Bipoláris tranzisztorok (BJT)
|
|
- Gabi Bogdán
- 7 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Bipoláris tranzisztorok (BJT) Bipoláris tranzisztorok különböző szennyezésű félvezetők, és a köztük létrejövő átmenetek érintkezésén alapszik. A bipoláris elnevezés abból adódik, hogy a tranzisztoron belül az áramot kialakításában nemcsak az elektronok (negatív töltéshordozók) hanem a lyukak (pozitív töltéshordozók) áramlása is részt vesz. NPN tranzisztorban az elektronok a többségi töltéshordozók (majority carriers) míg a lyukak a kisebbségi töltéshordozók (minority carriers) PNP tranzisztorokban a lyukak a többségi, az elektronik a kisebbségi töltéshordozók. A BJT működését más-más szempontok szerint több modell alapján lehet megközelíteni: Nagyjelű modellek: - Az Ebers-Moll modell minden működési tartományban kielégítően modellezi a BJT főbb működési tulajdonságait, két dióda, ill. a diódák által vezérelt áramgenerátorok által. U be U I F =I ES (e T 1) I R =I CS (e U cb U T 1) I C =α F I F I R I B =I E I C I E =I F α R I R - A Gummel-Poon modell a szimulátorok által használt modell, az Ebers-Moll modellre alapul, de figyelembe veszi az Early hatást (bázis szélesség moduláció) ill. a tranzisztorban található parazita elemeket is, mint pl: A CB, CE kapacitást, azok függőségét a BJT kivezetéseinek feszültségeitől, a C, B, E köri soros parazita ellenállásokat. Ezenkívül képes modellezni a BJT-k áramerősítési tényezőjének függőségét a kollektor áramtól. Így a BJT működését nagyon pontosan, a teljes frekvencia tartományban megfelelően modellezi.
2 BJT-k fontosabb paraméterei: (a teljesség igénye nélkül) Statikus paraméterek: - U CBO kollektor-bázis dióda maximális záróirányú feszültsége I E =0 esetén - U EBO emitter-bázis dióda maximális záróirányú feszültsége I C =0 esetén - U CEO emitter-kollektor közötti maximális feszültség I B =0 esetén - I C maximális folytonos kollektor áram - P tot maximális disszipációs képesség - T j a chip maximális üzemi hőmérséklete - U CEsat a kollektor-emitter feszültség értéke telített állapotban - h FE egyenáramú áramerősítési tényező (β) Dinamikus paraméterek: - C ob kimeneti kapacitás - C ib bemeneti kapacitás - f T tranzit frekvencia (Current gain bandwith product) az a frekvencia ahol a tranzisztor áramerősítési tényezője egyre csökken
3 Összetett BJT-s alapkapcsolások A Darlington pár: A fentebb látható bekötési mód esetén a tranzisztorok áramerősítési tényezői összeszorzódnak. Továbbra is NPN tranzisztorként funkcionál, de kisebb meghajtó teljesítményt igényel. I E 1 =I B 1 (1+ ) I C 1 =I B 1 I C 2 =I B1 (1+ )β f 2 I C =I B 1 (1+(1+ )β f 2 ) I B1 β f 2 A két tranzisztor adatai közül: Maximális feszültséget illetően a kisebb adat mérvadó. Maximális áramot és disszipációt illetően a nagyobb adat mérvadó Tranzit frekvenciát illetően a kisebb adat Visszaható kapacitást illetően T1 tranzisztorhoz tartozó érték mérvadó. A Sziklai (Complementary feedback pair) pár: A Sziklai pár hasonló a Darlington párhoz az áramerősítési tényezőt tekintve, viszont azzal ellentétben NPN-PNP pár alkotja. Legfőbb előnye abban rejlik, hogy egy kis teljesítményű PNP tranzisztor egy nagy teljesítményű NPN tranzisztort arra tud kényszeríteni, hogy PNP tranzisztorként viselkedjen. Illetve fordítva, egy kis teljesítményű NPN tranzisztor egy nagy teljesítményű PNP tranzisztort NPN tranzisztornak megfelelő viselkedésre kényszerít. I B2 =I B1 I E 2 =I B2 (1+β f 2 )=I B 1 (1+β f 2 )
4 A kollektor-bázis kapacitás ( ~ Miller effektus): A kollektor-bázis kapacitáson akkor folyik áram, ha a C-B feszültség időben változik: I M = δ U CB δ t C M Emitter követő kapcsolás esetén a C-B kapacitás a bemenettel párhuzamosan kapcsolódik. Amennyiben az emitter követőt meghajtó kapcsolás kimeneti impedanciája kellően alacsony, abban az esetben a C-B kapacitás hatása elhanyagolható. Földelt bázisú kapcsolás esetén a kollektor feszültség változása áramot indít meg a C-B kapacitáson keresztül, ám ez az áram a föld felé folyik, így nincs káros visszahatása a meghajtó jelre, ami a tranzisztor emitterére van becsatolva. Földelt emitteres kapcsolás esetén a kollektor feszültség változása olyan irányú áramot indít meg a C-B kapacitáson keresztül, amely a tranzisztort meghajtó áramnak ellentart, így a tranzisztor működését lassítja. Érdemes megemlíteni, hogy míg a C-B kapacitás a BJT kollektor feszültség változásának szab határt, addig az emitter köri parazita induktivitás az emitter, azáltal pedig a kollektor áram változásának sebességét korlátozza. Ez belátható az alapján, hogy az induktivitás feszültsége U LE = δ I E L mindig olyan irányú, hogy δ t a tranzisztor B-E diódáján a kollektor áram változást előidéző feszültség változásnak ellentartson.
5 Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztorok Unipolárisak azok a tranzisztorok, ahol a tranzisztoron belül az áramot csak a többségi töltéshordozók mozgása hozza létre. A térvezérlésű tranzisztoroknak (Field Effect Transistor) a három kivezetését nyelőnek (drain) kapunak (gate), és forrásnak (source) nevezzük. Nagy hasonlóságot mutatnak a BJT C-B-E kivezetéseivel. Ezenkívül sokszor szóba kerül a térvezérlésű tranzisztorok esetén a fő hordozó anyag elektromos kivezetése, amit body-nak neveznek. A térvezérlésű tranzisztorok feszültség vezérelt tranzisztorok, a bemenetüket egy kondenzátornak érdemes tekinteni, aminek a töltöttségi szintjétől függően vezet a tranzisztor. A tranzisztor vezérlőelektródája, a gate a kondenzátor egyik fegyverzete, ami a a tranzisztor többi kivezetésétől galvanikusan el van szigetelve. Attól függően, hogy a szigetelést mi valósítja meg, megkülönböztetűnk több típust, ezek közül a lényegesebbek: - JFET (Junction Field Effect Transistor) A szigetelés egy záróirányba előfeszített PN átmenet valósítja meg - MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) A szigetelést tipikusan a gate-et körbevevő vékony SiO2 réteg biztosítja - MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) A szigetelést egy záróirányba előfeszített fém-févezető (Schottky) átmenet biztosítja - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Egy MOSFET-ből és egy IGBT-ből egy chipen felépített hibrid tranzisztor Működését tekintve a térvezérlésű tranzisztorokhoz esik közelebb
6 Egyszerűbb MOSFET-ek felépítését vizsgálva láthatjuk, hogy egy P típusú kristályba két erőssen szennyezett N típusú réteget ágyaznak be, amit fémes kontaktussal kivezetnek, D ill. S néven. A kristálytól egy SiO2 rétegen keresztül elszigetelve egy fémréteg lesz a Gate, ill. a hordozó fémfelületet is kap kivezetést Body néven, ami elektromos sösszeköttetésben áll a hordozó P típusú kristállyal. A működést vizsgálva azt vehetjük észre, hogy a G-B kapacitást megfeleő polaritással feltöltve annak fegyverzetei között töltéskülönbség jön létre, a fegyverzeteken töltéshordozók halmozódnak fel. Amennyiben a Body-ban (P típusú réteg) növekszik a felhalmozozz elektronok száma, úgy egyre gyengébben szennyezett P tipusú rétegként fog viselkedni, a további elektron felhalmozódás elöbb utóbb azt fogja eredményezni, hogy a P típusú réteg egy része N tipusúvá válik. Ezt nevezik inverziós rétegnek. Az inverzós réteg a töltéskülönbség további halmozásával egyre jobban növekszik, mígnem elér egy akkora méretet, hogy összeköti a S ill. a D N típusú rétegeit. Ebben az esetben kialakul egy csatorna a S és a D között, amiben az elektronok szabadon tudnak mozogni, a tranzisztor vezet. Azt a G-B (javarészt a B és az S összeköttetésben van, ebben az esetben a G-S) feszültséget, ahol a csatorna kialakul nevezzük Gate Threshold Voltage-nek. A gyakorlatban a MOSFET-ek felépítése az ábrán láthatótól jelentősen eltér geometriailag, abból az okból kifolyólag, hogy a kristály térfogatának a működés során minél nagyobb részét töltse ki a csatorna.
7 MOSFET-ek fontosabb paraméterei: (a teljesség igénye nélkül) Statikus paraméterek: - U DS D-S feszültség maximuma (D-S dióda letörése) - U GS G-S feszültség maximuma (oxidréteg átütése) - I D maximális folytonos kollektor áram - I DM maximális impulzusszerű kollektor áram - I DDS drain áram 0V G-S feszültség mellett - P D maximális disszipációs képesség - T j a chip maximális üzemi hőmérséklete - R DSon csatorna ellenállás teljesen bekapcsolt állapotban - U GSt Gate Source Threshold Voltage Az a minimális G-S feszültség, ahol a csatorna kialakul Dinamikus paraméterek: - C iss Bemeneti kapacitás - C oss Kimeneti kapacitás - C rss Visszaható kapacitás - Q G Adott G-S feszültség eléréséhez szükséges töltésmennyiség - t d(on) Bekapcsolási késleltetés ideje - t d(off) Kikapcsolási késleltetés ideje - t rise Bekapcsolási idő - t fall Kikapcsolási idő - L S A source belső induktivitása - Q rr Az antiparrallel dióda tárolt töltése - t rr A töltéskiüritéshez szükséges idő
ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat
ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat Tranzisztorok Elemi félvezető eszközök Alkalmazásuk Analóg áramkörökben: erősítők Digitális áramkörökben: kapcsolók Típusai BJT
Részletesebben3. Térvezérlésű tranzisztorok
1 3. Térvezérlésű tranzisztorok A térvezérlésű tranzisztorok (Field Effect Transistor = FET) működési elve alapjaiban eltér a bipoláris tranzisztoroktól. Az áramvezetés mértéke statikus feszültséggel befolyásolható.
