2.7. Speciális ionos eljárások
|
|
- Etelka Bakosné
- 5 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 2.7. Speciális ionos eljárások Ebben a fejezetben ízelítőt adunk azon eljárásokból, amelyek rokonai az ionimplantációnak. A különféle kombinált eljárásoknak széles arzenálja fejlődött ki az elmúlt évtizedben, valamennyi ismertetésére nem is térhetünk ki. Néhány prespektívikus módszerről azonban röviden beszámolunk. Az implantációs ismeretek alapján az egyes eljárások alapjai könnyen megérthetők Fókuszált ionnyaláb és alkalmazásai (Focused Ion Beams, FIB) A Bevezetésben már ejtettünk szót arról, hogy a fókuszált ionnyalábok felhasználása mindig is szerepelt a tervek között - valójában azonban, egészen a legutóbbi időkig nem alakult ki a FIB alkalmazásainak azon köre, amely már meggyőző lehetett. Technikailag még egy fontos kérdést kellett megoldani. Az optika azon elve, hogy egy fényforrrást önmagánál kisebb felületre jó minőségben fókuszálni bonyolult, természetesen igaz az ionoptikára is. Kis felületi fényességű, nagy felületű források tehát alkalmatlanok a FIB céljaira. A változáshoz a fémolvadék ionforrások (Liquid Metal Sources) megalkotása volt szükséges. Ezek a források - legelterjedtebben - az alacsony olvadáspontú és kis gőznyomású galliumot használják. Egy fűtött, -alakú W-huzal egyik (spirálalakúra hajlított) vége olvadt Ga-ot tartalmazó tégelybe merül. A felületi feszültség/nedvesítés révén az olvadt Ga elkúszik a huzal másik, kihegyezett végére, ahonnan mintegy max. 40 kv-os feszültség okozta térionizáció révén pozitív Ga-ionok válnak le. Világos, hogy egy ilyen ionforrás felületi fényessége rendkívül nagy és kiválóan alkalmas szubmikronos ionnyalábok előállítására. Ezek után nem meglepő, hogy egy FIB berendezés felépítése - a polaritástól és az ionforrástól eltekintve - gyakorlatilag azonos egy elektronmikroszkópéval. Az új generációs FIB-berendezések első sikeres alkalmazása talán az a bór ionokkal implantált zseb volt, amely a VLSI/ULSI áramkörökben szokásos szigetelő árkot helyettesítette, azaz amely gátolja két szomszédos tranzisztor nemkívánt kapcsolatát ("cross-talk"). A vizsgálatok során kiderült, hogy a megkívánt dózis/pásztázási idő 433
2 kapcsolata miatt a FIB használatakor jelentős önhőkezelődés is létrejön, így a rétegek tulajdonságai eltérnek a hagyományosan implantáltétól. Noha ez az alkalmazás már sok előnyt bizonyított, mégsem okozott áttörést. A várt áttörést az a koncepcióváltás hozta, amely az integrált áramkörök minőségellenőrzésének korábbi stratégiáját tette korszerűtlenné, gazdaságtalanná. Korábban ui. a szeletek elkészültekor az egyes chipeket - a kontaktusaikra "rálépő" tűkontaktusok segítségével (a sztatikus karakterisztikák lehetőleg teljes, a dinamikus karakterisztikák korlátozott kimérésével) funkcionálisan bemérték, tesztelték. Ezt követően a hibás chipeket kiiktatták a tokozás költségeinek megtakarítására. A mai áramkörök ezen állapotukban már olyan értéket jelentenek, hogy selejtezésük nem gazdaságos: kialakult a chipek megjavításának igénye, ill. ez vált stratégiává. Elsősorban a fémes összeköttetések javítása, azaz egyes vezetékek porlasztásos elvágása, ill. új összeköttetések készítése lett a FIB igazi területe. Annak köszönhetően, hogy a becsapódó Ga-ionok szekundér elektronokat váltanak ki, az in situ és valósidejű pásztázó elektronmikroszkópi képalkotás is lehetővé válik, a FIB készülékben folyamatosan megfigyelhető a megmunkálási folyamat. Ez a konkurrens lézeres rétegeltávolítás ("ablation"), ill. lézeres kémiai rétegleválasztással szemben nagyon kellemes előny. A hibás helyek lokalizációja mindkettőnél azonos nehézségű feladat (a készülékek árának nagyobb része ennek megoldásától függ). A porlasztás révén szinte tetszőleges alakú és mélységű metszetek készíthetők, ill. az ionok energiája révén (pl. W-tartalmú) ún. fémorganikus gázokból kívánt alakú fémcsíkok választhatók le. 434
3 Plazma Immerziós Implantáció (Plasma Immersion Ion Implantation, PIII) A ma PIII-nek nevezett eljárás fokozatosan alakult ki. Először a vákuumpárologtatáskor alkalmaztak egyenfeszültséget az ionos hányad felgyorsítására, hogy az belebombázza a neutrális atomokat is a felületbe ábra. Getterezés Plazma Immerziós Implantációs eljárással. a) Hátoldali Ar-implantáció, hibakeltésre, b) hőkezelés révén a fémszennyezések a hátlaphoz diffundálnak és ott megkötődnek (Cheung [1991] nyomán). 435
