3. Fejezet Csonka Gábor István MTA Doktori Értekezés

Hasonló dokumentumok
4. Fejezet Csonka Gábor István MTA Doktori Értekezés

5. Az elektronkorreláció szerepe a metil-amin nagy amplitúdójú mozgásainak leírásában. DFT és poszt Hartree- Fock számítások

8. Egyszerû tesztek sûrûség funkcionál módszerek minõsítésére

Kémiai kötés. Általános Kémia, szerkezet Dia 1 /39

Modern Fizika Labor. Fizika BSc. Értékelés: A mérés dátuma: A mérés száma és címe: 13. mérés: Molekulamodellezés PC-n április 29.

Kémiai kötés. Általános Kémia, szerkezet Dia 1 /39

Kémiai kötés. Általános Kémia, szerkezet Slide 1 /39

A kémiai kötés magasabb szinten

Kémiai kötés. Általános Kémia, szerkezet Slide 1 /39

A SZILÁRDTEST FOGALMA. Szilárdtest: makroszkópikus, szilárd, rendezett anyagdarab. molekula klaszter szilárdtest > σ λ : rel.

A kémiai kötés magasabb szinten

A kovalens kötés elmélete. Kovalens kötésű molekulák geometriája. Molekula geometria. Vegyértékelektronpár taszítási elmélet (VSEPR)

Kémiai kötés Lewis elmélet

? ligandum kötés konformációs változás aktiválási energia számítás pka számítás kötési energiák

A kovalens kötés polaritása

FELADATMEGOLDÁS. Tesztfeladat: Válaszd ki a helyes megoldást!

Elektronegativitás. Elektronegativitás

Fizikai kémia 2. Előzmények. A Lewis-féle kötéselmélet A VB- és az MO-elmélet, a H 2+ molekulaion

Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei

Kutatási terület. Szervetlen és szerves molekulák szerkezetének ab initio tanulmányozása

Kötések kialakítása - oktett elmélet

Általános és szervetlen kémia 3. hét Kémiai kötések. Kötések kialakítása - oktett elmélet. Lewis-képlet és Lewis szerkezet

Savak bázisok. Csonka Gábor Általános Kémia: 7. Savak és bázisok Dia 1 /43

Al-Mg-Si háromalkotós egyensúlyi fázisdiagram közelítő számítása

Kémiai reakciók mechanizmusa számítógépes szimulációval

Compton-effektus. Zsigmond Anna. jegyzıkönyv. Fizika BSc III.

Elektrosztatikus számítások. Elektrosztatikus számítások. Elektrosztatikus számítások. Elektrosztatikus számítások Definíciók

Periódusos rendszer (Mengyelejev, 1869) nemesgáz csoport: zárt héj, extra stabil

Lendület. Lendület (impulzus): A test tömegének és sebességének szorzata. vektormennyiség: iránya a sebesség vektor iránya.

Szá molá si feládáttí pusok á Ko zgázdásá gtán I. (BMEGT30A003) tá rgy zá rthelyi dolgozátá hoz á 3. oktátá si he t tánányágá hoz kápcsolo do án

Erőterek. Erőterek. Erőterek. Erőterek. Erőterek. Erőterek. Probléma: fehérjéknél nagy dimenziók értelmetlen QM eredmények.

A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok

Cikloalkánok és származékaik konformációja

Az egyensúly. Általános Kémia: Az egyensúly Slide 1 of 27

A II. kategória Fizika OKTV mérési feladatainak megoldása

Savak bázisok. Csonka Gábor Általános Kémia: 7. Savak és bázisok Dia 1 /43

Súlytámfal ellenőrzése

Alapvető bimolekuláris kémiai reakciók dinamikája

A kémiai kötés eredete; viriál tétel 1

Akusztikai tervezés a geometriai akusztika módszereivel

3. A kémiai kötés. Kémiai kölcsönhatás

1.7. Felületek és katalizátorok

Nehézségi gyorsulás mérése megfordítható ingával

Kémiai alapismeretek 3. hét

Hemoglobin - myoglobin. Konzultációs e-tananyag Szikla Károly

Atomszerkezet. Atommag protonok, neutronok + elektronok. atompályák, alhéjak, héjak, atomtörzs ---- vegyérték elektronok