RészletesebbenElektronika I. Dr. Istók Róbert. II. előadás
Elektronika I Dr. Istók Róbert II. előadás Tranzisztor működése n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban p-n átmeneteknél kiürített réteg jön létre Az emitter-bázis réteg között kialakult diódát emitterdiódának,
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások 1 Felhasznált irodalom CONRAD Elektronik: Elektronikai kíséletező készlet útmutatója 2 FET tranzisztorok FET = Field Effect Transistor,
RészletesebbenTRANZISZTOROS KAPCSOLÁSOK KÉZI SZÁMÍTÁSA
TRNZSZTOROS KPSOLÁSOK KÉZ SZÁMÍTÁS 1. gyenáramú számítás kézi számításokhoz az ábrán látható egyszerű közelítést használjuk: = Normál aktív tartományban a tranzisztort bázis-emitter diódáját az feszültségforrással
RészletesebbenIrányítástechnika 1. 5. Elıadás. Félvezetıs logikai áramkörök. Irodalom
Irányítástechnika 1 5. Elıadás Félvezetıs logikai áramkörök Irodalom - Kovács Csongor: Digitális elektronika, 2003 - Helmich József: Irányítástechnika I, 2005 Félvezetıs logikai elemek Logikai szintek
Részletesebben- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok
lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezetı anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok - vezetık: normál körülmények között
RészletesebbenF1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok
E, Kísérleti Fizika Tanszék F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect
RészletesebbenTFBE1301 Elektronika 1.
E, Kísérleti Fizika Tanszék TFBE1301 Elektronika 1. Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect Transistor
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: A tranzisztor, mint kapcsoló
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: A tranzisztor, mint kapcsoló 1 Felhasznált irodalom Oláh András, Tihanyi Attila, Cserey György: Elektronikai alapmérések (előadásvázlatok) Szabó Géza: Elektrotechnika-Elektronika
RészletesebbenTérvezérlésű tranzisztor
Térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztorok a vékonyréteg félvezetős eszközök kategoriájába sorolhatók és a tranzisztorok harmadik generációját képviselik. 1948-ban jelentik be amerikai kutatók
RészletesebbenTeljesítményelektronika
Teljesítményelektronika Szakirodalom Csáky-Ganszky-Ipsits-Marti, Teljesítményelektronika, Műszaki Könyvkiadó, Budapest, 1971. Heumann, K., A teljesítményelektronika alapjai, Műszaki Könyvkiadó, Budapest,
Részletesebben8.B 8.B. 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok
8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok Értelmezze az unipoláris tranzisztorok felépítését, mőködését, feszültség- és áramviszonyait, s emelje ki a térvezérlés szerepét! Rajzolja fel a legfontosabb
RészletesebbenElektronika I Dr. Istók Róbert
Elektronika I Dr. Istók Róbert Történeti {ttekintés Tekercs Kondenz{tor Elektroncső 1948 Bell Labs Intel 4004 1971. nov. 15. Intel 4004 mikroprocesszor 2300 tranzisztor 10 µ𝑚 (mikron) technológia Jelenleg
RészletesebbenA PC vagyis a személyi számítógép. VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória
i smer d meg! A PC vagyis a személyi számítógép VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória (lásd a klasszikus architekturájú univerzális számítógép rendszertömbvázlatát
RészletesebbenElektronika 1. 9. Előadás. Teljesítmény-erősítők
Elektronika 1 9. Előadás Teljesítmény-erősítők Irodalom - Megyeri János: Analóg elektronika, Tankönyvkiadó, 1990 - U. Tiecze, Ch. Schenk: Analóg és digitális áramkörök, Műszaki Könyvkiadó, 1999 - Borbély
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2005. május 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI MINISZTÉRIM Elektronikai alapismeretek
RészletesebbenElektronika I. Dr. Istók Róbert. IV. előadás
Elektronika I Dr. Istók Róbert IV. előadás Nagyfrekvenciás frekvenciakompenzáció Közös emitteres kapcsolásoknak a nagyfrekvenciás átviteli tulajdonságait, kapcsolás csekély módosításával javítjuk. Nagyfrekvenciás
RészletesebbenA passzív alkatrészek megvalósítása az integrált áramkörökben Mikroelektronika, integrált áramkörök
A passzív alkatrészek megvalósítása az integrált áramkörökben Mikroelektronika, integrált áramkörök Mikroelektronika félvezetőkön létrehozott integrált áramkörökkel (IC-kel) megvalósított elektronika.