4 Ez a ban ismertetendő IBAD alapgondolata is. A beviendő anyagot tartalmazó gáz plazmaállapotba való alakítására több lehetőség kínálkozik. A legegyszerűbb és emiatt legelterjedtebb eljárás az, hogy a ritka gázelegyet nagyfrekvenciás térrel ionizálják (Penning kisülés). A negatív feszültségre előfeszített tárgy és a plazma között 140 PLAZMA ION IMMERZIÓ Si MULTIKRISTÁLYBA Rétegellenállás vs. immerziós idõ R s [Ω/ ] U b =950 V, Gáz: 1% PH 3 -H 2 Hõkezelés: 600 o C, 10 min 930 o C, 5 min Immerziós idõ [min] ábra. A felületi rétegellenállás csökkenése növekvő dózis (besugárzási időtartam) esetén, 980 V egyenfeszültség hatására, sekély np-átmenet előállítására (Pintér I. [1997]) létrejön egy - a kisülési csövek fizikájából ismert - ionokat tartalmazó tértöltési réteg ("sheath"). Az implantáláshoz, azaz az ionoknak a tárgy felülete felé való gyorsításához lehet egyenfeszültséget vagy - akár 100 kv-os - impulzusokat alkalmazni. Ez utóbbi esetben minden impulzus alkalmával a plazma teljes "kiürülése" is elérhető. Ha a plazma elegendően sűrű ( cm -3 ), a tárgy és a plazma közötti tér jelentős feszültségesést tud fenntartani. Az ionok a semleges atomokkal való ütközéseikhez tartozó szabad úthossznak megfelelően jutnak el a tárgyba vagy enyésznek el a vákuumrendszerben. Az ionok energia- és irányeloszlása a gáznyomástól, az alkalmazott feszültségtől, az ionok töltésállapotától és a tárgy felületének alakjától függ. Egyszerű alakjában a PIII-nál nincs sem tömegszeparáció, sem ionoptika, de az ionáramsűrűség nagyon nagy lehet (akár cm -2 s -1 ) és nagyfelületű tárgyak is gyorsan besugározhatók. 436
5 Ha a t=0 időpillanatban feszültségimpulzust alkalmazunk, 10-9 s idő alatt felépül a kezdeti réteg, amelyből a tér kiszorítja a mozgékonyabb elektronokat. A pozitív ionoknak a tárgy felé való gyorsulásával együtt - mintegy µs alatt - kiterjed a tértöltési réteg. Ezt követően kialakul az egyensúly a Child-Langmuir törvény szerint. A feszültség lekapcsolása után, ill. annak újraindításával a folyamat ismétlődik. Az implantáció hatékonysága tehát olyan optimálási feladat, amelynél azt kell elérni, hogy az ionok ne tudjanak a tértöltési rétegen áthaladtukban rekombinálódni (Cheung [1991]). A ábra a PIII egy sikeres félvezetős alkalmazását, a getterezést mutatja be. Egy további alkalmazást mutat a ábra, amely PH 3 gázkeverékből előállított foszfor-ionokkal hoz létre npátmenetet olcsó napelemek előállítása céljából. A gyorsító tér 950 V egyenfeszültség volt volt. A fémek kopásállóságának növelésére ma már gyártmány-jellegű berendezések jelentek meg. A legimponálóbb alkalmazást a Los Alamos Nemzeti Laboratórium (USA) fejlesztette ki: mintegy két méter átmérőjű vákuumkamrában egyidejűleg 50 darab A390 alumínium-ötvözetből készült motor-dugattyút lehet felületkezelni: első lépés egy alacsony energiájú Ar ion bombázás, ezt követi egy nagyenergiájú szén ion implantálás, amelynek révén Al-C és Si-C keletkezik, ezt követi ismét egy alacsony energiájú Ar besugárzás a felületi grafitréteg eltávolítására, végül alacsony energiájú szén bombázással alakul ki az ellenálló réteg (Kodali és Nastasi [1996]). 437
6 Ionsugárral segített rétegleválasztás (Ion Beam Assisted Deposition, IBAD) A részben ionizált anyag-áramlás seítségével megvalósított rétegfelvitel, párologtatás két szempontból is kedvező a hagymányos vákuumpárologtatáshoz képest. Előszöris az ütközéses implantáció, valamint a sugárzás gerjesztette diffúzió, RED, révén létrejövő keveredés nem csak jobb rétegtapadáshoz, hanem eltérő kémiai fázisok létrejöttéhez ábra. Ni-réteg leválasztása IBAD segítségével, molekuladinamikai számítás. Az egyenes vonalak mutatják az atomok újraeloszlását (Müller [1987] nyomán) is vezethet. A hazánkban, Vágó Gy. által kifejlesztett magnetronos változat ipari termékként kiemelkedő. A folyamatot molekuladinamikai modellezéssel mutajuk be a ábrán. Az ábra négy időpontban mutatja egy 100 ev energiájú Ar-ion 438
