reaktív porlasztással leválasztott ZnO vékony réteg (e,j). A skála hossza 500 nm.
|
|
- Enikő Szilágyiné
- 9 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 A szerződött munkánkban célul tűztük ki vékony (< 30 nm) és hosszú ZnO nanoszálak szintézisének kidolgozását alacsony hőmérsékletű, olcsó, nagy volumenűvé tehető vizes kémiai módszerrel. Ehhez nélkülözhetetlen a növesztési paramétereknek a nanoszál morfológiára, szerkezetére gyakorolt hatásának vizsgálata. A lokalizált nanoszálnövesztés módjának keresése szintén szerepelt a tervünkben. Feladatul szabtuk a növesztett szálak kontaktálási módszerének kidolgozását. Végül, célul tűztük ki az elkészült eszközökön a szál rákötött bioreceptorokkal való vezetési modulálásának tanulmányozását. 1. Magréteg hatása növesztésben Megvizsgáltuk a különböző fajtájú magrétegek hatását a vizes kémiai eljárással növesztett ZnO nanoszálak rendezettségére, ill. méretbeli homogenitására (hossz, átmérő, ill. átmérő változása a szál mentén). Az átláthatóság és az összehasonlítás megkönnyítése céljából a nanoszálakat szeparáltan növesztettük a magréteget lefedő, vékony (300 nm) poly(methyl methacrylate) (PMMA) filmben elektronnyalábos litográfiával kialakított, periodikusan elhelyezkedő nukleációablakokon keresztül. A téremissziós pásztázó elektronmikroszkópos (FESEM) és röntgen diffrakciós (XRD) vizsgálatok azt mutatták, hogy mindegyik esetben a szálak vertikálisan, a ZnO c-kristálytengely irányában nőttek. Azonban rendezettségben, méretbeli homogenitásban azok a szálak a legjobbak, amelyek az egykristályos ZnO-n, vagy zafírra impulzus lézerrel (PLD) leválasztott ZnO magrétegen nőttek. Ennek az az oka, hogy a ZnO magkristály ugyanaz és egész minta területére terjed, ugyanis, az utóbbi esetben a ZnO magréteg epitaxiálisan nőtt a zafírra közel azonos rácsállandójuk miatt. Ennek köszönhetően még a nanoszálak síkkristály iránya is azonosak, azaz a szálak tetejének hatszöges szimmetriája is egybe esnek. Ezzel szemben, az <111> Si-ra és Pt-ra PLD-vel leválasztott ill. <100> Si-ra magnetronnal porlasztotott ZnO réteg textúrás jelleggel rendelkezik, ahogy a XRD mérés mutatja. Magkristályaik mérete az Atomerő Mikroszkópos (AFM) mérés szerint kisebb, mint a nukleációablak, és a minta normális irányához képest szórást mutat a c- kristálytengelyük iránya, aminek következtében a növesztett szálaknak rosszabb a vertikális rendezettsége, ill. több, kisebb átmérőjű szál is nőtt egy-egy nukleációablakban. Emellett a méretbeli homogenitásuk is rosszabb az előzőekéhez képest [1]. 1. ábra Téremissziós pásztázó elektronmikroszkópos (FESEM) felvételek felülről (felső sor) illetve bedöntve (alsó sor) a különböző magrétegen növesztett nanoszálakról. A magréteg egykristályos ZnO (a,f); impulzus lézerrel <0001> zafírra leválasztott ZnO (b,g); <111> Sira (c,h); Pt/zafírra impulzus lézerrel leválasztott ZnO (d,i), illetve <100> Si-ra magnetronos reaktív porlasztással leválasztott ZnO vékony réteg (e,j). A skála hossza 500 nm.
2 Míg a magréteg struktúrája erősen befolyásolja a növesztett szálak minőségét, rendezettségét, illetve mérethomogenitását, a PLD-vel zafírra leválasztott, de különböző felületi durvasággal rendelkező ZnO magrétegekkel kimutattuk, hogy a magréteg felületi durvaságának alig van hatása a szálak e paramétereire. Így a kiinduló magréteg adott kristályminőségének kiválasztásával tudjuk kontrolálni a növesztendő szálak minőségét, ami rugalmas széles választási lehetőséget kínál a ZnO nanoszálak növesztésére attól függően, hogy az alkalmazás követelte minőség vagy olcsóság a döntő, vagy kettőnek kompromisszuma [1]. 2. Nanoszálak lokalizált növesztése Megmutattuk, hogy elektronnyalábbal litografált PMMA réteggel a nanoszál növesztése lokálizálható. Az ilyen módon növesztett nanoszál vastagsága inkább a nukleációablak méretétől függ, semmint a növekedési kinetikától, így a nukleációablak méretével szabályozható a szálvastagság. Azonban az ablakméret csökkentésnek az elektron anyagban történő szóródása szab határt. Az elektronnyalábos litográfiával a legkisebb szálvastagságot 90 nm körülire sikerült elérnünk. Azt is megfigyeltük, hogy nemcsak a nukleációablakok méretével, hanem azoknak geometriai elrendezésével (pl., hatszögesen vagy háromszögesen stb.) is be lehet állítani a szál vastagságát ( nm között), illetve a hosszúságát ( µm között) [1,2,4]. 2. ábra: Bedöntötve (a) és felülről (b) készített FESEM illetve TEM (c) felvételek a lokalizáltan növesztett nanoszálakról. A TEM kép mutatja a szál egykristályoságát <0001> hosszanti iránnyal A szálvastagság további csökkentése érdekében még kisebb nukleációablakot alakítottunk ki nagyon vékony PMMA rétegen AFM segítségével. Optimalizált PMMA vastagsággal (kb. 17 nm) és tűbenyomodással (100 nm) sikerült nm átmérőjű, lokalizált szálakat növesztenünk [4]. 3. ábra: AFM kép az AFM-pal nanolitográfált nukleációablakokról (a) és FESEM felvétel az onnan növesztett nanoszálakról (b)
3 Bevezettük a viszonylag olcsó és nagy volumenű eljárásként az un. nanogömb fotolitográfiát a periodikusan elhelyezkedő nukleációablakok kialakítására fotoreziszt rétegben. Ennek az a lényege, hogy polisztirol vagy szilícium-oxid nanogömbök egy, Langmuir-Blodgett technikával a fotorezisztre elhelyezett monorétegével fokuszáljuk az UV fényt a gömb alatti, leendő nukleációablakokra, ezáltal exponálva azt a területet. Mind az időtartománybeli véges differenciák (Finite-Diference Time-Domain - FDTD) módszerével elvégzett szimulációval, mind pedig kísérletileg kimutattuk, hogy a módszer igazán hatásos és megbízható, amikor a gömbök átlagos mérete nagyobb, mint a litográfiai fény hullámhossza [3]. 4. ábra FDTD módszerrel szimulált fókuszált fényfolt méretváltozása a nanogömb méretének függvényében. A piros vonal csak a követés megkönnyítésére van. 5. ábra FESEM felvétel a porlasztott ZnO magrétegről a nanogömbös litográfált nukleációs ablakon keresztül növesztett nanoszálcsokrokról. A betétábra mutatja a növesztés előtti nucleációablakokat. A skála hossza 1µm.