RészletesebbenEgyszerű áramkörök vizsgálata
A kísérlet célkitűzései: Egyszerű áramkörök összeállításának gyakorlása, a mérőműszerek helyes használatának elsajátítása. Eszközszükséglet: Elektromos áramkör készlet (kapcsolótábla, áramköri elemek)
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2010. október 18. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2010. október 18. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati NEMZETI ERŐFORRÁS
RészletesebbenA mérés célja: Példák a műveleti erősítők lineáris üzemben történő felhasználására, az előadásokon elhangzottak alkalmazása a gyakorlatban.
E II. 6. mérés Műveleti erősítők alkalmazása A mérés célja: Példák a műveleti erősítők lineáris üzemben történő felhasználására, az előadásokon elhangzottak alkalmazása a gyakorlatban. A mérésre való felkészülés
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás A tranzisztor felfedezése A tranzisztor kifejlesztését a Lucent Technologies kutatóintézetében, a Bell Laboratóriumban végezték el. A laboratóriumban három
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2007. május 25. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2007. május 25. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS
RészletesebbenSZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI
SZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI 11 KRISTÁLYkÉMIA XI. ATOMOK És IONOK 1. AZ ATOM Az atom az anyag legkisebb olyan része, amely még hordozza a kémiai elem jellegzetességeit. Ezért az ásványtanban
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2008. október 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2008. október 20. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET)
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET) 1 Felhasznált irodalom Sulinet Tudásbázis: Unipoláris tranzisztorok Electronics Tutorials: The MOSFET CONRAD Elektronik: Elektronikai
Részletesebben2. ábra: A belső érintkezősorok
1.1 Dugaszolós felület A kísérleteket egy labor kísérleti kártyán építjük meg. A 2,54 mm raszteres, 270 kontaktusos dugaszoló felület biztosítja az alkatrészek biztos összekötését. Conrad Szaküzlet 1067
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 006. május 18. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 006. május 18. 1:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 0 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI MINISZTÉRIUM
Részletesebben15. TRANZISZTOROS ERŐSÍTŐ
15. TRANZISZTOROS RŐSÍTŐ élkitűzés: A közös emitteres erősítőkapcsolás működésének megértése. I. lméleti áttekintés A tranzisztorok főleg feszültség vagy áramerősség erősítésére használt félvezető eszközök,
RészletesebbenKlórérzékelı vezérlı elektronika
Klórérzékelı vezérlı elektronika Leírás: A vezérlı elektronika fı feladata a mérés során alkalmazott klórgáz-érzékelı szonda mőködıképességének megırzése a kémiailag igen aktív gáz érzékelésekor, valamint
RészletesebbenSZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI
SZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI 12 KRISTÁLYkÉMIA XII. KÖTÉsTÍPUsOK A KRIsTÁLYOKBAN 1. KÉMIAI KÖTÉsEK Valamennyi kötéstípus az atommag és az elektronok, illetve az elektronok egymás közötti
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 011. május 13. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 011. május 13. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 0 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati NEMZETI ERŐFORRÁS
RészletesebbenEgységes jelátalakítók
6. Laboratóriumi gyakorlat Egységes jelátalakítók 1. A gyakorlat célja Egységes feszültség és egységes áram jelformáló áramkörök tanulmányozása, átviteli karakterisztikák felvétele, terhelésfüggőségük
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2012. október 15. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2012. október 15. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
RészletesebbenMODULÁRAMKÖRÖK ÉS KÉSZÜLÉKEK
MODULÁRAMKÖRÖK ÉS KÉSZÜLÉKEK Moduláramkörök alapvető építőelemei Gross Péter Hardware fejlesztő, ARH Informatikai Zrt. E-mail: peter.gross@arh.hu Utoljára módosítva: 2016. 10. 09. BUDAPEST UNIVERSITY OF
RészletesebbenMintavételező és tartó áramkörök
8. Laboratóriumi gyakorlat Mintavételező és tartó áramkörök 1. A dolgozat célja A mintavételező és tartó (Sample and Hold S/H) áramkörök működésének vizsgálata, a tároló kondenzátor értékének és minőségének
Részletesebben(1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London)
100 éve született Gábor Dénes Gábor Dénes a holográfia atyja (1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London) A jövõt nem lehet megjósolni, de jövõnket föl lehet találni. Gábor Dénes Gábor Dénes, angol
Részletesebben2. ábra: A belső érintkezősorok
1.1 Dugaszolós felület A kísérleteket egy labor kísérleti kártyán építjük meg. A 2,54 mm raszteres, 270 kontaktusos dugaszoló felület biztosítja az alkatrészek biztos összekötését. Conrad Szaküzlet 1067
RészletesebbenMagyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben
Erdélyi Magyar Műszaki Tudományos Társaság Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben Kolozsvári Műszaki Egyetem Számítástechnika Kar Szerzők dr. Baruch Zoltán Bíró Botond dr. Buzás Gábor dr.
RészletesebbenJelölje meg (aláhúzással vagy keretezéssel) Gyakorlatvezetőjét! Györke Gábor Kovács Viktória Barbara Könczöl Sándor. Hőközlés.
