MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
|
|
- Gábor Németh
- 5 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések
2 Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER (SYSTEM) + RÉSZEGYSÉG (MODULE) KAPU (GATE) ÁRAMKÖR (CIRCUIT) V in V out ESZKÖZ (DEVICE) G S n+ D n CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
3 A CMOS inverter V DD V DD V DD p BE KI BE=1 KI=0 BE=0 KI=1 n GND GND GND Állandósult állapotban a két tranzisztor közül mindig csak az egyik vezet, a másik lezárt CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
4 A CMOS inverter karakterisztikája 2 alapeset, a tápfeszültségtől és a tranzisztorok küszöbfeszültségétől függően Felső tranzisztor vezet Alsó tranzisztor vezet Felső tranzisztor vezet Alsó tranzisztor vezet V Tp V Tn U BE V Tn V Tp U BE 0 0 V DD 1. kis tápfeszültség: V DD < V Tn + V Tp egyszerre csak az egyik tranzisztor vezet V DD 2. nagyobb tápfeszültség V DD > V Tn + V Tp átkapcsoláskor egyszerre vezet mindkét tranzisztor CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
5 A CMOS inverter karakterisztikája 1. Kis tápfeszültség: V DD < V Tn + V Tp a karakterisztika: U = KI V DD határozatlan ha... V 0 ha... U Tn BE < U < - BE V DD VTp < Tn ha... U BE V < V - DD VTp UKI VDD VDD UKI határozatlan U BE A transzfer karakterisztika középső szakasza nagyon meredek, ez a CMOS inverter jellegzetes előnye. UBE VDD -VTp VTn VDD VTn VDD VDD -VTp CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
6 A CMOS inverter karakterisztikája 2. Nagy tápfeszültség: V DD > V Tn + V Tp Átkapcsoláskor? - "egymásba vezetés" Karakterisztika szerkesztése CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
7 A CMOS inverter Méretezés szimmetrikus működésre: Ha U BE =U K komparálási feszültség, a két tranzisztor árama 2 2 megegyezik: U GSn =U K U GSp =V DD -U K A komparálási feszültség a két tranzisztor áramállandójának az arányától függ. Ha a komparálási feszültséget a tápfeszültség felére szeretnék beállítani, és V Tn = V Tp, akkor K n =K p -t kell beállítani. W L P = K U K n W..2.5 L ( U K VTn) = K p ( VDD U K VTp V 2 mivel a lyukak mozgékonysága kb x kisebb n V + V n p μ XC CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET K X W = L DD Tp Tn n p = (lásd: Elektronika jegyzet) 1+ K A komparálási feszültség a W/L arányokkal változtatható / K K / K X ) ox
8 A CMOS inverter dinamikus kar. Kapcsolási idők számítása Mitől függenek? a kimenet áram-meghajtó képességétől a kimenetet terhelő kapacitástól Ha a két tranzisztor pontosan komplementer karakterisztikájú, a kapcsolási idők (fel- és lefutás) is egyformák lesznek (K n =K p és V Tn = V Tp ) CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
9 A kapacitások: Meghajtó fokozat tranzisztorainak belső kapacitásai Következő fokozat tranzisztorainak bemeneti kapacitásai Vezetékezés kapacitása M 2 C DB2 C G4 M 4 Vin V out1 V out2 C GD12 C w M 1 C DB1 C G3 M 3 intrinsic MOS transistor capacitances extrinsic MOS transistor (fanout) capacitances wiring (interconnect) capacitance CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
10 A kapacitások A belső kapacitásokat már érintettük: S-G G-D átlapolási kapacitások a csatorna kapacitása a pn átmenetek kapacitásai A vezetékezés kapacitása az összekötő vezetékek geometriájától függ (szélesség, hosszúság) a technológiai fejlődésével jelentősége egyre nő Lásd később CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
11 A CMOS inverter dinamikus kar. Kapcsolási idők számítása azonos kapcs. idők, integrálás a kapacitás szélső feszültség értékeire: VLM Ha I D K t ( VDD VT l = 2 ) V DD C I L D du V LM a terhelő kapacitás minimális feszültsége akkor t l = CL( V K( V DD DD V V LM 2 T ) ) Csökkenthető a tápfeszültség vagy W/L növelésével CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
12 A CMOS inverter fogyasztása Statikus fogyasztás nincs, mert nincs statikus áram Átkapcsoláskor van dinamikus fogyasztás, amely 2 részből áll: Egymásba vezetés: A bemenő jel felfutásának egy szakaszában mindkét tranzisztor egyszerre vezet, ha V Tn <U BE <V DD -V Tp Töltés-pumpálás: Jelváltásokkor a kimeneten lévő C L terhelést 1-re váltáskor a p tranzisztoron keresztül tápfeszültségre töltjük, majd 0-ra váltáskor az n tranzisztoron keresztül kisütjük. Töltést pumpálunk a tápból a föld felé CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
13 A CMOS inverter fogyasztása Egymásba vezetés: A bemenő jel felfutásának egy szakaszában mindkét tranzisztor egyszerre vezet, ha V Tn <U BE <V DD -V Tp I MAX = ( 2 V ) 2 K V DD / T I [10uA], U [V] I Vin Vout n 10.0n 20.0n 30.0n 40.0n time [sec] az átfolyó töltés: ΔQ = bt I UD MAX, ahol t UD az idő, amíg áram folyik, b egy konstans, ami az átkapcsoló jel alakjától függ. b P 2 = fδqvdd = fvddbtudk( VDD / 2 VT ) P ~ f V 3 DD CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
14 A CMOS inverter fogyasztása Töltéspumpálás: Jelváltásokkor a kimeneten lévő C L terhelést 1-re váltáskor a p tranzisztoron keresztül tápfeszültségre töltjük, majd 0-ra váltáskor az n tranzisztoron keresztül kisütjük. ΔQ = C V P cp =f C L V 2 DD L L A töltéspumpálás teljesítmény igénye arányos a frekvenciával és a tápfeszültség négyzetével. A teljes fogyasztás a 2 összege (ha egymásba vezetés is van), arányos a frekvenciával és a tápfeszültség 2. ill. 3. hatványával. DD CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
15 CMOS áramkörök fogyasztásának összetevői Dinamikus összetevők minden kapcsolási eseménykor egymásbavezetés, töltéspumpálás eseménysűrűséggel arányos órajel frekvencia az áramkör aktivitása Parazita jelenségek miatt további összetevők: küszöb alatti áramok pn-átmenetek szivárgási áramai leakage: ma már nagyon jelentős szivárgás a gate dielektrikumon keresztül CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
