Analitikai szenzorok második rész

Méret: px
Mutatás kezdődik a ... oldaltól:

Download "Analitikai szenzorok második rész"

Átírás

1 Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető struktúrákkal együtt, azokkal azonos anyagból és azonos módszerekkel készül. Mint ismeretes, a félvezető anyagok közül a szilícium alapú félvezetők a legnépszerűbbek, ami nem véletlen: a Si nagyon gyakori elem, előállítása tiszta kristályos y formában viszonylag y g olcsó és könnyű, y, ráadásul kémiailagg és fizikailagg is ellenálló (pl. olvadáspont 1410 C, forráspont 2355 C; rugalmatlan, a kristályai az acéléhoz hasonló szilárdságúak, stb.). *egykristály 1

2 A szilícium fizikai tulajdonságai A szilíciumnak ráadásul számos olyan fizikai jellemzője van, ami nagyon alkalmassá teszi szenzor struktúrák kialakítására. Például: Sugárzás jellegű stimulusok: Mechanikai jellegű stimulusok: Termikus jellegű stimulusok: Mágneses jellegű stimulusok: Kémiai stimulusok: fotovoltaikus és fotoelektromos hatás, fotokonduktív hatás, stb. piezorezisztív hatás, stb. Seebeck effektus, az elektromos vezetés hőmérsékletfüggése, stb. Hall effektus, stb. Ion szelektív érzékelés, stb. Ezek alapján igen sokféle szenzor és transducer (pl. nyomásmérő, hőmérsékletmérő, erőmérő, foto és ion szelektív szenzorok) készíthetők Si alapanyagból a mikrofabrikáció eszközeivel, amint erre a későbbiekben példákat is látunk. A sokoldalúság mellett két hátrányt is meg kell említeni: 1.) bár a fenti fizikai effektusok erősek, azok hőmérsékletfüggése is jelentős, 2.) A Si nem mutat piezoelektromos effektust. Az utóbbi probléma elhárítható kompozit eszközökkel: pl. egy alkalmas fém oxidjának vékonyrétegét (pl. ZnO) leválasztva a Si ra, előállítható a kívánt eszköz, ami a Si subsztrátban keletkező mechanikai feszültséget továbbítja a piezoelektromos vékonyréteg felé, így elektromos feszültséget produkál. A szilícium fizikai tulajdonságai Meg kell azt is jegyezni, hogy a szilíciumot nem csak a klasszikus egykristály (SCS, single crystral silicon) formában alkalmazzák a szenzorok kialakítására. Az ún. polikristályos szilícium (PS, polysilicon vagy polycrystralline silicon) forma is használatos, amelyet pl. szilán származékok (SiH 4 ) pirolíziséből származó Si krisztallitok leválasztásával állítanak elő. Az egykristályok előállítása (növesztése) leggyakrabban a Czochralski módszerrel történik. SiCl 4(g) + 2H 2(g) Si (s) + 4HCl (g) A szenzorok kialakításához a PS vagy SCS alapanyagot dópolva (mesterségesen szennyezve) használják fel. SiH 4

3 A szilícium fizikai tulajdonságai AzSCSésPSfizikaitulajdonságaitöbb szempontból is eltérőek, amelyeket egyes effektusokon és azok hőmérséklet függésén, illetve a szennyező anyagok koncentrációján keresztül az alábbi grafikonok is szemléltetnek. Látható pl.: eltérő a fajlagos ellenállásuk a szennyezőkoncentráció függvényében pozitív és negatív hőmérsékleti koefficiens is kialakítható az ellenállás hőmérséklet függése sokkal erőteljesebb PS esetén (SCS esetében közel nulla a tényező) jelentős piezorezisztív érzékenysége van a PS nek Fajlagos ellenállás (A) és annak relatív változása a hőmérséklet és a szennyezőkoncentráció függvényében (B) A fajlagos ellenállás változása a hőmérséklet és szennyezőkonc. függvényében (A), valamint piezorezisztív effektus PS ben (B) A szilícium alapanyag módosítása: dópolás A Si alapanyag módosításának legfontosabb módszerei közé tartozik a dópolás/szennyezés. A Si intrinsic félvezető, vagyis benne a negatív (elektronok) és pozitív (lyukak, vakanciák) töltéshordozók azonos számban fordulnak elő. Ha szennyezők bevitelével a töltéshordozók arányát eltoljuk, akkor szennyezéses félvezetőtő hozunk létre. A szennyezések koncentrációja a /cm 3 körüli, vagyis ppm nagyságrendű arácsalkotósi hoz képest (kb /cm 3 ). n típusú szennyezéses félvezető: a P, As vagy Sb atomokat építenek be, amelyek szabad elektronokat juttatnak a kristályrácsba p típusú szennyezéses félvezető: B, Al vagy Ga atomokat építenek be, amelyek lyukakat juttatnak a kristályrácsba

4 A szilícium alapanyag módosítása: dópolás A Si alapanyag dópolását általában az epitaxiális növesztésével (a rétegvastagság növelése) párhuzamosan, vagy azzal alternálva szokták megvalósítani. A következő elterjedt, fontosabb módszerei ismertek a dópolásra: A) pirolízissel az epitaxiális növesztés során: a PS előállításához hasonlóan, a szilán származék gázba hidrogént és pl. foszfin (n típusú réteghez) vagy pl. bór trietil (ptípusú réteghez) adalékot is kevernek, ami szintén pirolizálódik. A módszer előnye, hogy lényegében tetszőleges vastagságú rétegek is előállíthatók vele (tip.: kb. 5 µm) és növesztésre amúgy is szükség van a félvezető struktúrák készítése során. B) diffúzió: kiteszik a Si lapkát a p vagy n típusú szennyező nagy koncentrációját tartalmazó anyagnak (azzal közvetlen kontaktusba hozzák), majd magas ( C) hőmérséklet alkalmazásával segítik a szennyezőknek a bediffundálását. Ma ritkán használják a módszert, mert bár nagy szennyező koncentrációk hozhatók létre így, a magas hőmérséklet és a felület felérdesítése előnytelen. C) ion implantáció: a gázhalmazállapotú dópoló forrást elbontjál (ionizálják), majd az ionokat kv feszültséggel gyorsítják, mágneses szektorban tisztítják és a nyalábot a félvezetőre irányítják. A módszer gyors, tiszta, de csak a legfelső kb. 1 µm réteg dópolható így. A szilícium alapanyag módosítása: oxidáció Fontos szerep jut az oxidációnak is a félvezető eszközök, struktúrák kialakítása során. A tiszta Si réteg kémiai ellenállóképessége ugyanis lényegesen kisebb, mint a SiO 2 rétegé, ezért mind a maratás, mind a diffúzió során, mind a környezeti hatásokkal szemben (nemkívánt szennyezések) sérülékenyebb, emellett a SiO 2 jó szigetelő is. Midezek miatt rendesen egy kb. 0.5 µm vastag oxidréteget mindig növesztenek a kész félvezetőő struktúrák felületére zárórétegként, illetve azon részeken, amelyeket nem akarnak kitenni az említett műveleteknek (diffúzió/maratás, stb.). Az oxidációt oxigén áramban vagy atmoszférában való hevítéssel történik.

