Fókuszált ionsugaras nanomegmunkálás

Hasonló dokumentumok
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények

ELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp

Fókuszált ionsugaras megmunkálás

Fókuszált ionsugaras megmunkálás

MTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor Kétdimenziós kémia. Balogh Ádám Pósa Szonja Polett. Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós

Dankházi Z., Kalácska Sz., Baris A., Varga G., Ratter K., Radi Zs.*, Havancsák K.

PhD DISSZERTÁCIÓ TÉZISEI

MW-PECVD GYÉMÁNTRÉTEG NUKLEÁCIÓJA ÉS NÖVEKEDÉSE KÜLÖNBÖZŐ HORDOZÓKON. Ph.D. értekezés tézisfüzet

Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István

Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke.

FBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40. I. előadás. Geretovszky Zsolt

Az ipari komputer tomográfia vizsgálati lehetőségei

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II

MEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc

MAGYAR TUDOMÁNYOS AKADÉMIA SZILÁRDTESTFIZIKAI ÉS OPTIKAI KUTATÓINTÉZET (MTA SZFKI)

A nanotechnológia mikroszkópja

Röntgendiffrakció. Orbán József PTE, ÁOK, Biofizikai Intézet november

KIEMELKEDŐ EREDMÉNYEK MTA TTK MŰSZAKI FIZIKAI ÉS ANYAGTUDOMÁNYI INTÉZET

Szélesszögű spektroszkópiai ellipszométer fejlesztése és alkalmazása napelem-technológiai ZnO rétegek vizsgálatára

Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata

TDK Tájékoztató 2015 Területek, témák, lehetőségek

Képernyő. monitor

Vegyületfélvezető rétegek optoelektronikus és fotovoltaikus célokra

Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék

Szerkezetvizsgálat ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS (BSc)

A FŐVÁROSI HULLADÉKHASZNOSÍTÓ MŰ KAZÁNJÁBAN KELETKEZETT SZILÁRD ANYAGOK KÖRNYEZET- GEOKÉMIAI VIZSGÁLATA

TDK Tájékoztató 2017 Területek, témák, lehetőségek

2. Két elírás: 9. oldal, 2. bekezdés - figyelembe, fegyelembe, 57. oldal első mondat - foglalkozok, foglalkozom.

Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben

Mikroszerkezeti vizsgálatok

PHD tézisfüzet. Szabó Zoltán. Témavezető: Dr. Volk János Konzulens: Dr. Hárs György

DIPLOMAMUNKA TÉMÁK AZ MSC HALLGATÓK RÉSZÉRE A SZILÁRDTEST FIZIKAI TANSZÉKEN 2018/19.II.félévre

Nanoskálájú határfelületi elmozdulások és alakváltozások vizsgálata szinkrotron- és neutronsugárzással. Erdélyi Zoltán

Szennyvíziszap dezintegrálási és anaerob lebontási kísérlete. II Ökoenergetika és X. Biomassza Konferencia Lipták Miklós PhD hallgató

Orvosi Biofizika I. 12. vizsgatétel. IsmétlésI. -Fény

Aktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György

Reális kristályok, rácshibák. Anyagtudomány gyakorlat 2006/2007 I.félév Gépész BSC

Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban

Felületmódosító technológiák

Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata 4. félév

Szén nanoszerkezetek grafén nanolitográfiai szimulációja

KARBON SZÁLLAL ERŐSÍTETT ALUMÍNIUM MÁTRIXÚ KOMPOZITOK AL/C HATÁRFELÜLETÉNEK JELLEMZÉSE

Lehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból?

Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban

Az Ampère-Maxwell-féle gerjesztési törvény

Fókuszált ionsugaras megmunkálás

Előzmények. a:sige:h vékonyréteg. 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása

A vizsgált anyag ellenállása az adott geometriájú szúrószerszám behatolásával szemben, Mérnöki alapismeretek és biztonságtechnika

Szén nanoszerkezetekkel adalékolt szilíciumnitrid. Tapasztó Orsolya

3. Laboratóriumi gyakorlat A HŐELLENÁLLÁS

A felület összes jellemzői együtt határozzák meg a felületminőséget. Jelentősége a kapcsolódó felületeknél játszik nagy szerepet.

