Az ionos keverés (mixing) jelensége
|
|
- Henrik Rácz
- 5 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Az ionos keverés (mixing) jelensége Az elmondottak alapján ismertethetjük az ionos felületmódosítás egy olyan változatát, amellyel sok esetben kiküszöbölhető az implantációnak az a gondja, hogy a módosított réteg vastagsága erősen korlátozott. Világos, hogy ez mint hátrány nem az integrált áramköri alkalmazásoknál jelentkezik, hiszen ott épp a méretcsökkentés a gond, hanem avastagabb rétegek egységes módosításakor. Az ionos keverés, mixing, alapvetően az a jelenség, amikor a besugárzott anyag felszínén kialakított vékony rétegekben vannak jelen azok az atomok, amelyeket a becsapódó ion kaszkádjának szereplőiként szánunk. Az ionimplantációval szemben itt a becsapódó ion tehát csak mint lokális energiaforrás szerepel, azaz csak a tömege és energiája jut szerephez. A legtöbb esetben csak a nukleáris fékeződés játszik szerepet, ha azonban az elektronos fékeződés nagyobb, mint 10 kev/nm, ez is hozhat létre keveredést. A kaszkádról mondottak alapján világos, hogy egyetlen beeső ion hatására nagyságrendekkel több atom jön mozgásba. A leggyakrabban nagyobb tömegű nemesgáz ionokat (Ar, Kr, Xe) alkalmaznak keverésre amiatt, mert ezekre a gázokra jó hatásfokú, nagy áramsűrűségű ionforrások építhetők. A beépülő gáz eléggé inaktív, és könnyen el is távozik. A keveredés - a fékezési mechanizmusok jellegéből, ill. az ion választott R p -je és a vékonyrétegek vastagságának viszonyából is eredően - alapvetően két mechanizmus révén léphet fel. Az egyik a ballisztikus keveredés, amely - mint a neve is mondja - a kaszkádbeli kinetikát jelenti és lényegében az ütközéses implantáció közvetlen rokona. Ez a fő mechanizmus az ún. "ritka" kaszkádokban. A másik mechanizmus akkor áll elő, amikor a kaszkád olyan "forró" (mintegy 10 ps-ig), hogy abban az anyagot rövid időre olvadéknak kell tekinteni. Ilyenkor beszélünk "hőcsúcs" ("spike") hatásról. Ekkor, e magashőmérsékletű olvadék állapotban a gyorsan mozgó atomok nagyfokú, kémiai hajtóerők által okozott keveredése jön létre. A gyors lehűlést követően - amennyiben azt termodinamikai okok is motiválják - új, az egyensúlyi termodinamikában ismeretlen fázisok is keletkez(het)nek. Az is hasonló kérdés, hogy a keveredés végén kristályos vagy amorf állapot jön-e létre. A keveredés jelenségét - a ballisztikus esetre - Sigmund és Gras Marti (1981), illetőleg - a termikus spike esetére - Vineyard (1976)- 350
2 Johnson et al. (1985)-Klatt et al. (1989) modelljei alapján ismertetjük. (Felhasználjuk Rossi és Nastasi (1991) formalizmusát is.) Ballisztikus keveredés - más néven: atermikus tartomány. Ekkor a keveredés binér ütközések révén zajlik és - konstans ionáramsűrűséget feltételezve - a keveredés Dt mértéke Dt = k Φ r / ρ E d, ahol D a (kémiai) diffúziós együttható, t az idő, az ion által egységnyi úton leadott energia, ρ az atomi sűrűség, <r> a kaszkádbeli atomok átlagos ugrási távolsága, k konstans. A ballisztikus keveredés jól írja le pl. fém kettősrétegek esetében a folyamatokat, ha az átlagos rendszám < 20. Nagyobb Z-kre az eltérések azonban, a hő csúcsnak köszönhetően, nagyon jelentősek. Ionos keveredés hőcsúcs esetén. A nagyobb atomszámú anyagok esetében a keveredés jelenségét az alacsony hőmérsékletű 3d-5d és 4d-5d fém-multirétegekben sikerült a legegzaktabbul leírni. Itt a termodinamika jelentős szerephez jut a becsapódás után mintegy 100 fs idő alatt kialakuló kaszkádokban, ill. azok lehűlésekor. A leírás a következő feltételezésekkel sikerült: a) csak kéttest ütközések lépnek fel, b) a mozgó atomok csak álló atommal ütköznek ("lineáris" kaszkád), c) a tárgy amorf, d) a kimozdítási folyamat leáll, ha az ion energiája 5 ev alá esik. A keveredési folyamatot ún. jelzőatomokkal (marker) figyeljük. Az a-d) feltételek esetén a jelzőatomok elhelyezkedésének kiszélesedése Gauss-eloszlást mutat, ennek varianciája pedig Φ-vel és az F D, egy ionra vonatkoztatott energialeadással (de D /dx per ion) lineárisan nő. A Vineyard-modell rendkívül egyszerű és tanulságos. Feltételezi, hogy az ionpálya mentén a hőmérsékleteloszlás δ-függvény alakú és ez hővezetéssel terjed, alakul. Ezen túlmenően a termikusan aktivált diffúziós ugrások a hőcsúcs helyén és tartama alatt a következő η gyakorisággal jönnek létre: Az ugrások teljes száma ekkor ( Q kt) η = Aexp / η= A /8 πκcq, ahol az ionpálya mentén, egységnyi hosszra eső energia, C a fajhő. Kimutatták, hogy a Q paramétera kohéziós energiával korrelál. 351