MŰSZAKI HŐTAN II.. ZÁRTHELYI Adja meg az Ön képzési kódját! N Név: Azonosító: Terem Helyszám: K - Jelölje meg (aláhúzással vagy keretezéssel) Gyakorlatvezetőjét! Györke Gábor Kovács Viktória Barbara Könczöl
RészletesebbenNapenergia hasznosítási lehetőségek összehasonlító elemzése. Mayer Martin János Dr. Dán András
Napenergia hasznosítási lehetőségek összehasonlító elemzése Mayer Martin János Dr. Dán András Napenergia hasznosítása Villamosenergiatermelés Hő hasznosítás: fűtés és használati melegvíz Közvetlen (napelemek)
RészletesebbenProgramozható irányítóberendezések és szenzorrendszerek ZH. Távadók. Érdemjegy
Név Neptun-kód Hallgató aláírása 0-15 pont: elégtelen (1) 16-21 pont: elégséges (2) 22-27 pont: közepes (3) 28-33 pont: jó (4) 34-40 pont: jeles (5) Érzékelők jellemzése Hőmérsékletérzékelés Erő- és nyomásmérés
RészletesebbenA mérés célkitűzései: Kaloriméter segítségével az étolaj fajhőjének kísérleti meghatározása a Joule-féle hő segítségével.
A mérés célkitűzései: Kaloriméter segítségével az étolaj fajhőjének kísérleti meghatározása a Joule-féle hő segítségével. Eszközszükséglet: kaloriméter fűtőszállal digitális mérleg tanulói tápegység vezetékek
RészletesebbenTelepítési leírás - 6550AM kitakarásvédett PIR mozgásérzékelő
Telepítési leírás - 6550AM kitakarásvédett PIR mozgásérzékelő Telepítési útmutató Az érzékelők kialakításuknak köszönhetően kiküszöbölik a téves riasztásokat. Kerülendők viszont az alábbiak (1. ábra):
RészletesebbenELEKTRONIKA I. (KAUEL11OLK)
Félévi követelmények és beadandó feladatok ELEKTRONIKA I. (KAUEL11OLK) tárgyból a Villamosmérnöki szak levelező tagozat hallgatói számára Óbuda Budapest, 2005/2006. Az ELEKTRONIKA I. tárgy témaköre: Az
RészletesebbenAz energiasáv v modell
Félvezetk Kvantummechanikai számítások arra az eredményre vezetnek, hogy egy véges méretőkristály, periodikus potenciálterében mozgó elektron energiaspektruma megengedett és tiltott tartományokból (energiasávokból)
RészletesebbenVezérlés és irányítástechnológia (Mikroprocesszoros irányítás)
Vezérlés és irányítástechnológia (Mikroprocesszoros irányítás) 2.7. DC motor bekapcsolása 2.08. DC motor forgásirány változtatása (jelfogós kapcsolás) 2.09. DC motor forgásirány változtatás (integrált
Részletesebben- 1 - Tubics József K. P. K. P.
- - Tubics József.A. CSOPORTOSÍTSA A KÉTPÓLUSOKAT ÉS ÉRTELMEZZE AZ EGYES CSOPORTOK JELLEMZŐ TULAJDONSÁGAIT! MAGYARÁZZA EL A NORTON ÉS A THEVENIN TÉTELT, MUTASSON PÉLDÁT ALKALMAZÁSUKRA! ISMERTESSE A GYAKORIBB
Részletesebben6. SZÁMÚ FÜGGELÉK: AZ E.ON ENERGIASZOLGÁLTATÓ KFT. ÁLTAL E.ON KLUB KATEGÓRIÁBA SOROLT ÜGYFELEKNEK NYÚJTOTT ÁRAK, SZOLGÁLTATÁSOK
6. SZÁMÚ FÜGGELÉK: AZ E.ON ENERGIASZOLGÁLTATÓ KFT. ÁLTAL E.ON KLUB KATEGÓRIÁBA SOROLT ÜGYFELEKNEK NYÚJTOTT ÁRAK, SZOLGÁLTATÁSOK 1. A függelék hatálya A jelen függelékben foglaltak azon Felhasználókra terjednek
Részletesebben4** A LINA 1 jelzésű félkész áramkör felépítése és alkalmazása DR. BALOGH BÉLÁNÉ-GERGELY ISTVÁN MÉHN MÁRTON MEV. 1. Bevezetés
A LINA 1 jelzésű félkész áramkör felépítése és alkalmazása DR. BALOGH BÉLÁNÉ-GERGELY ISTVÁN MÉHN MÁRTON MEV ÖSSZEFOGLALÁS A LINA 1 félkész áramkör közepes bonyolultságú analóg áramkörök integrált formában
RészletesebbenGingl Zoltán, Szeged, :44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok
Gingl Zoltán, Szeged, 2016. 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 1 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 2 Egyenirányító (rectifier) Mint egy szelep deális dióda Nyitó
Részletesebben3 Tápegységek. 3.1 Lineáris tápegységek. 3.1.1 Felépítés
3 Tápegységek A tápegységeket széles körben alkalmazzák analóg és digitális berendezések táplálására. Szerkezetileg ezek az áramkörök AC-DC vagy DC-DC átalakítók. A kimenet tehát mindig egyenáramú, a bemenet
RészletesebbenMűveleti erősítők - Bevezetés
Analóg és digitális rsz-ek megvalósítása prog. mikroák-kel BMEVIEEM371 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Műveleti erősítők - Bevezetés Takács Gábor Elektronikus Eszközök Tanszéke (BME) 2014.