Villamosipari anyagismeret. Program, követelmények ősz

Lézeres eljárások Teflon vékonyréteg leválasztására valamint Teflon adhéziójának módosítására

Szakmai nap Nagypontosságú megmunkálások Nagypontosságú keményesztergálással előállított alkatrészek felület integritása

Újabb eredmények a grafén kutatásában

Typotex Kiadó. Tartalomjegyzék

ÓN-WHISKER KÉPZŐDÉS AZ ELEKTRONIKÁBAN

Optika és Relativitáselmélet II. BsC fizikus hallgatóknak

OTDK ápr Grafén nanoszalagok. Témavezető: : Dr. Csonka Szabolcs BME TTK Fizika Tanszék MTA MFA

Diffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd

HŐMÉRSÉKLETMÉRÉS. Elsődleges etalonok / fix pontok / 1064,00 C Arany dermedéspontja. 961,93 C Ezüst dermedéspontja. 444,60 C Kén olvadáspontja

Kerámia-szén nanokompozitok vizsgálata kisszög neutronszórással

Milyen simaságú legyen a minta felülete jó minőségű EBSD mérésekhez

Bírálat Petrik Péter "Spektroellipszometria a mikroelektronikai rétegminősítésben" című MTA doktori értekezéséről.

1. ábra: Diltiazem hidroklorid 2. ábra: Diltiazem mikroszféra (hatóanyag:polimer = 1:2)

1.1 Emisszió, reflexió, transzmisszió

Bírálat. Lohner Tivadar A spektroszkópiai ellipszometria és az ionsugaras analitika néhány alkalmazása az anyagtudományban című doktori értekezéséről

A magyarországi bankközi klíringrendszer működésének vizsgálata az elszámolás modernizációjának tükrében PhD értekezés tézisei

9. Laboratóriumi gyakorlat NYOMÁSÉRZÉKELŐK

Polimorfia Egy bizonyos szilárd anyag a külső körülmények függvényében különböző belső szerkezettel rendelkezhet. A grafit kristályrácsa A gyémánt kri

TDK Tájékoztató 2016 Területek, témák, lehetőségek

Hidrogénezett amorf Si és Ge rétegek hőkezelés okozta szerkezeti változásai

Géprajz - gépelemek. Előadó: Németh Szabolcs mérnöktanár. Belső használatú jegyzet 2

Felületminőség. 11. előadás

A napenergia alapjai

OTKA Nyilvántartási szám: T043704

Kontakt korrózió vizsgálata

Járműelemek. Rugók. 1 / 27 Fólia

Integrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék

Altalános Kémia BMEVESAA101 tavasz 2008

Nanoelektronikai eszközök III.

Röntgen sugárzás. Wilhelm Röntgen. Röntgen feleségének keze

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás

Röntgen-gamma spektrometria

A villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa*

Mágneses erőtér. Ahol az áramtól átjárt vezetőre (vagy mágnestűre) erő hat. A villamos forgógépek mutatós műszerek működésének alapja

Síklapokból álló üvegoszlopok laboratóriumi. vizsgálata. Jakab András, doktorandusz. BME, Építőanyagok és Magasépítés Tanszék

A fény mint elektromágneses hullám és mint fényrészecske

Corvus Aircraft Kft Tervezési, gyártási technológiák. Győr, április 16.

TERMÉSZETES EREDETŰ FOTONIKUS KRISTÁLY-SZERKEZETEK VIZSGÁLATA PhD tézisfüzet

Modern Fizika Labor. 17. Folyadékkristályok

2.3 Mérési hibaforrások

Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány

A termelésinformatika alapjai 10. gyakorlat: Forgácsolás, fúrás, furatmegmunkálás, esztergálás, marás. 2012/13 2. félév Dr.

Időben állandó mágneses mező jellemzése

Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra. Csarnovics István

Rétegződés, domének és atomi mozgás ultravékony rétegszerkezetekben

Átírás:

Fókuszált ionsugaras nanomegmunkálás PhD tézisfüzet Horváth Enikő Témavezető: Dr. Tóth Attila Lajos Konzulens: Dr. Kocsányi László MTA MŰSZAKI FIZIKAI ÉS ANYAGTUDOMÁNYI KUTATÓINTÉZET Budapest 2009

A kutatások előzménye Dolgozatom témája, a fókuszált ionsugaras (FIB) megmunkálás a mikroelektronikában terjedt el először, kezdetben rövidzárak átvágására, illetve ionsugár keltette leválasztással (IBAD) kiegészítve maszkok és a fémezés javítására használták, de az idők folyamán sok más hasznos alkalmazása is kialakult. Hatékonyságát az adja, hogy egy technológiai folyamat lépéseit, mint a mintázatkialakítást, marást, implantációt és leválasztást, az ionsugár felhasználásával el lehet végezni. Az ionsugár által pásztázott felületet az ionsugár roncsolja, ezért a leválasztással kialakítandó mintázatoknál, ahol az ionsugár okozta károsodást csökkenteni akarják, elektronsugaras leválasztással kombinálva alkalmazzák. Az ionsugaras megmunkálás félvezetőipar számára kifejlesztett hatékony módszerei más területeken is, pl. anyagtudomány (metallurgia, kerámia, kompozitok, polimerek), geológia, biológia, gyógyszerészet, hasznosnak bizonyulnak, alkalmazásuk egyre terjed. A fókuszált ion- és elektronsugaras megmunkálással 2003. szeptemberétől foglalkozom. Munkámat a Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézetben (MFA) kezdtem el az akkor frissen az intézetbe került, később bemutatandó LEO 1540 XB kétsugaras (elektron- és ionsugár) mikroszkóp és nanomegmunkáló eszköz alkalmazásával. Fő feladatom volt az ionsugaras megmunkálás fizikai-kémiai folyamatainak tanulmányozása, a berendezés alkalmazhatósági paramétereinek felmérése, illetve a kialakítható objektumok tulajdonságainak vizsgálata. Dolgozatomban három olyan területen elért eredményeimet ismertetem, ahol a fókuszált ionsugaras megmunkálás, mint mintapreparációs módszer hozzájárult valamilyen jelenség magyarázatához, tudományos eredmény létrejöttéhez. Az alábbiakban felsorolt eredmények eltérő jellege és az, hogy a tematika a bioinspirált anyagok kutatásától a napelemgyártásig terjed, jól illusztrálja a fókuszált ionsugaras megmunkálás

egyre szélesedő alkalmazási lehetőségeit. Alkalmazhatósága a különleges tulajdonságokkal rendelkező, több dimenzióban struktúrált nanokompozitoktól (például egy- vagy több dimenziós fotonikus kristályok, illetve az egy- vagy több dimenziós fotonikus nanoarchitektúrákból összeszerkesztett interkalált, komplex fotonikus rendszerek), a nanoelektronikában megkerülhetetlenül szükségessé váló nanoméretű huzalozáson át, a napjainkban egyre nagyobb gyakorlati jelentőségű napelemgyártás területéig terjed. Célkitűzések Az első téma egy fotonikus nanoarchitektúra FIB módszerrel történő kialakítása volt, mely a bioinspirált anyagok MFA Nanoszerkezetek Osztályán folyó intenzív kutatásához kapcsolódik. Egy tajvani bogár kitinpáncélját tanulmányozva kérdésként merült fel a bogár kitinpáncéljának szerkezete és optikai tulajdonságai közötti összefüggés. Ennek megértése céljából állítottam elő a páncélhoz hasonló, egydimenziós fotonikus kristályba interkalált kétdimenziós nanoszerkezetekből felépülő nanoarchitektúrákat. A bogárpáncél kitin- és levegőrétegekből áll, amelyben elszórtan, a rétegekre merőlegesen oszlopok találhatók. Ezeket az oszlopokat modelleztük egy mesterséges multiréteg-szerkezetbe ionsugárral fúrt hengerszerű lyukakkal, majd az így kialakított szerkezetek optikai tulajdonságait vizsgálva tanulmányoztuk, hogy az oszlopok milyen optikai jelenségeket okoznak. Másik témám egy ugyancsak a Nanoszerkezetek Osztályon folyó kutatás, a szén nanocsövek tanulmányozása kapcsán merült fel. Az egyedi nanocsövek elektromos tulajdonságainak vizsgálatához ion- és elektronsugár indukálta leválasztással kontaktusokat preparáltam. Az egyes kontaktált nanocsövek nem viselkedtek egyformán, ezért meg kellett győződnünk róla, hogy az egyes objektumok különböző viselkedése a cső vagy a kontaktus sajátosságaiból adódik-e. Ennek tisztázása érdekében vizsgáltam a kontaktáláshoz használt nanovezetékek tulajdonságait, összehasonlítva az elektron- és ionsugárral

leválasztott vezetékek elektromos jellemzőit. Kérdésként még az is felmerült, hogy a használat során várhatóan fellépő hatások, például melegedés következtében az elektromos tulajdonságok mennyire változnak. A napelem-technológiában a napelemek cellákra való osztásának egy lehetséges módja a fókuszált ionsugárral való darabolás. Ilyen meggondolásból választottam harmadik témaként az Intézetben fejlesztett napelemtechnológiában alkalmazott fémes Mo és nemfémes ZnO rétegek fókuszált ionsugárral való bemetszésének vizsgálatát, a cellákra osztáshoz alkalmas paraméterek megállapítására. Kérdésként merült fel a technológiai szempontok (méret, elkészítési idő, kihozatal) mellett, hogy ionsugaras besugárzáskor a különféle vékonyrétegek porlódási tulajdonságai hogyan változnak. Új tudományos eredmények 1.a) Egy Tajvanon élő, háromféle színváltozatban előforduló bogár (Trigonophorus rotschildi varians) fedőszárnyának SEM vizsgálatakor olyan multiréteg-szerkezetet tártam fel, amelyet nem-tükörszerű visszaverődés jellemez a szerkezetben jelenlevő véletlenszerűen elrendezett oszlopok miatt. SEM képek alapján megalkottam a szerkezet modelljét, amely egy egydimenziós (multiréteg) és egy véletlenszerű kétdimenziós szerkezet (oszlopok) összetételeként értelmezhető. [A2] 1.b) Egy SiO x /Si(Ge) multirétegszerkezetbe merőlegesen, ionsugárral pontszerűen belefúrt furatokkal kialakítottam a fenti bogárszárny-szerkezet mesterséges megfelelőjét. A furatok felelnek meg a természetes szerkezet oszlopainak. Spektroszkópiai mérések alapján megállapítottam, hogy sikerült olyan struktúrát létrehozni, amelynek optikai tulajdonságai a fentebb említett biológiai modelléhez hasonlóak. [A2] 1.c) A furatok elrendezésének és a köztük levő távolságnak a változtatásával kimutattam, hogy a szabályos négyzetrács szerint létrehozott furat-szerkezet

