ = 2d k = n π/d ha: n = 1, elsı zóna határa π/d, ilyen k-jú hullám nem terjedhet Kristálykoordináták a k térben bcc rács Brillouin-zónás ábrázolása Tércentrált köbös és lapcentrált köbös rácstípus Brillouin-zónája Négyzetes síkrács elsı három Brillouin-zónája Az elektronok mozgása síkhullámként is leírható De Broglie : λ = h/mv Vezetı anyagok A kristályrács fémionjai periodikus potenciálteret alkotnak Interferencia Bragg feltétele: n λ = 2d sinθ n = 1, 2, Merıleges beesésnél: n λ = 2d λ = 2d/π Állóhullám; ilyen hullámhosszok nem terjedhetnek Más λ-val akadály (ellenállás) nélkül Cu alapú vezetık: Tisztán vagy 1-2 % ötvözıvel (Ag, Cr, Be) Nagy- és kisfeszültségő hálózatok NYHL összeköttetés Kontaktusok Nagyon jó vezetıképesség, Jó kémiai ellenállóképesség Közepes mechanikai tul. Al alapú vezetık: Tisztán vagy 1-2 % ötvözıvel (Si, Cu) Távvezetékek IC vezetıhálózat Jó vezetıképesség, Jó kémiai ellenállóképesség Közepes mechanikai tul. Olcsóbb A vezetıképess pességet meghatároz rozó tényezık Alkalmazások Fentiek ideális rácsra vonatkoznak: Ha torzul a kristályszerkezet újabb hullámhosszakra válik akadállyá a rács nı a fajlagos ellenállás a: korlátlan elegykristály b: korlátozott elegye-dés, az elegyedési határon belül két külön fázis Torzulás okai: Hımérséklet emelése Ötvözés, szennyezı anyagok Kristályhibák, szemcsehatár c: intermetallikus vegyület képzıdése a két komponens között Érintkezık: Követelmények: Kicsi átmeneti ellenállás Terhelés alatt ne lágyuljon, ne olvadjon, ne kopjon Ne elegyedjen, diffundáljon a másik fémmel Alkalmas mechanikai jell. pl. rugalmasság Szokásos anyagok: C (grafit), Cu, Ag, Au, Ru, Pd, Os, Ir, Pt, Mo, W Ellenállások: Követelmények: Széles R tartomány Kis hımérsékletfüggés (TK) Kis zaj Ne öregedjen Cu-val kicsi termoelektromos feszültség Szokásos anyagok: Konstantán: (55% Cu, 44% Ni, 1% Mn), Ni, Cr, Ta-TaN 3

4 Főtıellenállások: FeNiCr, FeNiAl ötvözetek Nemfémes mes vezetık Követelmények: Magas op. Kémiai stabilitás nagy T-n Mechanikai tartósság nagy T-n Pt, W, Ta, Mo SiC, MoSi 2 Grafit (3000 K-ig semleges atmoszférában Vezetı polimerek: Konjugált kettıskötés p, n adalékolás félvezetı jelleg Egydimenziós fémes vezetés Optoelektronikai eszközök: LED, display, fényelem TFT (vékonyréteg tranzisztor) Átlátszó vezetık: ITO = indium-ón oxid Vékony réteg ~ 1Ωcm Alkalmazás: kijelzık, napelemek ZnO Ionvezetık: Elemek, akkumulátorok, Tüzelıanyag cellák Szenzorok, pl. ZrO 2 (O 2 érzékelı λ szonda) IC kontaktusfémez mezés Eredetileg Al, mert könnyen gızölhetı, jól köthetı a Sihoz Nagyobb mőködési sebesség, miniatőrizálás miatt jobb vezetı fém kellett. Cu (ρ = 1,7 µώcm), de diffundál a Si-ba. Köztes védıréteg (barrier) W, Ta/TaN, Ti/TiN vagy Ru Félvezetık Elemek: Si, Ge Vegyületek: III V: GaAs, InP, GaN II VI: ZnS, CdS, HgTe Polimer Adalékolatlan, (intrinsic): Nagyon kevés töltéshordozó a vezetési sávban, mert a hıenergia kevés a gerjesztéshez Elektron lyuk egyensúlyban Fermi szint a tiltott sáv közepén A vegyértékelektronok a hıenergia segítségével feljuthatnak a vezetési sávba Kívánt tulajdonság Nagyon jó vezetıképesség Magas eutektikus hımérséklet Si-vel Csekély diffúzió Si-ben Kis oxidációs hajlam, stabil oxid Magas olvadáspont Csekély kölcsönhatás a Si hordozóval, poli-si-mal Csekély kölcsönhatás a SiO 2 -dal Jó tapadás a SiO 2 -on Kémiai stabilitás HF-os közegben is Könnyő strukturálhatóság Csekély elektromigráció Anyagok, amelyek NEM teljesítik Mind, kivéve Ag, Cu, Au Au, Pd, Al, Mg Cu, Ni Mg, Fe, Cu, Ag, hıálló fémek Al, Mg, Cu Pt, Pd, Rh, V, Ni, Mo, Cr Hf, Zr, Ti, Ta, Nb, V. Mg, Al? Fe, Co, Ni, Cu, Mg, Al Pt, Pd, Ni, Co, Au Al, Cu A sávszerkezet s kialakulása Gyıztes: Al, Cu (?) 4

5 Adalékolt (dopolt, szennyezett, extrinsic): új szint a tiltott sávban - p típus: B, Ga, Al n típus: P, As, Sb a Fermi szint is eltolódik Optoelektronikai eszközök LED Nyitó irányú kapcsolás Elektron lyuk rekombináció A sávszélességnek megfelelı energia fotonként szabadul fel. E g = hν = hc/λ Fotodetektor, napelem Egyensúlyi vagy záró irányú elıfeszítés Beérkezı foton elektron lyuk párt kelt, ha E foton > E g áramtermelés Az n adalék a vezetési sáv alatt hoz létre új szintet. Vegyület félvezetf lvezetık A Fermi szint a vezetési sáv és a donor szint között p adalék szintjei A rácsállandó és tiltott sáv szélessége a vegyület félvezetıknél Elsısorban optoelektronikai alkalmazás Elıny, hogy a tiltott sáv szélessége a kül. anyagok keverésével hangolható Csak a nagyon hasonló rácsállandójú anyagok alkotnak feszültségmentes elegykristályt A p-n átmenet sávdiagramja feszültségmentes állapotban. Töltésátrendezıdés addig, amíg a Fermi szintek kiegyenlítıdnek Elıfeszített p-n átmenet Fém félvezetı átmenet MOS, MOSFET tranzisztorokban A Fermi-szintek kiegyenlítıdnek, elektron-vándorlás a fém irányába. A félvezetı sávszerkezet torzul. Töltésfelhalmozás a határréteg két oldalán. Egyenirányító hatás (Schottky átmenet) Félvezetı és fém sávdiagramja elkülönítve A sávszerkezet módosulása az érintkezés után 5