3 A Johnson et al. modellje 3d-5d, ill. 4d-5d fém kettősrétegekre, hengeralakú kaszkádra, a keveredés Ξ = 4Dt mértékét a következő Φ termodinamikai leírással adja meg: 4Dt ρ Φ 5 / 3 H koh = K 1 + K 1 K 2 H H mix koh, ahol H mix a keveredés entalpiája, K 1 =0,0037 nm és K 2 =27,4. A H koh = ½(H A +H B ) + H mix, ahol H A és H B a két fém kohéziós energiáját jelöli. A kétféle keveredési tartomány átfedheti egymást és bonyolultabb jelenségek lépnek fel. Különösképpen megváltozik a jelenség, ha nem alacsony hőmérsékleten végezzük a keverést. Ilyenkor beszélünk termikusan segített keveredésről. Ebben a tartományban fontos szerephez jut a sugárzás által stimulált diffúzió, a RED (Sizmann [1968]). A besugárzás alatti diffúziós együttható, D sug, nagyon függ a hibák koncentrációjától, mozgékonyságától és a kapcsolódó emésztők koncentrációjától. Három tartományt lehet megkülönböztetni: 1) ahol a ponthibák fix nyelőkben semmisülnek meg - ilyenkor a D sug nem mutat hőmérsékleti függést - ez az alacsony hőmérsékletű keveredéshez hasonlít; 2) ha ponthibák egymással rekombinálódnak, D sug E = A kt Φ exp 2 t i 12 /, ahol E a kevésbé mozgékony ponthiba mozgásának aktivációs energiája. 3) magas hőmérsékleteken, amikor a termikusan generált hibák száma megközelíti a sugárzás által keltettekét, a diffúziós együttható közeledik a termikushoz. Az egyszerű modelltől való eltérések gyakoriak. Ezek magyarázataként azt adta Rehn és Okamoto [1989], hogy a E görbék termikus tartományba való átmenete rendszerint alig van a T sz felett, szemben 0,6T m -mel, ahol a RED hatásos lenne. Az alacsony hőmérsékleteken az nyelőcentrumok száma is magas, ezért nem várható nagy anyagmozgás. Emellett az átmenet hőmérséklete akkor is csökken, ha nehezebb ionnal vegezzük a keverést. Így Nb/Si kettősrétegek esetén
4 E-re 4,5-es szorzófaktoros különbséget okoz, ha a keverést Si + vagy Xe + ionokkal végezték. Emiatt a RED modelljébe be kellett építeni a termikus folyamatoknak a kaszkádon belüli diffúzióra gyakorolt erős hatását (Rossi és Nastasi (1991)) - különösképpen fontos ez olyan ionáramerősségek esetén, amikor a kaszkádok közötti folyamatok is jelentősek. Két azonos szerkezetű (pl. tck) fém, A és B, ionos keveredése eredményeként létrejövő fázisok közül az a leggyakoribb, hogy az AB fázis (50-50%) alakul ki, amint azt a T α L β 1 G 2 amorf. (+) α β T i A B at.% B ábra. Egy eutektikum sematikus fázisdiagramja 0 (-) 3 α+β ábra. A szabadenergia sematikus ábrázolása T i hőmérsékleten folyamatos összetételváltozást 1 lehetővé tevő Ni-Al, Pd-Al és Pt-Al kettősréteg párokon Hung et al. [1983] kimutatta. Ennek az az oka, hogy ha a termodinamikailag kedvező fázisok kezdeményei (precursor) ki is alakulnak, az érkező következő ionok okozta sugárzási károsodásnak áldozatául esnek. Egy ilyen A-B anyagból álló elemi cella legvalószínűbb állapota, hogy egy A és egy B atom foglal benne helyet, azaz éppen az AB fázis áll elő - szemben a termikus kezelésekkel, amikoris valamennyi stabil fázis léte kimutatható. Az állapot biztosan amorf lesz, ha a két fém kristályszerkezete eltérő, ill. ha a keveredést követő állapot az egyensúlyi fázisdiagramban a kétfázisú területre esik. A létrejövő amorfizáció jól megérthető a metallurgia eszköztárával is (Liu [1985]). Válasszunk modellként egy egyszerű eutektikumot (2.36. ábra). A kapcsolódó, sematikus szabadenergia-diagramot mutatja a ábra. Essék a multiréteg átlagos 1 Egy speciális párologtató rendszert terveztek, amellyel olyan, 4 cm hosszú minták készülhettek, ahol annak egyik vége tisztán A, a másik pedig tisztán B összetételű volt és közben az összetétel lienárisan változott. 353
5 összetételele a vegyes összetételű tartományba. Az amorf fázis keletkezése ekkor a következő folyamatokban megy végbe. Először a kaszkádok az eredetileg rétegelt szerkezet prompt keveredését okozzák, amikoris a két anyag keveréke gerjesztett állapotba kerül (1. pont az ábrán). Ezt követően relaxál a rendszer egy alacsonyabb állapotba. Ahhoz, hogy relaxáció jöjjön létre a kevert 3. állapotban, először kémiai kiválásnak, majd kristályosodásnak kellene bekövetkeznie. Alacsony hőmérsékleten azonban ez az átalakulás gátolt és helyette inkább egy polimorf átalakulás zajlik le a (2) amorf állapotba, mert ehhez sem összetételváltozás, sem az atomok újrarendeződése nem szükséges. Hasonló meggondolás alapján amorf állapot jön létre akkor is, ha a szabadenergia képet két szomszédos fázisra alkalmazzuk. Az ionos keveredés módszerét alkalmazzák integrált áramkörök kontaktusterületeinek (szilicidek) kialakításánál. A keverést gyakorta As + ionokkal végzik, amikoris a kontaktus alatti n-tipusú tartomány is kialakul egyúttal. Fontos további alkalmazást jelent a fémek kopásállóságának, korrózióállóságának növelése pl. titánréteg bebombázásával. Erre a célra azonban inkább a fejezetben ismertetendő ionsugárral segített rétegleválasztást (Ion Beam Assisted Deposition, IBAD) használják Ionos szintézis Az ionos szintézis fizikai alapjai jól megérthetők a keveredés ismeretei alapján. Az a kívánság, hogy olyan dózisokat implantáljunk, amelyek kémiai vegyületek keletkezését teszik lehetővé, nagyon régi - és azokban a laboratóriumokban vetődött fel elsősorban, ahol nagydózisú implantációra alkalmas berendezések voltak (Watanabe és Tooi [1966], Pavlov és Shitova [1967]). A Kurcsatov Intézet által készített ILU-2A berendezéssel 1970-ben olyan napelem előállítási technológia jutott a KFKI-ba, amelynél az egyes elemeket (melegített szeletbe végzett) sekély oxigénimplantációval előállított szilíciumoxiddal szigetelték el (publikáció: Gusev és Guseva [1979]). Világos azonban a pontban mondottak alapján, hogy kis- és közepes energiával való implantáláskor a felület hátrálása egyértelmű korlátot jelent a bejuttatható anyagmennyiség előtt. E korlát erőssége a porlódási együtthatótól függ, azaz adott tárgy és ion esetén még a beesési geometria, valamint az áramsűrűség is szerepet játszik. 354