A racionális gyógyszertervezés lehetőségei. A racionális gyógyszertervezés lehetőségei. A racionális gyógyszertervezés lehetőségei

Magspektroszkópiai gyakorlatok

A kémiai kötés. Kémiai kölcsönhatás

Axiomatikus felépítés az axiómák megalapozottságát a felépített elmélet teljesítképessége igazolja majd!

Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal

A évi TOP20 kukorica hibridek terméseinek stabilitásvizsgálata

Coming soon. Pénzkereslet

A behajlási teknő geometriája

Az egyensúly. Általános Kémia: Az egyensúly Slide 1 of 27

Katalízis. Tungler Antal Emeritus professzor 2017

Periódusosság. Általános Kémia, Periódikus tulajdonságok. Slide 1 of 35

Periódusosság. Általános Kémia, Periódikus tulajdonságok. Slide 1 of 35

Hajlított elemek kifordulása. Stabilitásvesztési módok

A mérés célkitűzései: A matematikai inga lengésidejének kísérleti vizsgálata, a nehézségi gyorsulás meghatározása.

Makroökonómia. 11. hét

9. Laboratóriumi gyakorlat NYOMÁSÉRZÉKELŐK

Idegen atomok hatása a grafén vezet képességére

A fogyasztási kereslet elméletei

Toluol (Bruckner II/1 476) µ= 0.33 Debye

Ponthibák azonosítása félvezető szerkezetekben hiperfinom tenzor számításával

Modern Fizika Labor Fizika BSC

Kémiai reakciók sebessége

Atomfizika. A hidrogén lámpa színképei. Elektronok H atom. Fényképlemez. emisszió H 2. gáz

Kémiai kötések. Kémiai kötések. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011

Átmenetifém-komplexek mágneses momentuma

A gravitáció hatása a hőmérsékleti sugárzásra

GAZDASÁGI ISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA JAVÍTÁSI-ÉRTÉKELÉSI ÚTMUTATÓ

Reakciókinetika. Általános Kémia, kinetika Dia: 1 /53

Módszer az ASEA-ban található reaktív molekulák ellenőrzésére

Makroökonómia. 12. hét

Kémiai kötések. Kémiai kötések kj / mol 0,8 40 kj / mol

TÖBBKOMPONENS RENDSZEREK FÁZISEGYENSÚLYAI IV.

Makroökonómia. 9. szeminárium

Spontaneitás, entrópia

Modern fizika laboratórium

W = F s A munka származtatott, előjeles skalármennyiség.

Orvosi Biofizika I. 12. vizsgatétel. IsmétlésI. -Fény

Grafikonok automatikus elemzése

Szabó-bakoseszter. Makroökonómia. Árupiacrövidtávon,kiadásimultiplikátor, adómultiplikátor,isgörbe

Közgazdaságtan alapjai. Dr. Karajz Sándor Gazdaságelméleti Intézet

Szalai István. ELTE Kémiai Intézet 1/74

Gázok. 5-7 Kinetikus gázelmélet 5-8 Reális gázok (korlátok) Fókusz: a légzsák (Air-Bag Systems) kémiája

Mivel foglalkozik a hőtan?

A 2017/2018. tanévi Országos Középiskolai Tanulmányi Verseny döntő forduló FIZIKA II. KATEGÓRIA JAVÍTÁSI ÚTMUTATÓ. Pohár rezonanciája

Modern Fizika Labor. Fizika BSc. Értékelés: A mérés dátuma: A mérés száma és címe: 12. mérés: Infravörös spektroszkópia május 6.