5 A szilícium alapanyag módosítása: fotolitográfia, maratás A mikrostruktúrákat (szigeteket, sávokat, mélyedéseket, stb.) leginkább a fotolitográfia módszerével szokták kialakítani. Ennek (ma már robotizált) lépései a következők: 1. a felület tisztítása,. pl. H 2 O 2 tartalmú oldatokkal 2. a felület szárítása és fotolakk tapadását segítő adalék felvitele 3. viszkózus folyadék formájában felviszik a fotolakkot (photoresist) a felületre és a lapka párezres fordulatszámmal való megpörgetésével azt egy µm vastagságú egyenletes rétegben szétterítik, majd azt a felületre rászárítják C on (30 60 s) 4. egy pozitív vagy negatív maszkon (filmen) keresztül intenzív, egyenletes lézerfénnyel (excimer, UV) világítják meg a lapkát. Ez kémiai roncsolódást okoz a lakkban azokon a részeken, ahol a maszk átlátszik. 5. oldószeres mosás (előhívó, developer) következik, ami az exponált részeket kioldja a lakkból. 6. maratás (etching) következik, ami a lakk által már nem védett részeken megtámadja a félvezetőt, és a szükséges sebességgel kimarja azt. 7. a lakk maradványait oxidatív eljárással eltávolítják a felületről. Illusztrációképpen álljon itt egy Si alapú, nyomásmérő szenzor (piezorezisztorokból) készítésének menete. Si membrán

6 Illusztrációképpen álljon itt egy Si alapú, nyomásmérő szenzor (piezorezisztorokból) készítésének menete. piezorezisztorok Illusztrációképpen álljon itt egy Si alapú, nyomásmérő szenzor (piezorezisztorokból) készítésének menete. Alumínium kontakt felületek 6

7 Kiindulási alapanyag: kb. 400 µm vastag, <100> orientációjú n típusú Si lapka

8

9 KÉSZ!

10 Integrált áramkörök kialakítása félvezető, vezető és szigetelő rétegekből Lézeres mikrofabrikáció Az elmondottakon túl a mikrofabrikáció eszköztárába még sok módszer beletartozik, legfőképpen a lézerekkel megvalósított vágási, fúrási, felület érdesítési, film és rétegleválasztási műveletek, stb., amelyek nem csak félvezetőkben, hanem fémekben, polimerekben is megvalósíthatók és segíthetik a szenzorok vagy kapcsolódó MEMS (micro electromechanical systems) eszközök létrehozását.

11 A Si dióda (p n átmenet) működése Afélvezető dióda strukturálisan két, egymással szoros kontaktusba hozott p illetve n típusú félvezető rétegből áll. Funkcionális jellegzetessége, hogy az áram az egyik irányban könnyen átfolyik rajta, a másik irányban gyakorlatilag nem. Ebből adódóan az elektronikában egyenirányításra, jelfeldolgozásra, logikai áramkörök kialakítására használatos. A záróirányban előfeszített p n átmenetben a széles kiürített sávban nincsenek töltéshordozók, ezért az áramvezetés nagyon csekély (µa na nagyságrendű). Fotoszenzor kialakítására például az ad lehetőséget, hogy a megfelelő energiájú fotonok elnyelődése a félvezető anyagában elektron lyuk párokat hoz létre, ami áramlökésként jelentkezik az áramlökéseket megszámolva megállapítható, hány foton érkezett a szenzorra. A térvezérlésű tranzisztor (FET/MOSFET) működése A Field Effect Transistor (FET, vagy másképpen MOSFET) működésétazalábbiábra illusztrálja. Három kivezetéssel rendelkezik: a hordozóban (pl. p típusú Si) kialakított két n típusú sziget (a forrás vagy source ésanyelő vagy drain ), továbbá a két sziget között, a hordozó felett húzódó, elszigetelt fémelektród (kapu vagy gate ). Ha a kapuelektródán k nincs pozitív ií potenciál, akkor a forrás és nyelő elektródák között nincs vezetés, mivel azok két egymással szembefordított p n átmenetként viselkednek. Ha viszont a kapuelektródára megfelelően nagy pozitív potenciált kapcsolunk, akkor az oda vonzza magához a hordozóban található elektronokat, amelyek keresztirányban könnyen elmozdulhatnak, vagyis áramvezetés jön létre. Mindezek miatt a FET (és minden más tranzisztor is) kapcsolóként vagy erősítőként alkalmazható.

12 A térvezérlésű tranzisztor (FET/MOSFET) működése

Térvezérlésű tranzisztor

Térvezérlésű tranzisztor Térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztorok a vékonyréteg félvezetős eszközök kategoriájába sorolhatók és a tranzisztorok harmadik generációját képviselik. 1948-ban jelentik be amerikai kutatók

Részletesebben

A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.

A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,

Részletesebben

Hobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások

Hobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások 1 Felhasznált irodalom CONRAD Elektronik: Elektronikai kíséletező készlet útmutatója 2 FET tranzisztorok FET = Field Effect Transistor,

Részletesebben

F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok

F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect

Részletesebben

TFBE1301 Elektronika 1.