4 Érdekes módon a szimulációs eredményünk azt mutatta, hogy a fotorezisztbe fókuszált fényfolt mérete alig függ a gömb méretétől, ami mintegy öngyógyítóan korrigálja a monorétegben lévő gömbök méretének szórását, azaz végeredményként kapott nukleációablakoknak jobb a méretszórása, mint az alkalmazott monorétegben a nanogömböké. Ezt kísérleti eredménnyel is sikerült igazolnunk. Bár az ablakok valóságos mérete a gömb fókuszáló hatása miatt kisebb a gömb átmérőjénél, még így is igen nagy (kb. 380 nm). Ennek következtében vastag ZnO rudak nőttek lokalizáltan az egykristályos ZnO hordozón. A probléma enyhítésére porlasztott ZnO magréteget alkalmaztunk, így kisebb magkristálytól indulhat a növés. Ennek eredményképpen több, vékonyabb szál nőtt ki a szabályosan elhelyezkedő ablakokból [3]. 3. Nanoszál növesztésének optimalizálása Kimutattuk, hogy az általunk alkalmazott nedves kémiai növesztésben, ahol azonos mennyiségű cink-nitrát és hexamin vizes oldatát használjuk, a prekurzor koncentrációjának csökkentésével a nanoszál vastagsága csökkenthető. Azonban kis koncentráció esetén (néhány tized mm) a vékony szálak sűrűsége sokkal kisebb, mint a vastag szálaké nagy koncentráció esetén [5]. 6. ábra Téremissziós pásztázó elektronmikroszkópos (FESEM) felvételek a nanogolyók monorétege nélkül (felső sor) illetve azzal borított ZnO magrétegen (alsó sor) növesztett nanoszálakról. A prekurzorkoncentráció: 1 mm (a,b); 5mM (c,d); 20 mm (e,f).
5 7. ábra Keresztmetszeti FESEM felvétel a kialakuló nanoszálakról a növesztés elején. 2 órás, nanogolyók monorétege nélkül (a). 2 órás, nanogolyók monoréteggel (b). 4 órás nanogolyók monoréteggel (c). A skála hossza 500 nm. A fenti megfigyelés alapján nehéz vékony, de hosszú nanoszálat növeszteni, hiszen vékony nanoszál szintéziséhez alacsony koncentráció kell, miközben sűrűn, hosszú nanoszál növesztésének feltétele a magas koncentráció (Megjegyezzük, hogy az irodalomban próbálkoztak a több lépcsős növesztésével is. Ilyen esetben azonban a szál vastagsága is nő, amelynek következtében a szál oldalaránya (aspect-ratio) nem javul, sőt néhány esetben romlott). Újszerű eljárással sikerült megoldanunk az említett dilemmát: a magréteget borító szilícium-oxid nanogömb monorétegének alkalmazásával a szál viszonylagos hossza nagyságrenddel növelhető. Ebben az esetben csak vékony egykristályos szálak (15-30 nm) nőttek, amelyek legtöbbször csöves szerkezetűek. Ilyen szálak sűrűsége is nagyobb, mint azoké a vékony szálaké, amelyek kis prekurzor koncentrációjú oldatban, nanogömb réteg nélkül keletkeztek. Az általunk vizsgált tartományban ( nm) a szilika golyó mérete alig befolyásolja a szálnövést. Az egymáshoz sorosan helyezkedő nanogömbökből álló réteg szerepe az alattuk levő, kristálymagokhoz közeli tartományban a koncentráció alacsony szinten való tartása lehet, ami kedvező a vékony szál kialakulásához. E tartományon túl pedig magas maradt a prekurzor koncentrációja, amely a kialakult vékony szálak további gyors növekedését teszi lehetővé. Azonban azt is megfigyeltük, hogy a golyóréteg csak közepes koncentrációig (<5 mm) hatásos. Valószínűleg töményebb oldatok esetén a golyóréteg már nem képes tartani a túl nagy koncentráció gradienst. Az így növesztett vékony, egykristályos nanoszálak hossza a növesztési időtől és magrétegtől függően akár a 5-7 µm-t is elérhetik, és így akár többelektródás egyedi eszközök készítésére is alkalmasak. E szálak fajlagos felülete nagy, nemcsak kis átmérőjük, hanem a csőszerű szerkezete miatt is, ami fontos a nanoszál elektromos modulálhatósága szempontjából [5].
6 8. ábra Rácsfelbontású TEM felvétel az egykristályos nanoszálról. Csőszerű nanoszálak konvenciális TEM képe látható a betétábrán. 4. Egyedi nanoszál kontaktálása Megfigyeltük egyedi nanoszál kontaktusának kialakítása során, hogy az elektronnyalábos litográfiai eljárásban használt előhívó maróhatást mutatott a ZnO nanoszálakkal szemben, ami kifejezetten kritikus a nagyon vékony (d 30 nm) szálaknál. Ez egyben magyarázatot is ad arra, hogy eddig miért nem készítették még a miénkhez hasonló vizes kémiai eljárással növesztett, vékony ZnO nanoszálra kontaktust. A PMMA rétegre standard értéknél alacsonyabb polimerizálási hőmérsékletet, ill. nagyobb elektron dózist alkalmazva próbáltuk csökkenteni az előhívás idejét, azaz minimalizáljuk az időablakot, amely alatt az előhívó érintkezhet a nanoszállal. Optimális paraméterekkel (70 C, 5 perc hőkezelés, 8 µc/cm2 exponálási dózis) az időablakot sikerült leszorítanunk 45 másodpercről 2 másodpercre, amely alatt előhívódott az 530 nm vastagságú PMMA réteg és a nanoszál ép marad. Ezzel elsőként sikerült nekünk kontaktálni a vizes kémiai módszerrel növeszett vékony ZnO szálakat [5].
