MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
|
|
|
- Alexandra Hegedűsné
- 5 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok II. A MOSFET-ek
2 Ismétlés: Működési elv: térvezérlés, JFET, MOSFET MOSFET alaptípusok, jelölések Felületi jelenségek Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
3 Térvezérelt tranzisztorok 1 FET = Field Effect Transistor a töltéshordozók áramlását elektromos térerősséggel befolyásoljuk (kapu) (forrás) Csatorna (nyelő) JNCTION FET: pn-átmenet kiürített rétege zárja el a csatornát Legfontosabb paraméter: 0 elzáródási feszültség Keresztirányú térerő vezérel nipoláris eszköz: többségi töltéshordozók vezetnek Vezérlő teljesítmény Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
4 Térvezérelt tranzisztorok 2 MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor FET - + Első alaptípus: kiürítéses (depletion mode) Bulk Legfontosabb paraméter: 0 elzáródási feszültség Bulk Második alaptípus: növekményes (enhancement mode) Legfontosabb paraméter: V T küszöbfeszültség (threshold voltage) Ezt használjuk a leggyakrabban Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
5 Térvezérelt tranzisztorok 3 Jelölések: Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
6 MOSFET-ek Növekményes MOSFET realisztikusabb keresztmetszeti rajza: Gate oxide Source n+ Polysilicon Gate Drain n+ Field-Oxide (SiO 2 ) p substrate p+ stopper Bulk contact Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
7 Legmodernebb MOSFET-ek: 2007/2008, Intel: Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
8 Hogy készül? Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
9 Fém gate-es MOS tranzisztor A mélységi struktúra: Layout rajzolat: Source adalékolás Gate Drain adalékolás Vékony oxid Source Gondok: fém gate nagy V T pontos maszk illesztés kell Drain kontaktus Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
10 Poli-Si gate-es MOS tranzisztor A mélységi struktúra: Layout rajzolat: Source adalékolás Gate Drain adalékolás Vékony oxid Source Előnyei kisebb V T önillesztés Drain kontaktus Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
11 A poli-si gate-es nmos technológia Kiindulás: p típusú szubsztrát (Si szelet) tisztítás, majd vastag SiO 2 (field oxide) növesztése Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
12 A poli-si gate-es nmos technológia Aktív zóna kialakítása fotolitográfiával fotoreziszt felvitele, exponálás V fénnyel maszkon keresztül, előhívás, exponált reziszt eltávolítása SiO 2 kémiai marása, fotoreziszt maradékénak eltávolítása M1: aktív zóna Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
13 A poli-si gate-es nmos technológia Gate kialakítása: vékony oxid növesztése poli-si leválasztása poli-si mintázat kialakítása fotolitográfiával poli-si marása, vékony oxid marása (reziszt, exponálás, előhívás) M2: poli-si mintázat Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
14 A poli-si gate-es nmos technológia S/D adalékolás (inplantáció) az oxid (vékony, vastag) maszkolja az adalékolást megvalósul a gate önillesztése Foszfor-szilikát üveg (PSG) leválasztása: passziválás Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
15 A poli-si gate-es nmos technológia Kontaktusablakok nyitása fotolitográfia (reziszt, mintázat fényképezése, előhívás) marás (mintázat átvitele) tisztítás M3: kontaktus-mintázat Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
16 A poli-si gate-es nmos technológia Fémezés kialakítás Al leválasztása fotolitográfia, marás, tisztítás M4: féemezés-mintázat A technológia receptje kötött, a mélységi struktúrát egyértelműen meghatározzák az egymást követő maszkok Elegendő a maszkon kialakítandó alakzatokat megadni az egymást követő maszkokon kialakítandó rajzolatok együttesét layout-nak nevezzük Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
17 Poli-Si gate-es tranzisztor Struktúra: PSG Layout: Source/drain adalékolás Vékony oxid poli-si gate fémezés, kontaktus W L Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
18 Egy kiürítéses inverter layout rajza S G D S G D Layout = az egymást követő maszkokon kialakítandó 2D-s alakzatok együttese Minden egyes maszkhoz színkódot rendelünk: aktív terület: poli-si: kontaktusok: fémezés: Maszk == layout sík (réteg) piros zöld fekete kék Inverter működés: lásd később Hol van tranzisztor? Ahol adalékolt régió között csatorna lehet CHANNEL = ACTIVE AND POLY Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
19 Egy önillesztő poli-si gate-es MOS technológia 1) Ablaknyitás az aktív területnek M Fotolitográfia, oxidmarás 2) Vékony oxid növesztése 3) Bújtatott kontaktusok kialakítása M A leválasztandó poli-si a hordozóval érintkezik. Adalékolás után az aktív réteggel kontaktusba kerül. 3) Poli-Si leválasztás 4) Poli-Si mintázat kialakítása M 5) Ablaknyitás a vékony oxidon át Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
20 Egy önillesztő poli-si gate-es MOS technológia 6) n+ adalékolás: Source és drain valamint diffúziós vezetékek kialakítása. Bújtatott kontaktusnál a poli-si-ot a diffúziós réteghez köti. 7) Foszfor-szilikát üveg (PSG) szigetelő réteg leválasztása 8) Kontaktus ablakok nyitása a PSG-n M 9) Fémezés felvitele 10) Fémezés mintázat kialakítása M Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
21 További témáink: A MOS tranzisztorok működésének áttekintése Karakterisztikák Másodlagos jelenségek Modellek Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
22 MOSFET-ek működése A működés legegyszerűbb (logikai) modellje: nem vezet (off) / vezet (on) V GS Gate Source (of carriers) Drain (of carriers) növekményes eszköz Open (off) (Gate = 0 ) Closed (on) (Gate = 1 ) R on V GS < V T V GS > V T szakadásban vezetésben Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
