Elektronika I Dr. Istók Róbert
|
|
- Orsolya Hajduné
- 7 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Elektronika I Dr. Istók Róbert
2 Történeti {ttekintés Tekercs Kondenz{tor Elektroncső 1948 Bell Labs
3 Intel nov. 15. Intel 4004 mikroprocesszor 2300 tranzisztor 10 µ𝑚 (mikron) technológia Jelenleg több mind tranzisztor 32nm (nanométer)
4 Félvezetők Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. A félvezetők ellenállása a hőmérséklettel exponenciálisan csökken
5 Félvezetők fizikai alapjai A félvezetőknél a vegyértéksáv és a vezetési sáv közötti tiltott sáv mindössze pár elektronvolt (a germánium esetében 0,7 ev, a szilícium esetében 1,1 ev). Így a vezetési sávban az elektronok, a vegyértéksávban pedig a lyukak keletkeznek. A töltéshordozók kialakulása révén az anyag vezeti az elektromos áramot.
6 Elemi, szil{rd oldatok, vegyület félvezetők Elemi félvezető anyagok: germánium (GE); szilicíum (Si) szelén (Se) Szilárd oldat típusú félvezetők: gallium-arzenid (GaAs); gallium-aluminiumarzenid (GaAlAs); indium-antimonid (InSb), Vegyület félvezető: ólom-szulfid (PbS); titán-oxid (TiO 2 )
7 P,N félvezető A félvezető ellenállásának csökkentése érdekében a félvezetőt adalékolják. Az alkalmazott adalékatomnak eggyel több vagy kevesebb elektronja van, mint a félvezetőnek. Ha eggyel több, akkor negatív (N) típusú félvezetőről beszélünk (az adalék atomokat pedig donornak nevezik), ellenkező esetben pozitív (P) típusúról (az adalékatomokat pedig akceptoroknak nevezik).
8 P-N {tmenet a kétféle p és n típusú félvezetõ közti határréteget nevezzük p-n átmenetnek töltött zóna alakul ki a határréteg két oldalán, a p típusú rétegben a negatív ionok miatt negatív töltés, az n típusú rétegben a pozitív donoratomok miatt pozitív töltés lesz jelen A töltéshordozók hiánya miatt kiürített rétegnek nevezzük a határréteget.
9 Félvezető dióda A dióda két kivezetéssel ellátott, egy p-n átmenetet tartalmazó félvezető eszköz, amely egyenirányításra alkalmas.
10 Vezető-Lez{rt {llapot A p rétegre pozitív, az n rétegre negatív feszültséget kapcsolva: Elektronok lépnek át a p típusú rétegbe Lyukak lépnek át az n típusú rétegbe. A dióda vezet, már kis nyitófeszültség hatására. Si dióda nyitófeszültsége U 0 =0,6V A p rétegre negatív, az n rétegre pozitív feszültséget kapcsolva: A kissebségi töltéshordozók szállítják az áramot. A kissebségi töltéshordozók száma nagyon kicsi. A dióda lezárt állapotba kerül
11 Dióda karakterisztika Nyitóirányú karakterisztika IS szaturációs áram (Si dióda 10pA) m 1 2 tapasztalati érték 𝑈𝑇 termikus feszültség szobahőmérsékletnél 26mV k=1,38*10-23j/k, Boltzman állandó T abszolút hőmérséklet (Kelvin fok) q=1,6*10-19 elemi töltés Záróirányú karakterisztika Alig változó záróirányú áramérték mellet követi a feszültség növekedést
12 Különböző típusú diód{k
13 Bipol{ris Tranzisztor Felépítése Három, eltérően adalékolt tartományból áll. NPN-tranzisztor két N-típusú tartomány között egy vékony P-típusú réteg van. PNP-tranzisztor két P-típusú réteg közé kerül egy vékony N-típusú tartomány. A két szélső réteget kollektornak (C), illetve emitternek (E) nevezik, a középső réteget bázisnak (B) hívják.