16 Konstrukciós kérdések CMOS kapuk szerkesztése Gyártás (poli-si gate-es technológia áttekintése) Layout CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
17 CMOS kapuk nmos kapcsolóhálózat szerkesztése: soros áramút: NAND kapcsolat párhuzamos áramút: NOR kapcsolat ezek kombinációja: komplex kapu Kapcsolók helyett nmos tranzisztorok Load helyett nmos áramkör duálisa: pmos hálózat CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
18 CMOS kapuk A CMOS inverterben mindkét tranzisztort vezéreljük. A kapuk esetében egy "felső" (pmos) ill. "alsó" (nmos) hálózat fog megjelenni, mindkét hálózat annyi tranzisztorból áll, ahány bemenete van a függvénynek. Azoknál a bemeneti kombinációknál, ahol a függvény értéke 0, az alsó hálózat rövidzár a kimenet és a föld között, míg a felső hálózat szakadás a kimenet és a táp között ha a függvény értéke 1, akkor az alsó hálózat szakadás, a felső hálózat rövidzár A p ill. n tranzisztorokkal duális hálózatokat kell megvalósítani Azonos bemenetek tranzisztorait össze kell kötni CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
19 CMOS kapuk NOR kapu NAND kapu Egy n bemenetű CMOS kapuhoz 2n db tranzisztorra van szükség (passzív terhelésű kapuknál csak n+1 kell) CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
20 Komplex CMOS kapuk szerkesztése duális topológia (hurokból vágat, vagatból hurok) duális alkatrészekkel: nmos helyett pmos azonos bemenetekhez tartozó tranzisztorok gate-jeit összekötni W/L arányok helyes méretezése U DD F = A + BC A U out B C CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
21 Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER (SYSTEM) + RÉSZEGYSÉG (MODULE) KAPU (GATE) ÁRAMKÖR (CIRCUIT) V in V out ESZKÖZ (DEVICE) G S n+ D n CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
22 Egy kiürítéses inverter layout rajza S G D S G D Layout = az egymást követő maszkokon kialakítandó 2D-s alakzatok együttese Minden egyes maszkhoz színkódot rendelünk: aktív terület: poli-si: kontaktusok: fémezés: Maszk == layout sík (réteg) piros zöld fekete kék Hol van tranzisztor? Ahol adalékolt régió között csatorna lehet CHANNEL = ACTIVE AND POLY CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
23 Si-compilerek Logikai séma vagy magasszintű leírás Tranzisztor szintű kapcsolási rajz W/L adatokkal Pálcika diagramos layout Tényleges layout automatikus konverzió az egyes leírásmódok között HARDVERSZINTÉZIS 1. Viselkedési leírásból struktúrális 2. Struktúrális leírás implementációja adott technológiával: technology mapping Most a cél IC megvalósítás alapjait láttuk Lehet FPGA-ra is CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
24 CMOS inverter layout rajza U DD n zseb p + n - n + S D p-mos n + U out p zseb p - p + S D n-mos GND U in poli CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
25 Egyszerűsített layout: pálcika diagram (stick diagram) Vdd aktív zóna poli fém kontaktus In Out In 2/2 Out 2/2 GND W/L arányokat megadjuk CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
26 Layout primitívek: egyszerű alakzatok Aktív zóna (ablaknyitó maszk a vékony oxidon) Gate (poli-si mintázat maszkja) Kontaktusok (ablaknyitó maszk az oxidon) S/D kivezetések (fémezés mintázat maszkja) CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
27 Layout makrok - primitívekből nmos tranzisztor layout rajza: layout primitívek tényleges maszkoknak megfelelő rétegeken nmos tranzisztor layout rajza + körvonalrjaz + pinek G D nmos S nmos tranzisztor makro: G körvonalrajz, pinek rajza, feliratok: pszeudo rétegeken CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
28 Layout makrok - makrokból és primitívekből G G D nmos S D pmos S G G Kapu szintű layout CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
29 CMOS struktúra (inverter) n+ n+ p+ p+ n zseb p-si hordozó CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
30 CMOS struktúrák Többlet maszkok: n-zseb (vagy p-zseb, a szubsztrát típusától függően) p diffúzió (vagy n-diffúzió, a szubsztrát típusától függően) Több fémréteges CMOS: minden fémréteghez saját maszk, kontaktusok, viák Több poli réteg is lehetséges (analóg CMOS) Tipikus: maszk Bizonyos szabályok betartandók a gyárthatósághoz: tervezési szabályok a technológiából következnek, IC gyár adja CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
31 Egy CMOS áramkör layout részlete Csak 2 fém réteg INV NAND3 A layout jól visszafejthető: ellenőrzés, valós késleltetések CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
32 Modern vezetékezés CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
33 Példa: Intel 0.25 mikronos technológia 5 metal layers Ti/Al - Cu/Ti/TiN Polysilicon dielectric CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
34 Vezetékek kapacitásai Párhuzamos fegyverzetek: parallel plate capacitance H L W áramirány elektromos erővonalak t di dielektrikum (SiO 2 ) hordozó dielektromos állandó (SiO 2 => 3.9) C pp = (ε di /t di ) WL CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
35 Vezetékek kapacitásai szél kapacitás C wire = C pp + C fringe + C interwire = (ε di /t di )WL + (2πε di )/log(t di /H) + (ε di /t di )HL fringe vezetékek közötti interwire pp párhuzamos lemez H CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
36 További hatások a vezetékeknél Ellenállás Elosztott paraméteres RC vonal Diffúziós egyenlet CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések Poppe András, BME-EET
Integrált áramkörök/3 Digitális áramkörök/2 CMOS alapáramkörök Rencz Márta Ress Sándor
Integrált áramkörök/3 Digitális áramkörök/2 CMOS alapáramkörök Rencz Márta Ress Sándor Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák A CMOS inverter, alapfogalmak működés, számitások, layout CMOS kapu áramkörök
RészletesebbenMOS alapáramkörök. CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések. Elektronikus Eszközök Tanszéke.