7 9. ábra Kontaktált szálak UV válasza az UV LED áramának függvényében. U szál = 0.5 V. Kék: nanogolyós monoréteggel növesztett szál; piros: nanogolyós monoréteg nélküli. A betétábrák a görbéknek megfelelően mutatják a kontaktált nanoszálak AFM képét. A kontaktált nanoszálak UV gerjesztésével kimutattuk, hogy a nanogömbös réteggel növesztett szálnak jobb a modulálhatósági hatásfoka, mint a csupasz ZnO magrétegen azonos paraméterek mellett növesztett szálaké. Ennek az a magyarázata, hogy az előbbi vékonyabb, azaz nagyobb a felület/térfogat aránya (fajlagos felülete). Levegőben történő UV gerjesztésnél nem csak a fotoáram növeli a nanoszálban az áramot, hanem a szál felületén lévő oxigén UV fény általi deszorpciója is, amelynek hatása arányos a szál fajlagos felületével [5]. 5. Horizontális nanoszálak szelektív növesztése, kontaktálása Új megközelítést alkalmaztunk a nanoszál alapú eszköz készítésében: nem a növesztett szálakat keresve/kívánt helyre pozícionálva kontaktáljuk, ami időigényes, bonyolult és alacsony kihozatalú eljárás, hanem a kívánt helyen előzőleg kialakított kontaktusról növesztjük a nanoszálakat. Így a szál lokalizálását és kontaktálását egy lépésben oldottuk meg. Ezzel a megközelítéssel lehetővé tettük a nanoszál alapú eszközök nagy volumenű előállítását [6]. A ZnO magrétegen elhelyezkedő kontaktusrendszer fémének megfelelő kiválasztásával (a mi esetünkben Cr) tudtuk megakadályozni a szokásos vertikális nanoszál növését a magréteg tetejéről. Azt azonban megfigyeltük, hogy a kontaktus szélén, a Cr réteg tökéletlen fedése miatt még nőhet függőleges szál. A nem kívánt vertikális nanoszálak kialakulásának arányát a magréteg széleinek alámarásával sikerült minimalizálnunk [6].
8 10. ábra Króm fedőrétegnek és ZnO magréteg alámarásának hatása a vertikális nanoszálak növésére különböző prekurzor koncentráció esetén. A vertikális növekedést akadályozó fenti technikát kombinálva az előzőleg megfigyelt koncentráció szálvastagság összefüggéssel sikerült viszonylag alacsony hőmérsékleten, kis koncentrációjú oldattal vékony, horizontális nanoszálakat növesztenünk. A szálak a magréteg oldaláról nőttek ki, és képesek elektromos összekötetést biztosítani az egymástól több mikrométerre helyezkedő elektródák között. A horizontális ZnO nanoszálak sikeres lokalizált növesztése nagymértékben segíti elő a nanoszál integrálását a planáris IC technológiába [6].
9 11. ábra FESEM felvétel az elektrodákről növesztett, horzontális nanoszálakról. A felső illetve alsó sáv a króm elektróda 6. Horizontális szálak vezetési modulációja Megmutattuk, hogy ilyen eszköz térvezérlésű tranzisztorként vezérelhetők az erősen adalékolt Si hordozóra adott kapufeszültséggel (back-gate). Ez azért lehetséges, mert szemben a többi növesztési eljárással, jelen esetünkben a szálak szorosan a vékony oxidréteg felületén nőttek a két elektróda között. Az eszközünk n típusú, kiürítéses karakterisztikát mutat, azaz negatív küszöbfeszültség jellemzi, és vezet a csatorna Ug = 0 V kapufeszültség mellett. A hátsó kapu által vezérelhetőség nagyon lényeges a nanoszál vezetési modulálásának szempontjából: egyrészt, ezzel elő lehet feszíteni az eszközt olyan tartományba (subthreshold), ahol a modulálási hatásfoka (szenzori alkalmazás esetén az érzékenység) a legnagyobb, másrészt a hátsó kapu segítségével változtatható a szálban a töltéshordozók koncentrációja, ami elősegíti a szál visszatérését az eredeti állapotba (frissítés) [6].
10 100 Uds = 1 V Ids (na) Ugs (V) ábra Horizontális ZnO nanoszálak Ids Ugs karakterisztikája Demonstráltuk az így kialakított eszközön az UV fénnyel való modulálhatóságot: több mint öt nagyságrenddel megnő az eszközben az áram az UV fény hatására. Azonban a változás sebessége elég lassú valószínűleg a nanoszálban levő oxigén vakancia miatt, amely képes Vo 2+ ionizált állapotra feltöltődni és donorként viselkedni. Ilyen oxigén vakancia lassú feltöltődési ill. neutrálódási sebessége erősen befolyásolja a szál válaszidejét (on, ill. off). Ezt látszik alátámasztani az a még nem publikált megfigyelésünk, miszerint a más nedves kémiai eljárással növesztett (nátriumhidroxid és ammónium-perszulfát oldat, Zn hordozó, 150 C, 48h), jobb kristályminőségű nanoszálak rövidebb válaszidőt mutatnak. 13. ábra Horizontális ZnO nanoszálak vezetési modulálása UV fénnyel
11 Demonstráltuk az ZnO nanoszálak immunglobulin G (IgG) fehérje általi modulálhatóságát fiziológiás sót tartalmazó foszfát puffer (Phosphate Buffered Saline - PBS) oldatban. Receptorként a flagellin fehérje Z doménját alkalmaztuk. A modulálás egészen kis IgG koncentráció (25 nm) esetén is már megfigyelhető volt. A modulált áram csökken az IgG koncentrációval a nanoszál n-típúsú jelege, ill. az IgG anionikus jelege miatt. A csökkentés mértéke azonban nem arányos a koncentrációval, hanem telítési jeleget mutat. Ennek valószínűleg a nanoszálon szabadon maradt receptorok csökkenő száma lehet az oka, mivel az egymás utáni méréseket ugyan azon az eszközön, növekvő IgG koncentrációban végeztük [6]. 14. ábra Horizontális ZnO nanoszálak vezetési modulálása Z-domén/IgG párral. A nyíl mutatja az IgG koncentrációkat és exponálásuk sorrendjét. Hátérben a szálak és PMMA rétegbe kialakított detektálási ablak látható. Az általunk kifejlesztett horizontális nanoszál alapú chipek kibővített technológiai leírásáról és a fent leírt nagyérzékenységű fehérjedetektálás eredményeiről szóló kéziratok előkészítése folyamatban van, melyek elküldését egy kb. 2, ill. 4-es impakt faktorral rendelkező nemzetközi folyóirathoz a első negyedévére tervezzük. Az UV- és hidrogén detektálás eredményei szintén előrehaladott állapotban vannak, a tanulmány elkészülte a kibővített kísérletekről első félévének végére várható. Közleményjegyzék. 1. Róbert Erdélyi, Takahiro Nagata, David J. Rogers, Ferechteh H. Teherani, Zsolt E. Horváth, Zoltán Lábadi, Zsófia Baji, Yutaka Wakayama, and János Volk:
12 Investigations into the Impact of the Template Layer on ZnO Nanowire Arrays Made Using Low Temperature Wet Chemical Growth Cryst. Growth Des. 2011, 11, / doi: /cg Zoltán Szabó, Róbert Erdélyi, János Makai, János Balázs, and János Volk: Highly ordered three-dimensional ZnO nanorods for novel photonic devices Phys. Status Solidi C 8, No. 9, (2011) / doi: /pssc Z. Szabó, J. Volk, E. Fülöp, A. Deák, I. Bársony: Regular ZnO nanopillar arrays by nanosphere photolithography Photonics and Nanostructures Fundamentals and Applications xxx (2012)/ doi: /j.photonics János Volk, Zoltán Szabó, Róbert Erdélyi, Nguyen Q. Khánh: Engineered ZnO nanowire arrays using different nanopatterning techniques Proc. SPIE 8263, Oxide-based Materials and Devices III, 82631L (February 9, 2012)/ doi: / N.Q. Khánh, I. Lukács, Gy. Sáfrán, R. Erdélyi, E. Fülöp, A. Deák, J. Volk: Effect of nanosphere monolayer on the morphology of ZnO nanowires grown by hydrothermal method Materials Letters 79 (2012) / doi: /j.matlet N.Q. Khánh, I. Lukács, S. Kurunczi, Gy. Sáfrán, Z. Szabó, and J. Volk, K. Kubina, R. Erdélyi: Integrated horizontal ZnO nanowires for sensor applications Proc. SENSORS 2012, Taipei october 28-31, Taiwan. (2012) / doi: /icsens Megjegyezzük, hogy a 4. közleményben a OTKA szám tévesen van feltűntetve, amely ugyan ez pályázat nem támogatott változatának száma volt (Ugyanis volt lehetőség az előkelő helyen rangsorolt, utólag nyert pályázatunkat változatlan formában még egyszer benyújtani új OTKA iktató szám alatt)
PHD tézisfüzet. Szabó Zoltán. Témavezető: Dr. Volk János Konzulens: Dr. Hárs György
PHD tézisfüzet Vékonyréteg és nanoszerkezetű cink-oxid tervezett szintézise és vizsgálata optoelektronikai eszközök számára Szabó Zoltán Témavezető: Dr. Volk János Konzulens: Dr. Hárs György MTA Energiatudományi
ZÁRÓJELENTÉS. PD 77578 jelzésű OTKA pályázathoz
ZÁRÓJELENTÉS a Piezoelektromos cink-oxid nanoszálak elektromechanikai vizsgálata c. PD 77578 jelzésű OTKA pályázathoz A projekt résztvevője/vezetője: Volk János, PhD A projekt időtartama: 2009. 04. 01-2012.
Pannon Egyetem - Műszaki Informatikai Kar. Molekuláris- és Nanotechnológiák Doktori Iskola
Pannon Egyetem - Műszaki Informatikai Kar Molekuláris- és Nanotechnológiák Doktori Iskola NEDVES KÉMIAI ÚTON NÖVESZTETT ZNO NANOSZÁLAK ELŐÁLLÍTÁSA ÉS VIZSGÁLATA NANOELEKTROMECHANIKAI ÉRZÉKELŐK FEJLESZTÉSE
Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
Magyarkuti András. Nanofizika szeminárium JC Március 29. 1
Magyarkuti András Nanofizika szeminárium - JC 2012. Március 29. Nanofizika szeminárium JC 2012. Március 29. 1 Abstract Az áram jelentős részéhez a grafén csík szélén lokalizált állapotok járulnak hozzá
Vegyületfélvezető rétegek optoelektronikus és fotovoltaikus célokra
Vegyületfélvezető rétegek optoelektronikus és fotovoltaikus célokra PhD tézisfüzet Baji Zsófia Témavezető: Dr. Molnár György BUDAPEST, 2013 A kutatások előzménye Mint a megújuló energiaforrások minden
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2011.10.05 Visegrád Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó
ÓRIÁS MÁGNESES ELLENÁLLÁS
ÓRIÁS MÁGNESES ELLENÁLLÁS Modern fizikai kísérletek szemináriúm Ariunbold Kherlenzaya Tartalomjegyzék Mágneses ellenállás Óriás mágneses ellenállás FM/NM multirétegek elektromos transzportja Kísérleti
Mérés és adatgyűjtés
Mérés és adatgyűjtés 7. óra Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2013. április 11. MA - 7. óra Verzió: 2.2 Utolsó frissítés: 2013. április 10. 1/37 Tartalom I 1 Szenzorok 2 Hőmérséklet mérése 3 Fény
Előzmények. a:sige:h vékonyréteg. 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása
a:sige:h vékonyréteg Előzmények 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása 5 nm vastag rétegekből álló Si/Ge multiréteg diffúziós keveredés során a határfelületek
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI 1 Többrétegű NYHL pre-preg Hatrétegű pakett rézfólia ónozatlan Cu huzalozás (fekete oxid) Pre-preg: preimpregnated material, félig kikeményített, üvegszövettel erősített
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban Zolnai Zsolt MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, H-1525 Budapest, P.O.B. 49, Hungary Tartalom: Kolloid
Integrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák MOS áramkörök alkatrészkészlete Bipoláris áramkörök alkatrészkészlete 11/2/2007 2/27 MOS áramkörök alkatrészkészlete Tranzisztorok
Pásztázó elektronmikroszkóp. Alapelv. Szinkron pásztázás
Pásztázó elektronmikroszkóp Scanning Electron Microscope (SEM) Rasterelektronenmikroskope (REM) Alapelv Egy elektronágyúval vékony elektronnyalábot állítunk elő. Ezzel pásztázzuk (eltérítő tekercsek segítségével)
Fókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
Nanoelektronikai eszközök III.
Nanoelektronikai eszközök III. Dr. Berta Miklós bertam@sze.hu 2017. november 23. 1 / 10 Kvantumkaszkád lézer Tekintsünk egy olyan, sok vékony rétegbõl kialakított rendszert, amelyre ha külsõ feszültséget
épületfizikai jellemzői
Könnyűbetonok épületfizikai jellemzői és s alkalmazásuk a magastető szigetelésében Sólyomi PéterP ÉMI Nonprofit Kft. Budapest, 2009. november 24. HŐSZIGETELŐ ANYAGOK Az általános gyakorlat szerint hőszigetelő
3. (b) Kereszthatások. Utolsó módosítás: április 1. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék
3. (b) Kereszthatások Utolsó módosítás: 2013. április 1. Vezetési együtthatók fémekben (1) 1 Az elektrongáz hővezetési együtthatója A levezetésben alkalmazott feltételek: 1. Minden elektron ugyanazzal
Újabb eredmények a grafén kutatásában
Újabb eredmények a grafén kutatásában Magda Gábor Zsolt Atomoktól a csillagokig 2014. március 13. Új anyag, új kor A kőkortól kezdve egy új anyag felfedezésekor új lehetőségek nyíltak meg, amik akár teljesen
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék 2011. szeptember 22. Mi az a nano? 1 nm = 10 9 m = 0.000000001 m Nanotudományok: 1-100
Szakértesítő 1 Interkerám szakmai füzetek A folyósító szerek viselkedése a kerámia anyagokban
Szakértesítő 1 Interkerám szakmai füzetek A folyósító szerek viselkedése a kerámia anyagokban A folyósító szerek viselkedése a kerámia anyagokban Bevezetés A kerámia masszák folyósításkor fő cél az anyag
Nanokeménység mérések
Cirkónium Anyagtudományi Kutatások ek Nguyen Quang Chinh, Ugi Dávid ELTE Anyagfizikai Tanszék Kutatási jelentés a Nemzeti Kutatási, Fejlesztési és Innovációs Hivatal támogatásával az NKFI Alapból létrejött
Fókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
Hőszivattyúk - kompresszor technológiák Január 25. Lurdy Ház
Hőszivattyúk - kompresszor technológiák 2017. Január 25. Lurdy Ház Tartalom Hőszivattyú felhasználások Fűtős kompresszor típusok Elérhető kompresszor típusok áttekintése kompresszor hatásfoka Minél kisebb
LABORATÓRIUMI PIROLÍZIS ÉS A PIROLÍZIS-TERMÉKEK NÉHÁNY JELLEMZŐJÉNEK VIZSGÁLATA
LABORATÓRIUMI PIROLÍZIS ÉS A PIROLÍZIS-TERMÉKEK NÉHÁNY JELLEMZŐJÉNEK VIZSGÁLATA TOLNERLászló -CZINKOTAImre -SIMÁNDIPéter RÁCZ Istvánné - SOMOGYI Ferenc Mit vizsgáltunk? TSZH - Települési szilárd hulladék,
Autonóm szenzorhálózatoktól a nanoérzékelésig
1 Volk János Autonóm szenzorhálózatoktól a nanoérzékelésig 2017. nov. 7. MTA, Magyar Tudomány Ünnepe: Emberközpontú technológia 2 I. Drótnélküli szenzor hálózatok (WSN) 2020-ra akár 25 milliárd-nál több
Az ipari komputer tomográfia vizsgálati lehetőségei
Az ipari komputer tomográfia vizsgálati lehetőségei Dr. Czinege Imre, Kozma István Széchenyi István Egyetem 6. ANYAGVIZSGÁLAT A GYAKORLATBAN KONFERENCIA Cegléd, 2012. június 7-8. Tartalom A CT technika
Projektfeladatok 2014, tavaszi félév
Projektfeladatok 2014, tavaszi félév Gyakorlatok Félév menete: 1. gyakorlat: feladat kiválasztása 2-12. gyakorlat: konzultációs rendszeres beszámoló a munka aktuális állásáról (kötelező) 13-14. gyakorlat:
Aktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György
Aktuátorok korszerű anyagai Készítette: Tomozi György Technológiai fejlődés iránya Mikro nanotechnológia egyre kisebb aktuátorok egyre gyorsabb aktuátorok nem feltétlenül villamos, hanem egyéb csatolás
Adatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei
Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Gazdálkodási modul Gazdaságtudományi ismeretek I. Közgazdasá Adatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSI
PN átmenet kivitele. (B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) A=anód, K=katód
PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet. Egy pn átmenetből álló eszköz a dióda. (B, Al, Ga, n) (P, As, Sb)
zeléstechnikában elfoglalt szerepe
A földgf ldgáz z eltüzel zelésének egyetemes alapismeretei és s a modern tüzelt zeléstechnikában elfoglalt szerepe Dr. Palotás Árpád d Bence egyetemi tanár Épületenergetikai Napok - HUNGAROTHERM, Budapest,
Kis hőbevitelű robotosított hegesztés alkalmazása bevonatos lemezeken
Weld your way. Kis hőbevitelű robotosított hegesztés alkalmazása bevonatos lemezeken CROWN International Kft. CLOOS Képviselet 1163 Budapest, Vámosgyörk u. 31. Tel.: +36 1 403 5359 sales@cloos.hu www.cloos.hu
11.3. Az Achilles- ín egy olyan rugónak tekinthető, amelynek rugóállandója 3 10 5 N/m. Mekkora erő szükséges az ín 2 mm- rel történő megnyújtásához?
Fényemisszió 2.45. Az elektromágneses spektrum látható tartománya a 400 és 800 nm- es hullámhosszak között található. Mely energiatartomány (ev- ban) felel meg ennek a hullámhossztartománynak? 2.56. A
Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban
Gyártás 08 konferenciára 2008. november 6-7. Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban Szerző: Varga Bernadett, okl. gépészmérnök, III. PhD hallgató a BME VIK ET Tanszékén
Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
PhD beszámoló. 2015/16, 2. félév. Novotny Tamás. Óbudai Egyetem, június 13.
PhD beszámoló 2015/16, 2. félév Novotny Tamás Óbudai Egyetem, 2016. június 13. Tartalom Tézisek Módszer bemutatása Hidrogénezés A hidrogénezett minták gyűrűtörő vizsgálatai Eredmények Konklúzió 2 Tézisek
LEVEGŐZTETETT HOMOKFOGÓK KERESZTMETSZETI VIZSGÁLATA NUMERIKUS ÁRAMLÁSTANI SZIMULÁCIÓVAL
LEVEGŐZTETETT HOMOKFOGÓK KERESZTMETSZETI VIZSGÁLATA NUMERIKUS ÁRAMLÁSTANI SZIMULÁCIÓVAL KÉSZÍTETTE: MADARÁSZ EMESE (DOKTORANDUSZ, BME VKKT) KONZULENS: DR. PATZIGER MIKLÓS (EGYETEMI DOCENS, BME VKKT) 2016.02.19.