14 Működési tartom{nyok helyettesítő kapcsol{s tartom{ny BE BC alkalmaz{s Norm{l NY Z Line{ris üzem lez{rt Z Z Kapcsoló üzem nyitott NY NY Kapcsoló üzem Inverz aktív Z NY ritk{n
15 Bipol{ris tranzisztor {ramai B - egyenáramú áramerősítési tényező Váltakozó áramú jelek esetén kis i betűt használunk. B helyet β-t használunk
16 Bipol{ris tranzisztor karakterisztik{i Emitter földelve Bemenet a bázisra Kimenet a kollektorra
17 Négypólus H paraméterek i 1 -et, vagy u 2 null{v{ téve kifejezzük az adott H paramétert
18 Népólus H paraméteres helyettesítő képe
19 Bipol{ris tranzisztor fizikai helyettesítő képe Hibrid vagy Giacolleto-modell
20 Bipol{ris tranzisztor fizikai helyettesítő képe r BB bázis-hozzávezetési ellenállás 5-50Ω. Nagy frekvenciás áramkörökben zavaróminél kisebb r e bázis emitter dióda dinamikus ellenállása U T termikus feszültség
21 Bipol{ris tranzisztor fizikai helyettesítő képe B, 𝛃 bázisáramra vonatkoztatott áramerősítési tényező Kisfrekvenciás, kisteljesítménű (100mA) Kisfrekvenci{s, nagyteljesítménű (több A) Nagyfrekvenci{s (tranzit hat{rfrekvencia legal{bb 1GHz) Szuper β tranzisztorok
22 Bipol{ris tranzisztor fizikai helyettesítő képe µ - feszültség-visszahat{si tényező Kollektor-emitter feszültség v{ltoz{sa milyen mértékben hat vissza a b{zis-emitter dióda feszültségére 𝑔𝑚 meredekség. B{zis-emitter feszültség v{ltoz{sa milyen mértékben v{ltoztatja meg a kollektor{ramot mS, munkaponti adatok függvénye
23 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
24 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
25 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
26 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
27 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
28 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
29 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
30 Bipol{ris tranzisztor h paraméterei
31 Térvezérlésű tranzisztorok Bemenő áramuk közel 0 Kis teljesítményigény Kis helyigény A többségi töltéshordozók árama határozza meg a működést kisebb hőmérséklefüggés Szimetrikus eszközök, a kapcsok felcserélhetőek unipoláris tranzisztor
32 Z{róréteges j-fet (field effect transistor) A source és drain elektródák közötti többségi töltéshordozó áramot a gate elektródára kapcsolt feszültséggel tudjuk változtatni azáltal, hogy változtatjuk a záróirányba előfeszített pn átmenet feszültséget váltazik a kiürített réteg vastagsága az áramvezetésre alkalmas csatorna keresztmetszetje. Legfontosabb paraméter 𝑉𝑝 elzáródási feszültség ( amikor akiürített réteg teljesen elzárja a csatornát)
33 J-FET Karakterisztik{k
34 Kiürítéses MOSFET n típusú sziliciumréteg erősen szennyezett n csatorna vékony és gyengén szennyezet A gate-ra negatív feszültséget kapcsolunk, az elektromos tér, a n csatornából az elektronokat taszítja, kikinszeriti a csatarnaból. Ha a negatív feszültség eléri a lezárófeszültséget a csatorna teljesen kiürül, lezáródik és rajta az áram nem folyikfeszültség
35 Kiürítéses MOS FET karakterisztik{i Pozitív vezérlő feszültség esetén is működőképes marad a tranzisztor Pozitív feszültség növeli a töltés hordozók számát a csatornában
36 Növekményes MOS FET Két erősen szennyezet n típusú üreg, n csatorna nincs Gate-ra pozitív feszültséget kapcsolunk. Az erőtér taszítja a lyukakat és vonzza az elektronokat. Kis pozitív gate feszültség először a p típusú szubsztrát gate alatti részéből távoznak a lyukak, és kiürített réteg alakul ki. Gatefeszültség növeléssel az elektromos tér source üregből elektronokat vonz és létrehozza a csatornát
37 Növekményes MOS FET karakterisztik{i Uk küszöbfeszültség(2-4v) ahol a csatorna létrejön A MOS-FET-ek előnyös tulajdonsága a JFET-hez képest, hogy míg utóbbi gate-jén folyik valamennyi záróáram, a MOS FET gate-je el van szigetelve, tehát az tökéletes szakadásként viselkedik
38 FET helyettesítő kép g m meredekség, kisebb mint bipoláris tranzisztor esetén g DS drain és source között fellépő vezetés
39 Munkapont be{llít{sa b{zisköri feszültségosztóval 𝑅𝐸 stabilizálja a munkapontot a hőmérséklet ellenében 𝐶𝑒 váltokozó áramú szempontból rövidre zárja 𝑅𝐸 A feszültségosztó állandó 𝑈𝐵0 bázis-feszültséget szolgáltat, a bázisáram változásaitól függetlenül
40 Munkapont be{llít{sa b{zis{rammal Hátrány, B egyenáramú áramerősítési tényező gyártási során nagyon nagy.
41 Térvezérlésű tranzisztorok munkapont be{llít{sa feszültségosztóval
42 Térvezérlésű tranzisztorok munkapont be{llít{sa source-ellen{ll{ssal 𝑅𝐺 max 1MΩ A gate-ellenálláson nem folyik áram. 𝐼𝐺 =0. Feladata, hogy a gate potenciált 0V-on tartsa.
43 Irodalomjegyzék Borbély Gábor Dr.: Elektronika I. Győr : Széchenyi István Egyetem, p. [elektronikus jegyzet (pdf) U.tietze-Ch. Schenk: Analog és Digitális Áramkörök Hainzmann- Varga-Zoltai: Elektronikus áramkörök. Tankönyvkiadó, Budapest,
Elektronika I. Dr. Istók Róbert. II. előadás
Elektronika I Dr. Istók Róbert II. előadás Tranzisztor működése n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban p-n átmeneteknél kiürített réteg jön létre Az emitter-bázis réteg között kialakult diódát emitterdiódának,
Részletesebben3. Térvezérlésű tranzisztorok
1 3. Térvezérlésű tranzisztorok A térvezérlésű tranzisztorok (Field Effect Transistor = FET) működési elve alapjaiban eltér a bipoláris tranzisztoroktól. Az áramvezetés mértéke statikus feszültséggel befolyásolható.
RészletesebbenELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK. BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat
ELEKTRONIKA I. TRANZISZTOROK BSc Mérnök Informatikus Szak Levelező tagozat Tranzisztorok Elemi félvezető eszközök Alkalmazásuk Analóg áramkörökben: erősítők Digitális áramkörökben: kapcsolók Típusai BJT
RészletesebbenTRANZISZTOROS KAPCSOLÁSOK KÉZI SZÁMÍTÁSA
TRNZSZTOROS KPSOLÁSOK KÉZ SZÁMÍTÁS 1. gyenáramú számítás kézi számításokhoz az ábrán látható egyszerű közelítést használjuk: = Normál aktív tartományban a tranzisztort bázis-emitter diódáját az feszültségforrással
Részletesebben8.B 8.B. 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok
8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok Értelmezze az unipoláris tranzisztorok felépítését, mőködését, feszültség- és áramviszonyait, s emelje ki a térvezérlés szerepét! Rajzolja fel a legfontosabb
Részletesebben- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok
lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezetı anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetık félvezetık szigetelı anyagok - vezetık: normál körülmények között
RészletesebbenTérvezérlésű tranzisztor
Térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztorok a vékonyréteg félvezetős eszközök kategoriájába sorolhatók és a tranzisztorok harmadik generációját képviselik. 1948-ban jelentik be amerikai kutatók
RészletesebbenBipoláris tranzisztorok (BJT)
Bipoláris tranzisztorok (BJT) Bipoláris tranzisztorok különböző szennyezésű félvezetők, és a köztük létrejövő átmenetek érintkezésén alapszik. A bipoláris elnevezés abból adódik, hogy a tranzisztoron belül
RészletesebbenIrányítástechnika 1. 5. Elıadás. Félvezetıs logikai áramkörök. Irodalom
Irányítástechnika 1 5. Elıadás Félvezetıs logikai áramkörök Irodalom - Kovács Csongor: Digitális elektronika, 2003 - Helmich József: Irányítástechnika I, 2005 Félvezetıs logikai elemek Logikai szintek
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: FET tranzisztoros kapcsolások 1 Felhasznált irodalom CONRAD Elektronik: Elektronikai kíséletező készlet útmutatója 2 FET tranzisztorok FET = Field Effect Transistor,
RészletesebbenElektronika 1. 9. Előadás. Teljesítmény-erősítők
Elektronika 1 9. Előadás Teljesítmény-erősítők Irodalom - Megyeri János: Analóg elektronika, Tankönyvkiadó, 1990 - U. Tiecze, Ch. Schenk: Analóg és digitális áramkörök, Műszaki Könyvkiadó, 1999 - Borbély
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2005. május 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI MINISZTÉRIM Elektronikai alapismeretek
RészletesebbenAz energiasáv v modell
Félvezetk Kvantummechanikai számítások arra az eredményre vezetnek, hogy egy véges méretőkristály, periodikus potenciálterében mozgó elektron energiaspektruma megengedett és tiltott tartományokból (energiasávokból)
Részletesebben- 1 - Tubics József K. P. K. P.
