2.9. Függelék Betűszavak (akronimok) 1

HTML
DOWNLOAD

Méret: px

Mutatás kezdődik a ... oldaltól:

Download "2.9. Függelék Betűszavak (akronimok) 1"

Ernő Fodor
8 évvel ezelőtt
Látták:

1 .9. Függelék.9.1 Betűszavak (akronimok) 1 AES Auger elektronspektroszkópia ("Auger Electron Spectroscopy"); elektrongerjesztésen és az Auger elektronok detektálásán alapuló felületvizsgálati módszer, rétegeltávolítással kombinálva mélységi profilok is nyerhetők. BiCMOS mind bipoláris, mind CMOS eszközöket kombináló IC-technológia CMOS komplementer ("Complementary"), azaz p-csatornás, PMOS, ("Metal-Oxide-Semiconductor") és n-csatornás, NMOS, tranzisztor-párokból álló inverter DRAM dinamikus véletlen hozzáférésű memória "Dynamic Random Access Memory" DWB szeletek szilárdfázisú "hegesztése" ("Direct Wafer Bonding"), elsősorban a SOI-technológia alkalmazza, ilyenkor a két Siszeletet egy SiO -réteggel elszigetelten hegesztik;..6. FA kemencében való hőkezelés rövidítése ("Furnace annealing") FP Frenkel-pár (rácshiba, vakancia-rácsközi atom pár) IBAD Ionbesugárzás kíséretében végzett vákuumpárologtatás ("Ion Beam Assisted Deposition");.7.3. IBIA Amorf-kristályos átmenet eltolása az amorf réteg javára a rétegen áthatoló ionbesugárzás segítségével; IBIEC Kristályos anyag felületén lévő (tetszőlegesen létrehozott) amorf réteg epitaxiás visszanövekedése a rétegen áthatoló ionbesugárzás segítségével; IC integrált áramkörök általános rövidítése ("Integrated Circuit") KFKI MTA Központi Fizikai Kutató Intézet; 199-ben formálisan megszűnt, öt független intézetté alakult. 1 A vastag betűvel szedett betűszavak külön is szerepelnek, a fejezetszám jelzi, hogy részletesebb információ is található a tárgyról. 45

2 LSS-elmélet Lindhard-Scharff- Schiott elmélete az ionok behatolására;..1. MNOS "Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor" (értsd Si 3 N 4 és SiO kettős dielektrikummal szigetelt) technológia. A nitrid kiválóan gátolja a szennyezések diffúzióját. MOS Fém-Oxid-Félvezető, más néven unipoláris tranzisztor ("Metal-Oxide-Semiconductor") NMOS n-csatornás MOS-tranzisztor PMOS p-csatornás MOS-tranzisztor RBS Rutherford visszaszórásos vizsgálati módszer ("Rutherford Backscattering Spectrometry"), RED Diffúzió (általában) sugárzás jelenlétében ("Radiation Enhanced Diffusion");..5. RTA, RTP (Halogén)lámpás hőkezelés, ill. rétegnövesztés ("Rapid Thermal Annealing, - Processing"), tartama a 10s-tartomány - innen a "gyors" jelző SEM Pásztázó elektronmikorszkóp ("Scanning Electron Microscope") SIMOX A SOI-technológia egyik jelentős alapanyaga ("Separation by IMplanted Oxygen");..6. SIMS Szekundér ion tömegspektrometria ("Secondary Ion Mass Spectrometry") SOI Dielektromos szigetelésű eszközök/technológiák neve ("Silicon-On-Insulator") SOS Zafíron epitaxiásan növesztett Si-kristály ("Silicon- On-Sapphire"); a SOI egy fajtája, ma már a költséges volta miatt kiszorulóban van. SPEG Szilárdfázisú epitaxiás növesztés ("Solid Phase Epitaxial Growth", SPE-ként is) TED A hőkezelések elején fellépő nemkívánatos diffúzió ("Transient Enhanced Diffusion") TEM Transzmisssziós elektronmikroszkóp ("Transmisssion Electron Microscope") 453

3 TRIM A behatoló ion okozta folyamatok Monte-Carlo elvű szimulációja ("TRansmisssion of Ions through Matter") UHV Ultranagy vákuum, 10-9 mbar és alatta ("Ultrahigh vacuum") ULSI A mai legnagyobb bonyolultságú áramkörök neve ("Ultra Large Scale Integration"); 0,5 µm-nél kisebb vonalszélességű technológiákkal készülnek. UPS Ultraibolya fotoelektronspektroszkópia ("UV Photon Spectroscopy") VLSI A - 0,5 µm-es vonalszélességű technológiákkal készült áramkörök neve ("Very Large Scale Integration") XTEM Keresztmetszeti TEM ("Cross-sectional TEM"); mindkét oldaláról maratott mintán végzett TEM vizsgálat. Szemben a merőlegesen vékonyított mintán, rátekintéses ("plane view") módon készült felvétellel, mélységskálát is ad. 454

4 .9.. A lassú kaszkád porlódás (Kelly [1984], "Slow Cascade Sputtering",...) A fejezetben foglalkozunk az implantált atomok mélységi eloszlásával. Ott szerepel a Pearson eloszlások ismertetése is. Itt hasonlóan járunk el. Winterbon et al. (1970) adta meg azt az integrálegyenletet, amely az ion-szilárdtest kölcsönhatáskor egyrészt a szilárdtestben előre, másrészt visszafelé mutató momentumok által létrehozott eseményekkel számol. Továbbá, ugyanaz az egyenlet alkalmazható mind az atomok, mind a rácshibák eloszlásának leírására. Most ez utóbbiakkal foglalkozunk. A folyamatot a negyedik momentum mélységéig (<x>, <x>,...) szokták tárgyalni (a momentumok jelöléseiben - ahol egyértelmű - alkalmazkodunk a fejezet jelöléseihez). E momentumok behelyettesíthetők egy 1D-Edgeworth sorfejtésbe (pl. Cramér [1946]), amelynek fő eleme egy Gauss-eloszlás. A jelölésével analóg jelöléssel, a nukleáris energialeadás (" n " index) differenciális eloszlása így írható: differ. dx fn ( x) dx = exp( ξ n ) πσ pn, n 1 1, 3 Γ 4 6 Γn( 3ξn ξn) + ( 15ξn 10ξn + ξn) ahol ξ (x - <x>)/σ p,n. Tegyük fel, hogy..36. független a mélységtől. Ekkor E 1 helyettesíthető E 1 f n differ. (x)dx-szel, ahol f n differ. (x)dx az (x,x+dx) között a kristálynak a nukleáris folyamatokban átadott energia differenciális eloszlásfüggvénye. Legyen továbbá U a felületi kötési energia. Ha.10.1-et behelyettesítjük..36-ba és integrálunk E 0 ' szerint U/cos θ'-tól -ig, valamint θ' szerint 0 és π/ között, továbbá, ha dx helyett a λ atomi távolságot és x = 0 helyettesítünk, a lassú kaszkádok okozta porlódási együtthatóra a következő adódik: 455

5 ( ) differ ( 1 Φ) n ( 0) S = / H E f λ, E de cosθ dθ kaszk. ( ) differ. = 4, λ Ef 0λ/ U atom/ ion n π/ U/cos θ 0 ahol Φ az ionfluxus és λ nm-ben mérendő. 1., 1 0 0,..37 Ez az eredmény egyébként alkalmazható az ütközéses implantáció leírására is. 456

Hasonló dokumentumok

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu