ÓN-WHISKER KÉPZŐDÉS AZ ELEKTRONIKÁBAN

Hasonló dokumentumok
FELÜLETI HIBAJELENSÉGEK ELEKTRONIKUS ESZKÖZÖKBEN (NNA-P2-T2) PEJ BESZÁMOLÓ

Elektronikus áramkörök megbízhatósági problémáinak metallurgiai elemzése

Hősokk hatására bekövetkező szövetszerkezeti változások vizsgálata ólommal szennyezett forraszanyag esetén.

Ón-tűkristály képződés és növekedés vizsgálata ipari csatlakozó berendezésen

Szereléstechnológia. A felületi szereléstechnológia kialakulása MÉRETSZABVÁNY. A felületi szerelés típusai. A felületi szerléstechnológia(smt):

A nikkel tartalom változásának hatása ólommentes forraszötvözetben képződő intermetallikus vegyületfázisokra

FORRASZTOTT KÖTÉSEK MIKROSZERKEZETÉNEK ÚJ VIZSGÁLATI ELJÁRÁSAI

HŐ- ÉS ANYAGTRANSZPORT FOLYAMATOK

AZ ÓN WHISKEREK NÖVEKEDÉSÉNEK

3. METALLOGRÁFIAI VIZSGÁLATOK

Kiss László Blog:

JEGYZŐKÖNYV a Villamosmérnöki és az Informatikai Tudományok Habilitációs Bizottság és Doktori Tanács június 28-i üléséről

EBSD-alkalmazások. Minta-elôkészítés, felületkezelés

Az ólomszennyezés hatása a forraszanyagok szövetszerkezetére és mechanikai tulajdonságaira

Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban

Előzmények. a:sige:h vékonyréteg. 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása

Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István

Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények

ÓLOMMAL SZENNYEZETT TÖBBALKOTÓS FORRASZANYAGOK VIZSGÁLATA EXAMINATION OF MULTICOMPONENT LEAD-CONTAMINATED SOLDER ALLOY

Jegyzetelési segédlet 8.

Amorf/nanoszerkezetű felületi réteg létrehozása lézersugaras felületkezeléssel

Dankházi Z., Kalácska Sz., Baris A., Varga G., Ratter K., Radi Zs.*, Havancsák K.

TECHNOLÓGIAI FOLYAMATOK ÉS

Ólommentes forrasztás

Tűkristályképződés elektronikai csatlakozó felületeken

NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI

Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben

Tézisfüzet. Molnár László Milán

Az SPC alapjai. Az SPC alapjai SPC Az SPC (Statistic Process Control) módszer. Dr. Illés Balázs

Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.

Baris A. - Varga G. - Ratter K. - Radi Zs. K.

Tájékoztatás a doktori képzésről (2016. szeptemberi vagy ezutáni kezdés)

NYOMTATOTT HUZALOZÁSÚ LAPOK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA

Környezetbiztonságos elektronikai csatlakozófelületek megbízhatóságának vizsgálata tűkristályképződés szempontjából. PhD Értekezés

41. A minıségügyi rendszerek kialakulása, ISO 9000 rendszer jellemzése

Épületgépészeti csőanyagok kiválasztási szempontjai és szereléstechnikája. Épületgépészeti kivitelezési ismeretek szeptember 6.

Újabb eredmények a grafén kutatásában

MEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc

1214 Budapest, Puli sétány info@grimas.hu. Rétegvastagságmérő. MEGA-CHECK Pocket

Nagynyomású csavarással tömörített réz - szén nanocső kompozit mikroszerkezete és termikus stabilitása

Kötő- és rögzítőtechnológiák

A fröccsöntési zsugorodás és a technológia összefüggése

Építményeink védelme március 27. Acélfelületek korrózió elleni védelme fémbevonatokkal

2. Két elírás: 9. oldal, 2. bekezdés - figyelembe, fegyelembe, 57. oldal első mondat - foglalkozok, foglalkozom.

Nagy alkatrész-sűrűségű áramkörök anyagainak, valamint összekötési és szerelési eljárásainak kutatása

A NYOMTATOTT HUZALOZÁSÚ LEMEZEK TECHNOLÓGIÁJA ÉS TERVEZÉSE

SOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead

A sugárzás és az anyag kölcsönhatása. A béta-sugárzás és anyag kölcsönhatása

ELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp

Modern műszeres analitika számolási gyakorlat Galbács Gábor

Alumínium ötvözetek aszimmetrikus hengerlése

Képernyő. monitor

Felületminőség. 11. előadás

ELEKTRONIKAI SZERELÉSTECHNOLÓGIÁK

Hydrogen storage in Mg-based alloys

SZABAD FORMÁJÚ MART FELÜLETEK

Német: középfokú, C típusú állami nyelvvizsga (2005) Angol: alapfok

Tartalom. Kártyatartók. Kártyatartók. Kártyatartók Bevezetés D.2. Kártyatartók D.4 D.1