A bifiláris felfüggesztésű rúd mozgásáról

Jegyzet. Kémia, BMEVEAAAMM1 Műszaki menedzser hallgatók számára Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár Dr Madarász János, egyetemi docens.

Tömegmérés stopperrel és mérőszalaggal

Szemináriumi feladatok (alap) I. félév

Gyakorlati útmutató a Tartók statikája I. tárgyhoz. Fekete Ferenc. 5. gyakorlat. Széchenyi István Egyetem, 2015.

NA61/SHINE: Az erősen kölcsönható anyag fázisdiagramja

Termodinamika (Hőtan)

Fermi Dirac statisztika elemei

Víz. Az élő anyag szerkezeti egységei. A vízmolekula szerkezete. Olyan mindennapi, hogy fel sem tűnik, milyen különleges

Átírás:

3. Az elektronkorreláció és a bázis függvények hatása a disziloxán hajlítási potenciális energiagörbéjére I. Csonka, G. I., Erdõsy, M. and Réffy, J., Structure of Disiloxane: Semiempirical and post-artree-fock study, J. Comp. Chem. 15 (1994) 925. II. Csonka, G. I and Réffy, J., Density-functional study of the equilibrium geometry and Si-O-Si potential energy curve of disiloxane, Chem. Phys. Lett. 229 (1994) 191. V. Csonka, G. I. and Réffy, J., The failure of the MO-based theoretical explanations for bending of disiloxane, J. Mol. Struct. (Theochem), 332 (1995) 187. 3.1. Bevezetés A disziloxán szerkezetének meghatározása kísérletileg és elméletileg egyaránt nehéznek bizonyult. A kísérleti nehézségek fõ forrása két nagy amplitúdójú mozgás, a Si 3 csoportok forgása és az Si-O-Si kötés behajlása. A 3.1. táblázatban foglaltam össze a rendelkezésre álló, egymásnak ellentmondó adatokat. Kutatásunk célja annak eldöntése volt, hogy mennyi a valóságos eredmény és milyen számítási módszerrel lehet azt reprodukálni. 3.1. táblázat. A hajlítási energiagát (kcal/mol), az Si-O-Si kötésszög ( ) és az Si-O kötéstávolság (Å) disziloxánban az irodalmi adatok szerint. Módszer/bázis Gátmagasság <(Si-O-Si) r(si - O) ivatkozás Kísérlet (IR+Raman) 0.00 180.0 1 Kísérlet (ED) - 144.1 1.634 2 Kísérlet (Raman) 1.40 3 Kísérlet (Raman) 0.32 149 ± 2 4 Kísérlet (Raman) 0.30 151.2 5 Kísérlet (X-Ray) - 144.1 ± 0.3 6 RF/STO-3G 124.0 1.658 7 RF/4-31G 0.00 180.0 7 RF/6-31G(d) 0.00 170.1 1.626 8 MP2/6-31G(d)//RF/6-31G(d) 0.41 145.0 8 MP3/6-31G(d)//RF/6-31G(d) 0.38 145.0 8 CPFa 0.24 150.9 9 RF/TZ(2d) 0.66 147.3 1.621 10 CISD/TZ(2d) 1.02 143.8 1.631 10 MP2/6-31G(d) 0.5 143.6 1.660 11 MP2/6-311G(d,p) 0.1 156.6 1.641 11 MP2/6-311G(2d,p) 1.2 139.8 1.647 11 RF/CEP-31G 0.00 180.0 1.674 12 RF/CEP-31G(d) - 143.4 1.646 12 a részben optimalizált geometria, nem standard bázissal számítva. A 3.1. táblázat adataiból az a következtetés vonható le, hogy a korábbi számítások alapján nem lehet dönteni a háromféle kísérleti eredmény között. A disziloxán molekulára vonatkozóan megállapítható, hogy az Si-O-Si kötés lineárissá alakításához szükséges számított energia érzékeny az alkalmazott bázis polarizációs függvényeire. A jó minõségû, 6-311G(d) vagy TZ(d) 15