TFBE1301 Elektronika 1. E, Kísérleti Fizika Tanszék TFBE1301 Elektronika 1. Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect Transistor

Részletesebben

A PC vagyis a személyi számítógép. VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória

A PC vagyis a személyi számítógép. VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória i smer d meg! A PC vagyis a személyi számítógép VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória (lásd a klasszikus architekturájú univerzális számítógép rendszertömbvázlatát

Részletesebben

8.B 8.B. 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok

8.B 8.B. 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok Értelmezze az unipoláris tranzisztorok felépítését, mőködését, feszültség- és áramviszonyait, s emelje ki a térvezérlés szerepét! Rajzolja fel a legfontosabb

Részletesebben

- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok

- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezetı anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok - vezetık: normál körülmények között

Részletesebben

Szigetelők Félvezetők Vezetők

Szigetelők Félvezetők Vezetők Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).

Részletesebben

Villamos tulajdonságok

Villamos tulajdonságok Villamos tulajdonságok A vezetés s magyarázata Elektron függıleges falú potenciálgödörben: állóhullámok alap és gerjesztett állapotok Több elektron: Pauli-elv Sok elektron: Energia sávok Sávelméletlet

Részletesebben

Elektronika I. Dr. Istók Róbert. II. előadás

Elektronika I. Dr. Istók Róbert. II. előadás Elektronika I Dr. Istók Róbert II. előadás Tranzisztor működése n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban p-n átmeneteknél kiürített réteg jön létre Az emitter-bázis réteg között kialakult diódát emitterdiódának,

Részletesebben

GÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA. Mérési útmutató. Gyurkócza Csaba

GÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA. Mérési útmutató. Gyurkócza Csaba GÁZIONIZÁCIÓS DETEKTOROK VIZSGÁLATA Mérési útmutató Gyurkócza Csaba BME NTI 1997 2 Tartalom 1. BEVEZETÉS... 3 2. ELMÉLETI ÖSSZEFOGLALÁS... 3 2.1. Töltéshordozók keletkezése (ionizáció) töltött részecskéknél...

Részletesebben

XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN

XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN 2007. február 6. 1 Pálinkás József: Fizika 2. XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN Bevezetés: Az előző fejezetekben megismertük, hogy a kvantumelmélet milyen jól leírja az atomok és a molekulák felépítését.

Részletesebben

KONDUKTOMETRIÁS MÉRÉSEK

KONDUKTOMETRIÁS MÉRÉSEK A környezetvédelem analitikája KON KONDUKTOMETRIÁS MÉRÉSEK A GYAKORLAT CÉLJA: A konduktometria alapjainak megismerése. Elektrolitoldatok vezetőképességének vizsgálata. Oxálsav titrálása N-metil-glükamin

Részletesebben

Mit mond ki a Huygens elv, és miben több ehhez képest a Huygens Fresnel-elv?

Mit mond ki a Huygens elv, és miben több ehhez képest a Huygens Fresnel-elv? Ismertesse az optika fejlődésének legjelentősebb mérföldköveit! - Ókor: korai megfigyelések - Euklidész (i.e. 280) A fény homogén közegben egyenes vonalban terjed. Legrövidebb út elve (!) Tulajdonképpen

Részletesebben

Szilárd anyagok. Műszaki kémia, Anyagtan I. 7. előadás. Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék

Szilárd anyagok. Műszaki kémia, Anyagtan I. 7. előadás. Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Szilárd anyagok Műszaki kémia, Anyagtan I. 7. előadás Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Szilárd anyagok felosztása Szilárd anyagok Kristályos szerkezetűek Üvegszerű anyagok

Részletesebben

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Villamosmérnöki és Informatikai Kar. Doktori értekezés

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Villamosmérnöki és Informatikai Kar. Doktori értekezés Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar ELEKTRONVEZETŐ POLIMER ALAPÚ BIOKATALITIKUS HÚGYSAVÉRZÉKELŐ Doktori értekezés Készítette: Dobay Róbert okl. villamosmérnök

Részletesebben

ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat

ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat Tranzisztorok Elemi félvezető eszközök Alkalmazásuk Analóg áramkörökben: erősítők Digitális áramkörökben: kapcsolók Típusai BJT

Részletesebben

SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK

SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK ITRISIC (TISZTA) FÉLVEZETŐK E EXTRÉM AGY TISZTASÁG (kb: 10 10 Si, v. Ge, 1 szennyező atom) HIBÁTLA KRISTÁLYSZERKEZET abszolút nulla hőmérsékleten T = 0K = elektron kevés

Részletesebben

1 Elektronika 2 Jegyzet. Elektronika 2. Jegyzet

1 Elektronika 2 Jegyzet. Elektronika 2. Jegyzet 1 Elektronika 2 Jegyzet Elektronika 2 2010 Jegyzet 2 Elektronika 2 Jegyzet Fél vezetők A félvezetők úgy forradalmasították az ipart, mint ahogyan azt korábban a gőzgép tette. Ma már aligha lehetne olyan

Részletesebben

kapillárisok vizsgálatából szerzett felületfizikai információk széleskörűen alkalmazhatók az anyagvizsgálatban, vékonyrétegek analízisében.

kapillárisok vizsgálatából szerzett felületfizikai információk széleskörűen alkalmazhatók az anyagvizsgálatban, vékonyrétegek analízisében. Fiatal kutatói témák az Atomkiban 2009 1. ÚJ RÉSZECSKÉK KERESÉSE A CERN CMS DETEKTORÁVAL Új részecskék keresése a CERN CMS detektorával (Témavezető: Trócsányi Zoltán, zoltant@atomki.hu) Az új fiatal kutatói

Részletesebben

1. Atomspektroszkópia

1. Atomspektroszkópia 1. Atomspektroszkópia 1.1. Bevezetés Az atomspektroszkópia az optikai spektroszkópiai módszerek csoportjába tartozó olyan analitikai eljárás, mellyel az anyagok elemi összetételét határozhatjuk meg. Az

Részletesebben

A szilárd állapot. A szilárd állapot. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011

A szilárd állapot. A szilárd állapot. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 A szilárd állapot A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 1 Szobahőmérsékleten és légköri nyomáson szilárd halmazállapot létrejöttének feltétele, hogy a szilárd részecskék

Részletesebben

Elektronmikroszkópia. Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47

Elektronmikroszkópia. Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47 Elektronmikroszkópia Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47 x Miért van szükség elektronmikroszkópra? intenzitásprofil képernyő apertúra Egy fénnyel

Részletesebben

Különböző fényforrások (UV,VIS, IR) működési alapjai, legújabb fejlesztések

Különböző fényforrások (UV,VIS, IR) működési alapjai, legújabb fejlesztések Különböző fényforrások (UV,VIS, IR) működési alapjai, legújabb fejlesztések Sugárzás kölcsönhatása az anyaggal Készítette: Fehértói Judit (Z0S8CG) Fábián Balázs (IT23JG) Budapest, 2014.04.15. 1 Bevezetés:

Részletesebben

Galvanizálás a híradástechnikában

Galvanizálás a híradástechnikában BAJOR ANDRÁS F A R K A S SÁNDOR ORION Galvanizálás a híradástechnikában ETO 621.337.6/7:621.39 Az ipari fejlődés során az eredetileg díszítő és korrózióvédő bevonatok előállítására szolgáló galvanizálást

Részletesebben

Az elektrosztatika törvényei anyag jelenlétében, dielektrikumok

Az elektrosztatika törvényei anyag jelenlétében, dielektrikumok TÓTH.: Dielektrikumok (kibővített óravázlat) 1 z elektrosztatika törvényei anyag jelenlétében, dielektrikumok z elektrosztatika alatörvényeinek vizsgálata a kezdeti időkben levegőben történt, és a különféle

Részletesebben

A semleges testeket a + és a állapotú anyagok is vonzzák. Elnevezés: töltés: a negatív állapotú test negatív töltéssel, a pozitív állapotú test

A semleges testeket a + és a állapotú anyagok is vonzzák. Elnevezés: töltés: a negatív állapotú test negatív töltéssel, a pozitív állapotú test Elektrosztatika Elektromos alapjelenségek Egymással szorosan érintkező ( pl. megdörzsölt) felületű anyagok a szétválás után elektromos állapotba kerülnek. Azonos elektromos állapotú anyagok taszítják egymást,

Részletesebben

Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben

Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben Erdélyi Magyar Műszaki Tudományos Társaság Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben Kolozsvári Műszaki Egyetem Számítástechnika Kar Szerzők dr. Baruch Zoltán Bíró Botond dr. Buzás Gábor dr.

Részletesebben

Műanyagok galvanizálása

Műanyagok galvanizálása BAJOR ANDRÁS Dr. FARKAS SÁNDOR ORION Műanyagok galvanizálása ETO 678.029.665 A műanyagok az ipari termelés legkülönbözőbb területein speciális tulajdonságaik révén kiszorították az egyéb anyagokat. A hőre

Részletesebben

Kapacitív áramokkal működtetett relés áramkörök 621.316.92S:621.318.B7:S21.3S2.$

Kapacitív áramokkal működtetett relés áramkörök 621.316.92S:621.318.B7:S21.3S2.$ DR. GÁL JÓZSEF Budapesti Műszaki Egyetem Kapacitív áramokkal működtetett relés áramkörök BTO 621.316.92S:621.318.B7:S21.3S2.$ A cikk cím szerinti témáját két, egymástól időben nagyon távoleső kapcsolási

Részletesebben

Laptop: a fekete doboz

Laptop: a fekete doboz Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3

Részletesebben

4** A LINA 1 jelzésű félkész áramkör felépítése és alkalmazása DR. BALOGH BÉLÁNÉ-GERGELY ISTVÁN MÉHN MÁRTON MEV. 1. Bevezetés

4** A LINA 1 jelzésű félkész áramkör felépítése és alkalmazása DR. BALOGH BÉLÁNÉ-GERGELY ISTVÁN MÉHN MÁRTON MEV. 1. Bevezetés A LINA 1 jelzésű félkész áramkör felépítése és alkalmazása DR. BALOGH BÉLÁNÉ-GERGELY ISTVÁN MÉHN MÁRTON MEV ÖSSZEFOGLALÁS A LINA 1 félkész áramkör közepes bonyolultságú analóg áramkörök integrált formában

Részletesebben

A polimer elektronika

A polimer elektronika Tartalom A polimer elektronika Mi a polimer elektronika? Vezető szerves molekulák, ; a vezetés mechanizmusa Anyagválaszték: vezetők, félvezetők, fénykibocsátók szigetelők, hordozók Technológiák Eszközök

Részletesebben

Azonosító jel: KÉMIA EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA. 2006. október 31. 14:00. Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc

Azonosító jel: KÉMIA EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA. 2006. október 31. 14:00. Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc É RETTSÉGI VIZSGA 2006. október 31. KÉMIA EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2006. október 31. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS MINISZTÉRIUM

Részletesebben

A furatfémezett nyomtatott huzalozású lemezek előállítása

A furatfémezett nyomtatott huzalozású lemezek előállítása A furatfémezett nyomtatott huzalozású lemezek előállítása A nyomtatott huzalozású lemezek előállítására a szubtraktív, a féladditív és az additív technológia terjedt el. Mindhárom technológia egyaránt

Részletesebben

NANOELEKTRONIKA ÉS KATONAI ALKALMAZÁSAI

NANOELEKTRONIKA ÉS KATONAI ALKALMAZÁSAI Nánai László NANOELEKTRONIKA ÉS KATONAI ALKALMAZÁSAI A mikroelektronika és a számítástechnika rendkívül gyors fejlődésének következményeképpen az eszközkomponensek mérete rendkívül gyors ütemben csökkent,

Részletesebben

Diagnosztikai röntgen képalkotás, CT

Diagnosztikai röntgen képalkotás, CT Diagnosztikai röntgen képalkotás, CT ALAPELVEK A röntgenkép a röntgensugárzással átvilágított test árnyéka. A detektor vagy film az áthaladó, azaz nem elnyelt sugarakat érzékeli. A képen az elnyelő tárgyaknak

Részletesebben

Elektromágneses sugárözönben élünk

Elektromágneses sugárözönben élünk Elektromágneses sugárözönben élünk Az Életet a Nap, a civilizációnkat a Tűz sugarainak köszönhetjük. - Ha anya helyett egy isten nyitotta föl szemed, akkor a halálos éjben mindenütt tűz, tűz lobog fel,

Részletesebben

Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet. Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC)

Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet. Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC) Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC) Laboratóriumi gyakorlatok Mérési útmutató 3. Hall-szondák alkalmazásai a. Félvezető

Részletesebben

Nehéz töltött részecskék (pl. α-sugárzás) kölcsönhatása

Nehéz töltött részecskék (pl. α-sugárzás) kölcsönhatása Az ionizáló sugárzások kölcsönhatása anyaggal, nehéz és könnyű töltött részek kölcsönhatása, röntgen és γ-sugárzás kölcsönhatása Az ionizáló sugárzások mérése, gáztöltésű detektorok (ionizációs kamra,