Mélyfúrás megmunkáló központon

Tézisfüzet. Bonyár Attila

Közegek és felületek megadása

Elektronikai gyártás és minőségbiztosítás Gyártás részének kidolgozása. Készítette: Turóczi Viktor. Közreműködött: Kiss Gergő, Szaffner Dániel

KÖTÉSTECHNOLÓGIÁK ALKALMAZHATÓSÁGA FÚRÓKORONÁK SZEGMENSEINEK RÖGZÍTÉSÉRE. Kenéz Attila Zsolt Témavezető: Dr. Bagyinszki Gyula

A Sályi István Gépészeti Tudományok Doktori Iskola kreditrendszere

Multiréteg struktúrák mágneses tulajdonságai Szakmai beszámoló a T48965 számú kutatásokról

Ausztenites acél keményforrasztáskor fellépő szemcsehatármenti repedése

Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal

Az automatikus optikai ellenőrzés növekvő szerepe az elektronikai technológiában

Síklapokból álló üvegoszlopok laboratóriumi. vizsgálata. Jakab András, doktorandusz. BME, Építőanyagok és Magasépítés Tanszék

1. Definiálja a hőtágulási együttható és az üvegesedési hőmérséklet fogalmát áramköri hordozók esetére.

Titán alapú biokompatibilis vékonyrétegek: előállítása és vizsgálata

Kecskeméti Főiskola GAMF Kar. Poliolefinek öregítő vizsgálata Szűcs András. Budapest, X. 18

Mikropillárok plasztikus deformációja 3.

Közlemények kézi felvitele

Hibák kristályos anyagokban: hogyan keletkeznek és mire használjuk ket?

Arany mikrohuzalkötés. A folyamat. A folyamat. - A folyamat helyszíne: fokozott tisztaságú terület

Tájékoztatás a 4- éves doktori tanulmányok komplex vizsgájáról: a jelentkezésre és a vizsga lebonyolítására vonatkozó információk

Történeti aranyozott ezüstfonalak készítéstechnikai vizsgálata

MELEGZÖMÍTŐ VIZSGÁLATOK ALUMÍNIUMÖTVÖZETEKEN HOT COMPRESSION TESTS IN ALUMINIUM ALLOYS MIKÓ TAMÁS 1

Röntgen-fluoreszcens analízis alkalmazása elektronikai alkatrészek forrasztás-technológiájában

PUBLIKÁCIÓS MINIMUMKÖVETELMÉNYEK A DOKTORI FOKOZATSZERZÉSHEZ AZ SZTE KÖZGAZDASÁGTANI DOKTORI ISKOLÁJÁBAN

PhD beszámoló. 2015/16, 2. félév. Novotny Tamás. Óbudai Egyetem, június 13.

NANOTECHNOLÓGIÁK I. ANYAGMÉRNÖK MSC KÉPZÉS SZAKIRÁNYOS TÁRGY. (nappali munkarendben) TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM

Új típusú anyagok (az autóiparban) és ezek vizsgálati lehetőségei (az MFA-ban)

MAGYAR RÉZPIACI KÖZPONT Budapest, Pf. 62 Telefon , Fax

ELŐTERJESZTŐI ÉRTÉKELÉS (az előterjesztő tölti ki) (a kitöltött adatlap-minta utolsó javítása: október 22.)

1. táblázat. Szórt bevonatokhoz használható fémek és kerámiaanyagok jellemzői

MAKMÖT303B ÖNTÉSZET ALAPJAI ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM MŰSZAKI ANYAGTUDOMÁNYI KAR

ELEKTRONIKAI SZERELÉSTECHNOLÓGIÁK

SZEGEDI TUDOMÁNYEGYETEM KÖZGAZDASÁGTANI DOKTORI ISKOLA. KÉPZÉSI TERV (Érvényes: tanév I. félévétől, felmenő rendszerben)

Érvényes: március 1-jétıl a következı árlista kibocsátásáig

Vegyületfélvezető rétegek optoelektronikus és fotovoltaikus célokra

ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Fémek technológiája

Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata

Kvantitatív Makyoh-topográfia , T

Villamosipari anyagismeret. Program, követelmények ősz

Vizsgálatok Scanning elektronmikroszkóppal

Felületmódosító technológiák

1. Ismertesse és ábrán is szemléltesse a BGA tokozás (műanyag és kerámia) szerkezeti felépítését és

Átírás:

ÓN-WHISKER KÉPZŐDÉS AZ ELEKTRONIKÁBAN PhD beszámoló BÁTORFI RÉKA BUDAPESTI MŰSZAKI ÉS GAZDASÁGTUDOMÁNYI EGYETEM ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA TANSZÉK

WHISKER NÖVEKEDÉS ELŐIDÉZÉSE A whiskerek növekedése spontán folyamat, de gyorsított élettartamvizsgálatokkal növekedésük előidézhető, gyorsítható. A szakirodalom szerint többféle módszert is alkalmaznak whiskerek előidézésére: leggyakoribb a 85/85 (85 C, 85% relatív páratartalom), valamint különböző hőntartási, hőciklus, magas páratartalom és mechanikai behatások által is hoztak létre whiskereket. Kutatási téma lehet, hogy a különböző anyagú felületeken mennyire segíti elő egy-egy adott módszer a whisker növekedést. A tiszta ón bevonatok vizsgálata mellett a whisker kutatás egyik új iránya az ólommentes forraszok vizsgálata, én ólommentes SAC ötvözeteket; emellett ón vékonyrétegeket is teszteltem. 2

HŐCIKLUS és 85/85 HATÁSA A WHISKER NÖVEKEDÉSRE SAC ÖTVÖZETBEN Forrasztott kötés szimmetrizált, egyszerűsített modellje Bevonat: 1 um vastag vegyi ImSn 3 féle forraszpaszta (SAC305, SACX0307, SACX0807) Hőciklus (hősokk)-vizsgálat: 10-10 min - 55 C és +125 C 2000 ciklus 85/85: 85 C és 85 % RH 1500 h ez alatt nem tapasztaltunk whiskernövekedést egyik mintán sem VPS (gőzfázisú) és IR (konvekciós-infra) forrasztási technológiával készült felületek morfológiája jellemzően különböző 3

HŐCIKLUS-KEZELÉS HATÁSA A WHISKER NÖVEKEDÉSRE SAC ÖTVÖZETBEN Forrasztott kötés szimmetrizált, egyszerűsített modellje Bevonat: 1 um vastag vegyi ImSn 3 féle forraszpaszta (SAC305, SACX0307, SACX0807) Hősokkolt panelek IR Hőciklus (hősokk)-vizsgálat: 10-10 min - 55 C és +125 C 2000 ciklus 85/85: 85 C és 85 % RH 1500 h ez alatt nem tapasztaltunk whiskernövekedést egyik mintán sem VPS (gőzfázisú) és IR (konvekciós-infra) forrasztási technológiával készült felületek morfológiája jellemzően különböző VPS 4

WHISKER KÉPZŐDÉS 400 nm VASTAGSÁGÚ Sn VÉKONYRÉTEGEN SEM képeken automatikus whisker-keresés és jellemzés képfeldolgozó módszerrel képek binarizálása objektumok átlagos lefogott hosszának (MIL) mérése A MIL jól jellemzi az elszórtan elhelyezkedő ill. anizotróp objektumok méreteit. A whiskerek hosszát a rájuk illesztett ellipszis főátlójával adjuk meg JEDEC szabvány alapján. 5

WHISKER KÉPZŐDÉS 400 nm VASTAGSÁGÚ Sn VÉKONYRÉTEGEN Ilyen vastagságú Sn vékonyrétegen a whisker képződés kevéssé kutatott. Li-ion akkumulátorok anódjaként használatos. Diffúzióval nem magyarázható sebességű a növekedés mértéke. Validálás? Okok? Minták: 1,5 mm vastag Cu és kerámia hordozók vákuumpárologtatott 99,99% Sn vékonyréteg vastagsága: 400 um 1-1,5 um kerek szemcsék Kísérleti körülmények: szobahőmérséklet 6

MAGYARÁZAT I. Whiskerek már az első 15 nap alatt tömegesen megjelentek (mindhárom típus, széles méretskálán) sűrűség: 3158 db/mm² A 90. napon sűrűségük: 4232 db/mm² A whisker-képződés az első napokban volt a legintenzívebb; a növekedési ráta 34% Átlagos whisker hossz: 6,5 um; végig. Átlagos max. whisker hossz: 100 um magas érték! 7

MAGYARÁZAT II. Valószínű ok: erőteljes IMC növekedés, ennek kitüremkedése látszik További ellenőrző vizsgálatok szükségesek. 8