MOS alapáramkörök CMOS áramkörök, konstrukciós kérdések http://www.eet.bme.hu A CMOS inverter V DD V DD V DD p BE KI BE=1 KI=0 BE=0 KI=1 n GND GND GND Állandósult állapotban a két tranzisztor közül mindig
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A MOS inverterek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/13-mosfet2.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER
RészletesebbenIntegrált áramkörök/2 Digitális áramkörök/1 MOS alapáramkörök. Rencz Márta Ress Sándor Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Digitális áramkörök/1 MOS alapáramkörök Rencz Márta Ress Sándor Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák Az inverter, alapfogalmak Kiürítéses típusú MOS inverter Kapuáramkörök kialakítása
RészletesebbenMikroelektronikai tervezés tantermi gyakorlat
Mikroelektronikai tervezés tantermi gyakorlat Gärtner Péter, Ress Sándor 2010 április 1 Az átcsúszó selejt Előadáson levezetve az átcsúszó selejtre: Y = yield, kihozatal C = fault coverage, hibalefedés
RészletesebbenStandard cellás tervezés
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Standard cellás tervezés A tanszéken rendelkezésre álló CENSORED technológia bemutatás és esettanulmány Figyelmeztetés! Ez
RészletesebbenIntegrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák MOS áramkörök alkatrészkészlete Bipoláris áramkörök alkatrészkészlete 11/2/2007 2/27 MOS áramkörök alkatrészkészlete Tranzisztorok
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok II. A MOSFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/12-mosfet1.ppt http://www.eet.bme.hu Ismétlés: Működési
RészletesebbenMikroelektronika. Számolja ki, hogy mekkora nyitófeszültség mellett lesz a nmos tranzisztor telítési árama 10mA. (V T =0.
Mikroelektronika Minek a rövidítése az MPW? Ez mit jelent magyarul? Mi a gazdasági előnye? MPW = multi project wafer, magyarul a lényege: egy szeleten 10-15 terv kerül legyártásra. Gazdasági előnye: a
Részletesebben2.Előadás ( ) Munkapont és kivezérelhetőség
2.lőadás (207.09.2.) Munkapont és kivezérelhetőség A tranzisztorokat (BJT) lineáris áramkörbe ágyazva "működtetjük" és a továbbiakban mindig követelmény, hogy a tranzisztor normál aktív tartományban működjön
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Buapesti Műszaki és Gazaságtuományi Egyetem MKROEEKTRONKA, VEEA6 Térvezérelt tranzisztorok. A JFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/11-jfet.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint
RészletesebbenIntegrált áramkörök/4 Digitális áramkörök/3 CMOS megvalósítások Rencz Márta
Integrált áramkörök/4 Digitális áramkörök/3 CMOS megvalósítások Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák Transzfer kapu Kombinációs logikai elemek különböző CMOS megvalósításokkal Meghajtó áramkörök
RészletesebbenLayout reprezentációk
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Layout reprezentációk Bognár György Timár András Dr. Poppe András http://www.eet.bme.hu Digitális integrált áramkör tervezés
RészletesebbenIrányítástechnika Elıadás. A logikai hálózatok építıelemei
Irányítástechnika 1 6. Elıadás A logikai hálózatok építıelemei Irodalom - Kovács Csongor: Digitális elektronika, 2003 - Zalotay Péter: Digitális technika, 2004 - U. Tiecze, Ch. Schenk: Analóg és digitális
Részletesebben11.2. A FESZÜLTSÉGLOGIKA
11.2. A FESZÜLTSÉGLOGIKA Ma a feszültséglogika számít az uralkodó megoldásnak. Itt a logikai változó két lehetséges állapotát két feszültségérték képviseli. Elvileg a két érték minél távolabb kell, hogy
RészletesebbenMűveleti erősítők - Bevezetés
Analóg és digitális rsz-ek megvalósítása prog. mikroák-kel BMEVIEEM371 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Műveleti erősítők - Bevezetés Takács Gábor Elektronikus Eszközök Tanszéke (BME) 2014.
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MKROELEKTRONKA, VEEA306 A bipoláris tranzisztor. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/08-bipol3.ppt http://www.eet.bme.hu Az ideális tranzisztor karakterisztikái
Részletesebben1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak?
Ellenörző kérdések: 1. előadás 1/5 1. előadás 1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak? 2. Mit jelent a föld csomópont, egy áramkörben hány lehet belőle,
RészletesebbenBevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba. Tihanyi Attila április 17.
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba Tihanyi Attila 2007. április 17. ALAPOK Töltés 1 elektron töltése 1,602 10-19 C 1 C (coulomb) = 6,24 10 18 elemi elektromos töltés. Áram Feszültség I=Q/t
RészletesebbenXI. DIGITÁLIS RENDSZEREK FIZIKAI MEGVALÓSÍTÁSÁNAK KÉRDÉSEI Ebben a fejezetben a digitális rendszerek analóg viselkedésével kapcsolatos témákat
XI. DIGITÁLIS RENDSZEREK FIZIKAI MEGVALÓSÍTÁSÁNAK KÉRDÉSEI Ebben a fejezetben a digitális rendszerek analóg viselkedésével kapcsolatos témákat vesszük sorra. Elsőként arra térünk ki, hogy a logikai értékek
RészletesebbenELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat
ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat Tranzisztorok Elemi félvezető eszközök Alkalmazásuk Analóg áramkörökben: erősítők Digitális áramkörökben: kapcsolók Típusai BJT
RészletesebbenFeszültségszintek. a) Ha egy esemény bekövetkezik akkor az értéke 1 b) Ha nem következik be akkor az értéke 0
Logikai áramkörök Feszültségszintek A logikai rendszerekben az állapotokat 0 ill. 1 vagy H ill. L jelzéssel jelöljük, amelyek konkrét feszültségszinteket jelentenek. A logikai algebrában a változókat nagy
RészletesebbenDIGITÁLIS TECHNIKA 11. Előadás
DIGITÁLIS TECHNIKA 11. Előadás Előadó: Dr. Oniga István Egyetemi docens 2010/2011 II félév Digitális integrált áramkörök technológiája A logikai áramkörök megépítéséhez elıször is ki kell választanunk
RészletesebbenKombinációs hálózatok és sorrendi hálózatok realizálása félvezető kapuáramkörökkel
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Közlekedés- és Járműirányítási Tanszék Kombinációs hálózatok és sorrendi hálózatok realizálása félvezető kapuáramkörökkel Segédlet az Irányítástechnika I.
RészletesebbenElvonatkoztatási szintek a digitális rendszertervezésben
Budapest Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elvonatkoztatási szintek a digitális rendszertervezésben Elektronikus Eszközök Tanszéke eet.bme.hu Rendszerszintű tervezés BMEVIEEM314 Horváth Péter 2013 Rendszerszint
Részletesebben54 523 01 0000 00 00 Elektronikai technikus Elektronikai technikus
A 10/07 (II. 27.) SzMM rendelettel módosított 1/06 (II. 17.) OM rendelet Országos Képzési Jegyzékről és az Országos Képzési Jegyzékbe történő felvétel és törlés eljárási rendjéről alapján. Szakképesítés,
RészletesebbenJelgenerátorok ELEKTRONIKA_2
Jelgenerátorok ELEKTRONIKA_2 TEMATIKA Jelgenerátorok osztályozása. Túlvezérelt erősítők. Feszültségkomparátorok. Visszacsatolt komparátorok. Multivibrátor. Pozitív visszacsatolás. Oszcillátorok. RC oszcillátorok.
RészletesebbenAlapkapuk és alkalmazásaik
Alapkapuk és alkalmazásaik Bevezetés az analóg és digitális elektronikába Szabadon választható tárgy Összeállította: Farkas Viktor Irányítás, irányítástechnika Az irányítás esetünkben műszaki folyamatok
RészletesebbenMikroelektronika és technológia, VI. sz gyakorlat Mérések a CMOS IC gyártási eljárás ellenõrzésére
Mikroelektronika és technológia, VI. sz gyakorlat Mérések a CMOS IC gyártási eljárás ellenõrzésére Célkitûzés: A gyakorlat célja a CMOS IC-k viselkedésének megismerése, kapcsolat keresése az eszköz tulajdonságok
RészletesebbenTeljesítmény-erősítők. Elektronika 2.