23 MOSFET-ek működése n-csatornás eszköz: elektronok vezetnek p-csatornás eszköz: lyukak vezetnek működés elve u.a., mint az n-csatornás eszközök esetében; előjel váltás Normally OFF device: 0 vezérlőfeszültség esetén "szakadásban" (növekményes tranzisztor) Normally ON device: 0 vezérlőfeszültség esetén "vezetésben" (kiürítéses tranzisztor) Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
24 MOSFET típusok áttekintése Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
25 A működés áttekintése A működés alapja az ún. MOS kapacitás: Térerősség hatására pozitív töltések halmozódnak fel a fém elektródán a p-típusú félvzetőben először "kisöprődnek" a pozitív töltéshordozók, így kiürített réteg keletkezik tovább növelve a térerősséget, a fém alá negatív töltéshordozók vándorolnak a bulk-ból majd egy köszöbértéket meghaladó feszültség esetén teljesen "invertálódik" a félvezetőanyag típusa: kialakul az ún. inverziós réteg V T küszöbfeszültség inverziós réteg kialakulásához szükséges minimális feszültség; függ: a félvezetőanyag energiaszintjeitől az oxid vastagságától és dielektromos állandójától a Si adalékolásától és dielektromos állandójától Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
26 A MOS kapacitást önmagában is használják, pl. a CCD eszközökben (charge coupled devices) Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
27 A működés áttekintése Felületi jelenségek a MOS kapacitás esetében Erős inverzió: p = F =2 Φ F n i W exp i W kt F p W ~ exp F W kt v Φ F = W i W q F = kt q ln p n i T ln N n a i Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
28 A MOS tranzisztor MOS kapacitás a két végén egy-egy elektródával kiegészítve n-csatornás eszköz: elektronok vezetnek p-csatornás eszköz: lyukak vezetnek Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
29 A MOS tranzisztor kvalitatív működése Ha V GS >V T, kialakul az inverziós réteg az n+ régió a source-nál elektronokat tud injektálni a csatornába a drain alkalmas (pozitív) potenciálja beindítja az elektronok áramlását a csatornában, a drain pozitív potenciálja záró irányban előfeszíti az n+ régió által formált pn átmenetet a csatornában a drain-hez sodródott elektronok itt elnyelődnek és az n+ régióba kerülnek, zárul az áramkör n+ n+ n Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
30 A MOS tranzisztor kvalitatív működése a csatornában lévő töltéshordozó-sűrűség a V GS feszültségtől függ a csatornában feszültségesés jön létre, ezért az inverziós réteg vastagsága a csatorna mentén egyre csökken egy adott V DSsat ún. szaturációs feszültségnél a csatorna a drain-nél elzáródik, ez az ún. pinch-off n+ n+ V DSsat = V GS -V T Az elzáródás bekövetkezte után a MOS tranzisztor ún. telítéses üzemmódban dolgozik, a drain feszültség tovább nem befolyásolja a csatorna áramot Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
31 A MOS tranzisztor kvalitatív működése A pinch-off régióban a töltéstranszport diffúziós áram révén valósul meg Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
32 Feszültség-áram karakterisztikák kimeneti karakterisztika: I D =f( DS ), parameter: GS transzfer karakterisztika: I D =f( GS ) Kimeneti karakterisztika: Szaturációban (telítésben): I D K = W L μn 2 μ ε t ox ε t ox ox ( V V ) 2 GS n ox = áramállandó Az áramkörtervező csak a tranzisztor geometriáját, W-t és L-et befolyásolja T Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
33 PÉLDA Számoljuk ki egy MOS tranzisztor telítési áramát GS =5V esetében, ha μnε ox 2 K = = 110μA / V V T =1V, és a geometriai méretek tox a) W= 5μm, L=0.4μm, b) W= 0.8μm, L=5μm! a) W K I D = ( GS VT ) = 10 (5 1) = A = 11mA L W K b) I D = ( GS VT ) = 10 (5 1) = A = 141μA L A W/L arány változtatásával a drain áram nagyságrendekkel változtatható Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
34 Feszültség-áram karakterisztika I D (A) cut-off X 10-4 V DSsat = V GS -V T feszültség vezérelt lineáris ellenállás lineáris V GS = 2.5V V GS = 2.0V szaturáció feszültség vezérelt áramforrás V GS = 1.5V V GS = 1.0V V DS (V) Négyzetes függés nmos tranzisztor, 0.25um, L d = 10um, W/L = 1.5, V DD = 2.5V, V T = 0.4V Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
35 A működés fizikai áttekintése: Töltés és potenciálviszonyok a felületen A küszöbfeszültség A karakterisztika levezetése Másodlagos jelenségek Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
36 A MOS struktúra potenciálviszonyai GB = ox + F + Φ MS Q = Q Q + G SC SS Q i C = ε d ox 0 G ox ox Q = C 0 Q SC = qn a S Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
37 A MOS struktúra potenciálviszonyai GB G = ox SC + F SS + Φ Q = Q Q + Q QG = C0 ox Q SC = qn a S MS i Q = i Q C i = 0 = Q G ox C s Q 0 ( 2ε qn SC 2ε qn GB a + s Q F SS a F + = F Φ Q SS + MS Q SS ) Q SC = qn a 2ε s qn a F = 2ε qn s a F Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
38 A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége F = 2Φ + = 2Φ F F F SB Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
39 A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége Q = C 2Φ Φ ) 2ε qn 2Φ + + i 0 ( GB F SB MS s a F SB Q SS V T = GS Q i =0 Q i C 0 ( V ) GS T Q 2 ε qn SS s a V T = 2Φ F + ΦMS + 2Φ F + C0 C0 SB Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
40 A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége Q 2 ε qn SS s a V T = 2Φ F + ΦMS + 2Φ F + C0 C0 SB Flat-band potenciál: Φ FB = Φ MS Q SS C 0 Bulk állandó: V = 2Φ + Φ + P T F FB 2Φ + F SB P = 2 ε s C qn 0 a Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
41 PÉLDA Egy MOS struktúra adatai: N a = /cm 3, a Si relatív dielektromos állandója 11,8, az oxidé 3,9, az oxid vastagsága d ox = 0,03 μm, Φ MS = 0,2 V, Q SS -t elhanyagoljuk. Számítsuk ki a Fermi potenciált, az oxid kapacitást, a bulk állandót és a küszöb-feszültséget SB = 0 V mellett! P = C Na 4 10 Φ F = T ln = 0,026 ln = 0, 335V 10 n 10 i 12 εox 8, , = = = 1,1 10 F / m = 1100 pf / 8 dox ε s C qn 0 a Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET mm , ,7 1, P = = 0, ,1 10 Q 2 ε qn SS s a V T = 2Φ F + Φ MS + 2Φ F + C0 C0 V T = 2 0, ,2 + 0, ,335 = 1, 14 V SB 2 V 1/ 2