tripla-zéta bázist egyetlen d pálya készlettel (amely 6 egyedi pályából áll) kiegészí tve nagyon alacsony, vagy nulla gátat kapunk. a 6-311G(2d) bázissal végezzük a számításokat, a gátmagasság jelentõsen megnõ. 3.2. Eredmények Az általunk végzett nagyon pontosnak tekinthetõ CCSD(T)/6-311G(d) számítások szerint a gátmagasság 0,23 kcal/mol (0,96 kj/mol), a CCSD(T)/6-311G(2d) számítások szerint a gátmagasság 1,36 kcal/mol (5,69 kj/mol) (3.2. táblázat, az I. és II. közlemény alapján). A gátmagasság-növekedés módszer és bázis független, ami arra utal, hogy kizárólag a polarizációs függvények a felelõsek a jelenségért. Számításaimhoz a 3.1. Ábrán látható Cs szimmetriájú konformációt használtam. t O t Si Si 3.1. ábra. A számításokhoz használt C s szimmetriájú disziloxán konformáció. t jelöli a szimmetriasíkban lévõ hidrogénatomokat. Az Si 3 csoport forgatásakor ennek a konformernek a legalacsonyabb az energiája. Megjegyzendõ, hogy a lineáris szerkezet esetén az Si 3 csoportok forgásának energia gátja gyakorlatilag nulla, míg az Si-O-Si kötés behajlításakor a 3.1. Ábrán látható konformáció válik a legstabilabbá. Minél kisebb az Si-O-Si kötésszög, annál nagyobb lesz a forgás gátja. 3.2. táblázat. A disziloxán legalacsonyabb energiájú és lineáris alakjának különbözõ módszerekkel számított teljes energiája (artree), az energiagát magassága (kcal/mol) és a számításhoz használt geometria fõbb jellemzõi ( és Å). Módszer/bázis Teljes energia Energiagát <(Si-O-Si) r(si - O) r(si - t) r(si - ) F/6-311G(d) -656.32089 0.00 180.0 1.6201 1.4732 B3-P86/6-311G(d) -658.71040 170.0 1.6349 1.4836 1.4853 B3-P86/6-311G(d) -658.71036 0.03 180.0 1.6339 1.4845 B-P86/6-311G(d) -657.95679 160.0 1.6534 1.4954 1.4989 B-P86/6-311G(d) -657.95661 0.11 180.0 1.6488 1.4977 MP2/6-311G(d) -656.67361 154.0 1.6436 1.4773 1.4811 MP2/6-311G(d) -656.67336 0.16 180.0 1.6363 1.4797 CCSD(T)/6-311G(d) a -656.71991 155.0 CCSD(T)/6-311G(d) a -656.71955 0.23 180.0 F/6-311G(2d) -656.32949 147.0 1.6216 1.4749 1.4789 F/6-311G(2d) -656.32837 0.70 180.0 1.6135 1.4775 B3-P86/6-311G(2d) -658.71998 140.2 1.6420 1.4820 1.4870 B3-P86/6-311G(2d) -658.71817 1.13 180.0 1.6286 1.4850 B-P86/6-311G(2d) b -657.96661 138.1 1.6601 1.4935 1.4989 B-P86/6-311G(2d) b -657.96447 1.34 180.0 1.6439 1.4972 16

