MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

Hasonló dokumentumok
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

DR. KOVÁCS ERNŐ ELEKTRONIKA II. (DISZKRÉT FÉLVEZETŐK, ERŐSÍTŐK) ELŐADÁS JEGYZET

Miért érdekes? Magsugárzások. Az atommag felépítése. Az atom felépítése

Miért érdekes? Magsugárzások. Az atommag felépítése. Az atom felépítése

SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás

Miért érdekes? Magsugárzások. Az atom felépítése. Az atommag felépítése. Semmelweis Egyetem Biofizikai és Sugárbiológiai Intézet

Elektromos vezetési tulajdonságok

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék. Trendek az anyagtudományban Vezetési jelenségek Dr. Mészáros István 2013.

Egyenáram. Áramkörök jellemzése Fogyasztók és áramforrások kapcsolása Az áramvezetés típusai

Szilárdtestek sávelmélete. Sávelmélet a szabadelektron-modell alapján

Bevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák

Diffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)

Diffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd

Elektronika Előadás. Mikroelektronikai félvezetők fizikai alapjai. PN átmenet, félvezető diódák. Diódatípusok, jellemzők, alkalmazások.

A statisztikai vizsgálat tárgyát képező egyedek összességét statisztikai sokaságnak nevezzük.

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

Alapfogalmak. Szigetelők. Ohm törvény: j = E = 1/ Vezetők - szigetelők. [ cm] -1. Ag, Cu, Al. Fe, Ni. Félvezetők Ge, Si. üvegek, polimerek kerámiák

-A homogén detektorok közül a gyakorlatban a Si és a Ge egykristályból készültek a legelterjedtebbek.

Elektromos áram. Vezetési jelenségek

Vezetési jelenségek, vezetőanyagok

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke.

A KÉMIAI POTENCIÁL A KÉMIAI POTENCIÁL A KÉMIAI POTENCIÁL A KÉMIAI POTENCIÁL I. A TÖKÉLETES GÁZ KÉMIAI POTENCIÁLJA

A töltéshordozók meghatározott irányú rendezett mozgását elektromos áramnak nevezzük. Az áram irányán a pozitív részecskék áramlási irányát értjük.

PN átmenet kivitele. (B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) A=anód, K=katód

Elektromos vezetés, mágneses ellenállás és Hall-effektus vizsgálata félvezetőkben

Vizsgatételek főiskolai szintű villamosmérnök szakos levelező hallgatók számára Fizika II. GEFIT122L

A FUNDAMENTÁLIS EGYENLET KÉT REPREZENTÁCIÓBAN. A függvény teljes differenciálja, a differenciális fundamentális egyenlet: U V S U + dn 1

Vezetési jelenségek, vezetőanyagok. Elektromos vezetési folyamatban töltést továbbító (elmozdulni képes) részecskék:

Fizika 1 Elektrodinamika beugró/kis kérdések

3.1. ábra ábra

1. fejezet. Gyakorlat C-41

Villamos tulajdonságok

Az anyagok vezetési tulajdonságai (segédanyag a "Vezetési jelenségek" című gyakorlathoz)

5. Laboratóriumi gyakorlat. A p-n ÁTMENET HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE

2. Gázok 2.1. Ideális gáz. Első rész: előző előadás folytatása. Gázok. Fázisátalakulások. További példák a Boltzmann eloszlás következményeire

Vezetékek. Fizikai alapok

III. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján?

Kirchhoff 2. törvénye (huroktörvény) szerint az áramkörben levő elektromotoros erők. E i = U j (3.1)

Anyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió

FIZIKA II. Egyenáram. Dr. Seres István

1. feladat R 1 = 2 W R 2 = 3 W R 3 = 5 W R t1 = 10 W R t2 = 20 W U 1 =200 V U 2 =150 V. Megoldás. R t1 R 3 R 1. R t2 R 2

A FÉMES KÖTÉS ÉRTELMEZÉSE A SZABADELEKTRON MODELL ALAPJÁN

Anyagtudomány: hagyományos szerkezeti anyagok és polimerek

1. elıadás: Bevezetés. Számonkérés. Irodalom. Valószínőségszámítás helye a tudományok között. Cél

Fermi Dirac statisztika elemei

A kommutáció elve. Gyűrűs tekercselésű forgórész. Gyűrűs tekercselésű kommutátoros forgórész

A HŐMÉRSÉKLETI SUGÁRZÁS

1. SI mértékegységrendszer

Diffúzió 2003 március 28

ε v ε c Sávszerkezet EMLÉKEZTETŐ Teljesen betöltött sáv: félvezető Hol van a kémiai potenciál? Fermi-Dirac statisztika exponenciális lecsengés

Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 9. Hőtani, elektromos és kémiai tulajdonságok

A KÉMIAI POTENCIÁL A KÉMIAI POTENCIÁL A KÉMIAI POTENCIÁL A KÉMIAI POTENCIÁL A KÉMIAI POTENCIÁL I. A TÖKÉLETES GÁZ KÉMIAI POTENCIÁLJA

ELLENÁLLÁSOK HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE. Az ellenállások, de általában minden villamos vezetőanyag fajlagos ellenállása 20 o

Rugalmas elektronszórás; Recoil- és Doppler-effektus megfigyelése

Elektronika Alapismeretek

IRODALOM. Elektronika

F1301 Bevezetés az elektronikába Félvezető diódák

XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN

-2σ. 1. A végtelen kiterjedésű +σ és 2σ felületi töltéssűrűségű síklapok terében az ábrának megfelelően egy dipól helyezkedik el.

Fizika 1 Elektrodinamika belépő kérdések

Magyarkuti András. Nanofizika szeminárium JC Március 29. 1

Fizika II minimumkérdések. A zárójelben lévő értékeket nem kötelező memorizálni, azok csak tájékoztató jellegűek.

(2) Határozzuk meg a következő területi integrálokat a megadott halmazokon: x sin y dx dy, ahol T : 0 x 1, 2 y 3.

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

6. Félvezető lézerek

Elektron mozgása kristályrácsban Drude - féle elektrongáz

Bevezetés a részecske fizikába

Kvantummechanika II. 8. előadás

Szigetelők Félvezetők Vezetők

SEMMELWEIS EGYETEM. Biofizikai és Sugárbiológiai Intézet, Nanokémiai Kutatócsoport. Zrínyi Miklós

XI. előad április 22. Definíci. Elektromos tulajdonságok: az anyagok elektromos tér hatására adott válasza

Vezetési jelenségek, vezetőanyagok

Az iparosodás és az infrastrukturális fejlődés típusai

Az átlagra vonatkozó megbízhatósági intervallum (konfidencia intervallum)

Félvezetők és a digitális világ: anyagtudományi vonatkozások

Félvezetk vizsgálata

Hall-szondák alkalmazásai

Sorbanállási modellek

TANMENET FIZIKA. 10. osztály. Hőtan, elektromosságtan. Heti 2 óra

A bipoláris tranzisztor FET Térvezérlésű tranzisztor 32

AZ ÉPÜLETGÉPÉSZETI RENDSZEREK ENERGIA-HATÉKONYSÁGÁNAK KÉRDÉSEI

Hatvani István fizikaverseny forduló megoldások. 1. kategória. J 0,063 kg kg + m 3

Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal

Sok részecskéből álló rendszerek leírása II. rész Fény abszorpció

ORVOSI STATISZTIKA. Az orvosi statisztika helye. Egyéb példák. Példa: test hőmérséklet. Lehet kérdés? Statisztika. Élettan Anatómia Kémia. Kérdések!

Fizika M1 - A szilárdtestfizika alapjai. Gépészmérnök és Energetikai mérnök mesterszak

1.feladat. Megoldás: r r az O és P pontok közötti helyvektor, r pedig a helyvektor hosszának harmadik hatványa. 0,03 0,04.

Elektrodinamika. Maxwell egyenletek: Kontinuitási egyenlet: div n v =0. div E =4 div B =0. rot E = rot B=

Elektromos áramerősség

1. A radioaktivitás statisztikus jellege

4.B 4.B. A félvezetı anyagok fizikája (sajátvezetés, szennyezés, áramvezetés félvezetıkben)

X = 9, mol. ph = 4,07 [H + ] = 8, mol/dm 3 Gyenge sav ph-jának a számolása (általánosan alkalmazható képlet):

Az Ampère-Maxwell-féle gerjesztési törvény

1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak?

KÖZÖS EMITTERŰ FOKOZAT BÁZISOSZTÓS MUNKAPONTBEÁLLÍTÁSA

Izolált rendszer falai: sem munkavégzés, sem a rendszer állapotának munkavégzés nélküli megváltoztatása nem lehetséges.