- - Tubics József.A. CSOPORTOSÍTSA A KÉTPÓLUSOKAT ÉS ÉRTELMEZZE AZ EGYES CSOPORTOK JELLEMZŐ TULAJDONSÁGAIT! MAGYARÁZZA EL A NORTON ÉS A THEVENIN TÉTELT, MUTASSON PÉLDÁT ALKALMAZÁSUKRA! ISMERTESSE A GYAKORIBB
RészletesebbenA passzív alkatrészek megvalósítása az integrált áramkörökben Mikroelektronika, integrált áramkörök
A passzív alkatrészek megvalósítása az integrált áramkörökben Mikroelektronika, integrált áramkörök Mikroelektronika félvezetőkön létrehozott integrált áramkörökkel (IC-kel) megvalósított elektronika.
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 006. május 18. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 006. május 18. 1:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 0 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI MINISZTÉRIUM
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2007. május 25. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2007. május 25. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS
Részletesebben15. TRANZISZTOROS ERŐSÍTŐ
15. TRANZISZTOROS RŐSÍTŐ élkitűzés: A közös emitteres erősítőkapcsolás működésének megértése. I. lméleti áttekintés A tranzisztorok főleg feszültség vagy áramerősség erősítésére használt félvezető eszközök,
RészletesebbenTFBE1301 Elektronika 1.
E, Kísérleti Fizika Tanszék TFBE1301 Elektronika 1. Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect Transistor
RészletesebbenMágneses szuszceptibilitás vizsgálata
Mágneses szuszceptibilitás vizsgálata Mérést végezte: Gál Veronika I. A mérés elmélete Az anyagok külső mágnesen tér hatására polarizálódnak. Általában az anyagok mágnesezhetőségét az M mágnesezettség
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 011. május 13. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 011. május 13. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 0 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati NEMZETI ERŐFORRÁS
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2008. október 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2008. október 20. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS
RészletesebbenF1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok
E, Kísérleti Fizika Tanszék F1301 Bevezetés az elektronikába Térvezérlésű tranzisztorok E, Kísérleti Fizika Tanszék TÉRVEZÉRLÉŰ TRANZIZTOROK (FET-ek) Térvezérlésű (unipoláris) tranzisztor (Field Effect
RészletesebbenA félvezetők fizikája
A fizikája Horváth András SZE, Fizika és Kémia Tsz. 2006. szeptember 29. 2 / 60 igen nagy fontosságúak az utóbbi 50 év technikai fejlődésében. Félvezető eszközök találhatók lényegében az összes mai elektronikai
RészletesebbenElektronika I. Dr. Istók Róbert. IV. előadás
Elektronika I Dr. Istók Róbert IV. előadás Nagyfrekvenciás frekvenciakompenzáció Közös emitteres kapcsolásoknak a nagyfrekvenciás átviteli tulajdonságait, kapcsolás csekély módosításával javítjuk. Nagyfrekvenciás
RészletesebbenEgyszerű áramkörök vizsgálata
A kísérlet célkitűzései: Egyszerű áramkörök összeállításának gyakorlása, a mérőműszerek helyes használatának elsajátítása. Eszközszükséglet: Elektromos áramkör készlet (kapcsolótábla, áramköri elemek)
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2012. október 15. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2012. október 15. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2010. október 18. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2010. október 18. 14:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 180 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati NEMZETI ERŐFORRÁS
RészletesebbenMUNKAANYAG. Mészáros Miklós. Félvezető eszközök, áramköri elemek I. A követelménymodul megnevezése: Elektronikai áramkörök tervezése, dokumentálása
Mészáros Miklós Félvezető eszközök, áramköri elemek I. A követelménymodul megnevezése: Elektronikai áramkörök tervezése, dokumentálása A követelménymodul száma: 0917-06 A tartalomelem azonosító száma és
RészletesebbenAnalízis elo adások. Vajda István. 2012. október 3. Neumann János Informatika Kar Óbudai Egyetem. Vajda István (Óbudai Egyetem)
Vajda István Neumann János Informatika Kar Óbudai Egyetem / 40 Fogalmak A függvények értelmezése Definíció: Az (A, B ; R ) bináris relációt függvénynek nevezzük, ha bármely a A -hoz pontosan egy olyan
RészletesebbenA mérés célja: Példák a műveleti erősítők lineáris üzemben történő felhasználására, az előadásokon elhangzottak alkalmazása a gyakorlatban.