GaInAsP/InP LED-ek kutatása és spektroszkópiai alkalmazása a közeli infravörös tartományban
GaInAsP/InP LED-ek kutatása és spektroszkópiai alkalmazása a közeli infravörös tartományban LED-ek fejlesztése nagy víztartalmú szerves anyagok, biológiai minták optikai vizsgálatára NÁDAS JÓZSEF TÉMAVEZETŐ:
NEHÉZFÉMEK ELTÁVOLÍTÁSA IPARI SZENNYVIZEKBŐL Modell kísérletek Cr(VI) alkalmazásával növényi hulladékokból nyert aktív szénen
NEHÉZFÉMEK ELTÁVOLÍTÁSA IPARI SZENNYVIZEKBŐL Modell kísérletek Cr(VI) alkalmazásával növényi hulladékokból nyert aktív szénen Készítette: Battistig Nóra Környezettudomány mesterszakos hallgató A DOLGOZAT
Hidrogénezett amorf Si és Ge rétegek hőkezelés okozta szerkezeti változásai
Hidrogénezett amorf Si és Ge rétegek hőkezelés okozta szerkezeti változásai Csík Attila MTA Atomki Debrecen Vizsgálataink célja Amorf Si és a-si alapú ötvözetek (pl. Si-X, X=Ge, B, Sb, Al) alkalmazása:!
Jegyzőkönyv Arundo biogáz termelő képességének vizsgálata Biobyte Kft.
Jegyzőkönyv Arundo biogáz termelő képességének vizsgálata Biobyte Kft. 2013.10.25. 2013.11.26. 1 Megrendelő 1. A vizsgálat célja Előzetes egyeztetés alapján az Arundo Cellulóz Farming Kft. megbízásából
Fényhullámhossz és diszperzió mérése
KLASSZIKUS FIZIKA LABORATÓRIUM 9. MÉRÉS Fényhullámhossz és diszperzió mérése Mérést végezte: Enyingi Vera Atala ENVSAAT.ELTE Mérés időpontja: 2011. október 19. Szerda délelőtti csoport 1. A mérés célja
Gamma-röntgen spektrométer és eljárás kifejlesztése anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű elemzésére
Gamma-röntgen spektrométer és eljárás kifejlesztése anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű elemzésére OAH-ABA-16/14-M Dr. Szalóki Imre, egyetemi docens Radócz Gábor, PhD
1. számú ábra. Kísérleti kályha járattal
Kísérleti kályha tesztelése A tesztsorozat célja egy járatos, egy kitöltött harang és egy üres harang hőtároló összehasonlítása. A lehető legkisebb méretű, élére állított téglából épített héjba hagyományos,
Termékek mágnesezhető poros repedésvizsgálathoz. Hordozóanyagok, adalékanyagok, egyéb szerek
TERMÉK ÁTTEKINTÉS ek penetrációs vizsgálathoz ek mágnesezhető poros repedésvizsgálathoz Hordozóanyagok, adalékanyagok, egyéb szerek Berendezések (vizsgálószettek, referencia etalonok, lámpák, mérőberendezések)
Integrált áramkörök/1. Informatika-elekronika előadás 10/20/2007
Integrált áramkörök/1 Informatika-elekronika előadás 10/20/2007 Mai témák Fejlődési tendenciák, roadmap-ek VLSI alapfogalmak A félvezető gyártás alapműveletei A MOS IC gyártás lépései 10/20/2007 2/48 Integrált
Térvezérlésű tranzisztor
Térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztorok a vékonyréteg félvezetős eszközök kategoriájába sorolhatók és a tranzisztorok harmadik generációját képviselik. 1948-ban jelentik be amerikai kutatók
A II. kategória Fizika OKTV mérési feladatainak megoldása
Nyomaték (x 0 Nm) O k t a t á si Hivatal A II. kategória Fizika OKTV mérési feladatainak megoldása./ A mágnes-gyűrűket a feladatban meghatározott sorrendbe és helyre rögzítve az alábbi táblázatban feltüntetett
5. Laboratóriumi gyakorlat
5. Laboratóriumi gyakorlat HETEROGÉN KÉMIAI REAKCIÓ SEBESSÉGÉNEK VIZSGÁLATA A CO 2 -nak vízben történő oldódása és az azt követő egyensúlyra vezető kémiai reakció az alábbi reakcióegyenlettel írható le:
Elektromos áram. Vezetési jelenségek
Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai
2010. január 31-én zárult OTKA pályázat zárójelentése: K62441 Dr. Mihály György
Hidrosztatikus nyomással kiváltott elektronszerkezeti változások szilárd testekben A kutatás célkitűzései: A szilárd testek elektromos és mágneses tulajdonságait az alkotó atomok elektronhullámfüggvényeinek
Biofizika szeminárium. Diffúzió, ozmózis
Biofizika szeminárium Diffúzió, ozmózis I. DIFFÚZIÓ ORVOSI BIOFIZIKA tankönyv: III./2 fejezet Részecskék mozgása Brown-mozgás Robert Brown o kísérlet: pollenszuszpenzió mikroszkópos vizsgálata o megfigyelés:
A regionális gazdasági fejlődés műszaki - innovációs hátterének fejlesztése
A regionális gazdasági fejlődés műszaki - innovációs hátterének fejlesztése TÁMOP- 4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0006 Energetika, környezetvédelem alprojekt Fókuszáló napkollektor fejlesztése Divós Ferenc, Németh
Különböző módon formázott bioaktív üvegkerámiák tulajdonságainak vizsgálata KÉSZÍTETTE: KISGYÖRGY ANDRÁS TÉMAVEZETŐ: DR. ENISZNÉ DR.