7 hatását a párologtatással érkező Ni atomok újraeloszlására (Müller [1987]). Korrózió- és kopásálló felületi bevonatok készítésénél a módszer terjedőben van. Részletesebb ismertetését megtalálhatja az olvasó Itoh [1989] által szerkesztett monográfiában. Ugyanitt foglalkozik egy fejezet az Ion-fürtös (klaszter) rétegleválasztással is (253. o.) Ionfürtös (klaszter) rétegleválasztás (Cluster Ion Deposition, CID) A CID alapötletét (Takagi et al. [1972]) a molekulaionokkal való implantáció adhatta ( ). Ha atomcsoportokat, molekulákat ionizálunk és felgyorsítunk, azok a becsapódáskor atomokra esnek szét és az egyes atomok, ionok a megmaradási tétel szerinti megosztásban viszik tovább a teljes impulzust. Ha nagy atomszámú a molekula, aránylag kis, a termikusnál nem sokkal nagyobb energia jut egy-egy atomra. (Többszörös ionizációra nem kell gondolnunk, mert a molekula automatikusan tovább bomlik, ha netán több atomja ionizálódik.) Ha tehát sikerül pl. ezer azonos atomból álló fürtöt előállítani és azt, mondjuk, 10 kv feszültséggel felgyorsítani, egy-egy atomra 10 ev energia jut, ami a felületi újraeloszlás mértékét valahol a molekulasugaras epitaxia (MBE) és az alacsonyenergiás implantáció között rögzíti. Ilyen nagy atomi fürtöket egy lefojtott, de megfelelően méretezett kilépő nyílással ellátott, párologtató forrással (pl. elektronsugaras) állítanak elő. Amikor ui. a (fém)gőz a nyíláson elhagyja a nagy gőznyomású teret, adiabatikusan kiterjed, lehűl és atomi fürtök, klaszterek képződnek. Ezeket ionizálják és gyorsítják. Egy 1630 C-on lévő tégelyből, 1 mm 2 -es fúvóka-nyílás esetén az ezüst-atomoknak mintegy 60%-a alkot atomos fürtöket. Az egyes atomokra jutó energia ahhoz elegendő, hogy a felületen a termodinamikai egyensúlytól nem nagyon távoli metastabil állapotban akkomodálódjanak az atomok, ahhoz azonban kevés, hogy az implantációhoz hasonlítva jelentős mennyiségű rácshibát okozzanak. A CID révén tehát speciális metastabil szerkezetek állíthatók elő, olyanok, melyeket egyéb módon eddig nem sikerült előállítani. Így tudtak pl. 439
8 (111)-orientációjú szilíciumra ugyancsak (111)-orientációjú epitaxiális alumíniumréteget növeszteni. A technika elterjedésének napjainkban lehetünk tanúi. 440
Fókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
RészletesebbenELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp
ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
RészletesebbenElektromos áram. Vezetési jelenségek
Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai
RészletesebbenA TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI
A TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI web.inc.bme.hu/csonka/csg/oktat/tomegsp.doc alapján tömeg-töltés arány szerinti szétválasztás a legérzékenyebb módszerek közé tartozik (Nagyon kis anyagmennyiség kimutatására
RészletesebbenHavancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja Archeometriai műhely ELTE TTK 2013. Elektronmikroszkópok TEM SEM Transzmissziós elektronmikroszkóp Átvilágítós vékony minta < 100
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK A leggyakrabban használt félvezető anyagok a germánium (Ge), és a szilícium (Si). Félvezető tulajdonsággal rendelkező elemek: szén (C),
RészletesebbenElektromos áram, egyenáram
Elektromos áram, egyenáram Áram Az elektromos töltések egyirányú, rendezett mozgását, áramlását, elektromos áramnak nevezzük. (A fémekben az elektronok áramlanak, folyadékokban, oldatokban az oldott ionok,
RészletesebbenElektromos áram, egyenáram
Elektromos áram, egyenáram Áram Az elektromos töltések egyirányú, rendezett mozgását, áramlását, elektromos áramnak nevezzük. (A fémekben az elektronok áramlanak, folyadékokban, oldatokban az oldott ionok,
RészletesebbenElektromos áram, egyenáram
Elektromos áram, egyenáram Áram Az elektromos töltések egyirányú, rendezett mozgását, áramlását, elektromos áramnak nevezzük. (A fémekben az elektronok áramlanak, folyadékokban, oldatokban az oldott ionok,
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenHavancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenProgramozható vezérlő rendszerek. Elektromágneses kompatibilitás II.