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
Elektronikai alapismeretek középszint 080 ÉETTSÉGI VIZSG 009. május. ELEKTONIKI LPISMEETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍÁSBELI ÉETTSÉGI VIZSG JVÍTÁSI-ÉTÉKELÉSI ÚTMTTÓ OKTTÁSI ÉS KLTÁLIS MINISZTÉIM Egyszerű, rövid feladatok
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MKROELEKTRONKA, VEEA306 A bipoláris tranzisztor. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/08-bipol3.ppt http://www.eet.bme.hu Az ideális tranzisztor karakterisztikái
Részletesebben[MECHANIKA- HAJLÍTÁS]
2010. Eötvös Loránd Szakközép és Szakiskola Molnár István [MECHANIKA- HAJLÍTÁS] 1 A hajlításra való méretezést sok helyen lehet használni, sok mechanikai probléma modelljét vissza lehet vezetni a hajlítás
RészletesebbenDIGITÁLIS DISZKRÉT FÉLVEZETŐ EGYENÁRAMÚ PARAMÉTER TESZTELŐ HASZNÁLATI UTASÍTÁS
DIGITÁLIS DISZKRÉT FÉLVEZETŐ EGYENÁRAMÚ PARAMÉTER TESZTELŐ HASZNÁLATI UTASÍTÁS Tartalomjegyzék I. Bevezetés II. Biztonsági jelölések III. Tulajdonságok IV. Elektromos adatok V. Előlapi kijelzések, csatlakozók
RészletesebbenAdatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei
GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekI.Közgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési
RészletesebbenHasználható segédeszköz: szabványok, táblázatok, gépkönyvek, számológép
A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján. Szakképesítés, azonosító száma és megnevezése 34 522 02 Elektromos gép és készülékszerelő
RészletesebbenGingl Zoltán, Szeged, dec. 1
Gingl Zoltán, Szeged, 2017. 17 dec. 1 17 dec. 2 Egyenirányító (rectifier) Mint egy szelep deális dióda Nyitó irányban tökéletes vezető (rövidzár) Záró irányban tökéletes szigetelő (szakadás) Valódi dióda:
RészletesebbenMELLÉKLETEK. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK ÉRETTSÉGI VIZSGA ÍRÁSBELI TÉTEL Középszint
MELLÉKLETEK ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK ÉRETTSÉGI VIZSGA ÍRÁSBELI TÉTEL Középszint /Javasolt pontszámok: 5 pont/kérdés. Elérhető maximális pontszám: 100 pont./ 1. Végezze el az átszámításokat a prefixumok
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 201. május 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 201. május 20. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 20 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
RészletesebbenIII. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján?
III. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján? 2.) Mi a tiltott sáv fogalma? 3.) Hogyan befolyásolja a tiltott sáv szélessége az anyagok
RészletesebbenDiszkrét aktív alkatrészek
Aktív alkatrészek Az aktív alkatrészek képesek kapcsolási és erősítési feladatokat ellátni. A digitális elektronika és a teljesítményelektronika gyors kapcsolókra épül, az analóg technikában elsősorban
RészletesebbenUNIPOLÁRIS TRANZISZTOR
UNIPOLÁRIS TRANZISZTOR Az unipoláris tranzisztorok térvezérléső tranzisztorok (Field Effect Transistor). Az ilyen tranzisztorok kimeneti áramának nagyságát a bemeneti feszültséggel létrehozott villamos
RészletesebbenAnalitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2010. május 1. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2010. május 1. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 20 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS
Részletesebben2. gyakorlat. Szupravezető mérés
2. gyakorlat Szupravezető mérés A gyakorlat során a hallgatók 5 mérési feladatot végeznek el: 1. Meissner effektus bemutatása: Mérés célja: az elméletben megismert Meissner effektus gyakorlati megjelenítése
RészletesebbenELLENÁLLÁSOK PÁRHUZAMOS KAPCSOLÁSA, KIRCHHOFF I. TÖRVÉNYE, A CSOMÓPONTI TÖRVÉNY ELLENÁLLÁSOK PÁRHUZAMOS KAPCSOLÁSA. 1. ábra
ELLENÁLLÁSOK PÁRHUZAMOS KAPCSOLÁSA Három háztartási fogyasztót kapcsoltunk egy feszültségforrásra (hálózati feszültségre: 230V), vagyis közös kapocspárra, tehát párhuzamosan. A PÁRHUZAMOS KAPCSOLÁS ISMÉRVE:
RészletesebbenÍRÁSBELI FELADAT MEGOLDÁSA
54 523 04 1000 00 00-2014 MAGYAR KERESKEDELMI ÉS IPARKAMARA Országos Szakmai Tanulmányi Verseny Elődöntő ÍRÁSBELI FELADAT MEGOLDÁSA Szakképesítés: 54 523 04 1000 00 00 SZVK rendelet száma: Modulok: 6308-11
RészletesebbenBOLYAI MATEMATIKA CSAPATVERSENY DÖNTŐ 2004. 5. osztály
5. osztály Ha egy négyzetet az ábrán látható módon feldarabolunk, akkor a tangram nevű ősi kínai játékot kapjuk. Mekkora a nagy négyzet területe, ha a kicsié 8 cm 2? (A kis négyzet egyik csúcsa a nagy
RészletesebbenMUNKAANYAG. Mészáros Miklós. Félvezető eszközök, áramköri elemek I. A követelménymodul megnevezése: Elektronikai áramkörök tervezése, dokumentálása
Mészáros Miklós Félvezető eszközök, áramköri elemek I. A követelménymodul megnevezése: Elektronikai áramkörök tervezése, dokumentálása A követelménymodul száma: 0917-06 A tartalomelem azonosító száma és
RészletesebbenMágneses szuszceptibilitás vizsgálata
Mágneses szuszceptibilitás vizsgálata Mérést végezte: Gál Veronika I. A mérés elmélete Az anyagok külső mágnesen tér hatására polarizálódnak. Általában az anyagok mágnesezhetőségét az M mágnesezettség
RészletesebbenAZ ALPHA2 a legutolsó és a leginnovatívabb tagja a Grunfos magas minőségű keringető szivattyú családjának.