42 A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája A következőkben kiszámoljuk! Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
43 A karakterisztika egyenlet levezetése (0) = GS, (L) = GD Q i () = Q i [(x)] I D = Q W v i v = μe = d μ dx I D d ( ) Wμ dx L d = Q I dx W Q dx i D = μ i dx 0 L Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
44 A karakterisztika egyenlet levezetése L 0 I D dx = Wμ L 0 GD Q i d dx I L = Wμ Q ( ) I D D I D GS W = μ L = W L GD GS μ C i 0 C 2 d dx ( ) 0 V d = ( V ) 0 T Q ( ( x ) = C ) i 0 V T μ C Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET W L [( ) ( ) 2 ] 2 V V GS T GD T 2 T GS GD
45 Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem A karakterisztika egyenlet levezetése ( ) ( ) [ ] T GD T GS D V V C L W I = μ [ ] ) ( ) ( 2 0 GD GS D F F C L W I = μ > = T T T V ha V ha V F 0 ) ( ) ( 2 Minden működési tartományra!
46 Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem A telítéses működés [ ] ) ( ) ( 2 0 GD GS D F F C L W I = μ > = T T T V ha V ha V F 0 ) ( ) ( 2 Minden működési tartományra! ( ) T GS D V C L W I = μ Telítés: GD < V T
47 MOSFET típusok áttekintése Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
48 Kiürítéses MOS tranzisztor Eltolt küszöbfeszültségű növekményes Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
49 Kiürítéses MOS tranzisztor Eltolt küszöbfeszültségű növekményes Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
50 A MOS tranzisztor kapacitásai Bulk Q = G f G ( GS, GD, GB ) Q = i f i ( GS, GD, GB ) S/D B kapacitások: lezárt PN átmenet Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET C gs = Q G GS
51 A gate kapacitás: Polysilicon gate Source n + x d x d W Drain n + L d Top view Gate-bulk overlap Gate oxide t ox n + L n + Cross section Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
52 Másodlagos hatások Csatornarövidülés Keskenycsatornás viselkedés Hőmérsékletfüggés Küszöb alatti áram (subthreshold current) Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
53 A küszöbfeszültség függése a geometriától Rövid csatorna: V T csökken Keskeny csatorna: V T növekszik Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
54 Sebesség telítődés Rövid csatornás eszközök működését befolyásolja υ n (m/s) 5 10 υ sat =10 5 állandó sebesség konstans mozgékonyság (meredekség = μ) Sebesség telítődés (velocity saturation) a töltséhordozók sebessége egy adott térerősség felett állandóvá válik (a sok ütközés miatt) 0 ξ c = ξ(v/μm) Egy L = 0.25μm csatorna hosszúságú eszközben néhány voltnyi potenciálkülönbség a D és a S között elegendő a sebesség telítődéshez Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
55 Sebesség telítődés Rövid csatornás eszköznél a szaturáció korábban bekövetkezik I D V GS = V DD Long channel devices 10 Short channel devices 0 V DSAT V GS -V T V DS Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
56 Rövid csatornás karakterisztika X 10-4 Korai sebesség telítődés V GS = 2.5V I D (A) Linear Saturation V GS = 2.0V V GS = 1.5V V GS = 1.0V Linear dependence V DS (V) nmos tranzisztor, 0.25um, L d = 10um, W/L = 1.5, V DD = 2.5V, V T = 0.4V Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
57 Hőmérsékletfüggés I D = W L μ C 2 0 ( V ) 2 GS T 1 dμ o = 0, / μ dt V T = 1, mv T / o C C Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
58 Küszöb alatti vezetés (áram) Egy adott V T feltételezése egy "durva" modell; valójában az áram a gate feszültséggel exponenciálisan tűnik el 10-2 négyzetes tartomány lineáris tartomány I D (A) Küszöb alatti, exponenciális tartomány V T I D ~ I S e (qv GS /nkt) ahol n V GS (V) Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
59 Küszöb alatti vezetés (áram) Folytonos átmenet az ON és az OFF állapot közt A küszöb alatti áram nemkívánatos: erős eltérés a kapcsoló modelltől I D I ~ 0 e qv nkt I 0, n empírikus paraméterek, n jellemzően 1.5 Slope factor: S = n (kt/q) ln (10) (tipikusan: mv/dekád) minél kisebb, annál jobb, n értékétől függ. Ún. SOI technikával csökkenthető: GS, n C =1+ C D ox Si pl. SIMOX technológia SiO 2 Si szubsztrát Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
60 Subthreshold I D (V GS ) karakterisztika V DS : V qvgs nkt I D I0e 1 e qv = kt DS Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
61 Subthreshold I D (V DS ) karakterisztika V GS : V I D qvgs qv = nkt kt I e 0 1 e DS ( 1+ λ V ) DS Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
62 MOS tranzisztor modellek Áramkörszimuláció (SPICE, TRANZ-TRAN, ELDO, SABER, stb) számára szükségesek Különböző komplexitás: level0, 1, 2,...n, EKV, BSIM3, BSIM Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
63 Gyakorlati kivitel Felvétel optikai mikroszkóppal SG D S G D Elektron-mikroszkópos felvétel Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
64 Néhány bonyolultabb áramkör: n- és p-csatornás eszközök vegyesen: CMOS technika, lásd később Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
65 Néhány bonyolultabb áramkör: Tervezéshez: CAD programok, l. labor Térvezérelt tranzisztorok II.: A MOSFET-ek Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Buapesti Műszaki és Gazaságtuományi Egyetem MKROEEKTRONKA, VEEA6 Térvezérelt tranzisztorok. A JFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/11-jfet.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A MOS inverterek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/13-mosfet2.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/14-cmos.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált
Mikroelektronika. Számolja ki, hogy mekkora nyitófeszültség mellett lesz a nmos tranzisztor telítési árama 10mA. (V T =0.