Elektromágneses kompatibilitás II. EMC érintkező védelem - az érintkezők nyitása és zárása során ún. átívelések jönnek létre - ezek csökkentik az érintkezők élettartamát - és nagyfrekvenciás EM sugárzások
RészletesebbenA nanotechnológia mikroszkópja
1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június
RészletesebbenRöntgensugárzás. Röntgensugárzás
Röntgensugárzás 2012.11.21. Röntgensugárzás Elektromágneses sugárzás (f=10 16 10 19 Hz, E=120eV 120keV (1.9*10-17 10-14 J), λ
RészletesebbenEBSD-alkalmazások. Minta-elôkészítés, felületkezelés
VISSZASZÓRTELEKTRON-DIFFRAKCIÓS VIZSGÁLATOK AZ EÖTVÖS LORÁND TUDOMÁNYEGYETEMEN 2. RÉSZ Havancsák Károly, Kalácska Szilvia, Baris Adrienn, Dankházi Zoltán, Varga Gábor Eötvös Loránd Tudományegyetem, Természettudományi
RészletesebbenBevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába V. Félvezető diódák Félvezető dióda Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. (Si, Ge)
RészletesebbenVÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK
3 VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK 3-02 VÁKUUMTECHNIKA ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TARTALOM a vákuum
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Dankházi Zoltán 2013. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok
RészletesebbenTevékenység: Olvassa el a fejezetet! Gyűjtse ki és jegyezze meg a ragasztás előnyeit és a hátrányait! VIDEO (A ragasztás ereje)
lvassa el a fejezetet! Gyűjtse ki és jegyezze meg a ragasztás előnyeit és a hátrányait! VIDE (A ragasztás ereje) A ragasztás egyre gyakrabban alkalmazott kötéstechnológia az ipari gyakorlatban. Ennek oka,
RészletesebbenBevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 6. Anyagcsaládok Fémek Kerámiák, üvegek Műanyagok Kompozitok A családok közti különbségek tárgyalhatóak: atomi szinten
RészletesebbenPlazmavágás
2016.09.23. Plazmavágás Ipari vágásmódszereket ismertető sorozatunkban egy, a magánszemélyek részére is már-már elérhető technológia, a plazmavágás került sorra. Százezerrel kezdődő összegtől már kapható
RészletesebbenAz ionos keverés (mixing) jelensége
2.2.5. Az ionos keverés (mixing) jelensége Az elmondottak alapján ismertethetjük az ionos felületmódosítás egy olyan változatát, amellyel sok esetben kiküszöbölhető az implantációnak az a gondja, hogy
RészletesebbenÁramvezetés Gázokban
Áramvezetés Gázokban Líceumban láthattuk több alkalommal az elektromos áram hatásait, mikor fémes vezetőre egyen-, vagy váltóáramot kapcsolunk. Megfigyelhettük a hőtermelés és hő elnyeléssel kapcsolatos
RészletesebbenMérési útmutató Nagyfeszültségű kisülések és átütési szilárdság vizsgálata Az Elektrotechnika tárgy laboratóriumi gyakorlatok 1. sz.
BUDAPESTI MŰSZAKI ÉS GAZDASÁGTUDOMÁNYI EGYETEM VILLAMOSMÉRNÖKI ÉS INFORMATIKAI KAR VILLAMOS ENERGETIKA TANSZÉK Mérési útmutató Nagyfeszültségű kisülések és átütési szilárdság vizsgálata Az Elektrotechnika
RészletesebbenElektronegativitás. Elektronegativitás
Általános és szervetlen kémia 3. hét Elektronaffinitás Az az energiaváltozás, ami akkor következik be, ha 1 mól gáz halmazállapotú atomból 1 mól egyszeresen negatív töltésű anion keletkezik. Mértékegysége:
RészletesebbenElektromosság, áram, feszültség
Elektromosság, áram, feszültség Elektromos alapjelenségek Egymással szorosan érintkező ( pl. megdörzsölt) felületű anyagok a szétválás után elektromos állapotba kerülnek. Azonos elektromos állapotú anyagok
RészletesebbenTechnoorg Linda Ltd. Co. Budapest, Hungary. Innováció és Kommunikáció február 20.
Egy high tech cég g 17 éve Út t a kutatói ötletektıl l a világsz gszínvonalú termékekig egy tudományos mőszerfejlesztm szerfejlesztı vállalkozás s példp ldáján Technoorg Linda Ltd. Co. Budapest, Hungary
RészletesebbenVékonyrétegek - általános követelmények
Vékonyrétegek - általános követelmények egyenletes vastagság a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet (amorf, polikristályos, epitaxiális) azonos fizikai és kémiai tulajdonságok tömörség
RészletesebbenTextíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
RészletesebbenNagy érzékenységű AMS módszerek hosszú felezési idejű könnyű radioizotópok elemzésében
Nagy érzékenységű AMS módszerek hosszú felezési idejű könnyű radioizotópok elemzésében Molnár M., Rinyu L., Palcsu L., Mogyorósi M., Veres M. MTA ATOMKI - Isotoptech Zrt. Hertelendi Ede Környezetanalitikai
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-04 RÉTEGLEVÁLASZTÁSI, ÉS ADALÉKOLÁSI TECHNOLÓGIÁK ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT
RészletesebbenSillabusz orvosi kémia szemináriumokhoz 1. Kémiai kötések
Sillabusz orvosi kémia szemináriumokhoz 1. Kémiai kötések Pécsi Tudományegyetem Általános Orvostudományi Kar 2010-2011. 1 A vegyületekben az atomokat kémiai kötésnek nevezett erők tartják össze. Az elektronok
RészletesebbenKötések kialakítása - oktett elmélet
Kémiai kötések Az elemek és vegyületek halmazai az atomok kapcsolódásával - kémiai kötések kialakításával - jönnek létre szabad atomként csak a nemesgázatomok léteznek elsődleges kémiai kötések Kötések
RészletesebbenBevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 13. A lézeres l anyagmegmunkálás szempontjából l fontos anyagi tulajdonságok Optikai tulajdonságok Mechanikai tulajdonságok
RészletesebbenNAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem NAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK Dr. Palotás Béla Mechanikai Technológia és Anyagszerkezettani Tanszék Elektronsugaras hegesztés A katódból kilépő
RészletesebbenAdatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei
Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Gazdálkodási modul Gazdaságtudományi ismeretek I Közgazdasá Adatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSI
Részletesebben7.3. Plazmasugaras megmunkálások
7.3. Plazmasugaras megmunkálások (Plasma Beam Machining, PBM) Plazma: - nagy energiaállapotú gáz - az anyag negyedik halmazállapota - ionok és elektronok halmaza - egyenáramú ív segítségével állítják elő
RészletesebbenPásztázó elektronmikroszkóp. Alapelv. Szinkron pásztázás
Pásztázó elektronmikroszkóp Scanning Electron Microscope (SEM) Rasterelektronenmikroskope (REM) Alapelv Egy elektronágyúval vékony elektronnyalábot állítunk elő. Ezzel pásztázzuk (eltérítő tekercsek segítségével)
RészletesebbenMunkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél
Munkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél Fémgőz és plazma Buza Gábor, Bauer Attila Messer Innovation Forum 2016. december
RészletesebbenElektromos áram, áramkör
Elektromos áram, áramkör Az anyagok szerkezete Az anyagokat atomok, molekulák építik fel, ezekben negatív elektromos állapotú elektronok és pozitív elektromos állapotú protonok vannak. Az atomokban ezek
RészletesebbenGázok. 5-7 Kinetikus gázelmélet 5-8 Reális gázok (korlátok) Fókusz: a légzsák (Air-Bag Systems) kémiája
Gázok 5-1 Gáznyomás 5-2 Egyszerű gáztörvények 5-3 Gáztörvények egyesítése: Tökéletes gázegyenlet és általánosított gázegyenlet 5-4 A tökéletes gázegyenlet alkalmazása 5-5 Gáz reakciók 5-6 Gázkeverékek
RészletesebbenMEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
RészletesebbenA szilárd testek alakja és térfogata észrevehetően csak nagy erő hatására változik meg. A testekben a részecskék egymáshoz közel vannak, kristályos
Az anyagok lehetséges állapotai, a fizikai körülményektől (nyomás, hőmérséklet) függően. Az anyagokat általában a normál körülmények között jellemző állapotuk alapján soroljuk be szilád, folyékony vagy
RészletesebbenMikroszerkezeti vizsgálatok
Mikroszerkezeti vizsgálatok Dr. Szabó Péter BME Anyagtudomány és Technológia Tanszék 463-2954 szpj@eik.bme.hu www.att.bme.hu Tematika Optikai mikroszkópos vizsgálatok, klasszikus metallográfia. Kristálytan,
RészletesebbenAdatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei
GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekIKözgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési
RészletesebbenElektromos töltés, áram, áramkörök
Elektromos töltés, áram, áramkörök Elektromos alapjelenségek Egymással szorosan érintkező ( pl. megdörzsölt) felületű anyagok a szétválás után elektromos állapotba kerülnek. Azonos elektromos állapotú
RészletesebbenLaptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
RészletesebbenElektromos töltés, áram, áramkör
Elektromos töltés, áram, áramkör Az anyagok szerkezete Az anyagokat atomok, molekulák építik fel, ezekben negatív elektromos állapotú elektronok és pozitív elektromos állapotú protonok vannak. Az atomokban
RészletesebbenMÉRNÖKI ANYAGISMERET AJ002_1 Közlekedésmérnöki BSc szak Csizmazia Ferencné dr. főiskolai docens B 403. Dr. Dogossy Gábor Egyetemi adjunktus B 408
MÉRNÖKI ANYAGISMERET AJ002_1 Közlekedésmérnöki BSc szak Csizmazia Ferencné dr. főiskolai docens B 403 Dr. Dogossy Gábor Egyetemi adjunktus B 408 Az anyag Az anyagot az ember nyeri ki a természetből és
RészletesebbenVÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK
3 VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK 3-01 VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIA ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TARTALOM
RészletesebbenÁltalános és szervetlen kémia 3. hét Kémiai kötések. Kötések kialakítása - oktett elmélet. Lewis-képlet és Lewis szerkezet
Általános és szervetlen kémia 3. hét Kémiai kötések Az elemek és vegyületek halmazai az atomok kapcsolódásával - kémiai kötések kialakításával - jönnek létre szabad atomként csak a nemesgázatomok léteznek
RészletesebbenGalvanizálás a híradástechnikában
BAJOR ANDRÁS F A R K A S SÁNDOR ORION Galvanizálás a híradástechnikában ETO 621.337.6/7:621.39 Az ipari fejlődés során az eredetileg díszítő és korrózióvédő bevonatok előállítására szolgáló galvanizálást
RészletesebbenA kvantummechanika kísérleti előzményei A részecske hullám kettősségről
A kvantummechanika kísérleti előzményei A részecske hullám kettősségről Utolsó módosítás: 2016. május 4. 1 Előzmények Franck-Hertz-kísérlet (1) A Franck-Hertz-kísérlet vázlatos elrendezése: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/frhz.html
RészletesebbenElektromos áram, egyenáram
Elektromos áram, egyenáram Áram Az elektromos töltések egyirányú, rendezett mozgását, áramlását, elektromos áramnak nevezzük. (A fémekben az elektronok áramlanak, folyadékokban, oldatokban az oldott ionok,
RészletesebbenGázok. 5-7 Kinetikus gázelmélet 5-8 Reális gázok (limitációk) Fókusz Légzsák (Air-Bag Systems) kémiája
Gázok 5-1 Gáznyomás 5-2 Egyszerű gáztörvények 5-3 Gáztörvények egyesítése: Tökéletes gáz egyenlet és általánosított gáz egyenlet 5-4 A tökéletes gáz egyenlet alkalmazása 5-5 Gáz halmazállapotú reakciók
RészletesebbenA jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
RészletesebbenA periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok
A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok Szalai István ELTE Kémiai Intézet 1/45 Az előadás vázlata ˆ Ismétlés ˆ Történeti áttekintés ˆ Mengyelejev periódusos rendszere ˆ Atomsugár, ionsugár ˆ Ionizációs
RészletesebbenDUNAÚJVÁROSI FŐISKOLA ANYAGTUDOMÁNYI ÉS GÉPÉSZETI INTÉZET. Gyártástechnológia. Dr. Palotás Béla palotasb@mail.duf.hu.