Részletesebben

Polimer nanokompozitok

Polimer nanokompozitok Polimer nanokompozitok Hári József és Pukánszky Béla BME Fizikai Kémia és Anyagtudományi Tanszék Műanyag- és Gumiipari Laboratórium MTA TTK Anyag- és Környezetkémiai Intézet 2013. november 6. Tartalom

Részletesebben

MŰGYANTA FELHASZNÁLÁSÁVAL KAPCSOLATOS INFORMÁCIÓK

MŰGYANTA FELHASZNÁLÁSÁVAL KAPCSOLATOS INFORMÁCIÓK MŰGYANTA FELHASZNÁLÁSÁVAL KAPCSOLATOS INFORMÁCIÓK Általános tudnivalók Kötési mechanizmus: A műgyanta a hagyományos ragasztókkal illetve kötőanyagokkal szemben nem az oldószer elpárologtatásával köt meg,

Részletesebben

Fókuszált ionsugaras megmunkálás

Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Dankházi Zoltán 2013. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok

Részletesebben

Új kötőanyagrendszer előállítása ipari hulladékanyag mechanokémiai aktiválásával

Új kötőanyagrendszer előállítása ipari hulladékanyag mechanokémiai aktiválásával Új kötőanyagrendszer előállítása ipari hulladékanyag mechanokémiai aktiválásával Szerző: Hullár Hanna Dóra, Anyagmérnök BSc, IV. évfolyam Témavezető: Balczár Ida Anna, PhD hallgató Munka helyszíne: PE-MK,

Részletesebben

Áramvezetés Gázokban

Áramvezetés Gázokban Áramvezetés Gázokban Líceumban láthattuk több alkalommal az elektromos áram hatásait, mikor fémes vezetőre egyen-, vagy váltóáramot kapcsolunk. Megfigyelhettük a hőtermelés és hő elnyeléssel kapcsolatos

Részletesebben

Elektromágneses hullámok, a fény

Elektromágneses hullámok, a fény Elektromágneses hullámok, a fény Az elektromos töltéssel rendelkező testeknek a töltésük miatt fellépő kölcsönhatását az elektromos és mágneses tér segítségével írhatjuk le. A kölcsönhatás úgy működik,

Részletesebben

KOCH VALÉRIA GIMNÁZIUM HELYI TANTERV FIZIKA. 7-8. évfolyam. 9-11. évfolyam valamint a. 11-12. évfolyam emelt szintű csoport

KOCH VALÉRIA GIMNÁZIUM HELYI TANTERV FIZIKA. 7-8. évfolyam. 9-11. évfolyam valamint a. 11-12. évfolyam emelt szintű csoport KOCH VALÉRIA GIMNÁZIUM HELYI TANTERV FIZIKA 7-8. évfolyam 9-11. évfolyam valamint a 11-12. évfolyam emelt szintű csoport A tanterv készítésekor a fejlesztett kompetenciákat az oktatási célok közül vastag

Részletesebben

KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA

KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA ÉRETTSÉGI VIZSGA 2014. május 19. FIZIKA KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2014. május 19. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 120 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK MINISZTÉRIUMA Fizika

Részletesebben

SPEKTROFOTOMETRIAI MÉRÉSEK

SPEKTROFOTOMETRIAI MÉRÉSEK SPEKTROFOTOMETRIAI MÉRÉSEK Elméleti bevezetés Ha egy anyagot a kezünkbe veszünk (valamilyen technológiai céllal alkalmazni szeretnénk), elsı kérdésünk valószínőleg az lesz, hogy mi ez az anyag, milyen

Részletesebben

Teljesítményelektronika

Teljesítményelektronika Teljesítményelektronika Szakirodalom Csáky-Ganszky-Ipsits-Marti, Teljesítményelektronika, Műszaki Könyvkiadó, Budapest, 1971. Heumann, K., A teljesítményelektronika alapjai, Műszaki Könyvkiadó, Budapest,

Részletesebben

Az elemeket 3 csoportba osztjuk: Félfémek vagy átmeneti fémek nemfémek. fémek

Az elemeket 3 csoportba osztjuk: Félfémek vagy átmeneti fémek nemfémek. fémek Kémiai kötések Az elemeket 3 csoportba osztjuk: Félfémek vagy átmeneti fémek nemfémek fémek Fémek Szürke színűek, kivétel a színesfémek: arany,réz. Szilárd halmazállapotúak, kivétel a higany. Vezetik az

Részletesebben

AZ ÉGÉSGÁTLÁS KÖRNYEZETI HATÁSAINAK VIZSGÁLATA

AZ ÉGÉSGÁTLÁS KÖRNYEZETI HATÁSAINAK VIZSGÁLATA Bevezető AZ ÉGÉSGÁTLÁS KÖRNYEZETI HATÁSAINAK VIZSGÁLATA A műanyagok felhasználási területe egyre bővül, így mennyiségük is rohamosan növekszik. Elhasználódás után csekély hányaduk kerül csak újrahasznosításra,

Részletesebben

Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok. BME Anyagtudomány és Technológia Tsz.

Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok. BME Anyagtudomány és Technológia Tsz. Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok BME Anyagtudomány és Technológia Tsz. Bevezetés A kerámiákat régóta használja az orvostechnika implantátumanyagként, elsõsorban bioinert tulajdonságaik, kopásállóságuk

Részletesebben

1. Prefix jelentések. 2. Mi alapján definiáljuk az 1 másodpercet? 3. Mi alapján definiáljuk az 1 métert? 4. Mi a tömegegység definíciója?