6 Technológia elemei Szigetelık Kohászati tisztaságú Si SiO 2 + 2C Si + 2CO Tisztítás Si + 3HCl SiHCl 3 + H 2 Alapszennyezés AsH 3 vagy PH 3 adagolás SiHCl 3 + H 2 Si + 3HCl Egykristály húzás: Czochralski Zónás tisztítás Szennyezés ~ 1 ppb Diszlokációmentes Kívánt orientáció Zónás tisztítás Jellemzı tulajdonságok: Fajlagos ellenállás: ρ > 10 6 Ωcm Szabad elektron: n < 10 6 /cm 3 Tiltott sáv: E g > 3 ev Dielektromos állandó (relatív permittivitás) ε r = C/C o, D = ε o ε r E = ε o E + P Veszteségi tényezı: tgδ = I hat /I meddı Átütési szilárdság [kv/cm] Szeletelés Maratás, polírozás Tisztítás, ellenırzés Elemgyártás Moore törvény Polarizáci ció a villamos tér hatására az anyag molekulái deformálódnak, a töltések kissé szétválnak, dipólusok alakulnak ki dipólmomentum: µ = q d polarizáció: P =N µ 1. Elektronpolarizáció: Indukált dipólmomentum Független f- tıl, Független T-tıl 2. Ionpolarizáció Indukált, függ f-tıl és T-tıl 3. Orientációs polarizáció Állandó µ, E: rendezıdés, kt: rendezetlen B. S. Guide to Semiconductor Physics A polarizálhat lhatóság g frekvenciafügg ggése Maxwell egyenlet: n = (ε r ) 1/2 /physics/semiconductors/ /physics/transistor/function/index.html 6

7 Piezoelektromosság Hooke törvény: σ = Y S - d E piezo hatás Elektrosztatika: D = ε E + g S reciprok piezo σ: mechanikai feszültség S: deformáció Y: Young modulus d, g: piezoelektromos állandó Szerkezetfüggı tulajdonság; alacsonyabb szimmetriájú kristályokban Kvarc SiO 2, BaTiO 3 perovszkit szerk. LiNbO 3 niobát szerk Jellemzık: Csatolási tényezı Mechanikai jósági tényezı Frekvenciaállandó = f r d Curie pont: kristályszerkezet változás Alkalmazás: elektro-mechanikai átalakítók; rezgéskeltés, érzékelés Frekvenciastabilizálás Precíz mozgatás (pl: STM) Q W = W me,be hı me,be el, Ferroelektromosság Jellemzık: Spontán polarizáció Domén szerkezet Nagyon nagy relatív permittivitás; ε r függ az E-tıl Hiszterézis Curie hımérséklet Alkalmazás: kerámia kondenzátorok 7

Villamos tulajdonságok

Villamos tulajdonságok Villamos tulajdonságok Alapfogalmak Ohm törvény: j = σ E σ = 1/ρ j: áramsűrűség, σ: fajlagos vezetőképesség, E: térerősség ρ: fajlagos ellenálás σ = n e µ n: töltéshordozók száma, e: töltés, µ: töltéshordozó

Részletesebben

Alapfogalmak. Szigetelők. Ohm törvény: j = E = 1/ Vezetők - szigetelők. [ cm] -1. Ag, Cu, Al. Fe, Ni. Félvezetők Ge, Si. üvegek, polimerek kerámiák

Alapfogalmak. Szigetelők. Ohm törvény: j = E = 1/ Vezetők - szigetelők. [ cm] -1. Ag, Cu, Al. Fe, Ni. Félvezetők Ge, Si. üvegek, polimerek kerámiák Villamos tulajdonságok Alapfogalmak Ohm törvény: j = E = 1/ j: áramsűrűség, : fajlagos vezetőképesség, E: térerősség : fajlagos ellenálás = n e µ n: töltéshordozók száma, e: töltés, µ: töltéshordozó mozgékonysága

Részletesebben

Szigetelők Félvezetők Vezetők

Szigetelők Félvezetők Vezetők Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).

Részletesebben

XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN

XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN 2007. február 6. 1 Pálinkás József: Fizika 2. XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN Bevezetés: Az előző fejezetekben megismertük, hogy a kvantumelmélet milyen jól leírja az atomok és a molekulák felépítését.

Részletesebben

A polimer elektronika

A polimer elektronika Tartalom A polimer elektronika Mi a polimer elektronika? Vezető szerves molekulák, ; a vezetés mechanizmusa Anyagválaszték: vezetők, félvezetők, fénykibocsátók szigetelők, hordozók Technológiák Eszközök

Részletesebben

A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.

A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,

Részletesebben

BŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz

BŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz BŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz Az anyag szerveződési formái Ebben a részben bemutatjuk az anyag elemi építőköveinek sokszerű kapcsolódási formáit, amelyek makroszkopikusan

Részletesebben

3. gyakorlat. Félvezető eszközök jellemzőinek vizsgálata a hőmérséklet függvényében

3. gyakorlat. Félvezető eszközök jellemzőinek vizsgálata a hőmérséklet függvényében 3. gyakorlat Félvezető eszközök jellemzőinek vizsgálata a hőmérséklet függvényében A gyakorlat során a hallgatók 2 mérési feladatot végeznek el: 1. A félvezetők vezetési- és valenciasávja között elhelyezkedő

Részletesebben

Könnyűfém és szuperötvözetek

Könnyűfém és szuperötvözetek Könnyűfém és szuperötvözetek Anyagismeret a gyakorlatban Dr. Orbulov Imre Norbert Anyagtudomány és Technológia Tanszék Az előadás fő pontjai A könnyűfémek definíciója Alumínium és ötvözetei Magnézium és

Részletesebben

Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz

Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz 1. A vízmolekula szerkezete Elektronegativitás, polaritás, másodlagos kötések 2. Fizikai tulajdonságok a) Szerkezetből adódó különleges

Részletesebben

Analitikai szenzorok második rész

Analitikai szenzorok második rész 2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető

Részletesebben

Az időtől független Schrödinger-egyenlet (energia sajátértékegyenlet), A Laplace operátor derékszögű koordinátarendszerben

Az időtől független Schrödinger-egyenlet (energia sajátértékegyenlet), A Laplace operátor derékszögű koordinátarendszerben Atomfizika ψ ψ ψ ψ ψ E z y x U z y x m = + + + ),, ( h ) ( ) ( ) ( ) ( r r r r ψ ψ ψ E U m = + Δ h z y x + + = Δ ),, ( ) ( z y x ψ =ψ r Az időtől független Schrödinger-egyenlet (energia sajátértékegyenlet),

Részletesebben

Optika Gröller BMF Kandó MTI. Optikai alapfogalmak. Fény: transzverzális elektromágneses hullám. n = c vákuum /c közeg. Optika Gröller BMF Kandó MTI

Optika Gröller BMF Kandó MTI. Optikai alapfogalmak. Fény: transzverzális elektromágneses hullám. n = c vákuum /c közeg. Optika Gröller BMF Kandó MTI Optikai alapfogalmak Fény: transzverzális elektromágneses hullám n = c vákuum /c közeg 1 Az elektromágneses spektrum 2 Az anyag és s a fény f kölcsk lcsönhatása Visszaverődés, reflexió Törés, kettőstörés,

Részletesebben

I. Atomszerkezeti ismeretek (9. Mozaik Tankönyv:10-30. oldal) 1. Részletezze az atom felépítését!

I. Atomszerkezeti ismeretek (9. Mozaik Tankönyv:10-30. oldal) 1. Részletezze az atom felépítését! I. Atomszerkezeti ismeretek (9. Mozaik Tankönyv:10-30. oldal) 1. Részletezze az atom felépítését! Az atom az anyagok legkisebb, kémiai módszerekkel tovább már nem bontható része. Az atomok atommagból és

Részletesebben

Az anyagok mágneses tulajdonságai

Az anyagok mágneses tulajdonságai BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék Dr. Mészáros István Mágneses tulajdonságok, mágneses anyagok Előadásvázlat 2013. 1 Az anyagok mágneses tulajdonságai Alkalmazási területek Jelentőségük (lágy:

Részletesebben

Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal

Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal 1 Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal Anton van Leeuwenhoek (1632-1723, Delft) Havancsák Károly, 2011. január FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 A TÁMOP pályázat eddigi történései 3 Időrend A helyiség kialakítás

Részletesebben

- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok

- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezetı anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok - vezetık: normál körülmények között

Részletesebben

MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT. 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu

MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT. 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu Tartalom 1. A villamos csatlakozások és érintkezôk fajtái............................5 2. Az érintkezések

Részletesebben

Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás

Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Redoxi reakciók Például: 2Mg + O 2 = 2MgO Részfolyamatok:

Részletesebben

1 A fémek és ötvözetek kristályosodása

1 A fémek és ötvözetek kristályosodása 1 A fémek és ötvözetek kristályosodása A fémek, ötvözetek atomjai olvadt állapotaikban a rövidtávú rendezettség állapotában találhatók; az atomokra nem hatnak az azokat rácspontokba rögzítő atomos kötőerők,

Részletesebben

Fémes szerkezeti anyagok

Fémes szerkezeti anyagok Fémek felosztása: Fémes szerkezeti anyagok periódusos rendszerben elfoglalt helyük alapján, sűrűségük alapján: - könnyű fémek, ha ρ 4,5 kg/ dm 3. olvadáspont alapján:

Részletesebben

Név:............................ Helység / iskola:............................ Beküldési határidő: Kémia tanár neve:........................... 2013.feb.18. TAKÁCS CSABA KÉMIA EMLÉKVERSENY, IX. osztály,

Részletesebben

Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet. Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC)

Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet. Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC) Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC) Laboratóriumi gyakorlatok Mérési útmutató 3. Hall-szondák alkalmazásai a. Félvezető

Részletesebben

Tárgyszavak: alakmemória-polimerek; elektromosan vezető adalékok; nanokompozitok; elektronika; dópolás.

Tárgyszavak: alakmemória-polimerek; elektromosan vezető adalékok; nanokompozitok; elektronika; dópolás. MŰANYAGFAJTÁK Elektroaktív polimerek Nikkel és vas-oxid tartalmú keverékek előállítását és tulajdonságait vizsgálták a vezetőképesség növelése és alakmemóriával rendelkező polimerek előállítása céljából.

Részletesebben

A standardpotenciál meghatározása a cink példáján. A galváncella működése elektrolizáló cellaként Elektródreakciók standard- és formálpotenciálja

A standardpotenciál meghatározása a cink példáján. A galváncella működése elektrolizáló cellaként Elektródreakciók standard- és formálpotenciálja Általános és szervetlen kémia Laborelőkészítő előadás VII-VIII. (október 17.) Az elektródok típusai A standardpotenciál meghatározása a cink példáján Számítási példák galvánelemekre Koncentrációs elemek

Részletesebben

1. Ha két közeg határfelületén nem folyik vezetési áram, a mágneses térerősség vektorának a(z). komponense folytonos.

1. Ha két közeg határfelületén nem folyik vezetési áram, a mágneses térerősség vektorának a(z). komponense folytonos. Az alábbi kiskérdéseket a korábbi Pacher-féle vizsgasorokból és zh-kból gyűjtöttük ki. A többségnek a lefényképezett hivatalos megoldás volt a forrása (néha még ezt is óvatosan kellett kezelni, mert egy

Részletesebben

Villamos kapcsolókészülékek BMEVIVEA336

Villamos kapcsolókészülékek BMEVIVEA336 Villamos kapcsolókészülékek BMEVIVEA336 Szigetelések feladatai, igénybevételei A villamos szigetelés feladata: Az üzemszerűen vagy időszakosan különböző potenciálon lévő vezető részek (fém alkatrészek