6 Az áttörést 1978-ban Izumi et al. [1991] érte el, Japánban, akiknek sikerült 200 kev energiájú oxigénionokkal, T i 500 C-on, olyan jó eltemetett oxidréteget szintetizálnia, hogy - további hőkezelést követően - a felette lévő szilícium "eszköz-minőségű" maradt, ill. olyanná alakult vissza (Separation with IMplanted OXygen, SIMOX). 355
7 2.38. ábra. A SIMOX szerkezet kialakulása 200 kev-es oxigén ionokkal, T i = 500 C.-on való bombázás esetén, a dózis függvényében A) a tranzisztor helyén, B) a köztes, oxiddal borított területen, Hemment et al. [1987] nyomán. Az 1980-as évek közepétől a már valódi hajtóerőt az ún. SOI (Silicon-On-Insulator) alapanyag készítése jelentette, mivel a korábbi 356
8 eljárások vagy drágák voltak, ill. maradtak a polgári alkalmazások céljaira (Silicon-On-Sapphire, SOS, pl. Lau et al. [1979]), vagy végül nem vezettek valódi sikerre (Laterális epitaxia, Lam és Pinizzotto [1983], majd pl. Banisch et al. [1989]). A SOI elemek ui. nemcsak, hogy kisebb fogyasztást biztosítanak (dielektromos szigetelés), hanem érzéketlenek a sugárzásokra. Ugyanis, az integrált áramkörbe becsapódó részecskék működési hibákat (soft error) okozhatnak azáltal, hogy elektron-lyuk párokat keltenek elsősorban a pályájuk végén. Ezek, elektromos impulzusként, átkapcsolhatják az érintett tranzisztort, azaz egyszeri tévesztést okoznak. Ezért nevezik ezt a hibafajtát "soft" hibának. Ha a részecske az aktív terület alatti szigetelőben áll meg és ott hoz létre helyi töltést, az ott lokalizálódik és nem okoz az áramkörben zavart. Mindez gazdasági kérdés is, mert költséges a tokozáshoz használt műanyagokból a mindig jelenlévő és α-aktív tóriumot kivonni. Az hamarosan kiderült, hogy az emelt hőmérsékleten végzett O + implantációkor a "kémia" jól működik abban az értelemben, hogy az implantált oxigén sosem lépi túl a sztöchiometriás mértéket, hanem először a Gauss-eloszlás csúcsa fokozatosan nyereggé szélesedik és a SiO x réteg szerencsésen meredek, bár sok rácshibával terhelt (Okiválások) átmeneti réteggel fokozatosan terjed mindkét irányban. Nem ez a helyzet a nitrogén implantációjakor, ott a Si 3 N 4 sztöchiometria léte nem jelent határt: a nitrogén szinte korlátlanul oldódik a nitridben. A ábra mutatja be Hemment et al. [1987] nyomán a SOI szerkezet kialakulását. Az ábráról még az a szerencsés körülmény is leolvasható, hogy a tiszta Si-felület kevéssé porlódik - a SiO 2 -vel összehasonlítva. Ma az így készült SOI szeletek kereskedelmi forgalomban vannak, miután rendkívül termelékeny, a dinamikus hőkezelődést is felhasználó célimplantereket dobtak a piacra. Egy további, minél magasabb hőmérsékletű hőkezelés után a felszínen megmaradt egykristályos Siréteg megfelel az eszköz-minőség követelményeinek. 357
9 A legutóbbi időkig úgy tűnt, hogy a SIMOX sikeresen versenyez az ún. direkt szeletkötéssel (Direct Wafer Bonding, DWB) készült SOI szeletekkel ábra. A Smart Cut folyamatábrája. A nagydózisú eltemetett buborék-kezdemény réteget létrehozó implantáció, mintegy kev, cm -2 H +, SiO 2 -n keresztül. A szeleteket összetapasztó hőkezeléskor a párhuzamosan létrejövő buborékosodás leveti az implantált szeletet, kivéve a feltapadt, vékony és - egy érintőleges polírozás után - eszközminőségű lemezkéjét, Auberton-Hervé et al. [1995] nyomán. A lehántott szelet, szintén enyhe polírozás után újra felhasználható. Auberton-Hervé et al. [1995] azonban megvalósított egy olyan SOI előállítási technikát (Smart Cut, ábra), amely könnyen lekörözheti valamennyi eddigi eljárást. A Smart Cut nyilvánossá vált 2 A DWB-nél egy oxidos és hidrofillá tett (olcsóbb) Si-szeletre (pormentesen!) a "vajas" felével ráhelyezünk egy, már az eszköz által megkívánt paraméterű Siszeletet. Mintegy 800 C hőkezelés segítségével először a van der Waals erők összetapasztják, majd a telítetlen kötések kémiailag is összekötik a két szeletet. Ezt követően a hasznos szeletet csiszolással/polírozással < 1µm vastagságúra levékonyítják. Ez nemcsak költséges, de rendkívül kritikus lépés is. 358
10 alapgondolata a DWB-nek és a ban leírt, buborékosodást okozó, könnyű ionokkal való implantációnak a házasítása annak érdekében, hogy a DWB legnagyobb problémáját, az egyik szelet kényszerű és több száz mikronon át párhuzamos, nagyfelületű elcsiszolását, majd polírozását megkerüljék. Az eljárás az oxiddal bevont A szeleten indul, ahol az oxid alatt, nagydózisú H + -implantációval, tehát tervezett mélységben, eltemetett buborékkezdeményeket hoznak létre (mintegy kev, cm -2 dózis). A - feltehetően most is hidrofillá tett - oxidra ráhelyezik a B szeletet, majd végrehajtják a DWB tapasztó hőkezelését. A kötésképződéssel együtt létrejön a hidrogénnek buborékokba való kiválása, ill. az ezzel járó mechanikai feszültségek relaxációjakor a A szelet tömbjének a leválása. A feltapadt rétegen egy érintő polírozást kell végrehajtani, amivel el is készült a SOI szelet. Az A szelet tömbje, szintén egy érintő polírozást kovetően oxidálható és B szeletként újra használható. 359
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 6. Anyagcsaládok Fémek Kerámiák, üvegek Műanyagok Kompozitok A családok közti különbségek tárgyalhatóak: atomi szinten
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat (fonon, elektron, atom, ion, hőmennyiség...) Elektromos vezetés (Ohm) töltés áram elektr. potenciál grad. Hővezetés (Fourier) energia áram hőmérséklet különbség Kémiai
RészletesebbenAnyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió
Anyagismeret 6/7 Diffúzió Dr. Mészáros István meszaros@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd Diffúzió Diffúzió -
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 5/6 Diffúzió Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
RészletesebbenBevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 13. A lézeres l anyagmegmunkálás szempontjából l fontos anyagi tulajdonságok Optikai tulajdonságok Mechanikai tulajdonságok
RészletesebbenAz anyagi rendszer fogalma, csoportosítása
Az anyagi rendszer fogalma, csoportosítása A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 1 1 A rendszer fogalma A körülöttünk levő anyagi világot atomok, ionok, molekulák építik
RészletesebbenElektromos áram. Vezetési jelenségek
Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai
RészletesebbenFázisátalakulás Fázisátalakulások diffúziós (egyedi atomi mozgás) martenzites (kollektív atomi mozgás, diffúzió nélkül)
ázisátalakulások, P, C változása új (egyensúlyi) állapot Új fázis(ok): stabil, metastabil ázisátalakulás: folyamat, amelynek során a régi fázis(ok)ból új, más szerkezetű (rács, szövet) vagy halmazállapotú
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
RészletesebbenEnergiaminimum- elve
Energiaminimum- elve Minden rendszer arra törekszi, hogy stabil állapotba kerüljön. Milyen kapcsolat van a stabil állapot, és az adott állapot energiája között? Energiaminimum elve Energiaminimum- elve
RészletesebbenKatalízis. Tungler Antal Emeritus professzor 2017
Katalízis Tungler Antal Emeritus professzor 2017 Fontosabb időpontok: sósav oxidáció, Deacon process 1860 kéndioxid oxidáció 1875 ammónia oxidáció 1902 ammónia szintézis 1905-1912 metanol szintézis 1923
RészletesebbenSugárzások és anyag kölcsönhatása
Sugárzások és anyag kölcsönhatása Az anyaggal kölcsönhatásba lépő részecskék Töltött részecskék Semleges részecskék Nehéz Könnyű Nehéz Könnyű T D p - + n Radioaktív sugárzás + anyag energia- szóródás abszorpció
RészletesebbenHatárfelületi jelenségek. Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 3. Általános anyagszerkezeti ismeretek. N m J 2
Határelületi jelenségek 1. Felületi eszültség Fogorvosi anyagtan izikai alapjai 3. Általános anyagszerkezeti ismeretek Határelületi jelenségek Kiemelt témák: elületi eszültség adhézió nedvesítés ázis ázisdiagramm
RészletesebbenKolloidkémia 5. Előadás Kolloidstabilitás. Szőri Milán: Kolloidkémia
Kolloidkémia 5. Előadás Kolloidstabilitás Szőri Milán: Kolloidkémia 1 Kolloidok stabilitása Termodinamikailag lehetnek stabilisak (valódi oldatok) Liofil kolloidok G oldat
RészletesebbenReakciókinetika és katalízis
Reakciókinetika és katalízis k 4. előadás: 1/14 Különbségek a gázfázisú és az oldatreakciók között: 1 Reaktáns molekulák által betöltött térfogat az oldatreakciónál jóval nagyobb. Nincs akadálytalan mozgás.
RészletesebbenAnyagtudomány. Ötvözetek egyensúlyi diagramjai (állapotábrák)
Anyagtudomány Ötvözetek egyensúlyi diagramjai (állapotábrák) Kétkomponensű fémtani rendszerek fázisai és szövetelemei Folyékony, olvadék fázis Színfém (A, B) Szilárd oldat (α, β) (szubsztitúciós, interstíciós)
RészletesebbenFeladatlap X. osztály
Feladatlap X. osztály 1. feladat Válaszd ki a helyes választ. Két test fajhője közt a következő összefüggés áll fenn: c 1 > c 2, ha: 1. ugyanabból az anyagból vannak és a tömegük közti összefüggés m 1
RészletesebbenKémiai kötések. Kémiai kötések kj / mol 0,8 40 kj / mol
Kémiai kötések A természetben az anyagokat felépítő atomok nem önmagukban, hanem gyakran egymáshoz kapcsolódva léteznek. Ezeket a kötéseket összefoglaló néven kémiai kötéseknek nevezzük. Kémiai kötések
RészletesebbenTextíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
RészletesebbenFizika-Biofizika I. DIFFÚZIÓ OZMÓZIS Október 22. Vig Andrea PTE ÁOK Biofizikai Intézet
Fizika-Biofizika I. DIFFÚZIÓ OZMÓZIS 2013. Október 22. Vig Andrea PTE ÁOK Biofizikai Intézet DIFFÚZIÓ 1. KÍSÉRLET Fizika-Biofizika I. - DIFFÚZIÓ 1. kísérlet: cseppentsünk tintát egy üveg vízbe 1. megfigyelés:
RészletesebbenAz atommag összetétele, radioaktivitás
Az atommag összetétele, radioaktivitás Az atommag alkotórészei proton: pozitív töltésű részecske, töltése egyenlő az elektron töltésével, csak nem negatív, hanem pozitív: 1,6 10-19 C tömege az elektron
Részletesebben2.9. Függelék Betűszavak (akronimok) 1
.9. Függelék.9.1 Betűszavak (akronimok) 1 AES Auger elektronspektroszkópia ("Auger Electron Spectroscopy"); elektrongerjesztésen és az Auger elektronok detektálásán alapuló felületvizsgálati módszer, rétegeltávolítással
RészletesebbenCirkon újrakristályosodásának vizsgálata kisenergiájú elektronbesugárzás után
Cirkon újrakristályosodásának vizsgálata kisenergiájú elektronbesugárzás után Váczi Tamás és Lutz Nasdala ELTE Ásványtani Tanszék Bécsi Egyetem Ásványtani és Krisztallográfiai Intézet 7. Téli Ásványtudományi
RészletesebbenLégköri termodinamika
Légköri termodinamika Termodinamika: a hőegyensúllyal, valamint a hőnek, és más energiafajtáknak kölcsönös átalakulásával foglalkozó tudományág. Meteorológiai vonatkozása ( a légkör termodinamikája): a
RészletesebbenDiffúzió 2003 március 28
Diffúzió 3 március 8 Diffúzió: különféle anyagi részecskék (szilárd, folyékony, gáznemű) anyagon belüli helyváltozása. Szilárd anyagban való mozgás Öndiffúzió: a rácsot felépítő saját atomok energiaszint-különbség
Részletesebben3. (b) Kereszthatások. Utolsó módosítás: április 1. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék
3. (b) Kereszthatások Utolsó módosítás: 2013. április 1. Vezetési együtthatók fémekben (1) 1 Az elektrongáz hővezetési együtthatója A levezetésben alkalmazott feltételek: 1. Minden elektron ugyanazzal
RészletesebbenSzilárd testek sugárzása
A fény keletkezése Szilárd testek sugárzása A szilárd test melegítés hatására fényt bocsát ki A sugárzás forrása a közelítőleg termikus egyensúlyban lévő kibocsátó test atomi részecskéinek véletlenszerű
RészletesebbenHatárfelületi jelenségek. Fogorvosi anyagtan fizikai alapjai 3. Általános anyagszerkezeti ismeretek E A J 2. N m
Határelületi jelenségek 1. Felületi eültség Fogorvosi anyagtan izikai alapjai 3. Általános anyagerkezeti ismeretek Határelületi jelenségek Kiemelt témák: elületi eültség adhézió nedvesítés ázis ázisdiagramm
RészletesebbenSzilárdság (folyáshatár) növelési eljárások
Képlékeny alakítás Szilárdság (folyáshatár) növelési eljárások Szemcseméret csökkentés Hőkezelés Ötvözés allotróp átalakulással rendelkező ötvözetek kiválásos nemesítés diszperziós keményítés interstíciós
RészletesebbenA gáz halmazállapot. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011
A gáz halmazállapot A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 0 Halmazállapotok, állapotjelzők Az anyagi rendszerek a részecskék közötti kölcsönhatásoktól és az állapotjelzőktől függően
RészletesebbenG04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
RészletesebbenMakroszkópos tulajdonságok, jelenségek, közvetlenül mérhető mennyiségek leírásával foglalkozik (például: P, V, T, összetétel).
Mire kell? A mindennapi gyakorlatban előforduló jelenségek (például fázisátalakulások, olvadás, dermedés, párolgás) értelmezéséhez, kvantitatív leírásához. Szerkezeti anyagok tulajdonságainak változása
RészletesebbenRadioaktív sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktív sugárzások detektálása.
Különböző sugárzások tulajdonságai Típus töltés Energia hordozó E spektrum Radioaktí sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktí sugárzások detektálása. α-sugárzás pozití
RészletesebbenRöntgensugárzás. Röntgensugárzás
Röntgensugárzás 2012.11.21. Röntgensugárzás Elektromágneses sugárzás (f=10 16 10 19 Hz, E=120eV 120keV (1.9*10-17 10-14 J), λ
RészletesebbenOrvosi Biofizika I. 12. vizsgatétel. IsmétlésI. -Fény
Orvosi iofizika I. Fénysugárzásanyaggalvalókölcsönhatásai. Fényszóródás, fényabszorpció. Az abszorpciós spektrometria alapelvei. (Segítséga 12. tételmegértéséhezésmegtanulásához, továbbá a Fényabszorpció
RészletesebbenA kémiai kötés magasabb szinten
A kémiai kötés magasabb szinten 11-1 Mit kell tudnia a kötéselméletnek? 11- Vegyérték kötés elmélet 11-3 Atompályák hibridizációja 11-4 Többszörös kovalens kötések 11-5 Molekulapálya elmélet 11-6 Delokalizált
RészletesebbenNanoelektronikai eszközök III.
Nanoelektronikai eszközök III. Dr. Berta Miklós bertam@sze.hu 2017. november 23. 1 / 10 Kvantumkaszkád lézer Tekintsünk egy olyan, sok vékony rétegbõl kialakított rendszert, amelyre ha külsõ feszültséget
Részletesebben2.7. Speciális ionos eljárások
2.7. Speciális ionos eljárások Ebben a fejezetben ízelítőt adunk azon eljárásokból, amelyek rokonai az ionimplantációnak. A különféle kombinált eljárásoknak széles arzenálja fejlődött ki az elmúlt évtizedben,
RészletesebbenLendület. Lendület (impulzus): A test tömegének és sebességének szorzata. vektormennyiség: iránya a sebesség vektor iránya.
Lendület Lendület (impulzus): A test tömegének és sebességének szorzata. vektormennyiség: iránya a sebesség vektor iránya. Lendülettétel: Az lendület erő hatására változik meg. Az eredő erő határozza meg
RészletesebbenModern Fizika Labor Fizika BSC
Modern Fizika Labor Fizika BSC A mérés dátuma: 2009. május 4. A mérés száma és címe: 9. Röntgen-fluoreszencia analízis Értékelés: A beadás dátuma: 2009. május 13. A mérést végezte: Márton Krisztina Zsigmond
RészletesebbenHidrogénezett amorf Si és Ge rétegek hőkezelés okozta szerkezeti változásai
Hidrogénezett amorf Si és Ge rétegek hőkezelés okozta szerkezeti változásai Csík Attila MTA Atomki Debrecen Vizsgálataink célja Amorf Si és a-si alapú ötvözetek (pl. Si-X, X=Ge, B, Sb, Al) alkalmazása:!
RészletesebbenA diffúzió leírása az anyagmennyiség időbeli változásával A diffúzió leírása a koncentráció térbeli változásával
Kapcsolódó irodalom: Kapcsolódó multimédiás anyag: Az előadás témakörei: 1.A diffúzió fogalma 2. A diffúzió biológiai jelentősége 3. A részecskék mozgása 3.1. A Brown mozgás 4. Mitől függ a diffúzió erőssége?