TÉZIS TERV I. Bebizonyítottam, hogy a mikrométeres vastagság alatti ón vékonyréteg is képes ón whisker növesztésre amennyiben az réz hordozóra kerül. A whisker növekedés bármiféle gyorsítási körülmény alkalmazása nélkül, pusztán szobahőmérsékleten is igen intenzív, elérheti a 0.5µm/órát, ami a klasszikus galvanizált ónrétegeknél tapasztalt növekedési sebesség tízszerese. Fókuszált ionsugaras vizsgálatok segítségével igazoltam, hogy az intenzív whisker növekedés fő előidézője az ón és a réz között végbemenő Cu6Sn5 intermetallikus rétegnövekedés, amely az ón vékonyréteg kis vastagsága miatt, a galvanizált ónrétegeknél tapasztaltakhoz képest, jelentősen nagyobb mechanikai feszültséget okoz. Ezenfelül megmutattam, hogy az intermetallikus réteg egyenetlenségéből fakadó mechanikai feszültség akkumuláció is fontos szerepet játszik az mikrométer alatti ón vékonyrétegekből történő whisker növekedés során. 9

PUBLIKÁCIÓK Whisker Formation from SnAgCu Alloys and Tin Platings Review on the Latest Results SITME2015; 3 pont Whisker Growth from Vacuum Evaporated Submicron Sn Thin Films B. Illés, A. Skwarek, R. Bátorfi, J. Ratajczak, A. Czerwinski, O. Krammer, B. Medgyes, B. Horváth, T. Hurtony Surface and Coatings Technology 311: pp. 216-222- (2017) (IF: 2,139) Tin Whisker Growth from Tin Thin Film ISSE2016; 3 pont Élet és Tudomány ismeretterjesztő cikk (megjelenik 2017 feb. 17.) Beadva: Automatic Characterisation Method for Statistical Evaluation of Tin Whisker Growth Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10

ELŐREHALADÁS 2. Publikációk: legalább 4 közlemény: igen (23) legalább 2 közlemény idegen nyelvű lektorált folyóiratcikkben: nem legalább 1 közlemény WoS vagy Scopus adatbázisban szerepel: igen legalább 2 közlemény lektorált: nem legalább 2 idegen nyelvű közlemény legalább 50% részvétellel: igen publikációs pontszám legalább 12: igen (24,025) 11

ELŐREHALADÁS 3. Tanulmányok: II. félév végén összesen 60 + 5 kredit III. félév végén összesen: 90 + 5 kredit Még szükséges egy 5 kr választható tárgy (Mikroelektronika és mikrorendszerek VIEE DO71) + oktatás, kutatás, publikáció (4*30) Tervezett szigorlati tárgyak: Anyagtudomány, Műszeres analitika az elektronikai technológiában, Mikroelektronika és mikrorendszerek 12

FELMERÜLT KÉRDÉSEK A mikroötvözött forraszanyagok és a kísérleti geometriám esetén mi okozza a whisker-növekedés elmaradását? A hősokk és a 85/85 teszt okozza ezt? Milyen változások tapasztalhatóak a szemcseszerkezetben, milyen hatása van ennek a belső feszültségre (relaxálja, átkristályosodik, )? A vékony ón rétegből történő whisker-növekedés nagy sebességét mi magyarázza? A whiskerek környezetésben tapasztalhatók változások (rétegvastagság csökkenés)? Milyen összefüggésben van a növekedési ráta az atomi diffúzió sebességével? 13

ÚJABB KUTATÁSI TERVEK Mikroötvözött forraszok vizsgálata: TS és 85/85 előtt és után csiszolat, polarizált fény -> szemcseszerkezet változik-e? Whiskerek előidézése: mechanikai feszültség alkalmazása: új geometria; előfeszítés forrasztás közben nyomóél helye F feszültségek az alakzatból is: sarkok (poz, neg) 14

KUTATÁSI TERVEK Mikroötvözött forraszok vizsgálata: TS és 85/85 előtt és után csiszolat, polarizált fény -> szemcseszerkezet változik-e? Mechanikai feszültség alkalmazása: új geometria; előfeszítés forrasztás közben F A görbületi sugár a csavarmenetekkel szabályozható erőhatások a forraszban forrasztás után 15

KUTATÁSI TERVEK Vékonyrétegeken a whisker növekedés monitorozása: adott terület vizsgálata - mennyire jellemző ez a teljes felületre? Növekedési ráta változik? (SEM túl drága) 16