Pozíció Darab Leírás Egyszeri ár -1 ALPHA2 32-4 18 Külön kérésre Cikkszám: 9547512 GRUNDFOS ALPHA2 Az A-energiaosztályú szivattyúk következő generációja Megjegyzés! A berendezés fényképe különböző. AZ
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Buapesti Műszaki és Gazaságtuományi Egyetem MKROEEKTRONKA, VEEA6 Térvezérelt tranzisztorok. A JFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/11-jfet.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint
RészletesebbenIpari és vasúti szénkefék
www.schunk-group.com Ipari és vasúti szénkefék A legjelentősebb anyagminőségek fizikai tulajdonságai A legjelentősebb anyagminőségek fizikai tulajdonságai A szénkefetestként használt szén és grafit anyagminőségek
RészletesebbenAnalízis elo adások. Vajda István. 2012. október 3. Neumann János Informatika Kar Óbudai Egyetem. Vajda István (Óbudai Egyetem)
Vajda István Neumann János Informatika Kar Óbudai Egyetem / 40 Fogalmak A függvények értelmezése Definíció: Az (A, B ; R ) bináris relációt függvénynek nevezzük, ha bármely a A -hoz pontosan egy olyan
Részletesebben1. Metrótörténet. A feladat folytatása a következő oldalon található. Informatika emelt szint. m2_blaha.jpg, m3_nagyvaradter.jpg és m4_furopajzs.jpg.
1. Metrótörténet A fővárosi metróhálózat a tömegközlekedés gerincét adja. A vonalak építésének története egészen a XIX. század végéig nyúlik vissza. Feladata, hogy készítse el a négy metróvonal történetét
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2006. október 2. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2006. október 2. 1:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 20 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS
RészletesebbenTantárgy: ANALÓG ELEKTRONIKA Tanár: Dr. Burány Nándor
Tantárgy: ANALÓG ELEKTRONIKA Tanár: Dr. Burány Nándor 3. félév Óraszám: 2+2 1 1.2. RÉSZ AKTÍV ALKATRÉSZEK Aktív alkatrészek nélkül nincs elektronika (erõsítést és kapcsolást végeznek) A XX. század elsõ
RészletesebbenGRUNDFOS ALPHA2 Az A-energiaosztályú kis keringető szivattyúk következő generációja
Pozíció Darab Leírás Egyszeri ár -1 ALPHA2 25-4 N 18 Külön kérésre Cikkszám: 954752 Megjegyzés! A berendezés fényképe különböző. GRUNDFOS ALPHA2 Az A-energiaosztályú kis keringető szivattyúk következő
RészletesebbenA jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
RészletesebbenBME-VIK villamosmérnök BSc, 3. félév Elektrotechnika 3. ZH
F1) Villamos gépek mágneses mezői 1. Állandó, lüktető és forgó mezők. 2. Forgó mező létrehozása többfázisú tekercsrendszerrel. 3. A forgómező tulajdonságai. 4. Szinuszos mezőeloszlás létrehozása. 5. Indukált
RészletesebbenÉpületvillamosság laboratórium. Villámvédelemi felfogó-rendszer hatásosságának vizsgálata
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamos Energetika Tanszék Nagyfeszültségű Technika és Berendezések Csoport Épületvillamosság laboratórium Villámvédelemi felfogó-rendszer hatásosságának
RészletesebbenMATEMATIKA ÉRETTSÉGI TÍPUSFELADATOK KÖZÉPSZINT Függvények
MATEMATIKA ÉRETTSÉGI TÍPUSFELADATOK KÖZÉPSZINT Függvények A szürkített hátterű feladatrészek nem tartoznak az érintett témakörhöz, azonban szolgálhatnak fontos információval az érintett feladatrészek megoldásához!