RészletesebbenFémek és ötvözetek termikus viselkedése
Anyagtudomány és Technológia Tanszék Fémek és ötvözetek termikus viselkedése Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat BMEGEMTBGA1 2018/2019/2 Az előadás során megismerjük
RészletesebbenBiofizika szeminárium. Diffúzió, ozmózis
Biofizika szeminárium Diffúzió, ozmózis I. DIFFÚZIÓ ORVOSI BIOFIZIKA tankönyv: III./2 fejezet Részecskék mozgása Brown-mozgás Robert Brown o kísérlet: pollenszuszpenzió mikroszkópos vizsgálata o megfigyelés:
RészletesebbenPolimerek fizikai, mechanikai, termikus tulajdonságai
SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM ANYAGISMERETI ÉS JÁRMŰGYÁRTÁSI TANSZÉK POLIMERTECHNIKA NGB_AJ050_1 Polimerek fizikai, mechanikai, termikus tulajdonságai DR Hargitai Hajnalka 2011.10.05. BURGERS FÉLE NÉGYPARAMÉTERES
RészletesebbenAnyagok az energetikában
Anyagok az energetikában BMEGEMTBEA1, 6 krp (3+0+2) Környezeti tényezők hatása, időfüggő mechanikai tulajdonságok Dr. Tamás-Bényei Péter 2018. szeptember 19. Ütemterv 2 / 20 Dátum 2018.09.05 2018.09.19
RészletesebbenFogorvosi anyagtan fizikai alapjai 5. Általános anyagszerkezeti ismeretek Fémek, ötvözetek
Fémek törékeny/képlékeny nemesémek magas/alacsony o.p. Fogorvosi anyagtan izikai alapjai 5. Általános anyagszerkezeti ismeretek Fémek, ötvözetek ρ < 5 g cm 3 könnyűémek 5 g cm3 < ρ nehézémek 2 Fémek tulajdonságai
RészletesebbenTANULÁSTÁMOGATÓ KÉRDÉSEK AZ 2.KOLLOKVIUMHOZ
TANULÁSTÁMOGATÓ KÉRDÉSEK AZ 2.KOLLOKVIUMHOZ Vas-karbon diagram: A vas olvadáspontja: a) 1563 C. b) 1536 C. c) 1389 C. Mennyi a vas A1-el jelölt hőmérséklete? b) 1538 C. Mennyi a vas A2-el jelölt hőmérséklete?
RészletesebbenAz atom- olvasni. 1. ábra Az atom felépítése 1. Az atomot felépítő elemi részecskék. Proton, Jele: (p+) Neutron, Jele: (n o )
Az atom- olvasni 2.1. Az atom felépítése Az atom pozitív töltésű atommagból és negatív töltésű elektronokból áll. Az atom atommagból és elektronburokból álló semleges kémiai részecske. Az atommag pozitív
RészletesebbenFázisátalakulások, avagy az anyag ezer arca. Sasvári László ELTE Fizikai Intézet ELTE Bolyai Kollégium
Fázisátalakulások, avagy az anyag ezer arca Sasvári László ELTE Fizikai Intézet ELTE Bolyai Kollégium Atomoktól a csillagokig, Budapest, 2016. december 8. Fázisátalakulások Csak kondenzált anyag? A kondenzált
RészletesebbenReális kristályok, rácshibák. Anyagtudomány gyakorlat 2006/2007 I.félév Gépész BSC
Reális kristályok, rácshibák Anyagtudomány gyakorlat 2006/2007 I.félév Gépész BSC Valódi, reális kristályok Reális rács rendezetlenségeket, rácshibákat tartalmaz Az anyagok tulajdonságainak bizonyos csoportja
RészletesebbenTÖBBKOMPONENS RENDSZEREK FÁZISEGYENSÚLYAI IV.
TÖBBKOMPONENS RENDSZEREK FÁZISEGYENSÚLYAI IV. TÖBBFÁZISÚ, TÖBBKOMPONENS RENDSZEREK Kétkomponens szilárd-folyadék egyensúlyok Néhány fogalom: - olvadék - ötvözetek - amorf anyagok Állapotok feltüntetése:
RészletesebbenA szilárd testek alakja és térfogata észrevehetően csak nagy erő hatására változik meg. A testekben a részecskék egymáshoz közel vannak, kristályos
Az anyagok lehetséges állapotai, a fizikai körülményektől (nyomás, hőmérséklet) függően. Az anyagokat általában a normál körülmények között jellemző állapotuk alapján soroljuk be szilád, folyékony vagy
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenRadioaktív nyomjelzés
Radioaktív nyomjelzés A radioaktív nyomjelzés alapelve Kémiai indikátorok: ugyanazoknak a követelményeknek kell eleget tenniük, mint az indikátoroknak általában: jelezniük kell valamely elemnek ill. vegyületnek
RészletesebbenEgyenáram. Áramkörök jellemzése Fogyasztók és áramforrások kapcsolása Az áramvezetés típusai
Egyenáram Áramkörök jellemzése Fogyasztók és áramforrások kapcsolása Az áramvezetés típusai Elektromos áram Az elektromos töltéshordozók meghatározott irányú rendezett mozgását elektromos áramnak nevezzük.
RészletesebbenA kémiai kötés magasabb szinten
A kémiai kötés magasabb szinten 13-1 Mit kell tudnia a kötéselméletnek? 13- Vegyérték kötés elmélet 13-3 Atompályák hibridizációja 13-4 Többszörös kovalens kötések 13-5 Molekulapálya elmélet 13-6 Delokalizált
RészletesebbenA TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI
A TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI web.inc.bme.hu/csonka/csg/oktat/tomegsp.doc alapján tömeg-töltés arány szerinti szétválasztás a legérzékenyebb módszerek közé tartozik (Nagyon kis anyagmennyiség kimutatására
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenSiAlON. , TiC, TiN, B 4 O 3
ALKALMAZÁSOK 2. SiAlON A műszaki kerámiák (Al 2 O 3, Si 3 N 4, SiC, ZrO 2, TiC, TiN, B 4 C, stb.) fémekhez képest igen kemény, kopásálló, ugyanakkor rideg, azaz dinamikus igénybevételek elviselésére csak
RészletesebbenBevezetés s az anyagtudományba. nyba. Geretovszky Zsolt május 13. XIV. előadás. Adja meg a következő ionok elektronkonfigurációját! N e P.
Bevezetés s az anyagtudományba nyba XIV. előadás Geretovszky Zsolt. május. Adja meg a következő ionok elektronkonfigurációját! = N 5 = 5 5= = N+ = 5+ = = N 4 = 5 4= 46 = N+ = 4+ = 6 = N+ = 5+ = 54 = N
RészletesebbenAlkalmazás a makrókanónikus sokaságra: A fotongáz
Alkalmazás a makrókanónikus sokaságra: A fotongáz A fotonok az elektromágneses sugárzás hordozó részecskéi. Spinkvantumszámuk S=, tehát kvantumstatisztikai szempontból bozonok. Fotonoknak habár a spinkvantumszámuk,
RészletesebbenEnergia-diszperzív röntgen elemanalízis
Fókuszált ionsugaras megmunkálás Energia-diszperzív röntgen elemanalízis FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 EDS = Energy Dispersive Spectroscopy Hol található a SEM/FIB berendezésen?