Teljesítmény-erősítők Elektronika 2. Az erősítés elve Erősítés: vezérelt energia-átalakítás Vezérlő teljesítmény: Fogyasztó teljesítmény-igénye: Tápforrásból felvett teljesítmény: Disszipálódott teljesítmény:
RészletesebbenLaptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
RészletesebbenGingl Zoltán, Szeged, dec. 1
Gingl Zoltán, Szeged, 2017. 17 dec. 1 17 dec. 2 Egyenirányító (rectifier) Mint egy szelep deális dióda Nyitó irányban tökéletes vezető (rövidzár) Záró irányban tökéletes szigetelő (szakadás) Valódi dióda:
RészletesebbenBevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba. Tihanyi Attila 2007 március 27
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba Tihanyi Attila 2007 március 27 Ellenállások R = U I Fajlagos ellenállás alapján hosszú vezeték Nagy az induktivitása Bifiláris Trükkös tekercselés Nagy mechanikai
RészletesebbenTájékoztató. Használható segédeszköz: számológép
A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított), a 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet a 29/2016 (III.26.) NMG rendelet által módosított, a 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet
RészletesebbenELEKTROTECHNIKA-ELEKTRONIKA ELEKTROTECHNIKA
ELEKTROTECHNIKA-ELEKTRONIKA ELEKTROTECHNIKA 1. Egyenáramú körök Követelmények, matematikai alapok, prefixumok Töltés, áramerősség Feszültség Ellenállás és vezetés. Vezetők, szigetelők Áramkör fogalma Áramköri
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA 7. MOS struktúrák: -MOS dióda, Si MOS -CCD (+CMOS matrix) -MOS FET, SOI elemek -MOS memóriák
MIKROELEKTRONIKA 7. MOS struktúrák: -MOS dióda, Si MOS -CCD (+CMOS matrix) -MOS FET, SOI elemek -MOS memóriák Fém-félvezetó p-n A B Heteroátmenet MOS Metal-oxide-semiconductor (MOS): a mikroelektronika
RészletesebbenGingl Zoltán, Szeged, :44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok
Gingl Zoltán, Szeged, 2016. 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 1 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 2 Egyenirányító (rectifier) Mint egy szelep deális dióda Nyitó
RészletesebbenElőadó: Nagy István (A65)
Programozható logikai áramkörök FPGA eszközök Előadó: Nagy István (A65) Ajánlott irodalom: Ajtonyi I.: Digitális rendszerek, Miskolci Egyetem, 2002. Ajtonyi I.: Vezérléstechnika II., Tankönyvkiadó, Budapest,
RészletesebbenElektronika laboratóriumi mérőpanel elab panel NEM VÉGLEGES VÁLTOZAT! Óbudai Egyetem
Elektronika laboratóriumi mérőpanel elab panel NEM VÉGLEGES VÁLTOZAT! 1 Óbudai Egyetem 2 TARTALOMJEGYZÉK I. Bevezetés 3 I-A. Beüzemelés.................................. 4 I-B. Változtatható ellenállások...........................
RészletesebbenGingl Zoltán, Szeged, :14 Elektronika - Hálózatszámítási módszerek
Gingl Zoltán, Szeged, 05. 05.09.9. 9:4 Elektronika - Hálózatszámítási módszerek 05.09.9. 9:4 Elektronika - Alapok 4 A G 5 3 3 B C 4 G Áramköri elemek vezetékekkel összekötve Csomópontok Ágak (szomszédos
Részletesebben1. Kombinációs hálózatok mérési gyakorlatai
1. Kombinációs hálózatok mérési gyakorlatai 1.1 Logikai alapkapuk vizsgálata A XILINX ISE DESIGN SUITE 14.7 WebPack fejlesztőrendszer segítségével és töltse be a rendelkezésére álló SPARTAN 3E FPGA ba:
RészletesebbenNégyszög - Háromszög Oszcillátor Mérése Mérési Útmutató
ÓBUDAI EGYETEM Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Híradástechnika Intézet Négyszög - Háromszög Oszcillátor Mérése Mérési Útmutató A mérést végezte: Neptun kód: A mérés időpontja: A méréshez szükséges eszközök:
RészletesebbenTeljesítményerősítők ELEKTRONIKA_2
Teljesítményerősítők ELEKTRONIKA_2 TEMATIKA Az emitterkövető kapcsolás. Az A osztályú üzemmód. A komplementer emitterkövető. A B osztályú üzemmód. AB osztályú erősítő. D osztályú erősítő. 2012.04.18. Dr.
RészletesebbenKÖZÖS EMITTERŰ FOKOZAT BÁZISOSZTÓS MUNKAPONTBEÁLLÍTÁSA
KÖZÖS EMITTERŰ FOKOZT BÁZISOSZTÓS MUNKPONTBEÁLLÍTÁS Mint ismeretes, a tranzisztor bázis-emitter diódájának jelentős a hőfokfüggése. Ugyanis a hőmérséklet növekedése a félvezetőkben megnöveli a töltéshordozók
RészletesebbenA/D és D/A konverterek vezérlése számítógéppel
11. Laboratóriumi gyakorlat A/D és D/A konverterek vezérlése számítógéppel 1. A gyakorlat célja: Az ADC0804 és a DAC08 konverterek ismertetése, bekötése, néhány felhasználási lehetőség tanulmányozása,
RészletesebbenVillamos tér. Elektrosztatika. A térnek az a része, amelyben a. érvényesülnek.
III. VILLAMOS TÉR Villamos tér A térnek az a része, amelyben a villamos erőhatások érvényesülnek. Elektrosztatika A nyugvó és időben állandó villamos töltések által keltett villamos tér törvényeivel foglalkozik.
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Bevezetés http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/01-bevez.ppt http://www.eet.bme.hu Alapfogalmak IC-k egy felületszerelt panelon
RészletesebbenA PC vagyis a személyi számítógép. VII. rész
ismerd meg! A PC vagyis a személyi számítógép MOS logikai integrált áramkörök II. rész A MOS logikai áramkörök kapcsolástechnikai megvalósítását és mûködését egy egyszerû, diszkrét alkatrészekbõl felépített
RészletesebbenIII. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján?
III. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján? 2.) Mi a tiltott sáv fogalma? 3.) Hogyan befolyásolja a tiltott sáv szélessége az anyagok
RészletesebbenVegyes témakörök. A KAT120B kijelző vezérlése Arduinoval
Vegyes témakörök A KAT120B kijelző vezérlése Arduinoval 1 KAT120B hívószám kijelző A KAT120B kijelző a NEMO-Q International AB egy régi terméke. A cég ma is fogalmaz különféle hívószám kijelzőket bankok,
RészletesebbenGingl Zoltán, Szeged, szept. 1
Gingl Zoltán, Szeged, 08. 8 szept. 8 szept. 4 A 5 3 B Csomópontok feszültség Ágak (szomszédos csomópontok között) áram Áramköri elemek 4 Az elemeken eső feszültség Az elemeken átfolyó áram Ezek összefüggenek
RészletesebbenMOS logikai rendszerek statikus és dinamikus tulajdonságai
A HIRADASKCNHIXAI TUDOMÍMYOS IGYESUlCI IAHA B A R A N Y A I A T T I L A Híradástechnikai Ipari Kutató Intézet MOS logikai rendszerek statikus és dinamikus tulajdonságai ETO-621.315.592.4: 621.382.3: 681.32S.65
RészletesebbenTranziens jelenségek rövid összefoglalás
Tranziens jelenségek rövid összefoglalás Átmenet alakul ki akkor, ha van energiatároló (kapacitás vagy induktivitás) a rendszerben, mert ezeken a feszültség vagy áram nem jelenik meg azonnal, mint az ohmos
RészletesebbenDIGITÁLIS TECHNIKA II Dr. Lovassy Rita Dr. Pődör Bálint
IGIÁIS ENIK II r. ovassy Rita r. Pődör álint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és echnológia Intézet 0. EŐÁS OGIKI ÁRMKÖRÖK II MOS ÉS MOS Z EŐÁS ÉS NNG z előadások Rőmer Mária: igitális rendszerek áramkörei
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2014. május 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2014. május 20. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
RészletesebbenVIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC)
VIII. BERENDEZÉSORIENTÁLT DIGITÁLIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK (ASIC) 1 A korszerű digitális tervezés itt ismertetendő (harmadik) irányára az a jellemző, hogy az adott alkalmazásra céleszközt (ASIC - application
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI ÉRETTSÉGI VIZSGA VIZSGA 2006. október 2006. 24. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2006. október 24. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati
RészletesebbenAlapkapuk és alkalmazásaik
Alapkapuk és alkalmazásaik Tantárgy: Szakmai gyakorlat Szakmai alapozó évfolyamok számára Összeállította: Farkas Viktor Bevezetés Az irányítástechnika felosztása Visszatekintés TTL CMOS integrált áramkörök
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: Logikai kapuáramkörök
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: Logikai kapuáramkörök 1 Felhasznált irodalom Dr. Gárdus Zoltán: Digitális rendszerek szimulációja BME FKE: Logikai áramkörök Colin Mitchell: 200 Transistor
RészletesebbenDr. Oniga István DIGITÁLIS TECHNIKA 8
Dr. Oniga István DIGITÁLIS TECHNIA 8 Szekvenciális (sorrendi) hálózatok Szekvenciális hálózatok fogalma Tárolók RS tárolók tárolók T és D típusú tárolók Számlálók Szinkron számlálók Aszinkron számlálók
RészletesebbenMulti-20 modul. Felhasználói dokumentáció 1.1. Készítette: Parrag László. Jóváhagyta: Rubin Informatikai Zrt.
Multi-20 modul Felhasználói dokumentáció. Készítette: Parrag László Jóváhagyta: Rubin Informatikai Zrt. 49 Budapest, Egressy út 7-2. telefon: +36 469 4020; fax: +36 469 4029 e-mail: info@rubin.hu; web:
RészletesebbenAnalóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok
Analóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok. Mûveleti erõsítõk váltakozó-áramú alkalmazásai. Elmélet Az integrált mûveleti erõsítõk váltakozó áramú viselkedését a. fejezetben (jegyzet és prezentáció)
RészletesebbenAnalóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok
Analóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok. Diszkrét aktív alkatrészek és egyszerû alkalmazásaik. Elmélet A diszkrét aktív elektronikai alkatrészek (dióda, különbözõ tranzisztorok, tirisztor) elméleti
RészletesebbenÁtmeneti jelenségek egyenergiatárolós áramkörökben
TARTALOM JEGYZÉK 1. Egyenergiatárolós áramkörök átmeneti függvényeinek meghatározása Példák az egyenergiatárolós áramkörök átmeneti függvényeinek meghatározására 1.1 feladat 1.2 feladat 1.3 feladat 1.4
RészletesebbenTételek Elektrotechnika és elektronika I tantárgy szóbeli részéhez 1 1. AZ ELEKTROSZTATIKA ALAPJAI AZ ELEKTROMOS TÖLTÉS FOGALMA 8 1.
Tételek Elektrotechnika és elektronika I tantárgy szóbeli részéhez 1 1. AZ ELEKTROSZTATIKA ALAPJAI 8 1.1 AZ ELEKTROMOS TÖLTÉS FOGALMA 8 1.2 AZ ELEKTROMOS TÉR 9 1.3 COULOMB TÖRVÉNYE 10 1.4 AZ ELEKTROMOS
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2010. október 18. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2010. október 18. 1:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 20 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati NEMZETI ERŐFORRÁS
RészletesebbenAUTOMATIKAI ÉS ELEKTRONIKAI ISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA JAVÍTÁSI-ÉRTÉKELÉSI ÚTMUTATÓ A MINTAFELADATOKHOZ
ATOMATKA ÉS ELEKTONKA SMEETEK KÖZÉPSZNTŰ ÍÁSBEL VZSGA JAVÍTÁS-ÉTÉKELÉS ÚTMTATÓ A MNTAFELADATOKHOZ Egyszerű, rövid feladatok Maximális pontszám: 40. Egy A=,5 mm keresztmetszetű alumínium (ρ= 0,08 Ω mm /m)
RészletesebbenElektronika 1. 4. Előadás
Elektronika 1 4. Előadás Bipoláris tranzisztorok felépítése és karakterisztikái, alapkapcsolások, munkapont-beállítás Irodalom - Megyeri János: Analóg elektronika, Tankönyvkiadó, 1990 - U. Tiecze, Ch.