Részletesebben

NE FELEJTSÉTEK EL BEÍRNI AZ EREDMÉNYEKET A KIJELÖLT HELYEKRE! A feladatok megoldásához szükséges kerekített értékek a következők:

NE FELEJTSÉTEK EL BEÍRNI AZ EREDMÉNYEKET A KIJELÖLT HELYEKRE! A feladatok megoldásához szükséges kerekített értékek a következők: A Szerb Köztársaság Oktatási Minisztériuma Szerbiai Kémikusok Egyesülete Köztársasági verseny kémiából Kragujevac, 2008. 05. 24.. Teszt a középiskolák I. osztálya számára Név és utónév Helység és iskola

Részletesebben

Részecskék hullámtermészete

Részecskék hullámtermészete Részecskék ullámtermészete Bevezetés A sugárzás és az anyag egyaránt mutat részecskejellegű és ullámjellegű tulajdonságokat. Atommodellek A Tomson modell J.J. Tomson 1898 A negatív töltésű elektronok pozitív

Részletesebben

Orvosi implantátumok anyagai

Orvosi implantátumok anyagai 11 Orvosi implantátumok anyagai Dr. Mészáros István Anyagtudomány és Technológia Tanszék Sebészeti, fogorvosi alkalmazások Fémek, ötvözetek Kerámiák Polimerek Kompozitok Fémek ötvözetek hátrányai: korrózió,

Részletesebben

Mit mond ki a Huygens elv, és miben több ehhez képest a Huygens Fresnel-elv?

Mit mond ki a Huygens elv, és miben több ehhez képest a Huygens Fresnel-elv? Ismertesse az optika fejlődésének legjelentősebb mérföldköveit! - Ókor: korai megfigyelések - Euklidész (i.e. 280) A fény homogén közegben egyenes vonalban terjed. Legrövidebb út elve (!) Tulajdonképpen

Részletesebben

XLVI. Irinyi János Középiskolai Kémiaverseny 2014. február 6. * Iskolai forduló I.a, I.b és III. kategória

XLVI. Irinyi János Középiskolai Kémiaverseny 2014. február 6. * Iskolai forduló I.a, I.b és III. kategória Tanuló neve és kategóriája Iskolája Osztálya XLVI. Irinyi János Középiskolai Kémiaverseny 201. február 6. * Iskolai forduló I.a, I.b és III. kategória Munkaidő: 120 perc Összesen 100 pont A periódusos

Részletesebben

Radioizotópok az üzemanyagban

Radioizotópok az üzemanyagban Tartalomjegyzék Radioizotópok az üzemanyagban 1. Radioizotópok friss üzemanyagban 2. Radioizotópok besugárzott üzemanyagban 2.1. Hasadási termékek 2.2. Transzurán elemek 3. Az üzemanyag szerkezetének alakulása

Részletesebben

1.ábra A kadmium felhasználási területei

1.ábra A kadmium felhasználási területei Kadmium hatása a környezetre és az egészségre Vermesan Horatiu, Vermesan George, Grünwald Ern, Mszaki Egyetem, Kolozsvár Erdélyi Múzeum Egyesület, Kolozsvár (Korróziós Figyel, 2006.46) Bevezetés A fémionok

Részletesebben

BME Vízi Közmő és Környezetmérnöki Tanszék. Szabó Anita. Foszfor eltávolítás és a biológiai szennyvíztisztítás intenzifikálása kémiai előkezeléssel

BME Vízi Közmő és Környezetmérnöki Tanszék. Szabó Anita. Foszfor eltávolítás és a biológiai szennyvíztisztítás intenzifikálása kémiai előkezeléssel BME Vízi Közmő és Környezetmérnöki Tanszék Szabó Anita Foszfor eltávolítás és a biológiai szennyvíztisztítás intenzifikálása kémiai előkezeléssel Doktori értekezés Témavezetı: Dr. Licskó István egyetemi

Részletesebben

Atomfizikai összefoglaló: radioaktív bomlás. Varga József. Debreceni Egyetem OEC Nukleáris Medicina Intézet 2010. 2. Kötési energia (MeV) Tömegszám

Atomfizikai összefoglaló: radioaktív bomlás. Varga József. Debreceni Egyetem OEC Nukleáris Medicina Intézet 2010. 2. Kötési energia (MeV) Tömegszám Egy nukleonra jutó kötési energia Atomfizikai összefoglaló: radioaktív bomlás Varga József Debreceni Egyetem OEC Nukleáris Medicina Intézet Kötési energia (MeV) Tömegszám 1. 1. Áttekintés: atomfizika Varga

Részletesebben

TERMOELEM-HİMÉRİK (Elméleti összefoglaló)

TERMOELEM-HİMÉRİK (Elméleti összefoglaló) Alapfogalmak, meghatározások TERMOELEM-HİMÉRİK (Elméleti összefoglaló) A termoelektromos átalakítók hımérsékletkülönbség hatására villamos feszültséget szolgáltatnak. Ezért a termoelektromos jelátalakítók

Részletesebben

Általános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás VI

Általános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás VI Általános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás VI Redoxiegyenletek rendezésének általános lépései Példák fémoldódási egyenletek rendezésére Halogénvegyületek reakciói A gyakorlaton vizsgált redoxireakciók

Részletesebben

Hibrid mágneses szerkezetek

Hibrid mágneses szerkezetek Zárójelentés Hibrid mágneses szerkezetek OTKA T046267 Négy és fél év időtartamú pályázatunkban két fő témakörben végeztünk intenzív elméleti kutatásokat: (A) Mágneses nanostruktúrák ab initio szintű vizsgálata

Részletesebben

Jellemző redoxi reakciók:

Jellemző redoxi reakciók: Kémia a elektronátmenettel járó reakciók, melynek során egyidejű elektron leadás és felvétel történik. Oxidáció - elektron leadás - oxidációs sám nő Redukció - elektron felvétel - oxidációs sám csökken

Részletesebben

Nemkoherens fényforrások 1. Termikus és lumineszcens sugárzók

Nemkoherens fényforrások 1. Termikus és lumineszcens sugárzók Nemkoherens fényforrások 1. Termikus és lumineszcens sugárzók BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY BEVEZETÉS Fényforrások a fotonikában: információ bevitelére,