Mikroelektronika Minek a rövidítése az MPW? Ez mit jelent magyarul? Mi a gazdasági előnye? MPW = multi project wafer, magyarul a lényege: egy szeleten 10-15 terv kerül legyártásra. Gazdasági előnye: a
Mikroelektronika és technológia, VI. sz gyakorlat Mérések a CMOS IC gyártási eljárás ellenõrzésére
Mikroelektronika és technológia, VI. sz gyakorlat Mérések a CMOS IC gyártási eljárás ellenõrzésére Célkitûzés: A gyakorlat célja a CMOS IC-k viselkedésének megismerése, kapcsolat keresése az eszköz tulajdonságok
Laptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
Integrált áramkörök/3 Digitális áramkörök/2 CMOS alapáramkörök Rencz Márta Ress Sándor
Integrált áramkörök/3 Digitális áramkörök/2 CMOS alapáramkörök Rencz Márta Ress Sándor Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák A CMOS inverter, alapfogalmak működés, számitások, layout CMOS kapu áramkörök
MIKROELEKTRONIKA 7. MOS struktúrák: -MOS dióda, Si MOS -CCD (+CMOS matrix) -MOS FET, SOI elemek -MOS memóriák
MIKROELEKTRONIKA 7. MOS struktúrák: -MOS dióda, Si MOS -CCD (+CMOS matrix) -MOS FET, SOI elemek -MOS memóriák Fém-félvezetó p-n A B Heteroátmenet MOS Metal-oxide-semiconductor (MOS): a mikroelektronika
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
Integrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák MOS áramkörök alkatrészkészlete Bipoláris áramkörök alkatrészkészlete 11/2/2007 2/27 MOS áramkörök alkatrészkészlete Tranzisztorok
Az N csatornás kiürítéses MOSFET jelleggörbéi.
SZIGETELT VEZÉRLİELEKTRÓDÁS TÉRVEZÉRLÉSŐ TRANZISZTOR (MOSFET) A MOSFET-nek (Metal Oxide Semiconductor, fém-oxid-félvezetı) két alaptípusa a kiürítéses és a növekményes MOSFET. Mindkét típusból készítenek
Hobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET)
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET) 1 Felhasznált irodalom Sulinet Tudásbázis: Unipoláris tranzisztorok Electronics Tutorials: The MOSFET CONRAD Elektronik: Elektronikai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat
ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat Tranzisztorok Elemi félvezető eszközök Alkalmazásuk Analóg áramkörökben: erősítők Digitális áramkörökben: kapcsolók Típusai BJT
Integrált áramkörök/2 Digitális áramkörök/1 MOS alapáramkörök. Rencz Márta Ress Sándor Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Digitális áramkörök/1 MOS alapáramkörök Rencz Márta Ress Sándor Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák Az inverter, alapfogalmak Kiürítéses típusú MOS inverter Kapuáramkörök kialakítása
UNIPOLÁRIS TRANZISZTOR
UNIPOLÁRIS TRANZISZTOR Az unipoláris tranzisztorok térvezérléső tranzisztorok (Field Effect Transistor). Az ilyen tranzisztorok kimeneti áramának nagyságát a bemeneti feszültséggel létrehozott villamos
1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak?
Ellenörző kérdések: 1. előadás 1/5 1. előadás 1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak? 2. Mit jelent a föld csomópont, egy áramkörben hány lehet belőle,
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás A tranzisztor felfedezése A tranzisztor kifejlesztését a Lucent Technologies kutatóintézetében, a Bell Laboratóriumban végezték el. A laboratóriumban három
A PC vagyis a személyi számítógép. VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória
i smer d meg! A PC vagyis a személyi számítógép VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória (lásd a klasszikus architekturájú univerzális számítógép rendszertömbvázlatát
PN átmenet kivitele. (B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) A=anód, K=katód
PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet. Egy pn átmenetből álló eszköz a dióda. (B, Al, Ga, n) (P, As, Sb)
III. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján?
III. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján? 2.) Mi a tiltott sáv fogalma? 3.) Hogyan befolyásolja a tiltott sáv szélessége az anyagok
Műveleti erősítők - Bevezetés
Analóg és digitális rsz-ek megvalósítása prog. mikroák-kel BMEVIEEM371 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Műveleti erősítők - Bevezetés Takács Gábor Elektronikus Eszközök Tanszéke (BME) 2014.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Bevezetés http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/01-bevez.ppt http://www.eet.bme.hu Alapfogalmak IC-k egy felületszerelt panelon
Hobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások 1 Felhasznált irodalom CONRAD Elektronik: Elektronikai kíséletező készlet útmutatója 2 FET tranzisztorok FET = Field Effect Transistor,
Gingl Zoltán, Szeged, dec. 1
Gingl Zoltán, Szeged, 2017. 17 dec. 1 17 dec. 2 Egyenirányító (rectifier) Mint egy szelep deális dióda Nyitó irányban tökéletes vezető (rövidzár) Záró irányban tökéletes szigetelő (szakadás) Valódi dióda:
Feszültségszintek. a) Ha egy esemény bekövetkezik akkor az értéke 1 b) Ha nem következik be akkor az értéke 0
Logikai áramkörök Feszültségszintek A logikai rendszerekben az állapotokat 0 ill. 1 vagy H ill. L jelzéssel jelöljük, amelyek konkrét feszültségszinteket jelentenek. A logikai algebrában a változókat nagy
Gingl Zoltán, Szeged, :44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok
Gingl Zoltán, Szeged, 2016. 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 1 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 2 Egyenirányító (rectifier) Mint egy szelep deális dióda Nyitó
- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetők félvezetők szigetelő anyagok
lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezető anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetők félvezetők szigetelő anyagok - vezetők: normál körülmények között
Térvezérlésű tranzisztor
Térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztorok a vékonyréteg félvezetős eszközök kategoriájába sorolhatók és a tranzisztorok harmadik generációját képviselik. 1948-ban jelentik be amerikai kutatók
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába V. Félvezető diódák Félvezető dióda Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. (Si, Ge)
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba. Tihanyi Attila április 17.
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba Tihanyi Attila 2007. április 17. ALAPOK Töltés 1 elektron töltése 1,602 10-19 C 1 C (coulomb) = 6,24 10 18 elemi elektromos töltés. Áram Feszültség I=Q/t
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MKROELEKTRONKA, VEEA306 A bipoláris tranzisztor. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/08-bipol3.ppt http://www.eet.bme.hu Az ideális tranzisztor karakterisztikái
8.B 8.B. 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok
8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok Értelmezze az unipoláris tranzisztorok felépítését, mőködését, feszültség- és áramviszonyait, s emelje ki a térvezérlés szerepét! Rajzolja fel a legfontosabb
F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok
E, Kísérleti Fizika Tanszék F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect
Elektronika I. Dr. Istók Róbert. II. előadás
Elektronika I Dr. Istók Róbert II. előadás Tranzisztor működése n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban p-n átmeneteknél kiürített réteg jön létre Az emitter-bázis réteg között kialakult diódát emitterdiódának,
Analitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
Tájékoztató. Használható segédeszköz: számológép
A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított), a 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet a 29/2016 (III.26.) NMG rendelet által módosított, a 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK ITRISIC (TISZTA) FÉLVEZETŐK E EXTRÉM AGY TISZTASÁG (kb: 10 10 Si, v. Ge, 1 szennyező atom) HIBÁTLA KRISTÁLYSZERKEZET abszolút nulla hőmérsékleten T = 0K = elektron kevés
TFBE1301 Elektronika 1.
E, Kísérleti Fizika Tanszék TFBE1301 Elektronika 1. Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect Transistor
ELEKTRONIKA I. (KAUEL11OLK)
Félévi követelmények és beadandó feladatok ELEKTRONIKA I. (KAUEL11OLK) tárgyból a Villamosmérnöki szak levelező tagozat hallgatói számára Óbuda Budapest, 2005/2006. Az ELEKTRONIKA I. tárgy témaköre: Az
DIGITÁLIS TECHNIKA 11. Előadás
DIGITÁLIS TECHNIKA 11. Előadás Előadó: Dr. Oniga István Egyetemi docens 2010/2011 II félév Digitális integrált áramkörök technológiája A logikai áramkörök megépítéséhez elıször is ki kell választanunk
MODULÁRAMKÖRÖK ÉS KÉSZÜLÉKEK
MODULÁRAMKÖRÖK ÉS KÉSZÜLÉKEK Moduláramkörök alapvető építőelemei Gross Péter Hardware fejlesztő, ARH Informatikai Zrt. E-mail: peter.gross@arh.hu Utoljára módosítva: 2016. 10. 09. BUDAPEST UNIVERSITY OF
Diszkrét aktív alkatrészek
Aktív alkatrészek Az aktív alkatrészek képesek kapcsolási és erősítési feladatokat ellátni. A digitális elektronika és a teljesítményelektronika gyors kapcsolókra épül, az analóg technikában elsősorban
A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
5. Laboratóriumi gyakorlat. A p-n ÁTMENET HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE
5. Laboratóriumi gyakorlat A p-n ÁTMENET HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE 1. A gyakorlat célja: A p-n átmenet hőmérsékletfüggésének tanulmányozása egy nyitóirányban polarizált dióda esetében. A hőmérsékletváltozási
MOS alapáramkörök. CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések. Elektronikus Eszközök Tanszéke.