Reakciómechanizmusok leírása. Paraméterek. Reakciókinetikai bizonytalanságanalízis. Bizonytalanságanalízis

Átírás:

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomáyi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alaok htt://www.eet.bme.hu/~oe/miel/hu/03-felvez-fiz.tx htt://www.eet.bme.hu

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke A szükséges fizikai ismeretek áttekitése Töltéshordozók a félvezetőbe Áramok a félvezetőbe Geeráció, rekombiáció, folytoossági egyeletek 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 2

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Eergiasávok a kristályos ayagba Kvatimfizikai ismeretek, l. Pauli elv Diszkrét eergia szitek: N db atom N darab szitre hasadás: Egykristályba szite folytoos sávokká hasadak: Az egyedülálló atom eergiaszitjei a kristályba sávokká (bad) szélesedek. 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 3

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Vegyérték sáv, vezetési sáv Áramvezetési szemotból fotos: a legfelső, (majdem) teli sáv a fölötte levő, (majdem) üres sáv 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 4

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Vegyérték sáv, vezetési sáv coductace bad valace bad v valace bad / legfelső betöltött sáv c coductace bad / legalsó üres sáv Vegyérték sáv ezek az elektrook hozzák létre a kémiai kötéseket majdem tele va Vezetési sáv ezek az elektrook áramot tudak vezeti majdem üres 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 5

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Elektroos és lyukak Geeráció: a termikus átlageergia felhaszálásával Elektrook: a vezetési sáv aljá Lyukak: a vegyértéksáv tetejé Elektro: Lyuk: egatív töltés, ozitív tömeg ozitív töltés, ozitív tömeg Midkettő szolgálja az áram-vezetést! 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 6

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Vezetők és szigetelők Szilíciumra: W g 1.12 ev SiO 2 -ra: W g 4.3 ev 1 ev 0.16 aj 0.16 10-18 J 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 7

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Félvezetők sávszerkezete idirekt direkt W 1 2m 2 W 1 2m eff P 2 F dp dt P h k 2π GaAs: direkt sáv oto-elektroika (l. LED-ek) Si: idirekt sáv 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 8

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Geeráció / rekombiáció Sotá folyamatok: termikus gerjesztés ugrás a vezetési sávba / rekombiáció: visszatérés a vegyérték sávba equilibrium ~~~~> ν W g /h <~~~~ νh > W g Direkt rekombiáció féyemisszióval jár(hat), lásd: LED-ek Féyelyelés geerációt okozhat lásd: aelemek Kísérlet 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 9

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke A szilícium kristályszerkezete N14, 4 vegyérték, eriódusos redszer IV. oszloa adalékolatla vagy itrisic félvezető valós 3D egyszerűsített 2D Gyémátrács, rácsálladó a0.543 m Mide atomak 4 legözelebbi szomszédja va 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 10

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke 5 vegyértékű adalék: door (As, P, Sb) Elektro: többségi töltéshordozó Lyuk: kisebbségi töltéshordozó -tíusú félvezető 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 11

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke 3 vegyértékű adalék: accetor (B, Ga, I) -tíusú félvezető Elektro: Lyuk: kisebbségi töltéshordozó többségi töltéshordozó 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 12

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Hordozókocetrációk számítása FD-statisztika: 1 f ( W ) W W 1+ ex kt F lehetséges eergiaállaotok állaotok betöltési valószíűsége kocetrációk W c gc ( W ) f ( W ) dw W v 0 g [ v ( W ) 1 f ( W )]dw 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 13

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Adalékkocetrációk számítása Az eredéy: cost T cost T 3/ 2 3/ 2 W ex W ex c W kt F F W kt v Adalékolatla félvezetőre i az ilyet itrisic ayagak hívják W c W W F F W W F + W 2 W v c v W i W F : Fermi-szit 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 14

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke A Fermi-szit A Fermi-szit formális defiíciója: az az eergiaszit, ahol a lehetséges állaotok betöltöttségi valószíűsége 1/2: f W ) 1 ( W WF 1+ ex kt Ez itrisic ayagál a tiltott sáv közeé va: 0.5 W F W c + W 2 v Ez az itrisic Fermi-szit, W i 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 15

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Töltéshordozó sűrűségek cost T 3/ 2 ex W c W kt F cost T 3/ 2 ex W F W kt v ( ) W kt cost T ex g / 3 Csak a hőmérséklettől függ, adalékolástól em! A "tömeghatás törvéye" 2 i Szilíciumra, 300 K hőmérséklete i 10 10 /cm 3 (10 elektro egy 0.01 mm élhosszúságú kockába) 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 16