Részletesebben

Kerámiák és kompozitok (gyakorlati elokész

Kerámiák és kompozitok (gyakorlati elokész Kerámiák MEHANIKAI TEHNOLÓGIA ÉS ANYAGSZERKEZETTANI TANSZÉK Kerámiák és kompozitok (gyakorlati elokész szíto) dr. Németh Árpád arpinem@eik.bme.hu A k e r ám i a a g örö g ( k iég e t e t t ) s zóból e

Részletesebben

KÉMIA TANMENETEK 7-8-9-10 osztályoknak

KÉMIA TANMENETEK 7-8-9-10 osztályoknak KÉMIA TANMENETEK 7-8-9-10 osztályoknak Néhány gondolat a mellékletekhez: A tanterv nem tankönyvhöz készült, hanem témakörökre bontva mutatja be a minimumot és az optimumot. A felsőbb osztályba lépés alapja

Részletesebben

PÉCSI TUDOMÁNYEGYETEM. Oxidkristályok lineáris terahertzes spektroszkópiai vizsgálata. Unferdorben Márta

PÉCSI TUDOMÁNYEGYETEM. Oxidkristályok lineáris terahertzes spektroszkópiai vizsgálata. Unferdorben Márta PÉCSI TUDOMÁNYEGYETEM Fizika Doktori Iskola Nemlineáris optika és spektroszkópia program Oxidkristályok lineáris terahertzes spektroszkópiai vizsgálata PhD értekezés Unferdorben Márta Témavezető: Dr. Pálfalvi

Részletesebben

Kémiai alapismeretek 11. hét

Kémiai alapismeretek 11. hét Kémiai alapismeretek 11. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék 2011. május 3. 1/8 2009/2010 II. félév, Horváth Attila c Elektród: Fémes

Részletesebben

Hibrid Integrált k, HIC

Hibrid Integrált k, HIC Hordozók Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek

Részletesebben

Áramforrások. Másodlagos cella: Használat előtt fel kell tölteni. Használat előtt van a rendszer egyensúlyban. Újratölthető.

Áramforrások. Másodlagos cella: Használat előtt fel kell tölteni. Használat előtt van a rendszer egyensúlyban. Újratölthető. Áramforrások Elsődleges cella: áramot termel kémiai anyagokból, melyek a cellába vannak bezárva. Ha a reakció elérte az egyensúlyt, kimerül. Nem tölthető. Másodlagos cella: Használat előtt fel kell tölteni.

Részletesebben

Az atom felépítése, fénykibocsátás (tankönyv 68.o.- 86.o.)

Az atom felépítése, fénykibocsátás (tankönyv 68.o.- 86.o.) Az atom felépítése, fénykibocsátás (tankönyv 68.o.- 86.o.) Atomok, atommodellek (tankönyv 82.o.-84.o.) Már az ókorban Démokritosz (i. e. 500) úgy gondolta, hogy minden anyag tovább nem osztható alapegységekből,

Részletesebben

Kémiai alapismeretek 4. hét

Kémiai alapismeretek 4. hét Kémiai alapismeretek 4. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék 2013. szeptember 24.-27. 1/14 2013/2014 I. félév, Horváth Attila c kötőerő:

Részletesebben

biokerámiák félvezetők

biokerámiák félvezetők 3.2. Kerámiák A kerámia az első mesterségesen előállított anyag, amit az emberiség használt. Agyagból megformált majd kiégetett használati és dísztárgyakat már több, mint 10 000 éve készítenek. Ennek egyik

Részletesebben

Lumineszcencia alapjelenségek

Lumineszcencia alapjelenségek Lumineszcencia alapjelenségek (Nyitrai Miklós; 211 február 7.) Lumineszcencia Definíció: Egyes anyagok spontán fénykibocsátása, a termikus fényemissziótól függetlenül, elektrongerjesztést követően. Lumineszcens

Részletesebben

A szilárd állapot. A szilárd állapot. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011

A szilárd állapot. A szilárd állapot. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 A szilárd állapot A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 1 Szobahőmérsékleten és légköri nyomáson szilárd halmazállapot létrejöttének feltétele, hogy a szilárd részecskék

Részletesebben

Számítógépes tervezés. Digitális kamera

Számítógépes tervezés. Digitális kamera Számítógépes tervezés Digitális kamera 1 Nyomtatott huzalozású lemezek technológi giája http://uni-obuda.hu/users/tomposp/szgt NYÁK, PCB (Printed Circuit Board), NYHL, PWB (~ Wiring ~) Vezetıhálózat zat

Részletesebben

Alumínium és ötvözeteinek hegesztése

Alumínium és ötvözeteinek hegesztése Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Alumínium és ötvözeteinek hegesztése Dr. Palotás Béla Mechanikai Technológia és Anyagszerkezettani Tanszék Hegesztés előadások Szerző: dr. Palotás Béla 1

Részletesebben

Falazott szerkezetek méretezése

Falazott szerkezetek méretezése Falazo szerkezeek méreezése A falazaok alkalmazásának előnyei: - Épíészei szemponból: szabadon kialakíhaó alaprajzi megoldások, válozaos homlokzai megjelenés leheőségei - Tarószerkezei szemponból: arós

Részletesebben

Feszített vasbeton gerendatartó tervezése költségoptimumra

Feszített vasbeton gerendatartó tervezése költségoptimumra newton Dr. Szalai Kálmán "Vasbetonelmélet" c. tárgya keretében elhangzott előadások alapján k 1000 km k m meter m Ft 1 1 1000 Feszített vasbeton gerendatartó tervezése költségoptimumra deg A következőkben

Részletesebben

Vas és szén. Anyagismeret, anyagkivála sztás. Acél jellemzıi. Egyéb alkotók: ötvözı vagy szennyezı?