MOS alapáramkörök CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések http://www.eet.bme.hu A CMOS inverter V DD V DD V DD p BE KI BE=1 KI=0 BE=0 KI=1 n GND GND GND Állandósult állapotban a két tranzisztor közül mindig
2.Előadás ( ) Munkapont és kivezérelhetőség
2.lőadás (207.09.2.) Munkapont és kivezérelhetőség A tranzisztorokat (BJT) lineáris áramkörbe ágyazva "működtetjük" és a továbbiakban mindig követelmény, hogy a tranzisztor normál aktív tartományban működjön
11.2. A FESZÜLTSÉGLOGIKA
11.2. A FESZÜLTSÉGLOGIKA Ma a feszültséglogika számít az uralkodó megoldásnak. Itt a logikai változó két lehetséges állapotát két feszültségérték képviseli. Elvileg a két érték minél távolabb kell, hogy
DIGITÁLIS TECHNIKA II
DIGITÁLIS TECHNIKA II Dr. Lovassy Rita Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 8. ELŐADÁS 1 AZ ELŐADÁS ÉS A TANANYAG Az előadások Arató Péter: Logikai rendszerek tervezése
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Elektronikus Eszközök Tanszéke. A modern CMOS. eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A modern CMOS A MOS tranzisztor Ezt tanultuk Ez pedig a valóság, 2013 14nm. A MOS tranzisztor skálázása ugyanazt, kicsiben
Bevezetés az elektronikába
Bevezetés az elektronikába 6. Feladatsor: Egyszerű tranzisztoros kapcsolások Hobbielektronika csoport 2017/2018 1 Debreceni Megtestesülés Plébánia Tranziens (átmeneti) jelenségek Az előzőekben csupán az
Adatok: R B1 = 100 kω R B2 = 47 kω. R 2 = 33 kω. R E = 1,5 kω. R t = 3 kω. h 22E = 50 MΩ -1
1. feladat R B1 = 100 kω R B2 = 47 kω R C = 3 kω R E = 1,5 kω R t = 4 kω A tranzisztor paraméterei: h 21E = 180 h 22E = 30 MΩ -1 a) Számítsa ki a tranzisztor kollektor áramát, ha U CE = 6,5V, a tápfeszültség
Áramgenerátorok alapeseteinek valamint FET ekkel és FET bemenetű műveleti erősítőkkel felépített egyfokozatú erősítők vizsgálata.
El. II. 4. mérés. 1. Áramgenerátorok bipoláris tranzisztorral A mérés célja: Áramgenerátorok alapeseteinek valamint FET ekkel és FET bemenetű műveleti erősítőkkel felépített egyfokozatú erősítők vizsgálata.
DIGITÁLIS TECHNIKA II
IGITÁLIS TEHNIKA II r. Lovassy Rita r. Pődör Bálint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 8. ELŐAÁS AZ ELŐAÁS ÉS A TANANYAG Az előadások Arató Péter: Logikai rendszerek tervezése
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budaesti Műszaki és Gazdaságtudomáyi Egyetem Elektroikus Eszközök Taszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alaok htt://www.eet.bme.hu/~oe/miel/hu/03-felvez-fiz.tx htt://www.eet.bme.hu Budaesti
Mérés és adatgyűjtés
Mérés és adatgyűjtés 7. óra Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2013. április 11. MA - 7. óra Verzió: 2.2 Utolsó frissítés: 2013. április 10. 1/37 Tartalom I 1 Szenzorok 2 Hőmérséklet mérése 3 Fény
Integrált áramkörök/1. Informatika-elekronika előadás 10/20/2007
Integrált áramkörök/1 Informatika-elekronika előadás 10/20/2007 Mai témák Fejlődési tendenciák, roadmap-ek VLSI alapfogalmak A félvezető gyártás alapműveletei A MOS IC gyártás lépései 10/20/2007 2/48 Integrált
(1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London)
100 éve született Gábor Dénes Gábor Dénes a holográfia atyja (1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London) A jövõt nem lehet megjósolni, de jövõnket föl lehet találni. Gábor Dénes Gábor Dénes, angol
- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok
lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezetı anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok - vezetık: normál körülmények között
Mikroelektronikai tervezés tantermi gyakorlat
Mikroelektronikai tervezés tantermi gyakorlat Gärtner Péter, Ress Sándor 2010 április 1 Az átcsúszó selejt Előadáson levezetve az átcsúszó selejtre: Y = yield, kihozatal C = fault coverage, hibalefedés
Nanoelektronikai eszközök III.
Nanoelektronikai eszközök III. Dr. Berta Miklós bertam@sze.hu 2017. november 23. 1 / 10 Kvantumkaszkád lézer Tekintsünk egy olyan, sok vékony rétegbõl kialakított rendszert, amelyre ha külsõ feszültséget
Villamos tér. Elektrosztatika. A térnek az a része, amelyben a. érvényesülnek.
III. VILLAMOS TÉR Villamos tér A térnek az a része, amelyben a villamos erőhatások érvényesülnek. Elektrosztatika A nyugvó és időben állandó villamos töltések által keltett villamos tér törvényeivel foglalkozik.
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK A leggyakrabban használt félvezető anyagok a germánium (Ge), és a szilícium (Si). Félvezető tulajdonsággal rendelkező elemek: szén (C),
DIGITÁLIS TECHNIKA II Dr. Lovassy Rita Dr. Pődör Bálint
IGIÁIS ENIK II r. ovassy Rita r. Pődör álint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és echnológia Intézet 0. EŐÁS OGIKI ÁRMKÖRÖK II MOS ÉS MOS Z EŐÁS ÉS NNG z előadások Rőmer Mária: igitális rendszerek áramkörei
Magyarkuti András. Nanofizika szeminárium JC Március 29. 1
Magyarkuti András Nanofizika szeminárium - JC 2012. Március 29. Nanofizika szeminárium JC 2012. Március 29. 1 Abstract Az áram jelentős részéhez a grafén csík szélén lokalizált állapotok járulnak hozzá
Félvezetk vizsgálata
Félvezetk vizsgálata jegyzkönyv Zsigmond Anna Fizika BSc III. Mérés vezetje: Böhönyei András Mérés dátuma: 010. március 4. Leadás dátuma: 010. március 17. Mérés célja A mérés célja a szilícium tulajdonságainak
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben
Erdélyi Magyar Műszaki Tudományos Társaság Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben Kolozsvári Műszaki Egyetem Számítástechnika Kar Szerzők dr. Baruch Zoltán Bíró Botond dr. Buzás Gábor dr.