1. Prefix jelentések. 2. Mi alapján definiáljuk az 1 másodpercet? 3. Mi alapján definiáljuk az 1 métert? 4. Mi a tömegegység definíciója? 1. Prefix jelentések. 10 1 deka 10-1 deci 10 2 hektó 10-2 centi 10 3 kiló 10-3 milli 10 6 mega 10-6 mikró 10 9 giga 10-9 nano 10 12 tera 10-12 piko 10 15 peta 10-15 fento 10 18 exa 10-18 atto 2. Mi alapján

Részletesebben

Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei

Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekI.Közgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési

Részletesebben

Nagy Sándor: RADIONUKLIDOK ELVÁLASZTÁSA Leírás a Vegyész MSc Nukleáris analitikai labor 2. méréséhez

Nagy Sándor: RADIONUKLIDOK ELVÁLASZTÁSA Leírás a Vegyész MSc Nukleáris analitikai labor 2. méréséhez Bevezető Nagy Sándor: RADIONUKLIDOK ELVÁLASZTÁSA Leírás a Vegyész MSc Nukleáris analitikai labor 2. méréséhez A Függelékben két eredeti angol nyelvű szemelvényt olvashatunk néhány elválasztási módszer

Részletesebben

Tartalom ELEKTROSZTATIKA AZ ELEKTROMOS ÁRAM, VEZETÉSI JELENSÉGEK A MÁGNESES MEZÕ

Tartalom ELEKTROSZTATIKA AZ ELEKTROMOS ÁRAM, VEZETÉSI JELENSÉGEK A MÁGNESES MEZÕ Tartalom ELEKTROSZTATIKA 1. Elektrosztatikai alapismeretek... 10 1.1. Emlékeztetõ... 10 2. Coulomb törvénye. A töltésmegmaradás törvénye... 14 3. Az elektromos mezõ jellemzése... 18 3.1. Az elektromos

Részletesebben

NANOELEKTRONIKA JEGYZET MIZSEI JÁNOS RÉSZEIHEZ

NANOELEKTRONIKA JEGYZET MIZSEI JÁNOS RÉSZEIHEZ NANOELEKTRONIKA JEGYZET MIZSEI JÁNOS RÉSZEIHEZ Készítette: Riedl Tamás Tartalomjegyzék 1. Történeti áttekintés... 3 2. A technológia fejlődése, alapok... 3 A MOS tranzisztor... 4 3. Nemlinearitás: A bináris

Részletesebben

MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT. 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu

MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT. 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT 1241 Budapest, Pf. 62 Telefon 317-2421, Fax 266-6794 e-mail: hcpc.bp@euroweb.hu Tartalom 1. A villamos csatlakozások és érintkezôk fajtái............................5 2. Az érintkezések

Részletesebben

BŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz

BŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz BŐVÍTETT TEMATIKA a Kondenzált anyagok fizikája c. tárgyhoz Az anyag szerveződési formái Ebben a részben bemutatjuk az anyag elemi építőköveinek sokszerű kapcsolódási formáit, amelyek makroszkopikusan

Részletesebben

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK Nagy Gábor1 1 - Vincze Árpád 2 FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK Absztrakt Mindennapi életünkben igen gyakori feladat a radioaktív sugárzások mérése, pl. laboratóriumokban, üzemekben,

Részletesebben

Elektrotermikus mikrorendszerek modellezése és karakterizációja

Elektrotermikus mikrorendszerek modellezése és karakterizációja Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektrotermikus mikrorendszerek modellezése és karakterizációja Doktori értekezés Szerző: Szabó Péter Gábor Témavezető:

Részletesebben

Kimenő üzemmód ; Teljesítmény

Kimenő üzemmód ; Teljesítmény állítható, ezért gyógyászati anyagként is használhatóak: leszűkült érbe húzva megakadályozza a vérrögök haladását miután a test hőmérsékletén rugóvá ugrik vissza. Hasonlóan széles körben használják az

Részletesebben

Eredmények és feladatok a hibrid vastagréteg technikában ETO 621.3.049.776.21

Eredmények és feladatok a hibrid vastagréteg technikában ETO 621.3.049.776.21 DUTKA TIBOR DR. SZABÓ LÁSZLÓ WOLLITZER GYÖRGY: Eredmények és feladatok a hibrid vastagréteg technikában ETO 621.3.049.776.21 Általános áttekintés A magyar elektronikai ipar előtt álló hosszú távú feladatok,

Részletesebben

- 1 - Tubics József K. P. K. P.

- 1 - Tubics József K. P. K. P. - - Tubics József.A. CSOPORTOSÍTSA A KÉTPÓLUSOKAT ÉS ÉRTELMEZZE AZ EGYES CSOPORTOK JELLEMZŐ TULAJDONSÁGAIT! MAGYARÁZZA EL A NORTON ÉS A THEVENIN TÉTELT, MUTASSON PÉLDÁT ALKALMAZÁSUKRA! ISMERTESSE A GYAKORIBB

Részletesebben

Hibrid Integrált k, HIC

Hibrid Integrált k, HIC Hordozók Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek

Részletesebben

A talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor

A talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor Bevezetés talliummal szennyezett NaI egykristály, mint gammasugárzás-detektor z ember már õsidõk óta ki van téve a radioaktív sugárzásoknak 1 1 ( α, β, γ, n, p, ν, ~,... ). Egy személy évi sugárterhelésének

Részletesebben

Termoelektromos polimerek és polimerkompozitok

Termoelektromos polimerek és polimerkompozitok MŰANYAGFAJTÁK Termoelektromos polimerek és polimerkompozitok A villamos energia hőmérséklet-különbséggé vagy fordítva a hőmérséklet-különbség villamos energiává való közvetlen átalakítása bizonyos polimerekkel

Részletesebben

Kétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése

Kétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése Kétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése Ebben a jegyzetben a Nyomtatott Áramköri Kártyák előállításának főbb műveletei olvashatók úgy, hogy az elméleti ismertetés kapcsolódik a

Részletesebben

Tárgyszavak: kompozit; önerősítés; polipropilén; műanyag-feldolgozás; mechanikai tulajdonságok.

Tárgyszavak: kompozit; önerősítés; polipropilén; műanyag-feldolgozás; mechanikai tulajdonságok. MŰANYAGFAJTÁK Önerősített műanyagkompozitok Az önerősített polimerrendszerek amelyek alapanyaga döntően polipropilén előállítására ma már több technológia ismert. Ütésállóságuk és szilárdságuk nagyobb

Részletesebben

Dokumentum száma. Oktatási segédlet. ESD Alapismeretek. Kiadás dátuma: 2009.10.20. ESD alapismeretek. Készítette: Kovács Zoltán

Dokumentum száma. Oktatási segédlet. ESD Alapismeretek. Kiadás dátuma: 2009.10.20. ESD alapismeretek. Készítette: Kovács Zoltán Oktatási segédlet ESD Alapismeretek Dokumentum száma Kiadás dátuma: 2009.10.20. ESD alapismeretek Készítette: Kovács Zoltán 1 Kivel nem fordult még elő, hogy az ajtókilincs megérintésekor összerándult?