Vas és szén. Anyagismeret, anyagkivála sztás. Acél jellemzıi. Egyéb alkotók: ötvözı vagy szennyezı? Vas és szén Anyagismeret, anyagkivála sztás Dr. Horváth László Vegyi összetétel és hatása az acél tulajdonságaira Acél szennyezıi, ötvözıi Gyártástechnológia hatása Hımérséklet, kristályszerkezet Szerkezeti

Részletesebben

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Energetikai minőségtanúsítvány 1 Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Épület: Megrendelő: Tanúsító: Kovács Pál és Társa. Kft. 06-1-388-9793 (munkaidőben) 06-20-565-8778 (munkaidőben) Az épület(rész)

Részletesebben

0,25 NTU Szín MSZ EN ISO 7887:1998; MSZ 448-2:1967 -

0,25 NTU Szín MSZ EN ISO 7887:1998; MSZ 448-2:1967 - Leírás Fizikaikémiai alapparaméterek Módszer, szabvány (* Nem akkreditált) QL ph (potenciometria) MSZ EN ISO 3696:2000; MSZ ISO 10523:2003; MSZ 148422:2009; EPA Method 150.1 Fajlagos elektromos vezetőképesség

Részletesebben

KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ

KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ 1) A rejtvény egy híres ember nevét és halálának évszámát rejti. Nevét megtudod, ha a részmegoldások betűit a számozott négyzetekbe írod, halálának évszámát pedig pici számolással.

Részletesebben

KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK. 9. osztály C változat

KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK. 9. osztály C változat KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK 9. osztály C változat Beregszász 2005 A munkafüzet megjelenését a Magyar Köztársaság Oktatási Minisztériuma támogatta A kiadásért felel: Orosz Ildikó Felelıs szerkesztı:

Részletesebben

A talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor

A talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor Bevezetés talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor z ember már õsidõk óta ki van téve a radioaktív sugárzásoknak 1 1 ( α, β, γ, n, p, ν, ~,... ). Egy személy évi sugárterhelésének

Részletesebben

41. A minıségügyi rendszerek kialakulása, ISO 9000 rendszer jellemzése

41. A minıségügyi rendszerek kialakulása, ISO 9000 rendszer jellemzése készült az UElektronikai gyártás és minıségbiztosításu c. tárgy elıadásainak diáiból 41. A minıségügyi rendszerek kialakulása, ISO 9000 rendszer jellemzése 1.Mik a teljeskörő minıségszabályozás (=TQM)

Részletesebben

RÖNTGEN-FLUORESZCENCIA ANALÍZIS

RÖNTGEN-FLUORESZCENCIA ANALÍZIS RÖNTGEN-FLUORESZCENCIA ANALÍZIS 1. Mire jó a röntgen-fluoreszcencia analízis? A röntgen-fluoreszcencia analízis (RFA vagy angolul XRF) roncsolás-mentes atomfizikai anyagvizsgálati módszer. Rövid idõ alatt

Részletesebben

1 Az anyagismeret kémiai- szerkezeti alapjai

1 Az anyagismeret kémiai- szerkezeti alapjai 1 Az anyagismeret kémiai- szerkezeti alapjai 1.1 Az atomok elektronszerkezete Az anyag alapvet építkövei az atomok. Részben ezek szerkezete, részben egymáshoz való kapcsolódásuk szabja meg az anyagok makroszkópikus

Részletesebben

Fizika belépő kérdések /Földtudományi alapszak I. Évfolyam II. félév/

Fizika belépő kérdések /Földtudományi alapszak I. Évfolyam II. félév/ Fizika belépő kérdések /Földtudományi alapszak I. Évfolyam II. félév/. Coulomb törvény: a pontszerű töltések között ható erő (F) egyenesen arányos a töltések (Q,Q ) szorzatával és fordítottan arányos a

Részletesebben

Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész

Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM GYŐR Felületi technológiák Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész 4. Gőzfázisból történő bevonatolás PVD eljárás CVD eljárás 5. Ionimplantáció 6. Passziválás Áttekintés

Részletesebben

ESR színképek értékelése és molekulaszerkezeti értelmezése

ESR színképek értékelése és molekulaszerkezeti értelmezése ESR színképek értékelése és molekulaszerkezeti értelmezése Elméleti alap: Atkins: Fizikai Kémia II, 187-188, 146, 1410, 152 158 fejezetek A gyakorlat során egy párosítatlan elektronnal rendelkező benzoszemikinon

Részletesebben

NEMKOHERENS FÉNYFORRÁSOK I TERMIKUS ÉS LUMINESCENS SUGÁRZÓK

NEMKOHERENS FÉNYFORRÁSOK I TERMIKUS ÉS LUMINESCENS SUGÁRZÓK NEMKOHERENS FÉNYFORRÁSOK I TERMIKUS ÉS LUMINESCENS SUGÁRZÓK BEVEZETÉS Fényforrások a fotonikában: információ bevitelére, továbbítására és rögzítésére szolgáló fotonok létrehozása (emissziója), információ

Részletesebben

ALAPFOGALMAK ÉS ALAPTÖRVÉNYEK

ALAPFOGALMAK ÉS ALAPTÖRVÉNYEK A ALAPFOGALMAK ÉS ALAPTÖVÉNYEK Elektromos töltés, elektromos tér A kémiai módszerekkel tová nem ontható anyag atomokól épül fel. Az atom atommagól és az atommagot körülvevő elektronhéjakól áll. Az atommagot

Részletesebben

1 B. AZ E L E K T R O M O S É S M Á G N E S E S M E Zİ (ismétlés)

1 B. AZ E L E K T R O M O S É S M Á G N E S E S M E Zİ (ismétlés) AZ E L E K T R O M O S É S M Á G N E S E S M E Zİ (ismétlés). Az elektromos mezı A töltött testet elektromos mezı veszi körül (/7). Térerısség (/7): E F/Q [V/m] Szemléltetés erıvonalakkal: sőrőség, irány

Részletesebben

KÉMIA Kiss Árpád Országos Közoktatási Szolgáltató Intézmény Vizsgafejlesztő Központ 2003

KÉMIA Kiss Árpád Országos Közoktatási Szolgáltató Intézmény Vizsgafejlesztő Központ 2003 KÉMIA Kiss Árpád Országos Közoktatási Szolgáltató Intézmény Vizsgafejlesztő Központ 2003 I. RÉSZLETES ÉRETTSÉGI VIZSGAKÖVETELMÉNY A) KOMPETENCIÁK A vizsgázónak a követelményrendszerben és a vizsgaleírásban

Részletesebben

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Energetikai minőségtanúsítvány 1 Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Épület: Épületrész (lakás): Megrendelő: Tanúsító: 6. emelet 25. lakás Vértesy Mónika TÉ-01-63747 Az épület(rész) fajlagos primer

Részletesebben

Az optikai szálak. FV szálak felépítése, gyakorlati jelenségek

Az optikai szálak. FV szálak felépítése, gyakorlati jelenségek Az optikai szálak FV szálak felépítése, gyakorlati jelenségek Egy kis történelem 1. - 1930 Norman R. French szabadalma optikai távbeszélő rendszerre (merev üvegrudak kötege) - 1950-es évek: 1-1,5m hosszú

Részletesebben

1. Prefix jelentések. 2. Mi alapján definiáljuk az 1 másodpercet? 3. Mi alapján definiáljuk az 1 métert? 4. Mi a tömegegység definíciója?