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Töltéshordozó sűrűségek Példa Si, T 300 K, door kocetráció N D 10 17 /cm 3 Meyi az elektro- és a lyuksűrűség értéke? Door adalékolás N D 10 17 /cm 3 Lyuk kocetráció: i 2 / 10 20 /10 17 10 3 /cm 3 Mekkora az adalék atomok relatív sűrűsége? 1 cm 3 Si-ba 5 10 22 atom va tehát, 10 17 / 5 10 22 2 10-6 Az adalékolt szilícium tisztasága 0.999998 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 17

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Töltéshordozó sűrűségek i i cost cost T T 3/ 2 W ex 3/ 2 F W i ex W ex c W ex W kt F i W kt i W kt c W i ex F W kt F i W kt i Csak egy alkalmas átredezés... kt 1.38 10-23 VAs/K 300 K 4,14 10-21 J 0.026 ev 26 mev termikus eergia Adalékolt félvezetőbe a Fermi-szit eltolódik az itrisic Fermiszithez kéest! 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 18

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Hőmérsékletfüggés i2 ( ) W kt cost T ex g / 3 d dt W 2 g i + 2 T kt 2 3 i d 2 i 2 i 3 + W g kt d T T Ez mekkora Si-ra? Példa 2 d i 1,12 d T 3 0. 15 d T 2 + 15% / o C i 0,026 300 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 19

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Töltéshordozó-kocetráció hőmérsékletfüggése Példa Si, T 300 K, a door adalékok sűrűsége N D 10 17 /cm 3 N D 10 17 /cm 3 2 i / 10 20 /10 17 10 3 /cm 3 2 Hogya változik és, ha T 25 fokkal ő? N D 10 17 /cm 3 változatla i2 10 20 1.15 25 33 10 20 2 i / 33 10 20 /10 17 3.3 10 4 /cm 3 Csak a kisebbségi hordozók sűrűsége őtt! 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 20 i ΔT16.5 o C 10

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Áramok a félvezetőbe Sodródási áram (el. térerősség hatására) Diffúziós áram (sűrűség külöbség hat.) Amiről em beszélük: hőmérséklet külöbség is idíthat áramot a mágeses erőtérek is va befolyása töltésáramlás mellett eergiaáramlás is va kombiált traszortjeleségek 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 21

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Sodródási áram (drift áram) Az elektrook hőmozgása Nics térerősség vs μ E Va térerősség μ mozgékoyság m 2 /Vs 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 22

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Sodródási áram (drift áram) ρ töltéssűrűség J ρ v v (átlag)sebesség vs μ E J q μ E J q μ E J q ( μ + μ )E J σ e E Differeciális Ohm törvéy ρ e 1 σ e Fajlagos elleállás e ( ) μ μ σ q + A félvezetőayag fajlagos vezetőkéessége 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 23

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke A mozgékoyságról Si Drift velocity [cm/s] μ 1500 cm 2 /Vs μ 350 cm 2 /Vs Electric field [V/cm] 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 24

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke A mozgékoyságról Növekvő adalékolásssal csökke 300 K Szobahőmérséklete övekvő hőmérséklettel csökke μ ~ T -3/2 Si, lyukak 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 25

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke A diffúziós áram Ok: a sűrűség külöbség és a hőmozgás Aráyos a sűrűség gradiessel D diffúziós álladó [m 2 /s] J J q D q D grad grad 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 26

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke A teljes áramsűrűség J qμ E + q D grad J qμ E q D grad U T kt q D T 300K kt q μ Eistei összefüggés 23 1,38 10 [VAs/K] 300[K] 19 1,6 10 [As] 0,026 V 26 mv Termikus feszültség 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 27

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Geeráció, rekombiáció Élettartam: az az átlagos idő, amit egy elektro a vezetési sávba tölt τ, τ 1 s 1 μs Geerációs ráta: g [1/m 3 s] Rekombiációs ráta: r [1/m 3 s] r τ r τ g r egyesúlyi 0 τ 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 28

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Folytoossági egyelet d dt 1 Δ N J d A + g ΔV q τ A ΔV d dt Δ Δ N V 1 q 1 ΔV A J d A + g τ d dt 1 div q ( J ) + g τ 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 29

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Folytoossági egyelet d dt 1 div q ( J ) + g τ J qμ E + q D grad d dt ( E) μ div + D divgrad + g τ d dt ( E) μ div + D divgrad + g τ 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 30

Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomayi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke Példa a diffúziós egyelet megoldására d dt ( E) μ div + D divgrad + g τ 0 D 2 d dx 2 + g τ 0 d 2 D dx + 0 2 τ τ ( x) + ( 0 )ex( x / τ 0 e D ) L D τ diffuziós hossz 2014-09-19 Mikroelektroika - Félvezető fizikai alaok Poe Adrás & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 31