Megoldás: A feltöltött R sugarú fémgömb felületén a térerősség és a potenciál pontosan akkora, mintha a teljes töltése a középpontjában lenne:
3. gyakorlat 3.. Feladat: (HN 27A-2) Becsüljük meg azt a legnagyo potenciált, amelyre egy 0 cm átmérőjű fémgömöt fel lehet tölteni, anélkül, hogy a térerősség értéke meghaladná a környező száraz levegő
XI. DIGITÁLIS RENDSZEREK FIZIKAI MEGVALÓSÍTÁSÁNAK KÉRDÉSEI Ebben a fejezetben a digitális rendszerek analóg viselkedésével kapcsolatos témákat
XI. DIGITÁLIS RENDSZEREK FIZIKAI MEGVALÓSÍTÁSÁNAK KÉRDÉSEI Ebben a fejezetben a digitális rendszerek analóg viselkedésével kapcsolatos témákat vesszük sorra. Elsőként arra térünk ki, hogy a logikai értékek
Egyenáram. Áramkörök jellemzése Fogyasztók és áramforrások kapcsolása Az áramvezetés típusai
Egyenáram Áramkörök jellemzése Fogyasztók és áramforrások kapcsolása Az áramvezetés típusai Elektromos áram Az elektromos töltéshordozók meghatározott irányú rendezett mozgását elektromos áramnak nevezzük.
Analóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok
Analóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok. Diszkrét aktív alkatrészek és egyszerû alkalmazásaik. Elmélet A diszkrét aktív elektronikai alkatrészek (dióda, különbözõ tranzisztorok, tirisztor) elméleti
Transzportfolyamatok a biológiai rendszerekben
A nyugalmi potenciál jelentősége Transzportfolyamatok a biológiai rendszerekben Transzportfolyamatok a sejt nyugalmi állapotában a sejt homeosztázisának (sejttérfogat, ph) fenntartása ingerlékenység érzékelés
feszültség konstans áram konstans
Szélessávú Hírközlés és Villamosságtan Tanszék Űrtechnológia laboratórium Szabó József Egyszerű feszültség és áramszabályozó Űrtechnológia a gyakorlatban Budapest, 2014. április 10. Űrtetechnológia a gyakorlatban
IRODALOM. Elektronika
Elektronika Dr. Lovassy Rita Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet lovassy.rita@kvk.uni-obuda.hu C 311. IRODALOM Zsom Gyula: Elektronikus áramkörök I. A. Budapest, 1991, (KKMF 1040).
NANOELEKTRONIKA JEGYZET MIZSEI JÁNOS RÉSZEIHEZ
NANOELEKTRONIKA JEGYZET MIZSEI JÁNOS RÉSZEIHEZ Készítette: Riedl Tamás Tartalomjegyzék 1. Történeti áttekintés... 3 2. A technológia fejlődése, alapok... 3 A MOS tranzisztor... 4 3. Nemlinearitás: A bináris
Standard cellás tervezés
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Standard cellás tervezés A tanszéken rendelkezésre álló CENSORED technológia bemutatás és esettanulmány Figyelmeztetés! Ez
ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2005. május 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI MINISZTÉRIUM Elektronikai
Mérési utasítás. P2 150ohm. 22Kohm
Mérési utasítás A mérés célja: Tranzisztorok és optocsatoló mérésén keresztül megismerkedni azok felhasználhatóságával, tulajdonságaival. A mérés során el kell készíteni különböző félvezető alkatrészek
Vezetékek. Fizikai alapok
Vezetékek Fizikai alapok Elektromos áram A vezetékeket az elektromos áram ill. elektromos jelek vezetésére használják. Az elektromos áramot töltéshordozók (elektromos töltéssel rendelkező részecskék: elektronok,
ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
Azonosító jel NSZI 0 6 0 6 OKTATÁSI MINISZTÉRIUM Szakmai előkészítő érettségi tantárgyi verseny 2006. április 19. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK DÖNTŐ ÍRÁSBELI FELADATOK Az írásbeli időtartama: 240 perc 2006
A PC vagyis a személyi számítógép. VII. rész
ismerd meg! A PC vagyis a személyi számítógép MOS logikai integrált áramkörök II. rész A MOS logikai áramkörök kapcsolástechnikai megvalósítását és mûködését egy egyszerû, diszkrét alkatrészekbõl felépített
Szívelektrofiziológiai alapjelenségek. Dr. Tóth András 2018
Szívelektrofiziológiai alapjelenségek 1. Dr. Tóth András 2018 Témák Membrántranszport folyamatok Donnan egyensúly Nyugalmi potenciál 1 Transzmembrán transzport A membrántranszport-folyamatok típusai J:
MUNKAANYAG. Mészáros Miklós. Félvezető eszközök, áramköri elemek II. A követelménymodul megnevezése: Elektronikai áramkörök tervezése, dokumentálása
Mészáros Miklós Félvezető eszközök, áramköri elemek II. A követelménymodul megnevezése: Elektronikai áramkörök tervezése, dokumentálása A követelménymodul száma: 0917-06 A tartalomelem azonosító száma
Elektronika zöldfülűeknek
Ha hibát találsz, jelezd itt: Elektronika zöldfülűeknek R I = 0 Szakadás, olyan mintha kiradíroznánk az ellenállást vezetékekkel együtt. A feszültség nem feltétlen ugyanakkora a két oldalon. Üresjárat,
I. Nyitó lineáris tartomány II. Nyitó exponenciális tartomány III. Záróirányú tartomány IV. Letörési tartomány
A DIÓDA. A dióda áramiránytól függı ellenállású alkatrész. Az egykristály félvezetı diódákban a p-n átmenet tulajdonságait használják ki. A p-n átmenet úgy viselkedik, mint egy áramszelep, az áramot az
SOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
1. feladat R 1 = 2 W R 2 = 3 W R 3 = 5 W R t1 = 10 W R t2 = 20 W U 1 =200 V U 2 =150 V. Megoldás. R t1 R 3 R 1. R t2 R 2
1. feladat = 2 W R 2 = 3 W R 3 = 5 W R t1 = 10 W R t2 = 20 W U 1 =200 V U 2 =150 V U 1 R 2 R 3 R t1 R t2 U 2 R 2 a. Számítsd ki az R t1 és R t2 ellenállásokon a feszültségeket! b. Mekkora legyen az U 2
Teljesítmény-erősítők. Elektronika 2.