1. Prefix jelentések. 2. Mi alapján definiáljuk az 1 másodpercet? 3. Mi alapján definiáljuk az 1 métert? 4. Mi a tömegegység definíciója? 1. Prefix jelentések. 10 1 deka 10-1 deci 10 2 hektó 10-2 centi 10 3 kiló 10-3 milli 10 6 mega 10-6 mikró 10 9 giga 10-9 nano 10 12 tera 10-12 piko 10 15 peta 10-15 fento 10 18 exa 10-18 atto 2. Mi alapján

Részletesebben

P a r c iá lis v í z g ő z n y o m á s [ P a ]

P a r c iá lis v í z g ő z n y o m á s [ P a ] Energetikai minőségtanúsítvány 1 Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Épület: Védőnői szolgálat épülete, Kál Főút alsó 6. Hrsz 1228 Megrendelő: Kál Nagyközség Önkormányzata Tanúsító: Vereb János 3368.

Részletesebben

m n 3. Elem, vegyület, keverék, koncentráció, hígítás m M = n Mértékegysége: g / mol elem: azonos rendszámú atomokból épül fel

m n 3. Elem, vegyület, keverék, koncentráció, hígítás m M = n Mértékegysége: g / mol elem: azonos rendszámú atomokból épül fel 3. Elem, vegyület, keverék, koncentráció, hígítás elem: azonos rendszámú atomokból épül fel vegyület: olyan anyag, amelyet két vagy több különbözı kémiai elem meghatározott arányban alkot, az alkotóelemek

Részletesebben

Gerhátné Udvary Eszter

Gerhátné Udvary Eszter Az optikai hálózatok alapjai (BMEVIHVJV71) Moduláció 2014.02.25. Gerhátné Udvary Eszter udvary@mht.bme.hu Budapest University of Technology and Economics Department of Broadband Infocommunication Systems

Részletesebben

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Földvár Terv Kft Energetikai minőségtanúsítvány 1 Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Épület: Megrendelő: Tanúsító: 5 lakásos társasház Paks, Kossuth Lajos utca 4. Hrsz.: 864. Viczai János GT/17-0469

Részletesebben

Korszerű alumínium ötvözetek és hegesztésük

Korszerű alumínium ötvözetek és hegesztésük MISKOLCI EGYETEM MECHANIKAI TECHNOLÓGIAI TANSZÉK Korszerű alumínium ötvözetek és hegesztésük Tanulmány Kidolgozta: Dr. Török Imre 1 - Meilinger Ákos 2 1 egyetemi docens, 2 mérnöktanár Készült: a TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0029

Részletesebben

ПРОГРАМА ВСТУПНОГО ВИПРОБУВАННЯ З ХІМІЇ Для вступників на ІІ курс навчання за освітньо-кваліфікаційним рівнем «бакалавр»

ПРОГРАМА ВСТУПНОГО ВИПРОБУВАННЯ З ХІМІЇ Для вступників на ІІ курс навчання за освітньо-кваліфікаційним рівнем «бакалавр» ЗАКАРПАТСЬКИЙ УГОРСЬКИЙ ІНСТИТУТ ІМ. Ф. РАКОЦІ ІІ КАФЕДРА МАТЕМАТИКИ ТА ІНФОРМАТИКИ II. RÁKÓCZI FERENC KÁRPÁTALJAI MAGYAR FŐISKOLA MATEMATIKA ÉS INFORMATIKA TANSZÉK ПРОГРАМА ВСТУПНОГО ВИПРОБУВАННЯ З ХІМІЇ

Részletesebben

Grafit fajlagos ellenállásának mérése

Grafit fajlagos ellenállásának mérése A mérés célkitűzései: Ohm törvényének felhasználásával különböző keménységű grafitok fajlagos ellenállásának meghatározása. Eszközszükséglet: különböző keménységű grafit ceruzák digitális multiméter 2

Részletesebben

Elektrokémiai gyakorlatok

Elektrokémiai gyakorlatok Elektrokémiai gyakorlatok Az elektromos áram hatására bekövetkezı kémiai változásokkal, valamint a kémiai energia elektromos energiává alakításának folyamataival, törvényszerőségeivel foglalkozik. A változást

Részletesebben

KÉMIA. Kiss Árpád Országos Közoktatási Szolgáltató Intézmény Vizsgafejlesztő Központ 2003

KÉMIA. Kiss Árpád Országos Közoktatási Szolgáltató Intézmény Vizsgafejlesztő Központ 2003 KÉMIA Kiss Árpád Országos Közoktatási Szolgáltató Intézmény Vizsgafejlesztő Központ 2003 ű érettségire felkészítő tananyag tanterve /11-12. ill. 12-13. évfolyam/ Elérendő célok: a természettudományos gondolkodás

Részletesebben

Termoelektromos polimerek és polimerkompozitok

Termoelektromos polimerek és polimerkompozitok MŰANYAGFAJTÁK Termoelektromos polimerek és polimerkompozitok A villamos energia hőmérséklet-különbséggé vagy fordítva a hőmérséklet-különbség villamos energiává való közvetlen átalakítása bizonyos polimerekkel

Részletesebben

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Villamosmérnöki és Informatikai Kar. Doktori értekezés

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Villamosmérnöki és Informatikai Kar. Doktori értekezés Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar ELEKTRONVEZETŐ POLIMER ALAPÚ BIOKATALITIKUS HÚGYSAVÉRZÉKELŐ Doktori értekezés Készítette: Dobay Róbert okl. villamosmérnök

Részletesebben

Nyomtatott huzalozású lemezek technológiája

Nyomtatott huzalozású lemezek technológiája NYÁK, PCB (Printed Circuit Board), NYHL, PWB (~ Wiring ~) Nyomtatott huzalozású lemezek technológiája Vezetőhálózat + mechanikai tartás + szerelési alap Előnyök: Nagyobb terhelhetőség, jobb disszipáció

Részletesebben

Ph 11 1. 2. Mozgás mágneses térben

Ph 11 1. 2. Mozgás mágneses térben Bajor fizika érettségi feladatok (Tervezet G8 2011-től) Munkaidő: 180 perc (A vizsgázónak két, a szakbizottság által kiválasztott feladatsort kell kidolgoznia. A két feladatsor nem származhat azonos témakörből.)