Részletesebben

L Ph 1. Az Egyenlítő fölötti közelítőleg homogén földi mágneses térben a proton (a mágneses indukció

L Ph 1. Az Egyenlítő fölötti közelítőleg homogén földi mágneses térben a proton (a mágneses indukció A 2008-as bajor fizika érettségi feladatok (Leistungskurs) Munkaidő: 240 perc (A vizsgázónak két, a szakbizottság által kiválasztott feladatsort kell kidolgoznia) L Ph 1 1. Kozmikus részecskék mozgása

Részletesebben

2. modul 2. lecke: Oxidkerámiák

2. modul 2. lecke: Oxidkerámiák 2. modul 2. lecke: Oxidkerámiák A lecke célja, az egyes oxidkerámia fajták szerkezetének, tulajdonságainak, alkalmazásainak a megismerése. Rendkívül érdekes általános és speciális alkalmazási területekkel

Részletesebben

A tételekhez segédeszköz nem használható.

A tételekhez segédeszköz nem használható. A vizsgafeladat ismertetése: Egy kiválasztott műanyag jellemző fizikai és kémiai tulajdonságainak ismertetése Adott műanyag termék gyártásához anyag, gép és szerszám választása, majd a gyártástechnológia

Részletesebben

ψ a hullámfüggvény KVANTUMELEKTRONIKA Kvantummechanikai alapok

ψ a hullámfüggvény KVANTUMELEKTRONIKA Kvantummechanikai alapok KVANTUMELEKTRONIKA Kvantummechanikai alapok Miért nem jó a klasszikus megközelítés azon módon, ahogy a mikroelektronika dolgozik és eszközöket épít? Egyre komolyabb akadályok és nehézségek merülnek fel

Részletesebben

Kötő- és rögzítőtechnológiák

Kötő- és rögzítőtechnológiák Kötő- és rögzítőtechnológiák Szilárd anyagok illeszkedő felületük mentén külső (fizikai eredetű) vagy belső (kémiai eredetű) erővel köthetők össze. Külső erőnek az anyagok darabjait összefogó, összeszorító

Részletesebben

(1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London)

(1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London) 100 éve született Gábor Dénes Gábor Dénes a holográfia atyja (1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London) A jövõt nem lehet megjósolni, de jövõnket föl lehet találni. Gábor Dénes Gábor Dénes, angol

Részletesebben

POLIÉSZTER ALAPÚ ABLONCZY MŰGYANTA

POLIÉSZTER ALAPÚ ABLONCZY MŰGYANTA POLIÉSZTER ALAPÚ ABLONCZY MŰGYANTA ÁLTALÁNOS TUDNIVALÓK Kötési mechanizmus: A műgyanta a hagyományos ragasztókkal, illetve kötőanyagokkal szemben nem az oldószer elpárologtatásával köt meg, hanem a B komponens

Részletesebben

17. Kapcsolok. 26. Mit nevezünk crossbar kapcsolónak? Egy olyan kapcsoló, amely több bemenet és több kimenet között kapcsol mátrixos módon.

17. Kapcsolok. 26. Mit nevezünk crossbar kapcsolónak? Egy olyan kapcsoló, amely több bemenet és több kimenet között kapcsol mátrixos módon. Fotonika 4.ZH 17. Kapcsolok 26. Mit nevezünk crossbar kapcsolónak? Egy olyan kapcsoló, amely több bemenet és több kimenet között kapcsol mátrixos módon. 27. Soroljon fel legalább négy optikai kapcsoló

Részletesebben

τ Γ ħ (ahol ħ=6,582 10-16 evs) 2.3. A vizsgálati módszer: Mössbauer-spektroszkópia (Forrás: Buszlai Péter, szakdolgozat) 2.3.1. A Mössbauer-effektus

τ Γ ħ (ahol ħ=6,582 10-16 evs) 2.3. A vizsgálati módszer: Mössbauer-spektroszkópia (Forrás: Buszlai Péter, szakdolgozat) 2.3.1. A Mössbauer-effektus 2.3. A vizsgálati módszer: Mössbauer-spektroszkópia (Forrás: Buszlai Péter, szakdolgozat) 2.3.1. A Mössbauer-effektus A Mössbauer-spektroszkópia igen nagy érzékenységű spektroszkópia módszer. Alapfolyamata

Részletesebben

1. Ismertesse és ábrán is szemléltesse a BGA tokozás (műanyag és kerámia) szerkezeti felépítését és

1. Ismertesse és ábrán is szemléltesse a BGA tokozás (műanyag és kerámia) szerkezeti felépítését és 1. Ismertesse és ábrán is szemléltesse a BGA tokozás (műanyag és kerámia) szerkezeti felépítését és röviden ismertesse technológiáját! Műanyag tokozás Kerámia tokozás: A bumpok megnyúlnak, vetemednek,

Részletesebben

Tevékenység: Olvassa el a fejezetet! Gyűjtse ki és jegyezze meg a ragasztás előnyeit és a hátrányait! VIDEO (A ragasztás ereje)

Tevékenység: Olvassa el a fejezetet! Gyűjtse ki és jegyezze meg a ragasztás előnyeit és a hátrányait! VIDEO (A ragasztás ereje) lvassa el a fejezetet! Gyűjtse ki és jegyezze meg a ragasztás előnyeit és a hátrányait! VIDE (A ragasztás ereje) A ragasztás egyre gyakrabban alkalmazott kötéstechnológia az ipari gyakorlatban. Ennek oka,

Részletesebben

Nyomtatott huzalozású lemezek technológiája

Nyomtatott huzalozású lemezek technológiája NYÁK, PCB (Printed Circuit Board), NYHL, PWB (~ Wiring ~) Nyomtatott huzalozású lemezek technológiája Vezetőhálózat + mechanikai tartás + szerelési alap Előnyök: Nagyobb terhelhetőség, jobb disszipáció

Részletesebben

Szerves kémiai analízis TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ

Szerves kémiai analízis TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ BSC ANYAGMÉRNÖK SZAK VEGYIPARI TECHNOLÓGIAI SZÁMÁRA KÖTELEZŐ TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM MŰSZAKI ANYAGTUDOMÁNYI KAR KÉMIAI INTÉZET Miskolc, 2016 1 Tartalomjegyzék 1. Tantárgyleírás,

Részletesebben

KOVÁCS ENDRe, PARIpÁS BÉLA, FIZIkA II.