3.2. táblázat folytatása. Módszer/bázis Teljes energia Energiagát <(Si-O-Si) r(si - O) r(si - t) r(si - ) MP2/6-311G(2d) a -656.71466 140.0 MP2/6-311G(2d) a -656.71269 1.24 180.0 CCSD(T)/6-311G(2d) a -656.76323 140.0 CCSD(T)/6-311G(2d) a -656.76106 1.36 180.0 F/6-311+G(3d) -656.33916 147.7 1.6223 1.4700 1.4735 F/6-311+G(3d) -656.33807 0.68 180.0 1.6134 1.4721 B-P86/6-311+G(3d) -657.97516 138.7 1.6607 1.4907 1.4958 B-P86/6-311+G(3d) -657.97306 1.32 180.0 1.6434 1.4939 MP2/6-311+G(3d) a -656.73302 140.0 MP2/6-311+G(3d) a -656.73106 1.23 180.0 F/6-311+G(3df) -656.35304 167.4 1.6112 1.4731 1.4744 F/6-311+G(3df) -656.35299 0.03 180.0 1.6089 1.4740 B3-P86/6-311+G(3df) -658.73689 149.4 1.6334 1.4798 1.4835 B3-P86/6-311+G(3df) -658.73646 0.27 180.0 1.6245 1.4822 B-LYP/6-311+G(3df) -657.90059 149.2 1.6540 1.4873 1.4915 B-LYP/6-311+G(3df) -657.90008 0.33 180.0 1.6438 1.4901 B-P86/6-311+G(3df) -657.98208 144.5 1.6532 1.4914 1.4961 B-P86/6-311+G(3df) -657.98130 0.49 180.0 1.6398 1.4945 MP2/6-311+G(3df) a -656.79396 145.0 MP2/6-311+G(3df) a -656.79317 0.50 180.0 a Az MP2/6-311G(d) módszerrel optimalizált geometriát használva. b A geometriát finom ráccsal újra optimalizáltam (Int=FineGrid), hogy meggyõzõdhessünk az eredmény stabilitásáról. A 3.2. táblázat adatai alapján látható, hogy további d, valamint diffúz pályák hozzáadása nem változtatja meg lényegesen a gátmagasságot, viszont az f pályák hozzáadása lényegesen csökkenti azt. A polarizációs függvények hatását az Si-O-Si kötésszög behajlításának potenciális energia görbéjére a 3.2., 3.3. és 3.4. Ábrán mutatom be (az ábrák a I és II közleményekben jelentek meg). A 3.2. táblázatban és a 3.2., 3.3. és 3.4. Ábrán bemutatott módszerek mellett még vizsgáltam a CCD, CCSD és CISD módszereket is [I]. Megállapí tható hogy az MP2 módszerrel számí tott potenciális energiagörbe az elõbbi 3 módszerrel számított energiagörbénél közelebb esik a legpontosabb CCSD(T) módszerrel számított potenciális energiagörbéhez (ezek az ábrák a I. publikációban találhatók). Ezért a nagyon nagy bázissal végzett számí tások esetében, amikor a CCSD(T) számítások rendkívül költségesek lennének, az MP2 eredményeket használtam referenciaként. 17

Relative Energy (kcal/mol) 1.40 1.20 1.00 0.80 0.60 0.40 0.20 0.00 6-311G(d) F MP2 B3-P86 B-P86 CCSD(T) -0.20-0.40 130 140 150 160 170 180 Si-O-Si bond angle 3.2. ábra. Az Si-O-Si kötés behajlításának potenciális energiagörbéje a 6-311G(d) bázissal számítva. A F, a B-P86, a B3-P86 geometriákat rögzített Si-O-Si kötésszögek mellett teljesen optimalizáltam. A CCSD(T) energiákat a megfelelõ MP2/6-311G(d) optimalizált geometriák alapján számítottam. A F görbét -0,27 kcal/mol-lal elcsúsztattam. 18