Különböző módon formázott bioaktív üvegkerámiák tulajdonságainak vizsgálata KÉSZÍTETTE: KISGYÖRGY ANDRÁS TÉMAVEZETŐ: DR. ENISZNÉ DR. BÓDOGH MARGIT ANYAGMÉRNÖKI INTÉZET 2016.05.11. Diplomadolgozat célja
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
Nagynyomású csavarással tömörített réz - szén nanocső kompozit mikroszerkezete és termikus stabilitása
Nagynyomású csavarással tömörített réz - szén nanocső kompozit mikroszerkezete és termikus stabilitása P. Jenei a, E.Y. Yoon b, J. Gubicza a, H.S. Kim b, J.L. Lábár a,c, T. Ungár a a Anyagfizikai Tanszék,
Használható segédeszköz: Függvénytáblázat, szöveges adatok tárolására és megjelenítésére nem alkalmas zsebszámológép
A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján. Szakképesítés, azonosító száma és megnevezése 54 523 04 Mechatronikai technikus
A mérések általános és alapvető metrológiai fogalmai és definíciói. Mérések, mérési eredmények, mérési bizonytalanság. mérés. mérési elv
Mérések, mérési eredmények, mérési bizonytalanság A mérések általános és alapvető metrológiai fogalmai és definíciói mérés Műveletek összessége, amelyek célja egy mennyiség értékének meghatározása. mérési
Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
ELLENÁLLÁSOK HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE. Az ellenállások, de általában minden villamos vezetőanyag fajlagos ellenállása 20 o
ELLENÁLLÁSO HŐMÉRSÉLETFÜGGÉSE Az ellenállások, de általában minden villamos vezetőanyag fajlagos ellenállása 20 o szobahőmérsékleten értelmezett. Ismeretfrissítésként tekintsük át az 1. táblázat adatait:
1.7. Felületek és katalizátorok
Mobilitás és Környezet Konferencia Magyar Tudományos Akadémia Budapest, 2012. január 23. 1.7. Felületek és katalizátorok Polimer töltőanyagként alkalmazható agyagásvány nanostruktúrák előállítása Horváth
Válasz Tombácz Etelkának az MTA doktorának disszertációmról készített bírálatában feltett kérdéseire és megjegyzéseire
Válasz Tombácz Etelkának az MTA doktorának disszertációmról készített bírálatában feltett kérdéseire és megjegyzéseire Tisztelt Professzor nő! Először bírálatában feltett kérdéseire válaszolok majd a bírálatban
Készítette: Geda Dávid
Készítette: Geda Dávid A ph fogalma A ph (pondus Hidrogenii, hidrogénion-kitevő) egy dimenzió nélküli kémiai mennyiség, mely egy adott oldat kémhatását (savasságát vagy lúgosságát) jellemzi. A tiszta víz
VIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC)
VIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC) 1 A korszerű digitális tervezés itt ismertetendő (harmadik) irányára az a jellemző, hogy az adott alkalmazásra céleszközt (ASIC - application
Egzotikus elektromágneses jelenségek alacsony hőmérsékleten Mihály György BME Fizikai Intézet Hall effektus Edwin Hall és az összenyomhatatlan elektromosság Kvantum Hall effektus Mágneses áram anomális
Kémiai reakciók mechanizmusa számítógépes szimulációval
Kémiai reakciók mechanizmusa számítógépes szimulációval Stirling András stirling@chemres.hu Elméleti Kémiai Osztály Budapest Stirling A. (MTA Kémiai Kutatóközpont) Reakciómechanizmus szimulációból 2007.
Hőkezelő technológia tervezése
Miskolci Egyetem Gépészmérnöki Kar Gépgyártástechnológiai Tanszék Hőkezelő technológia tervezése Hőkezelés és hegesztés II. című tárgyból Név: Varga András Tankör: G-3BGT Neptun: CP1E98 Feladat: Tervezze
Dankházi Z., Kalácska Sz., Baris A., Varga G., Ratter K., Radi Zs.*, Havancsák K.
Dankházi Z., Kalácska Sz., Baris A., Varga G., Ratter K., Radi Zs.*, Havancsák K. ELTE, TTK KKMC, 1117 Budapest, Pázmány Péter sétány 1/A. * Technoorg Linda Kft., 1044 Budapest, Ipari Park utca 10. Műszer:
SZENNYVÍZKEZELÉS NAGYHATÉKONYSÁGÚ OXIDÁCIÓS ELJÁRÁSSAL
SZENNYVÍZKEZELÉS NAGYHATÉKONYSÁGÚ OXIDÁCIÓS ELJÁRÁSSAL Kander Dávid Környezettudomány MSc Témavezető: Dr. Barkács Katalin Konzulens: Gombos Erzsébet Tartalom Ferrát tulajdonságainak bemutatása Ferrát optimális
Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal
Radioaktivitás Biofizika előadások 2013 december Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal PTE ÁOK Biofizikai Intézet, Orbán József Összefoglaló radioaktivitás alapok Nukleononkénti kötési energia (MeV) Egy
Kutatási beszámoló. 2015. február. Tangens delta mérésére alkalmas mérési összeállítás elkészítése
Kutatási beszámoló 2015. február Gyüre Balázs BME Fizika tanszék Dr. Simon Ferenc csoportja Tangens delta mérésére alkalmas mérési összeállítás elkészítése A TKI-Ferrit Fejlsztő és Gyártó Kft.-nek munkája
CLOSER TO YOU. Intraorális képalkotás A DIGITÁLIS VILÁG ELŐNYEI
CLOSER TO YOU Intraorális képalkotás A DIGITÁLIS VILÁG ELŐNYEI Intraorális képalkotás Páciens kényelem és könnyű használat A lemez mérete és a pozicionálás megegyezik a tradicionális kisfilmes eljárással,
MEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
Szabó Zoltán VÉKONYRÉTEG ÉS NANOSZERKEZETŰ CINK-OXID TERVEZETT SZINTÉZISE ÉS VIZSGÁLATA OPTOELEKTRONIKAI ESZKÖZÖK SZÁMÁRA PHD ÉRTEKEZÉS
VÉKONYRÉTEG ÉS NANOSZERKEZETŰ CINK-OXID TERVEZETT SZINTÉZISE ÉS VIZSGÁLATA OPTOELEKTRONIKAI ESZKÖZÖK SZÁMÁRA PHD ÉRTEKEZÉS Szabó Zoltán TÉMAVEZETŐ Dr. Volk János KONZULENS Dr. Hárs György MTA EK MŰSZAKI
Analitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
A hőterjedés dinamikája vékony szilikon rétegekben. Gambár Katalin, Márkus Ferenc. Tudomány Napja 2012 Gábor Dénes Főiskola