RészletesebbenDIGITÁLIS TECHNIKA I
DIGITÁLIS TECHNIKA I Dr. Kovács Balázs Dr. Lovassy Rita Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 11. ELŐADÁS 1 PÉLDA: 3 A 8 KÖZÜL DEKÓDÓLÓ A B C E 1 E 2 3/8 O 0 O 1
RészletesebbenLineáris és kapcsoló üzemű feszültség növelő és csökkentő áramkörök
Lineáris és kapcsoló üzemű feszültség növelő és csökkentő áramkörök Buck, boost konverter Készítette: Támcsu Péter, 2016.10.09, Debrecen Felhasznált dokumentum : Losonczi Lajos - Analog Áramkörök 7 Feszültség
RészletesebbenMérés és adatgyűjtés
Mérés és adatgyűjtés 4. óra - levelező Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2011. március 18. MA lev - 4. óra Verzió: 1.3 Utolsó frissítés: 2011. május 15. 1/51 Tartalom I 1 A/D konverterek alkalmazása
RészletesebbenMAGYAR KERESKEDELMI ÉS IPARKAMARA. Országos Szakmai Tanulmányi Verseny. Elődöntő KOMPLEX ÍRÁSBELI FELADATSOR MEGOLDÁSA
MAGYAR KERESKEDELMI ÉS IPARKAMARA Országos Szakmai Tanulmányi Verseny Elődöntő KOMPLEX ÍRÁSBELI FELADATSOR MEGOLDÁSA Szakképesítés: SZVK rendelet száma: Komplex írásbeli: Számolási, áramköri, tervezési
Részletesebben34-35. Kapuáramkörök működése, felépítése, gyártása
34-35. Kapuáramkörök működése, felépítése, gyártása I. Logikai áramkörcsaládok Diszkrét alkatrészekből épülnek fel: tranzisztorok, diódák, ellenállások Két típusa van: 1. TTL kivitelű kapuáramkörök (Tranzisztor-Tranzisztor
RészletesebbenFöldzaj. Földzaj problémák a nagy meghajtó képességű IC-knél
Földzaj. Földzaj problémák a nagy meghajtó képességű IC-knél A nagy áram meghajtó képességű IC-nél nagymértékben előjöhetnek a földvezetéken fellépő hirtelen áramváltozásból adódó problémák. Jelentőségükre
Részletesebben21. laboratóriumi gyakorlat. Rövid távvezeték állandósult üzemi viszonyainak vizsgálata váltakozóáramú
1. laboratóriumi gyakorlat Rövid távvezeték állandósult üzemi viszonyainak vizsgálata váltakozóáramú kismintán 1 Elvi alapok Távvezetékek villamos számításához, üzemi viszonyainak vizsgálatához a következő
RészletesebbenÁramkörök elmélete és számítása Elektromos és biológiai áramkörök. 3. heti gyakorlat anyaga. Összeállította:
Áramkörök elmélete és számítása Elektromos és biológiai áramkörök 3. heti gyakorlat anyaga Összeállította: Kozák László kozla+aram@digitus.itk.ppke.hu Elkészült: 2010. szeptember 30. Utolsó módosítás:
RészletesebbenAnalóg-digitális átalakítás. Rencz Márta/ Ress S. Elektronikus Eszközök Tanszék
Analóg-digitális átalakítás Rencz Márta/ Ress S. Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák Mintavételezés A/D átalakítók típusok D/A átalakítás 12/10/2007 2/17 A/D ill. D/A átalakítók A világ analóg, a jelfeldolgozás
RészletesebbenA 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján.
A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján. Szakképesítés, azonosító száma és megnevezése 54 523 02 Elektronikai technikus
RészletesebbenAz N csatornás kiürítéses MOSFET jelleggörbéi.
SZIGETELT VEZÉRLİELEKTRÓDÁS TÉRVEZÉRLÉSŐ TRANZISZTOR (MOSFET) A MOSFET-nek (Metal Oxide Semiconductor, fém-oxid-félvezetı) két alaptípusa a kiürítéses és a növekményes MOSFET. Mindkét típusból készítenek
RészletesebbenÁramgenerátorok alapeseteinek valamint FET ekkel és FET bemenetű műveleti erősítőkkel felépített egyfokozatú erősítők vizsgálata.
El. II. 4. mérés. 1. Áramgenerátorok bipoláris tranzisztorral A mérés célja: Áramgenerátorok alapeseteinek valamint FET ekkel és FET bemenetű műveleti erősítőkkel felépített egyfokozatú erősítők vizsgálata.
RészletesebbenAnalóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok
Analóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok. Mûveleti erõsítõk egyenáramú jellemzése és alkalmazásai. Elmélet Az erõsítõ fogalmát valamint az integrált mûveleti erõsítõk szerkezetét és viselkedését
RészletesebbenDIGITÁLIS TECHNIKA II
DIGITÁLIS TECHNIKA II Dr. Lovassy Rita Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 8. ELŐADÁS 1 AZ ELŐADÁS ÉS A TANANYAG Az előadások Arató Péter: Logikai rendszerek tervezése
RészletesebbenVILLAMOSIPAR ÉS ELEKTRONIKA ISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2017. október 20. VILLAMOSIPAR ÉS ELEKTRONIKA ISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2017. október 20. 8:00 I. Időtartam: 60 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
Részletesebben62. MEE Vándorgyűlés, Síófok 2015 Szetember Csernoch Viktor, ABB Components. Vacuum Tap-Changers Minősítése
62. MEE Vándorgyűlés, Síófok 2015 Szetember Csernoch Viktor, ABB Components Vacuum Tap-Changers Minősítése Tartalomjegyzék Fokozatkapcsoló design Technológiai áttekintés Áttétel váltás folyamata Tipikus
RészletesebbenLogaritmikus erősítő tanulmányozása
13. fejezet A műveleti erősítők Logaritmikus erősítő tanulmányozása A műveleti erősítő olyan elektronikus áramkör, amely a két bemenete közötti potenciálkülönbséget igen nagy mértékben fölerősíti. A műveleti
RészletesebbenBevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába V. Félvezető diódák Félvezető dióda Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. (Si, Ge)
RészletesebbenLogikai áramkörök. Informatika alapjai-5 Logikai áramkörök 1/6
Informatika alapjai-5 Logikai áramkörök 1/6 Logikai áramkörök Az analóg rendszerekben például hangerősítő, TV, rádió analóg áramkörök, a digitális rendszerekben digitális vagy logikai áramkörök működnek.
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: Boole algebra, logikai kifejezések
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: Boole algebra, logikai kifejezések 1 Felhasznált anyagok Mészáros Miklós: Logikai algebra alapjai, logikai függvények I. BME FKE: Logikai áramkörök Electronics-course.com:
RészletesebbenMAGYAR KERESKEDELMI ÉS IPARKAMARA. Országos Szakmai Tanulmányi Verseny. Elődöntő KOMPLEX ÍRÁSBELI FELADATSOR
MAGYAR KERESKEDELMI ÉS IPARKAMARA Országos Szakmai Tanulmányi Verseny Elődöntő KOMPLEX ÍRÁSBELI FELADATSOR Szakképesítés: SZVK rendelet száma: Komplex írásbeli: Számolási, áramköri, tervezési feladatok
RészletesebbenBevezetés az elektronikába
Bevezetés az elektronikába 6. Feladatsor: Egyszerű tranzisztoros kapcsolások Hobbielektronika csoport 2017/2018 1 Debreceni Megtestesülés Plébánia Tranziens (átmeneti) jelenségek Az előzőekben csupán az
RészletesebbenMérési utasítás. P2 150ohm. 22Kohm
Mérési utasítás A mérés célja: Tranzisztorok és optocsatoló mérésén keresztül megismerkedni azok felhasználhatóságával, tulajdonságaival. A mérés során el kell készíteni különböző félvezető alkatrészek
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI ÉRETTSÉGI VIZSGA VIZSGA 2009. 2006. május 22. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2009. május 22. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati
RészletesebbenLaborgyakorlat Logikai áramkörök számítógéppel segített tervezése (CAD)
Laborgyakorlat Logikai áramkörök számítógéppel segített tervezése (CAD) Multiplexer (MPX) A multiplexer egy olyan áramkör, amely több bemeneti adat közül a megcímzett bemeneti adatot továbbítja a kimenetére.
RészletesebbenVersenyző kódja: 28 27/2012. (VIII. 27.) NGM rendelet MAGYAR KERESKEDELMI ÉS IPARKAMARA. Országos Szakmai Tanulmányi Verseny.
54 523 02-2016 MAGYAR KERESKEDELMI ÉS IPARKAMARA Országos Szakmai Tanulmányi Verseny Elődöntő ÍRÁSBELI FELADAT Szakképesítés: 54 523 02 SZVK rendelet száma: 27/2012. (VIII. 27.) NGM rendelet : Számolási/áramköri/tervezési
RészletesebbenOMRON FOTOELEKTROMOS KAPCSOLÓK E3NT
E3NT Tárgyreflexiós érzékelõ háttér- és elõtér elnyomással 3 m-es érzékelési távolság (tárgyreflexiós) 16 m-es érzékelési távolság (prizmás) Analóg kimenetes típusok Homloklapfûtéssel ellátott kivitelek
RészletesebbenOrvosi jelfeldolgozás. Információ. Információtartalom. Jelek osztályozása De, mi az a jel?
Orvosi jelfeldolgozás Információ De, mi az a jel? Jel: Információt szolgáltat (információ: új ismeretanyag, amely csökkenti a bizonytalanságot).. Megjelent.. Panasza? információ:. Egy beteg.. Fáj a fogam.
RészletesebbenVILLAMOSIPAR ÉS ELEKTRONIKA ISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA JAVÍTÁSI-ÉRTÉKELÉSI ÚTMUTATÓ
Villamosipar és elektronika ismeretek középszint 7 ÉRETTSÉGI VIZSG 07. október 0. VILLMOSIPR ÉS ELEKTRONIK ISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSELI VIZSG JVÍTÁSI-ÉRTÉKELÉSI ÚTMUTTÓ EMERI ERŐFORRÁSOK MINISZTÉRIUM
RészletesebbenTFBE1301 Elektronika 1.
E, Kísérleti Fizika Tanszék TFBE1301 Elektronika 1. Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect Transistor
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2015. május 19. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2015. május 19. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
RészletesebbenMagyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben
Erdélyi Magyar Műszaki Tudományos Társaság Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben Kolozsvári Műszaki Egyetem Számítástechnika Kar Szerzők dr. Baruch Zoltán Bíró Botond dr. Buzás Gábor dr.
Részletesebben