Relative Energy (kcal/mol) 1.40 1.20 1.00 0.80 0.60 0.40 6-311G(2d) F MP2 B3-P86 B-P86 CCSD(T) 0.20 0.00 130 140 150 160 170 180 Si-O-Si bond angle 3.3 ábra. Az Si-O-Si kötés behajlí tásának potenciális energiagörbéje a 6-311G(2d) bázissal számítva. A F, a B-P86, a B3-P86 geometriákat rögzített Si-O-Si kötésszögek mellett teljesen optimalizáltam. A CCSD(T) energiákat a megfelelõ MP2/6-311G(d) optimalizált geometriák alapján számítottam. A B-P86 görbét 0,05 kcal/mol-lal elcsúsztattam. A 3.3. és 3.4. Ábrákon látható, hogy több polarizációs függvény használata esetén az MP2 és a B-P86 görbék közel esnek egymáshoz, és a 3.3. Ábrán látható, hogy a B-P86 görbe közelíti jobban a CCSD(T) potenciális energiagörbét. Legjobb minõségû számításaim alapján megállapítható, hogy az Si-O-Si kötés behajlításának helyes leírásához szükség van az f polarizációs függvények használatára és az elektron korreláció figyelembe vételére. Eredményeim alapján az Si-O-Si kötésszög nem lineáris és a 0,30 kcal/mol kísérleti érték megerõsíthetõ [II]. A 3.2., 3.3., és 3.4. ábra alapján megállapítható, hogy az egyensúlyi Si-O-Si kötésszög hasonló módon függ a bázistól mint a gátmagasság. Magas gát esetén kisebb, alacsony gát esetén nagyobb kötésszöget kapunk. 19

1.40 Relative Energy (kcal/mol) 1.20 1.00 0.80 0.60 0.40 0.20 F/+G(3d) MP2/+G(3d) B-P86/+G(3d) F/+G(3df) MP2/+G(3df) B-P86/+G(3df) 0.00-0.20-0.40 130 140 150 160 170 180 Si-O-Si bond angle 3.4. ábra. Az Si-O-Si kötés behajlításának potenciális energiagörbéje a 6-311+G(3d) és 6-311+G(3df) bázissal számítva. A F és a B-P86 geometriákat rögzített Si- O-Si kötésszögek mellett teljesen optimalizáltam. A CCSD(T) energiákat a megfelelõ MP2/6-311G(d) optimalizált geometriák alapján számítottam. A F/+G(3d) görbét 0,10 kcal/mol-lal, a B-P86/+G(3d) görbét 0,05 kcal/mol-lal, a B3-P86/+G(3d) görbét -0,05 kcal/mol-lal, a F/+G(3df) görbét -0,32 kcal/mollal elcsúsztattam. Az, hogy a disziloxánban erõsen függ az egyensúlyi kötésszög az alkalmazott bázistól, lehetõséget nyújtott egy korábbi feltételezés alkalmazhatóságának ellenõrzésére. Shambayati és mtsai 8 azzal magyarázták a disziloxán dimetil-éterhez viszonyított nagyobb oxigén centrumú kötésszögét, hogy a legfelsõ betöltött molekulapályák hajlításkor fellépõ stabilizáló hatása a disziloxán esetében jóval kisebb, és ezt sikeresen kompenzálja a b 2 szimmetriájú OMO-2 pálya destabilizáló hatása. Eredményeim alapján megállapítható, hogy Az Si-O-Si hajlí tási gátmagasság a disziloxánban érzékenyen függ az alkalmazott polarizációs függvények számától. Tripla-zéta, 6-311G bázis egy d polarizációs függvénykészlettel nagyon alacsony (CCSD(T) módszerrel számítva 0,23 kcal/mol), vagy nulla (F módszerrel számítva), két d polarizációs függvénykészlettel magas (CCSD(T) módszerrel számítva 1,36 kcal/mol), három d és egy f polarizációs függvénykészlettel ismét alacsony hajlítási gátat ad (0,3-0,4 20