DUNAÚJVÁROSI FŐISKOLA ANYAGTUDOMÁNYI ÉS GÉPÉSZETI INTÉZET Gyártástechnológia Hegesztési eljárások 1. Ömlesztő hegesztési eljárások Dr. Palotás Béla palotasb@mail.duf.hu Lánghegesztés Disszu-gáz: az acetilént
RészletesebbenAnyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész
SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM GYŐR Felületi technológiák Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész 4. Gőzfázisból történő bevonatolás PVD eljárás CVD eljárás 5. Ionimplantáció 6. Passziválás Áttekintés
RészletesebbenKorszerű tömegspektrometria a. Szabó Pál MTA Kémiai Kutatóközpont
Korszerű tömegspektrometria a biokémi miában Szabó Pál MTA Kémiai Kutatóközpont Tematika Bevezetés: ionizációs technikák és analizátorok összehasonlítása a biomolekulák szemszögéből Mikromennyiségek mintaelőkészítése
RészletesebbenKémiai kötések. Kémiai kötések kj / mol 0,8 40 kj / mol
Kémiai kötések A természetben az anyagokat felépítő atomok nem önmagukban, hanem gyakran egymáshoz kapcsolódva léteznek. Ezeket a kötéseket összefoglaló néven kémiai kötéseknek nevezzük. Kémiai kötések
RészletesebbenA tudós neve: Mit tudsz róla:
8. osztály Kedves Versenyző! A jobb felső sarokban található mezőbe a verseny lebonyolításáért felelős személy írja be a kódot a feladatlap minden oldalára a verseny végén. A feladatokat lehetőleg a feladatlapon
RészletesebbenA kémiai kötés magasabb szinten
A kémiai kötés magasabb szinten 11-1 Mit kell tudnia a kötéselméletnek? 11- Vegyérték kötés elmélet 11-3 Atompályák hibridizációja 11-4 Többszörös kovalens kötések 11-5 Molekulapálya elmélet 11-6 Delokalizált
RészletesebbenEnergiaminimum- elve
Energiaminimum- elve Minden rendszer arra törekszi, hogy stabil állapotba kerüljön. Milyen kapcsolat van a stabil állapot, és az adott állapot energiája között? Energiaminimum elve Energiaminimum- elve
RészletesebbenAz áram hatásai, áram folyadékokban, gázokban, félvezetőkben
Az áram hatásai, áram folyadékokban, gázokban, félvezetőkben Hőhatás Az áramló részecskék beleütköznek a többi részecskébe, ezért azok gyorsabb rezgőmozgást végeznek, az anyag felmelegszik. Ha tehát a
RészletesebbenSugárterápia. Ionizáló sugárzások elnyelődésének következményei. Konzultáció: minden hétfőn 15 órakor. 1. Fizikai történések
Sugárterápia 40% 35% 30% 25% 20% 15% % 5% 0% 2014/2015. tanév FOK biofizika kollokvium jegyspektruma 5 4,5 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1 Konzultáció: minden hétfőn 15 órakor Ionizáló sugárzások elnyelődésének következményei
RészletesebbenSZERVÍZTECHNIKA ÉS ÜZEMFENNTARTÁS. Dr. Szabó József Zoltán Egyetemi docens Óbudai Egyetem BDGBMK Mechatronika és Autótechnika Intézet
SZERVÍZTECHNIKA ÉS ÜZEMFENNTARTÁS Dr. Szabó József Zoltán Egyetemi docens Óbudai Egyetem BDGBMK Mechatronika és Autótechnika Intézet ALKATRÉSZFELÚJÍTÁS I. Termikus szórások Termikus szórás A termikus szórásokról
RészletesebbenElektromos áram, áramkör, kapcsolások
Elektromos áram, áramkör, kapcsolások Áram Az elektromos töltések egyirányú, rendezett mozgását, áramlását, elektromos áramnak nevezzük. (A fémekben az elektronok áramlanak, folyadékokban, oldatokban az
Részletesebben1. SI mértékegységrendszer
I. ALAPFOGALMAK 1. SI mértékegységrendszer Alapegységek 1 Hosszúság (l): méter (m) 2 Tömeg (m): kilogramm (kg) 3 Idő (t): másodperc (s) 4 Áramerősség (I): amper (A) 5 Hőmérséklet (T): kelvin (K) 6 Anyagmennyiség
RészletesebbenSugárterápia. Ionizáló sugárzások elnyelődésének következményei
Sugárterápia Sugárterápia: ionizáló sugárzások klinikai alkalmazása malignus daganatok eltávolításában. A sugárkezelés során célunk az ionizáló sugárzás terápiás dózisának elérése a kezelt daganatban a
RészletesebbenFizika Vetélkedő 8 oszt. 2013
Fizika Vetélkedő 8 oszt. 2013 Osztályz«grade» Tárgy:«subject» at: Dátum:«date» 1 Hány proton elektromos töltése egyenlő nagyságú 6 elektron töltésével 2 Melyik állítás fogadható el az alábbiak közül? A
RészletesebbenNanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék 2011. szeptember 22. Mi az a nano? 1 nm = 10 9 m = 0.000000001 m Nanotudományok: 1-100
Részletesebben5. VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIÁK
5. VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIÁK Definíció: vékonyréteg az anyag olyan megjelenési formája, melynél valamilyen lényeges fizikai sajátság tekintetében az egyik térbeli irány kitüntetett szerepet játszik [1].
RészletesebbenDobránczky János. Hegesztés. 60 percig fog hegeszteni MINDENKI gyakorlaton, pontos érkezés elvárt. A hegesztés egy alakadási technika.
Dobránczky János Hegesztés 60 percig fog hegeszteni MINDENKI gyakorlaton, pontos érkezés elvárt. A hegesztés egy alakadási technika. Alakadási lehetőségek: öntés, porkohászat, képlékeny alakítás, forgácsolás,
RészletesebbenOPT. típusú öntáp-egységek ΩProt készülékek számára. Budapest, 2005. április. Azonosító: OP-13-6769-20
OmegaProt OPT típusú öntáp-egységek ΩProt készülékek számára Azonosító: OP-13-6769-20 Budapest, 2005. április Alkalmazási terület Azt OPT típusú öntáp-egység másik ΩProt készülék táplálására és az általa
RészletesebbenModern fizika vegyes tesztek
Modern fizika vegyes tesztek 1. Egy fotonnak és egy elektronnak ugyanakkora a hullámhossza. Melyik a helyes állítás? a) A foton lendülete (impulzusa) kisebb, mint az elektroné. b) A fotonnak és az elektronnak
RészletesebbenKémiai kötések. Kémiai kötések. A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011
Kémiai kötések A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 1 Cl + Na Az ionos kötés 1. Cl + - + Na Klór: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 5 Kloridion: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 Nátrium: 1s 2 2s
RészletesebbenTÖMEGSPEKTROMÉTEREK SZEREPE A FÖLDTUDOMÁNYBAN. Palcsu László MTA Atommagkutató Intézet (Atomki) Környezet- és Földtudományi Laboratórium, Debrecen
TÖMEGSPEKTROMÉTEREK SZEREPE A FÖLDTUDOMÁNYBAN Palcsu László MTA Atommagkutató Intézet (Atomki) Környezet- és Földtudományi Laboratórium, Debrecen Miről lesz szó? - Előzmények - Meglévő, hamarosan beszerzendő
RészletesebbenKolloidkémia 5. előadás Határfelületi jelenségek II. Folyadék-folyadék, szilárd-folyadék határfelületek. Szőri Milán: Kolloidkémia
Kolloidkémia 5. előadás Határfelületi jelenségek II. Folyadék-folyadék, szilárd-folyadék határfelületek 1 Határfelületi rétegek 2 Pavel Jungwirth, Nature, 2011, 474, 168 169. / határfelületi jelenségek
RészletesebbenSzabadentalpia nyomásfüggése
Égéselmélet Szabadentalpia nyomásfüggése G( p, T ) G( p Θ, T ) = p p Θ Vdp = p p Θ nrt p dp = nrt ln p p Θ Mi az a tűzoltó autó? A tűz helye a világban Égés, tűz Égés: kémiai jelenség a levegő oxigénjével
RészletesebbenElektromos áram, áramkör
Elektromos áram, áramkör Az anyagok szerkezete Az anyagokat atomok, molekulák építik fel, ezekben negatív elektromos állapotú elektronok és pozitív elektromos állapotú protonok vannak. Az atomokban ezek
RészletesebbenAz atom- olvasni. 1. ábra Az atom felépítése 1. Az atomot felépítő elemi részecskék. Proton, Jele: (p+) Neutron, Jele: (n o )
Az atom- olvasni 2.1. Az atom felépítése Az atom pozitív töltésű atommagból és negatív töltésű elektronokból áll. Az atom atommagból és elektronburokból álló semleges kémiai részecske. Az atommag pozitív
RészletesebbenQVF LED kompakt és gazdaságos fényárvilágítás
Lighting QVF LED kompakt és gazdaságos fényárvilágítás QVF LED Az általános célú fényárvilágításra szolgáló QVF LED termékcsalád tagjai gazdaságos alternatívát kínálnak a hagyományos, halogénlámpás fényárvilágítás
RészletesebbenVIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC)
VIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC) 1 A korszerű digitális tervezés itt ismertetendő (harmadik) irányára az a jellemző, hogy az adott alkalmazásra céleszközt (ASIC - application
RészletesebbenSzilárdtestek sávelmélete. Sávelmélet a szabadelektron-modell alapján
Szilárdtestek sávelmélete Sávelmélet a szabadelektron-modell alapján A Fermi Dirac statisztika alapjai Nagy részecskeszámú rendszerek fizikai jellemzéséhez statisztikai leírást kell alkalmazni. (Pl. gázokra
RészletesebbenEx Fórum 2009 Konferencia. 2009 május 26. robbanásbiztonság-technika 1
1 Az elektrosztatikus feltöltődés elleni védelem felülvizsgálata 2 Az elektrosztatikus feltöltődés folyamata -érintkezés szétválás -emisszió, felhalmozódás -mechanikai hatások (aprózódás, dörzsölés, súrlódás)
RészletesebbenNagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC)
Nagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC) Kromatográfiás módszerek osztályba sorolása 2 Elúciós technika A mintabevitel ún. dugószerűen történik A mozgófázis a kromatogram kifejlesztése alatt folyamatosan
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat (fonon, elektron, atom, ion, hőmennyiség...) Elektromos vezetés (Ohm) töltés áram elektr. potenciál grad. Hővezetés (Fourier) energia áram hőmérséklet különbség Kémiai
RészletesebbenBUDAPESTI MŰSZAKI EGYETEM Anyagtudomány és Technológia Tanszék. Hőkezelés 2. (PhD) féléves házi feladat. Acélok cementálása. Thiele Ádám WTOSJ2
BUDAPESTI MŰSZAKI EGYETEM Anyagtudomány és Technológia Tanszék Hőkezelés. (PhD) féléves házi feladat Acélok cementálása Thiele Ádám WTOSJ Budaest, 11 Tartalomjegyzék 1. A termokémiai kezeléseknél lejátszódó
RészletesebbenKatalízis. Tungler Antal Emeritus professzor 2017
Katalízis Tungler Antal Emeritus professzor 2017 Fontosabb időpontok: sósav oxidáció, Deacon process 1860 kéndioxid oxidáció 1875 ammónia oxidáció 1902 ammónia szintézis 1905-1912 metanol szintézis 1923
RészletesebbenSF RAILFORCE A kopásálló bevonat fémek felületére
SF RAILFORCE A kopásálló bevonat fémek felületére Az SF RAILFORCE találmány lényege egy olyan újfajta kenőanyag család, amely fémek felületén egy kemény kopásálló és súrlódás-csökkentő bevonatot hoz létre.
Részletesebben$% % & #&' ( ,,-."&#& /0, 1!! Félvezetk &2/3 4#+ 5 &675!! "# " $%&"" Az 1. IC: Jack Kilby # + 8 % 9/99: "#+ % ;! %% % 8/</< 4: % !
Félvezetk $ & &' ( )*+,,-.&& /0, 1 &2/3 4+ 56 5 &675 $& Az 1. I: Jack Kilby 1958 4 + 8 9/99: + ; 8/
RészletesebbenPN átmenet kivitele. (B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) A=anód, K=katód
PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet. Egy pn átmenetből álló eszköz a dióda. (B, Al, Ga, n) (P, As, Sb)
Részletesebbenikerfém kapcsoló Eloadás Iváncsy Tamás termisztor â Közvetett védelem: áramvédelem
â Közvetlen motorvédelem: hovédelem ikerfém kapcsoló kis teljesítményen: közvetlenül kapcsolja a motort nagy teljesítményen: kivezetéssel muködteti a 3 fázisú kapcsolót Iváncsy Tamás termisztor â Közvetett
RészletesebbenEnergia-diszperzív röntgen elemanalízis és Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB
Energia-diszperzív röntgen elemanalízis és Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2015. március 1 Energia-diszperzív Fókuszált ionsugaras röntgen megmunkálás elemanalízis
RészletesebbenHegesztés 1. Bevezetés. Hegesztés elméleti alapjai
Hegesztés 1. Bevezetés Statisztikai adatok szerint az ipari termékek kétharmadában szerepet kap valamilyen hegesztési eljárás. Bizonyos területeken a hegesztés alapvető technológia. Hegesztéssel készülnek
Részletesebben10. Különleges megmunkálások. 11. Elektroeróziós megmunkálások. Elektroeróziós megmunkálások. Különleges megmunkálások csoportosítása
10. Különleges megmunkálások Különleges megmunkálások csoportosítása - Kifejlesztésüket a megmunkálandó anyagok fejlődése indikálta - anyagválasztás anyagkészítés Új anyagszétválasztási technológiák -
Részletesebben