RészletesebbenSzabadentalpia nyomásfüggése
Égéselmélet Szabadentalpia nyomásfüggése G( p, T ) G( p Θ, T ) = p p Θ Vdp = p p Θ nrt p dp = nrt ln p p Θ Mi az a tűzoltó autó? A tűz helye a világban Égés, tűz Égés: kémiai jelenség a levegő oxigénjével
RészletesebbenAnyagos rész: Lásd: állapotábrás pdf. Ha többet akarsz tudni a metallográfiai vizsgálatok csodáiról, akkor: http://testorg.eu/editor_up/up/egyeb/2012_01/16/132671554730168934/metallografia.pdf
RészletesebbenCompton-effektus. Zsigmond Anna. jegyzıkönyv. Fizika BSc III.
Compton-effektus jegyzıkönyv Zsigmond Anna Fizika BSc III. Mérés vezetıje: Csanád Máté Mérés dátuma: 010. április. Leadás dátuma: 010. május 5. Mérés célja A kvantumelmélet egyik bizonyítékának a Compton-effektusnak
Részletesebben1 Műszaki hőtan Termodinamika. Ellenőrző kérdések-02 1
1 Műszaki hőtan Termodinamika. Ellenőrző kérdések-02 1 Kérdések. 1. Mit mond ki a termodinamika nulladik főtétele? Azt mondja ki, hogy mindenegyes termodinamikai kölcsönhatáshoz tartozik a TDR-nek egyegy
RészletesebbenMÉRNÖKI ANYAGISMERET AJ002_1 Közlekedésmérnöki BSc szak Csizmazia Ferencné dr. főiskolai docens B 403. Dr. Dogossy Gábor Egyetemi adjunktus B 408
MÉRNÖKI ANYAGISMERET AJ002_1 Közlekedésmérnöki BSc szak Csizmazia Ferencné dr. főiskolai docens B 403 Dr. Dogossy Gábor Egyetemi adjunktus B 408 Az anyag Az anyagot az ember nyeri ki a természetből és
RészletesebbenModern fizika laboratórium
Modern fizika laboratórium Röntgen-fluoreszcencia analízis Készítette: Básti József és Hagymási Imre 1. Bevezetés A röntgen-fluoreszcencia analízis (RFA) egy roncsolásmentes anyagvizsgálati módszer. Rövid
RészletesebbenRádl Attila december 11. Rádl Attila Spalláció december / 21
Spalláció Rádl Attila 2018. december 11. Rádl Attila Spalláció 2018. december 11. 1 / 21 Definíció Atommagok nagyenergiás részecskével történő ütközése során másodlagos részecskéket létrehozó rugalmatlan
RészletesebbenSugárzások kölcsönhatása az anyaggal
Radioaktivitás Biofizika előadások 2013 december Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal PTE ÁOK Biofizikai Intézet, Orbán József Összefoglaló radioaktivitás alapok Nukleononkénti kötési energia (MeV) Egy
RészletesebbenElőzmények. a:sige:h vékonyréteg. 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása
a:sige:h vékonyréteg Előzmények 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása 5 nm vastag rétegekből álló Si/Ge multiréteg diffúziós keveredés során a határfelületek
RészletesebbenThomson-modell (puding-modell)
Atommodellek Thomson-modell (puding-modell) A XX. század elejére világossá vált, hogy az atomban található elektronok ugyanazok, mint a katódsugárzás részecskéi. Magyarázatra várt azonban, hogy mi tartja
RészletesebbenTranszportfolyamatok. Alapfogalmak. Lokális mérlegegyenlet. Transzportfolyamatok 15/11/2015
Alapfogalmak Transzportfolyamatok Diffúzió, Hővezetés Viszkozitás Önként végbemenő folyamat: Egyensúlyi állapot irányába Intenzív paraméterek kiegyenlítődése (p, T, µ) Extenzív paraméterek áramlása (V,
Részletesebben2. A hőátadás formái és törvényei 2. A hőátadás formái Tapasztalat: tűz, füst, meleg edény füle, napozás Hőáramlás (konvekció) olyan folyamat,
2. A hőátadás formái és törvényei 2. A hőátadás formái Tapasztalat: tűz, füst, meleg edény füle, napozás. 2.1. Hőáramlás (konvekció) olyan folyamat, amelynek során a hő a hordozóközeg áramlásával kerül
RészletesebbenTranszportjelenségek
Transzportjelenségek Fizikai kémia előadások 8. Turányi Tamás ELTE Kémiai Intézet lamináris (réteges) áramlás: minden réteget a falhoz közelebbi szomszédja fékez, a faltól távolabbi szomszédja gyorsít
RészletesebbenMunkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél
Munkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél Fémgőz és plazma Buza Gábor, Bauer Attila Messer Innovation Forum 2016. december
RészletesebbenFIZIKA I. Ez egy gázos előadás lesz! (Ideális gázok hőtana) Dr. Seres István
Ez egy gázos előadás lesz! ( hőtana) Dr. Seres István Kinetikus gázelmélet gáztörvények Termodinamikai főtételek fft.szie.hu 2 Seres.Istvan@gek.szie.hu Kinetikus gázelmélet Az ideális gáz állapotjelzői:
RészletesebbenPeriodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban Zolnai Zsolt MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, H-1525 Budapest, P.O.B. 49, Hungary Tartalom: Kolloid
RészletesebbenAz Ampère-Maxwell-féle gerjesztési törvény
Az Ampère-Maxwell-féle gerjesztési törvény Maxwell elméleti meggondolások alapján feltételezte, hogy a változó elektromos tér örvényes mágneses teret kelt (hasonlóan ahhoz ahogy a változó mágneses tér
RészletesebbenFolyadékok és gázok mechanikája
Folyadékok és gázok mechanikája Hidrosztatikai nyomás A folyadékok és gázok közös tulajdonsága, hogy alakjukat szabadon változtatják. Hidrosztatika: nyugvó folyadékok mechanikája Nyomás: Egy pontban a
RészletesebbenA napenergia alapjai
A napenergia alapjai Magyarország energia mérlege sötét Ahonnan származik Forrás: Kardos labor 3 A légkör felső határára és a Föld felszínére érkező sugárzás spektruma Nem csak az a spektrum tud energiát
RészletesebbenKinetika. Általános Kémia, kinetika Dia: 1 /53
Kinetika 15-1 A reakciók sebessége 15-2 Reakciósebesség mérése 15-3 A koncentráció hatása: a sebességtörvény 15-4 Nulladrendű reakció 15-5 Elsőrendű reakció 15-6 Másodrendű reakció 15-7 A reakció kinetika
Részletesebben6. változat. 3. Jelöld meg a nem molekuláris szerkezetű anyagot! A SO 2 ; Б C 6 H 12 O 6 ; В NaBr; Г CO 2.