kcal/mol ACM, GGA-DFT és MP2 módszerekkel számítva). Számításaim a 0,32 kcal/mol kísérleti hajlítási gátmagasságot támasztják alá. A DFT és az MP2 eredmények jól egyeznek a CCSD(T) eredményekkel, ezért megbízhatóak. A CEP bázis valamennyi módszerrel és egy d polarizációs függvénykészlettel is magas gátat ad, így nem ajánlható Si-O-Si hajlítás tanulmányozására [I,II]. Az Si-O-Si egyensúlyi kötésszög a gátmagassághoz hasonlóan függ a bázistól. Tripla zéta, 6-311G bázis egy d polarizációs függvénykészlettel 155 fölötti, két d polarizációs függvénykészlettel 140 alatti szöget eredményez. árom d és egy f polarizációs függvénykészlettel a kísérleti 145-150 -kal jól egyezõ eredményt kapunk. Általában megállapítható, hogy magasabb gátmagasság kisebb egyensúlyi kötésszöggel jár együtt [I,II]. Az Si-O kötéstávolság és az Si-O-Si kötésszög közötti szilikát kristályok alapján felállított összefüggés nem egyezik a számítások által gáz fázisban megjósolt összefüggéssel [I]. Az ab iníció elektrosztatikus pontenciál alapján származtatott töltések konvergenciát mutattak. Az ú.n. CELPG algoritmus szerint számított töltések az Si-O-Si kötésszög csökkenésével nõnek. A Mulliken töltések nem mutattak konvergenciát, használatuk az eredmények alapján nem ajánlatos [I]. A hexametil-disziloxánra végzett számí tásaim szerint ebben a molekulában az Si-O távolság 1 pm-rel hosszabb, az Si-O-Si kötésszög nagyobb és az Si-O-Si hajlí tási gátmagasság kisebb, mint a disziloxánban. A CELPG, BMK és NPA (természetes populációs analízis) eredmények szerint az Si-O kötés hexametil-disziloxánban erõsebben ionos jellegû mint a disziloxánban [I]. Az az elmélet, amely szerint disziloxánban a legfelsõ molekulapályák energiájának az Si-O-Si kötésszög behajlításakor bekövetkezõ megváltozása ad az alacsony energiagátra és nagy kötésszögére magyarázatot, nem bizonyult érvényesnek. Számításaink szerint a hajlítási energiagát magassága és az Si-O-Si kötésszög nagyon erõsen függ a bázistól, de ezzel szemben a pályaenergiák Si-O-Si kötésszög behajlításakor bekövetkezõ megváltozása az alkalmazott bázistól független [V]. Irodalomjegyzék 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Lord, R. C.; Robinson, D. W.; Schumb, W. C. J. Am. Chem. Soc. 78, 1327 (1957). Almenningen, A.; Bastiansen, O.; Ewing, V.; edberg, K.; Tretteberg, M. Acta. Shem. Scand. 17, 2455 (1963). Aronson, J. R.; Lord, R. C.; Robinson, D. W. J. Chem. Phys. 33, 1004 (1960). J. R. Durig M. J. Flanagan, V. F. Kalasinsky, J. Chem. Phys. 66, 2775 (1977). Koput, J.; Wierzbicki, A. J. Mol. Specrosc. 99, 116 (1983). M. J Barrow, E. A. Ebsworth, M. M. arding, Acta Crytallogr. B35, 2093 (1979). Sauer, J.; Zurawski, B. Chem. Phys. Lett. 65, 587 (1979). S. Shambayati, J. F. Blake, Wierschke, S. G. Jorgensen, W. L.; Schreiber, S. L., J. Am. Chem Soc. 112, 697 (1990). J. Koput, Chem. Phys. 148, 299 (1990). Nicholas, J. B.; Winans, R. E.;arrison, R. J.; Iton, L. E.; Curtiss, L. A.; opfinger, A. J., J. Phys. Chem. 96, 7958 (1992). B. T. Luke, J. Phys. Chem. 97, 7505 (1993). C. W. Earley, J. Comp. Chem. 14, 216 (1993). 21