esetén a visszavert fény hullámhossza összefüggésben van a létrehozott furatok egymáshoz viszonyított távolságával, de nem függ a furatok átmérőjétől, illetve a furatok véletlenszerű elhelyezkedése esetén elhanyagolható mértékű függés figyelhető meg a furatok közötti átlagos távolságtól. Összességében megmutattam, hogy a fenti eljárással szabályozható optikai tulajdonságokkal rendelkező bioinspirált fotonikus nanoarchitektúra hozható létre. [A2] 2.a) Ionsugárral leválasztott volfrám nanovezetékek szerkezeti és elektromos tulajdonságaira vonatkozóan megállapítottam, hogy a leválasztott volfrám rétegek nem tökéletes hasáb alakúak. A rétegleválasztás hozama állandó, azaz az időegységre eső leválasztott térfogat állandó. Az elektródák közé leválasztott W rétegek ohmos vezetést mutattak, fajlagos ellenállásuk értéke benne van az irodalomban közölt értéktartományban. A W rétegek hőkezelési körülményei befolyással vannak a vezeték ellenállására, a vákuumban hőkezelt minta irreverzibilis ellenállásváltozást mutatott. [A3, A4, A5] 2.b) Elektronsugárral leválasztott volfrám nanovezetékek szerkezeti és elektromos tulajdonságaira vonatkozóan megállapítottam, hogy a leválasztott W rétegek morfológiája eltér az ionsugarasétól. A leválasztott réteg magassága növekszik a döntési szög növelésével, ami a nagyobb szekunderelektron hozammal magyarázható. Alacsonyabb energiákon a leválasztott réteg magassága nagyobb, ami szintén a szekunderelektronok nagyobb számával magyarázható. Az elektronsugarasan leválasztott rétegek elektromos ellenállása jóval nagyobb, mint az ionsugárral leválasztott rétegeké, emellett nagy szórást mutat nemcsak az ellenállás értéke, de az IV görbék jellege is, kvázi-lineáris és nemlineáris karakterisztikát egyaránt tapasztaltunk. [C28] 3.) A napelemtechnológiában használt molibdén és cinkoxid vékonyrétegek porlódási tulajdonságait vizsgálva meghatároztam az adott körülmények mellett előállított minták 30 kev-os, merőleges beesésű Ga + ionsugár esetén érvényes technikai porlódási hozam értékét. Megállapítottam, hogy a marási mélység függ az iondózistól. Molibdén marására vonatkozóan megállapítottam, hogy az

előállítási módszertől függetlenül a rétegek szigetesen maródnak, ami erőteljesebb, a porlódással összemérhető hatású visszaporlódási folyamattal magyarázható. A ZnO réteg marására vonatkozóan megállapítottam, hogy a réteg marásával sima felület marad vissza, itt a porlódáshoz képest a visszaporlódás valószínűleg nem jelentős. [A1] A tézispontokhoz kapcsolódó tudományos közlemények 1. Horváth E, Németh A, Koós AA, Bein MC, Tóth AL, Horváth ZE, Biró LP, Gyulai J, Focused ion beam based sputtering yield measurements on ZnO and Mo thin films, Superlattices and Microstructures 42 (2007) 392 397. 2. Biró LP, Kertész K, Horváth E, Márk GI, Molnár G, Vértesy Z, Tsai J-F, Kun A, Bálint Zs, Vigneron JP, Bioinspired artificial photonic nanoarchitecture using in the elytron of the beetle Trigonophorus rothschildi varians as blueprint, (beküldés alatt: J. Roy. Soc. Interface) 3. Horváth E, Neumann PL, Tóth AL, Koós AA, Horváth ZE, Biró LP: Morphological and Electrical Study of FIB Deposited W Wires, Microelectr. Eng. 84 (2007) 837-840. 4. Horváth E, Neumann PL, Tóth AL, Vázsonyi É, Biró LP, Fürjes P, Dücső C, Electrical characterization of tungsten nanowires deposited by focused ion beam (FIB), Nanopages 1 (2) (2006) 253-260. 5. Horváth E, Neumann PL, Koós AA, Tóth AL, Fókuszált ionsugárral leválasztott W csíkok morfológiai és elektromos vizsgálata, MKN Konferencia Kiadvány (2007) 243-246.