Teljesítmény-erősítők Elektronika 2. Az erősítés elve Erősítés: vezérelt energia-átalakítás Vezérlő teljesítmény: Fogyasztó teljesítmény-igénye: Tápforrásból felvett teljesítmény: Disszipálódott teljesítmény:
FIZIKA II. Egyenáram. Dr. Seres István
Dr. Seres István Áramerősség, Ohm törvény Áramerősség: I Q t Ohm törvény: U I Egyenfeszültség állandó áram?! fft.szie.hu 2 Seres.Istvan@gek.szie.hu Áramerősség, Ohm törvény Egyenfeszültség U állandó Elektromos
Bevezetés az elektronikába
Bevezetés az elektronikába 3. Astabil multivibrátorok alkalmazása 1 Ismétlés: astabil multivibrátor Amikor T2 kinyit, Uc2 alacsony (néhány tized V) lesz, az eredetileg feltöltöt kondenzátor negatívbe viszi
Integrált áramkörök/4 Digitális áramkörök/3 CMOS megvalósítások Rencz Márta
Integrált áramkörök/4 Digitális áramkörök/3 CMOS megvalósítások Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák Transzfer kapu Kombinációs logikai elemek különböző CMOS megvalósításokkal Meghajtó áramkörök
Elektronika 1. (BMEVIHIA205)
Elektronika. (BMEVHA05) 5. Előadás (06..8.) Differenciál erősítő, műveleti erősítő Dr. Gaál József BME Hálózati endszerek és SzolgáltatásokTanszék gaal@hit.bme.h Differenciál erősítő, nagyjelű analízis
Tételek Elektrotechnika és elektronika I tantárgy szóbeli részéhez 1 1. AZ ELEKTROSZTATIKA ALAPJAI AZ ELEKTROMOS TÖLTÉS FOGALMA 8 1.
Tételek Elektrotechnika és elektronika I tantárgy szóbeli részéhez 1 1. AZ ELEKTROSZTATIKA ALAPJAI 8 1.1 AZ ELEKTROMOS TÖLTÉS FOGALMA 8 1.2 AZ ELEKTROMOS TÉR 9 1.3 COULOMB TÖRVÉNYE 10 1.4 AZ ELEKTROMOS
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba. Tihanyi Attila 2007 március 27
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba Tihanyi Attila 2007 március 27 Ellenállások R = U I Fajlagos ellenállás alapján hosszú vezeték Nagy az induktivitása Bifiláris Trükkös tekercselés Nagy mechanikai
Termodinamikai egyensúlyi potenciál (Nernst, Donnan). Diffúziós potenciál, Goldman-Hodgkin-Katz egyenlet.
Termodinamikai egyensúlyi potenciál (Nernst, Donnan). Diffúziós potenciál, Goldman-Hodgkin-Katz egyenlet. Biológiai membránok passzív elektromos tulajdonságai. A sejtmembrán kondenzátorként viselkedik
MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I
MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA I Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem, KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 6. ELŐADÁS 2009/2010 tanév 1. félév 1 ÁLTALÁNOS BEVEZETÉS A mikro- és nanotechnika c. tárgy megkísérli
Elvonatkoztatási szintek a digitális rendszertervezésben
Budapest Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elvonatkoztatási szintek a digitális rendszertervezésben Elektronikus Eszközök Tanszéke eet.bme.hu Rendszerszintű tervezés BMEVIEEM314 Horváth Péter 2013 Rendszerszint
Elektrofiziológiai alapjelenségek 1. Dr. Tóth András
Elektrofiziológiai alapjelenségek 1. Dr. Tóth András Témák Membrántranszport folyamatok Donnan egyensúly Nyugalmi potenciál Ioncsatornák alaptulajdonságai Nehézségi fok Belépı szint (6 év alatt is) Hallgató
i1. Az elektronikában alkalmazott mennyiségek SI mértékegységei és prefixei.
i1. Az elektronikában alkalmazott mennyiségek SI mértékegységei és prefixei. M, mega 10 6 k, kilo 10 3 m,milli 10-3 µ, mikro 10-6 n, nano 10-9 p, piko 10-12 f, femto 10-15 Volt, Amper, Ohm, Farad, Henry,