A hőterjedés dinamikája vékony szilikon rétegekben Gambár Katalin, Márkus Ferenc Tudomány Napja 2012 Gábor Dénes Főiskola Miről szeretnék beszélni: A kutatás motivációi A fizikai egyenletek (elméleti modellek)
A LED, mint villamos alkatrész
LED tápegységek - LED, mint villamos alkatrész - LED, a törpefeszültségű áramkörben - közel feszültséggenerátoros táplálás és problémái - analóg disszipatív áramgenerátoros táplálás - kapcsolóüzemű áramgenerátoros
MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY
MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TV Kiforrott technológia Kiváló képminőség Környezeti fény nem befolyásolja 4:3, 16:9 Max méret 100 cm Mélységi
9. Gyakorlat - Optoelektronikai áramköri elemek
9. Gyakorlat - Optoelektronikai áramköri elemek (Componente optoelectronice) (Optoelectronic devices) 1. Fénydiódák (LED-ek) Elnevezésük az angol Light Emitting Diode rövidítéséből származik. Áramköri
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja Archeometriai műhely ELTE TTK 2013. Elektronmikroszkópok TEM SEM Transzmissziós elektronmikroszkóp Átvilágítós vékony minta < 100
ELLENÁLL 1. MÉRŐ ÉRINTKEZŐK:
1. MÉŐ ÉINTKEZŐK: 1. MÉŐ ÉINTKEZŐK (folytatás): á tm F ö s s z e s z o rító 1. MÉŐ ÉINTKEZŐK (folytatás): meghibásodott érintkezők röntgen felvételei EED CSÖVES ÉINTKEZŐ: É D 2. CSÚSZÓÉINTKEZŐS ÁTALAKÍTÓK
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK ITRISIC (TISZTA) FÉLVEZETŐK E EXTRÉM AGY TISZTASÁG (kb: 10 10 Si, v. Ge, 1 szennyező atom) HIBÁTLA KRISTÁLYSZERKEZET abszolút nulla hőmérsékleten T = 0K = elektron kevés
A hosszúhullámú sugárzás stratocumulus felhőben történő terjedésének numerikus modellezése
A hosszúhullámú sugárzás stratocumulus felhőben történő terjedésének numerikus modellezése Lábó Eszter 1, Geresdi István 2 1 Országos Meteorológiai Szolgálat, 2 Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi
MEMBRÁNKONTAKTOR ALKALMAZÁSA AMMÓNIA IPARI SZENNYVÍZBŐL VALÓ KINYERÉSÉRE
MEMBRÁNKONTAKTOR ALKALMAZÁSA AMMÓNIA IPARI SZENNYVÍZBŐL VALÓ MASZESZ Ipari Szennyvíztisztítás Szakmai Nap 2017. November 30 Lakner Gábor Okleveles Környezetmérnök Témavezető: Bélafiné Dr. Bakó Katalin
Kromatikus diszperzió mérése
Kromatikus diszperzió mérése Összeállította: Mészáros István tanszéki mérnök 1 Diszperziós jelenségek Diszperzió fogalma alatt a jel szóródását értjük. A gyakorlatban ez azt jelenti, hogy a bemeneti keskeny
Elektrokémia. A nemesfém elemek és egymással képzett vegyületeik
Elektrokémia Redoxireakciók: Minden olyan reakciót, amelyben elektron leadás és elektronfelvétel történik, redoxi reakciónak nevezünk. Az elektronleadás és -felvétel egyidejűleg játszódik le. Oxidálószer
Dózis-válasz görbe A dózis válasz kapcsolat ábrázolása a legáltalánosabb módja annak, hogy bemutassunk eredményeket a tudományban vagy a klinikai
Dózis-válasz görbe A dózis válasz kapcsolat ábrázolása a legáltalánosabb módja annak, hogy bemutassunk eredményeket a tudományban vagy a klinikai gyakorlatban. Például egy kísérletben növekvő mennyiségű
Ásványgyapotos szendvicspanel
Ásványgyapotos szendvicspanel Tetőpanel Műszaki paraméterek Szigetelő mag: Teljes szélesség: Fedőszélesség: Hosszúság: Éghetőségi osztály: Tűzállósági határérték: MW Ásványgyapot 1059 mm 1000 mm 3.000
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Buapesti Műszaki és Gazaságtuományi Egyetem MKROEEKTRONKA, VEEA6 Térvezérelt tranzisztorok. A JFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/11-jfet.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint
Szénszálak és szén nanocsövek
Szénszálak és szén nanocsövek Hernádi Klára Szegedi Tudományegyetem Alkalmazott Kémiai Tanszék 1 Rendszám: 6 IV. főcsoport Nemfémek Négy vegyértékű Legjelentősebb allotróp módosulatok: SZÉN Kötéserősség:
Anyagvizsgálati módszerek Elemanalitika. Anyagvizsgálati módszerek
Anyagvizsgálati módszerek Elemanalitika Anyagvizsgálati módszerek Pannon Egyetem Mérnöki Kar Anyagvizsgálati módszerek Kémiai szenzorok 1/ 18 Elemanalitika Elemek minőségi és mennyiségi meghatározására
SOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
HSS60 ( ) típusú léptetőmotor meghajtó
HSS60 (93.034.027) típusú léptetőmotor meghajtó Jellemzők Teljesen zárt kör Alacsony motorzaj Alacsony meghajtó és motormelegedés Gyors válaszidő, nagy motorsebesség Optikailag leválasztott ki és bemenetek
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Fémek technológiája
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Fémek technológiája ACÉLOK ÁTEDZHETŐ ÁTMÉRŐJÉNEK MEGHATÁROZÁSA Dr. Palotás Béla / Dr. Németh Árpád palotasb@eik.bme.hu A gyakorlat előkészítő előadás fő témakörei Az
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába V. Félvezető diódák Félvezető dióda Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. (Si, Ge)
HŐÁTADÁSI FOLYAMATOK SZÁMÍTÁSA
HŐÁTADÁSI FOLYAMATOK SZÁMÍTÁSA KOHÓMÉRNÖKI MESTERKÉPZÉSI SZAK HŐENERGIA-GAZDÁLKODÁSI SZAKIRÁNY TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM MŰSZAKI ANYAGTUDOMÁNYI KAR TÜZELÉSTANI ÉS HŐENERGIA INTÉZETI
MUNKATERV / BESZÁMOLÓ
MUNKATERV / BESZÁMOLÓ Fehér András Ph.D. hallgató 3. szemeszter (2014/2015. tanév 1. félév) email cím: oregtolgy@gmail.com állami ösztöndíjas* önköltséges* Témaleírás: A PhD téma címe: Optoelektonikai