RészletesebbenM4.1. KISFESZÜLTSÉGŰ ÁRAMVÁLTÓ MŰSZAKI SPECIFIKÁCIÓ:
Tartalomjegyzék: M4.1. Kisfeszültségű áramváltó műszaki specifikáció:...1 M4.2. MAK típusú kisfeszültségű áramváltó típusok:...2 M4.1. KISFESZÜLTSÉGŰ ÁRAMVÁLTÓ MŰSZAKI SPECIFIKÁCIÓ: Az elszámolási mérési
RészletesebbenAutóipari beágyazott rendszerek. Fedélzeti elektromos rendszer
Autóipari beágyazott rendszerek Fedélzeti elektromos rendszer 1 Személygépjármű fedélzeti elektromos rendszerek 12V (néha 24V) névleges feszültség Energia előállítás Generátor Energia tárolás Akkumulátor
RészletesebbenA félvezetők fizikája
A fizikája Horváth András SZE, Fizika és Kémia Tsz. 2006. szeptember 29. 2 / 60 igen nagy fontosságúak az utóbbi 50 év technikai fejlődésében. Félvezető eszközök találhatók lényegében az összes mai elektronikai
RészletesebbenNövelhető-e a hazai szélerőmű kapacitás energiatárolás alkalmazása esetén?
Növelhető-e a hazai szélerőmű kapacitás energiatárolás alkalmazása esetén? Okos hálózatok, okos mérés konferencia Magyar Regula 2012 2012. március 21. Hartmann Bálint, Dr. Dán András Villamos Energetika
RészletesebbenFelhasználói kézikönyv
DY-294 - Digitális tranzisztor D paraméter tesztelő Felhasználói kézikönyv ikkszám: 92885 I. Tartalomjegyzék I. Tartalomjegyzék...1. old II. Alap tulajdonságok...2. old III. Technikai részletek...2. old
RészletesebbenMehet!...És működik! Non-szpot televíziós hirdetési megjelenések hatékonysági vizsgálata. Az r-time és a TNS Hoffmann által végzett kutatás
Mehet!...És működik! Non-szpot televíziós hirdetési megjelenések hatékonysági vizsgálata Az r-time és a TNS Hoffmann által végzett kutatás 2002-2010: stabil szponzorációs részarány Televíziós reklámbevételek
RészletesebbenSzabályozatlan tápegységek
Tartalom Áttekintés.2 szabályozatlan tápegységek.4.1 Áttekintés A kompakt tápegységek fontos láncszemek a vezérlések energiaellátásában. Mindenütt használják őket, ahol a folyamat vagy a vezérlés feszültsége
RészletesebbenG Szabályfelismerés 2.2. 2. feladatcsomag
ÖSSZEFÜÉSEK Szabályfelismerés 2.2 Alapfeladat Szabályfelismerés 2. feladatcsomag összefüggés-felismerő képesség fejlesztése szabályfelismeréssel megkezdett sorozat folytatása a felismert szabály alapján
RészletesebbenMSZ EN 60947-2 MSZ EN 60898-1
ic60n kismegszakítók kettős (B, C, D jelleggörbe) DB0669 DB865 DB854 MSZ EN 60947- MSZ EN 60898- PB0740-40 PB07407-40 Tanúsítványok PB07409-40 PB07405-40 b ic60n kismegszakítók kett s bekötés csatlakozással,
Részletesebben1. Mintapélda, amikor a fenék lekerekítési sugár (Rb) kicsi
1 Mélyhúzott edény teríték méretének meghatározása 1. Mintapélda, amikor a fenék lekerekítési sugár (Rb) kicsi A mélyhúzott edény kiindulási teríték átmérőjének meghatározása a térfogat-állandóság alapján
RészletesebbenDIGITÁLIS TECHNIKA 11. Előadás
DIGITÁLIS TECHNIKA 11. Előadás Előadó: Dr. Oniga István Egyetemi docens 2010/2011 II félév Digitális integrált áramkörök technológiája A logikai áramkörök megépítéséhez elıször is ki kell választanunk
RészletesebbenHWDEV-02A GSM TERMOSZTÁT
HWDEV-02A GSM TERMOSZTÁT 2010 HASZNÁLATI ÚTMUTATÓ A termosztát egy beépített mobiltelefonnal rendelkezik. Ez fogadja az Ön hívását ha felhívja a termosztát telefonszámát. Érdemes ezt a telefonszámot felírni
RészletesebbenGE4 4 és 6 digites Digitális számláló/idõzítõ
GE4 4 és 6 digites Digitális számláló/idõzítõ Tápfeszültség:100-240VAC Méret: 48x48x84 mm Bemenet: kontaktus Üzemi hõmérséklet:-20-65c open collector Üzemi páratartalom35-85% Kimenet: jelfogó 250V/2A,
Részletesebben2. Egymástól 130 cm távolságban rögzítjük az 5 µ C és 10 µ C nagyságú töltéseket. Hol lesz a térerısség nulla? [0,54 m]
1. Elektrosztatika 1. Egymástól 30 m távolságban rögzítjük az 5 µ C és 25 µ C nagyságú töltéseket. Hová helyezzük a 12 µ C nagyságú töltést, hogy egyensúlyban legyen? [9,27 m] 2. Egymástól 130 cm távolságban
Részletesebben