6. változat Az 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Jelöld meg azt a sort, amely helyesen
RészletesebbenMikrohullámú abszorbensek vizsgálata 4. félév
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata 4. félév Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
RészletesebbenAz anyagok lehetséges állapotai, a fizikai körülményektől (nyomás, hőmérséklet) függően. Az anyagokat általában a normál körülmények között jellemző
Az anyagok lehetséges állapotai, a fizikai körülményektől (nyomás, hőmérséklet) függően. Az anyagokat általában a normál körülmények között jellemző állapotuk alapján soroljuk be szilárd, folyékony vagy
Részletesebbentervezési szempontok (igénybevétel, feszültségeloszlás,
Elhasználódási és korróziós folyamatok Bagi István BME MTAT Biofunkcionalitás Az élő emberi szervezettel való kölcsönhatás biokompatibilitás (gyulladás, csontfelszívódás, metallózis) aktív biológiai környezet
Részletesebben2, = 5221 K (7.2)
7. Gyakorlat 4A-7 Az emberi szem kb. 555 nm hullámhossznál a Iegnagyobb érzékenységű. Adjuk meg annak a fekete testnek a hőmérsékletét, amely sugárzásának a spektrális teljesitménye ezen a hullámhosszon
RészletesebbenMegoldás: A feltöltött R sugarú fémgömb felületén a térerősség és a potenciál pontosan akkora, mintha a teljes töltése a középpontjában lenne:
3. gyakorlat 3.. Feladat: (HN 27A-2) Becsüljük meg azt a legnagyo potenciált, amelyre egy 0 cm átmérőjű fémgömöt fel lehet tölteni, anélkül, hogy a térerősség értéke meghaladná a környező száraz levegő
RészletesebbenKecskeméti Főiskola GAMF Kar. Poliolefinek öregítő vizsgálata Szűcs András. Budapest, 2011. X. 18
Kecskeméti Főiskola GAMF Kar Poliolefinek öregítő vizsgálata Szűcs András Budapest, 211. X. 18 1 Tartalom Műanyagot érő öregítő hatások Alapanyag és minta előkészítés Vizsgálati berendezések Mérési eredmények
Részletesebben1. SI mértékegységrendszer
I. ALAPFOGALMAK 1. SI mértékegységrendszer Alapegységek 1 Hosszúság (l): méter (m) 2 Tömeg (m): kilogramm (kg) 3 Idő (t): másodperc (s) 4 Áramerősség (I): amper (A) 5 Hőmérséklet (T): kelvin (K) 6 Anyagmennyiség
RészletesebbenTermodinamika (Hőtan)
Termodinamika (Hőtan) Termodinamika A hőtan nagyszámú részecskéből (pl. gázmolekulából) álló makroszkópikus rendszerekkel foglalkozik. A nagy számok miatt érdemes a mólt bevezetni, ami egy Avogadro-számnyi
Részletesebben4. változat. 2. Jelöld meg azt a részecskét, amely megőrzi az anyag összes kémiai tulajdonságait! A molekula; Б atom; В gyök; Г ion.
4. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
Részletesebben1. feladat Alkalmazzuk a mólhő meghatározását egy gázra. Izoterm és adiabatikus átalakulásokra a következőt kapjuk:
Válaszoljatok a következő kérdésekre: 1. feladat Alkalmazzuk a mólhő meghatározását egy gázra. Izoterm és adiabatikus átalakulásokra a következőt kapjuk: a) zéró izoterm átalakulásnál és végtelen az adiabatikusnál
RészletesebbenReakciókinetika. aktiválási energia. felszabaduló energia. kiindulási állapot. energia nyereség. végállapot
Reakiókinetika aktiválási energia kiindulási állapot energia nyereség felszabaduló energia végállapot Reakiókinetika kinetika: mozgástan reakiókinetika (kémiai kinetika): - reakiók időbeli leírása - reakiómehanizmusok
RészletesebbenRöntgensugárzás az orvostudományban. Röntgen kép és Komputer tomográf (CT)
Röntgensugárzás az orvostudományban Röntgen kép és Komputer tomográf (CT) Orbán József, Biofizikai Intézet, 2008 Hand mit Ringen: print of Wilhelm Röntgen's first "medical" x-ray, of his wife's hand, taken
RészletesebbenA tudós neve: Mit tudsz róla:
8. osztály Kedves Versenyző! A jobb felső sarokban található mezőbe a verseny lebonyolításáért felelős személy írja be a kódot a feladatlap minden oldalára a verseny végén. A feladatokat lehetőleg a feladatlapon
RészletesebbenAmorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra. Csarnovics István
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2012.10.03. Mátrafüred Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra Csarnovics István Debreceni
RészletesebbenMagfizika tesztek. 1. Melyik részecske nem tartozik a nukleonok közé? a) elektron b) proton c) neutron d) egyik sem
1. Melyik részecske nem tartozik a nukleonok közé? a) elektron b) proton c) neutron d) egyik sem 2. Mit nevezünk az atom tömegszámának? a) a protonok számát b) a neutronok számát c) a protonok és neutronok
RészletesebbenAnyagszerkezettan vizsgajegyzet
- 1 - Anyagszerkezettan vizsgajegyzet Előadástémák: 1. Atomszerkezet 1.1. Atommag 1.2. Atomszám 1.3. Atomtömeg 1.4. Bohr-féle atommodell 1.5. Schrödinger-egyenlet 1.6. Kvantumszámok 1.7. Elektron orbitál
Részletesebben