Részletesebben

A hegesztési eljárások áttekintése. A hegesztési eljárások osztályozása

A hegesztési eljárások áttekintése. A hegesztési eljárások osztályozása A hegesztési eljárások áttekintése A hegesztés célja két vagy több, fémes vagy nemfémes alkatrész között mechanikai igénybevételre alkalmas nem oldható kötés létrehozása. A nem oldható kötés fémek esetében

Részletesebben

4. elıadás A KRISTÁLYFIZIKA ALAPJAI

4. elıadás A KRISTÁLYFIZIKA ALAPJAI 4. elıadás A KRISTÁLYFIZIKA ALAPJAI KRISTÁLYFIZIKA ANIZOTRÓPIA IZOTRÓPIA JELENSÉGE Izotrópia (irányok szerint egyenlı): ha a fizikai sajátságok függetlenek az iránytól. Ide tartoznak a köbös rendszerbe

Részletesebben

1 Elektronika 2 Jegyzet. Elektronika 2. Jegyzet

1 Elektronika 2 Jegyzet. Elektronika 2. Jegyzet 1 Elektronika 2 Jegyzet Elektronika 2 2010 Jegyzet 2 Elektronika 2 Jegyzet Fél vezetők A félvezetők úgy forradalmasították az ipart, mint ahogyan azt korábban a gőzgép tette. Ma már aligha lehetne olyan

Részletesebben

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Energetikai minőségtanúsítvány 1 Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Épület Épületrész (lakás) Megrendelő Polgármesteri Hivatal 3350. Kál szent István tér 2 Teljes épület Kál Nagyközség Önkormányzata

Részletesebben

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő

Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Energetikai minőségtanúsítvány 1 Energetikai minőségtanúsítvány összesítő Épület: Épületrész (lakás): 1 emelet 4. Megrendelő: Tanúsító: Vértesy Mónika TÉ-01-63747 Az épület(rész) fajlagos primer energiafogyasztása:

Részletesebben

Teljesítményelektronika

Teljesítményelektronika Teljesítményelektronika Szakirodalom Csáky-Ganszky-Ipsits-Marti, Teljesítményelektronika, Műszaki Könyvkiadó, Budapest, 1971. Heumann, K., A teljesítményelektronika alapjai, Műszaki Könyvkiadó, Budapest,

Részletesebben

DR. KOVÁCS ERNŐ ELEKTRONIKA II. (DISZKRÉT FÉLVEZETŐK, ERŐSÍTŐK) ELŐADÁS JEGYZET

DR. KOVÁCS ERNŐ ELEKTRONIKA II. (DISZKRÉT FÉLVEZETŐK, ERŐSÍTŐK) ELŐADÁS JEGYZET MISKOLCI EGYETEM VILLAMOSMÉRNÖKI INTÉZET ELEKTROTECHNIKAI- ELEKTRONIKAI TANSZÉK DR. KOVÁCS ERNŐ ELEKTRONIKA II. (DISZKRÉT FÉLVEZETŐK, ERŐSÍTŐK) ELŐADÁS JEGYZET 2003. 2.0. Diszkrét félvezetők és alkalmazásaik

Részletesebben

GÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA. Mérési útmutató. Gyurkócza Csaba

GÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA. Mérési útmutató. Gyurkócza Csaba GÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA Mérési útmutató Gyurkócza Csaba BME NTI 1997 2 Tartalom 1. BEVEZETÉS... 3 2. ELMÉLETI ÖSSZEFOGLALÁS... 3 2.1. Töltéshordozók keletkezése (ionizáció) töltött részecskéknél...

Részletesebben

Fizikai kémia és radiokémia labor II, Laboratóriumi gyakorlat: Spektroszkópia mérés

Fizikai kémia és radiokémia labor II, Laboratóriumi gyakorlat: Spektroszkópia mérés Fizikai kémia és radiokémia labor II, Laboratóriumi gyakorlat: Spektroszkópia mérés A gyakorlatra vigyenek magukkal pendrive-ot, amire a mérési adatokat átvehetik. Ajánlott irodalom: P. W. Atkins: Fizikai

Részletesebben

A javításhoz kb. az érettségi feladatok javítása az útmutató irányelv. Részpontszámok adhatók. Más, de helyes gondolatmenetet is el kell fogadni!

A javításhoz kb. az érettségi feladatok javítása az útmutató irányelv. Részpontszámok adhatók. Más, de helyes gondolatmenetet is el kell fogadni! Megoldások A javításhoz kb. az érettségi feladatok javítása az útmutató irányelv. Részpontszámok adhatók. Más, de helyes gondolatmenetet is el kell fogadni! **********************************************

Részletesebben

Fényforrások. E hatására gáztérben ütközési ionizáció. Stefan-Boltzmann-tv. Wien-tv. Planck-tv. 4 tot

Fényforrások. E hatására gáztérben ütközési ionizáció. Stefan-Boltzmann-tv. Wien-tv. Planck-tv. 4 tot Fényforrások Fény (foton) kibocsátás: lktromos töltésk sbsségváltozása révén. Trmikus (fkt) sugárzó: magas hőmérséklt foton misszió Elktromos kisülés: Félvztő fényforrás: injkciós lktroluminszcncia Lézr

Részletesebben

Röntgenkeltésű foto- és Auger-elektron spektrumok modellezése klaszter molekulapálya módszerrel. Cserny István

Röntgenkeltésű foto- és Auger-elektron spektrumok modellezése klaszter molekulapálya módszerrel. Cserny István Röntgenkeltésű foto- és Auger-elektron spektrumok modellezése klaszter molekulapálya módszerrel Cserny István Debrecen, 2005 Röntgenkeltésű foto- és Auger-elektron spektrumok modellezése klaszter molekulapálya

Részletesebben