KOVÁCS ENDRe, PARIpÁS BÉLA, FIZIkA II. KOVÁCS ENDRe, PARIpÁS BÉLA, FIZIkA II. 4 ELeKTROMOSSÁG, MÁGNeSeSSÉG IV. MÁGNeSeSSÉG AZ ANYAGbAN 1. AZ alapvető mágneses mennyiségek A mágneses polarizáció, a mágnesezettség vektora A nukleonok (proton,

Részletesebben

A 2014. évi fizikai Nobel díj kapcsán. Vass László Percept kft www.percept.hu 2014. október 16.

A 2014. évi fizikai Nobel díj kapcsán. Vass László Percept kft www.percept.hu 2014. október 16. A 2014. évi fizikai Nobel díj kapcsán Vass László Percept kft www.percept.hu 2014. október 16. 2014. évi fizikai Nobel díj, 1/3 Isamu Akasaki Született: 1929, Chiran, Japan A Meijo University, Nagoya,

Részletesebben

Elektromos áram, áramkör, ellenállás

Elektromos áram, áramkör, ellenállás Elektromos áram, áramkör, ellenállás Az anyagok szerkezete Az anyagokat atomok, molekulák építik fel, ezekben negatív elektromos állapotú elektronok és pozitív elektromos állapotú protonok vannak. Az atomokban

Részletesebben

Fizikai kémia és radiokémia labor II, Laboratóriumi gyakorlat: Spektroszkópia mérés

Fizikai kémia és radiokémia labor II, Laboratóriumi gyakorlat: Spektroszkópia mérés Fizikai kémia és radiokémia labor II, Laboratóriumi gyakorlat: Spektroszkópia mérés A gyakorlatra vigyenek magukkal pendrive-ot, amire a mérési adatokat átvehetik. Ajánlott irodalom: P. W. Atkins: Fizikai

Részletesebben

Tárgyszavak: alakmemória-polimerek; elektromosan vezető adalékok; nanokompozitok; elektronika; dópolás.

Tárgyszavak: alakmemória-polimerek; elektromosan vezető adalékok; nanokompozitok; elektronika; dópolás. MŰANYAGFAJTÁK Elektroaktív polimerek Nikkel és vas-oxid tartalmú keverékek előállítását és tulajdonságait vizsgálták a vezetőképesség növelése és alakmemóriával rendelkező polimerek előállítása céljából.

Részletesebben

Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei

Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekI.Közgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési

Részletesebben

OSZTÁLYOZÓ VIZSGA TÉMAKÖREI

OSZTÁLYOZÓ VIZSGA TÉMAKÖREI OSZTÁLYOZÓ VIZSGA TÉMAKÖREI Az anyag néhány tulajdonsága, kölcsönhatások Fizika - 7. évfolyam 1. Az anyag belső szerkezete légnemű, folyékony és szilárd halmazállapotban 2. A testek mérhető tulajdonságai

Részletesebben

(11) Lajstromszám: E 004 339 (13) T2 EURÓPAI SZABADALOM SZÖVEGÉNEK FORDÍTÁSA

(11) Lajstromszám: E 004 339 (13) T2 EURÓPAI SZABADALOM SZÖVEGÉNEK FORDÍTÁSA !HU000004339T2! (19) HU (11) Lajstromszám: E 004 339 (13) T2 MAGYAR KÖZTÁRSASÁG Magyar Szabadalmi Hivatal EURÓPAI SZABADALOM SZÖVEGÉNEK FORDÍTÁSA (21) Magyar ügyszám: E 0 722232 (22) A bejelentés napja:

Részletesebben

2. ábra: A belső érintkezősorok

2. ábra: A belső érintkezősorok 1.1 Dugaszolós felület A kísérleteket egy labor kísérleti kártyán építjük meg. A 2,54 mm raszteres, 270 kontaktusos dugaszoló felület biztosítja az alkatrészek biztos összekötését. Conrad Szaküzlet 1067

Részletesebben

Intelligens Rendszerek Elmélete

Intelligens Rendszerek Elmélete Intelligens Rendszerek Elmélete dr. Kutor László http://mobil.nik.bmf.hu/tantargyak/ire.html felhasználónév: ire jelszó: IRE06 IRE 3/1 A technikai érzékelők csoportosítása a beépített intelligencia alapján

Részletesebben

Kétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése

Kétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése Kétoldalas, furatfémezett nyomtatott huzalozású lemez készítése - x x x - 1. gyakorlat - x x x - Fúrás (méretre vágott, kifúrt lemezekkel indulunk) Furatfémezés Cél, a folírozott lemez lyukainak falára

Részletesebben

Polimerek fizikai, mechanikai, termikus tulajdonságai

Polimerek fizikai, mechanikai, termikus tulajdonságai SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM ANYAGISMERETI ÉS JÁRMŰGYÁRTÁSI TANSZÉK POLIMERTECHNIKA NGB_AJ050_1 Polimerek fizikai, mechanikai, termikus tulajdonságai DR Hargitai Hajnalka Polimerek / Műanyagok monomer egységekből,

Részletesebben

Hobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET)

Hobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET) Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET) 1 Felhasznált irodalom Sulinet Tudásbázis: Unipoláris tranzisztorok Electronics Tutorials: The MOSFET CONRAD Elektronik: Elektronikai

Részletesebben

ELEKTROFORÉZIS TECHNIKÁK

ELEKTROFORÉZIS TECHNIKÁK 11. fejezet ELEKTROFORÉZIS TECHNIKÁK ELEKTROFORÉZIS Olyan elválasztási technikák, amelyben a molekulák elektromos erőtér hatására különbözőképpen mozdulnak el, és ezáltal szétválaszthatók. Dr. Pécs Miklós

Részletesebben

PÉCSI TUDOMÁNYEGYETEM Kémia Doktori Iskola. Új típusú rétegek optikai ammónia érzékelőkhöz. PhD értekezés Markovics Ákos

PÉCSI TUDOMÁNYEGYETEM Kémia Doktori Iskola. Új típusú rétegek optikai ammónia érzékelőkhöz. PhD értekezés Markovics Ákos PÉCSI TUDOMÁNYEGYETEM Kémia Doktori Iskola Új típusú rétegek optikai ammónia érzékelőkhöz PhD értekezés Markovics Ákos Témavezető: Dr. Kovács Barna egyetemi docens PÉCS, 2013 Tartalomjegyzék Tartalomjegyzék

Részletesebben