E II. 6. mérés Műveleti erősítők alkalmazása A mérés célja: Példák a műveleti erősítők lineáris üzemben történő felhasználására, az előadásokon elhangzottak alkalmazása a gyakorlatban. A mérésre való felkészülés
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2006. október 2. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2006. október 2. 1:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 20 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS
RészletesebbenElektronika. Kerecsenné dr Rencz Márta Ress Sándor Elektronikus Eszközök Tanszék V2. 3.emelet
Elektronika Kerecsenné dr Rencz Márta rencz@eet.bme.hu Ress Sándor (ress@eet.bme.hu) Elektronikus Eszközök Tanszék V2. 3.emelet http://www.eet.bme.hu A tantárgy oktatásának módja Az előadások vázlata pdf
RészletesebbenA PC vagyis a személyi számítógép. VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória
i smer d meg! A PC vagyis a személyi számítógép VI. rész A mikroprocesszort követően a számítógép következő alapvető építőegysége a memória (lásd a klasszikus architekturájú univerzális számítógép rendszertömbvázlatát
RészletesebbenAnalitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
Részletesebben3. alkalom, gyakorlat
Vegyület-félvezető struktúrák technológiája és alkalmazásaik: III-V és II-VI típusú vegyület-félvezetők; direkt és indirekt sávszerkezet; optikai tulajdonságok és alkalmazásuk 3. alkalom, gyakorlat A GYAKORLAT
RészletesebbenA jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás A tranzisztor felfedezése A tranzisztor kifejlesztését a Lucent Technologies kutatóintézetében, a Bell Laboratóriumban végezték el. A laboratóriumban három
RészletesebbenSZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI
SZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI 11 KRISTÁLYkÉMIA XI. ATOMOK És IONOK 1. AZ ATOM Az atom az anyag legkisebb olyan része, amely még hordozza a kémiai elem jellegzetességeit. Ezért az ásványtanban
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2010. május 1. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2010. május 1. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 20 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati OKTATÁSI ÉS KULTURÁLIS
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
Elektronikai alapismeretek középszint 080 ÉETTSÉGI VIZSG 009. május. ELEKTONIKI LPISMEETEK KÖZÉPSZINTŰ ÍÁSBELI ÉETTSÉGI VIZSG JVÍTÁSI-ÉTÉKELÉSI ÚTMTTÓ OKTTÁSI ÉS KLTÁLIS MINISZTÉIM Egyszerű, rövid feladatok
RészletesebbenIII. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján?
III. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján? 2.) Mi a tiltott sáv fogalma? 3.) Hogyan befolyásolja a tiltott sáv szélessége az anyagok
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 2013. május 23. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2013. május 23. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
RészletesebbenLaptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
RészletesebbenTeljesítményelektronika
Teljesítményelektronika Szakirodalom Csáky-Ganszky-Ipsits-Marti, Teljesítményelektronika, Műszaki Könyvkiadó, Budapest, 1971. Heumann, K., A teljesítményelektronika alapjai, Műszaki Könyvkiadó, Budapest,
RészletesebbenELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK
ÉRETTSÉGI VIZSGA 201. május 20. ELEKTRONIKAI ALAPISMERETEK EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 201. május 20. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 20 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK
Részletesebben2. ábra: A belső érintkezősorok
1.1 Dugaszolós felület A kísérleteket egy labor kísérleti kártyán építjük meg. A 2,54 mm raszteres, 270 kontaktusos dugaszoló felület biztosítja az alkatrészek biztos összekötését. Conrad Szaküzlet 1067
RészletesebbenMérési útmutató Periodikus jelek vizsgálata, egyfázisú egyenirányító kapcsolások Az Elektrotechnika tárgy 5. sz. laboratóriumi gyakorlatához
BUDAPESTI MŰSZAKI ÉS GAZDASÁGTUDOMÁNYI EGYETEM VILLAMOSMÉRNÖKI ÉS INFORMATIKAI KAR VILLAMOS ENERGETIKA TANSZÉK Mérési útmutató Periodikus jelek vizsgálata, egyfázisú egyenirányító kapcsolások Az Elektrotechnika
RészletesebbenMérés és adatgyűjtés
Mérés és adatgyűjtés 7. óra Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2012. március 19. MA - 7. óra Verzió: 2.0 Utolsó frissítés: 2012. március 18. 1/38 Tartalom I 1 Házi feladatok 2 Szenzorok 3 Hőmérséklet
RészletesebbenELEKTRONIKA I. (KAUEL11OLK)
Félévi követelmények és beadandó feladatok ELEKTRONIKA I. (KAUEL11OLK) tárgyból a Villamosmérnöki szak levelező tagozat hallgatói számára Óbuda Budapest, 2005/2006. Az ELEKTRONIKA I. tárgy témaköre: Az
Részletesebben2. gyakorlat. Szupravezető mérés
2. gyakorlat Szupravezető mérés A gyakorlat során a hallgatók 5 mérési feladatot végeznek el: 1. Meissner effektus bemutatása: Mérés célja: az elméletben megismert Meissner effektus gyakorlati megjelenítése
RészletesebbenAdatok: R B1 = 100 kω R B2 = 47 kω. R 2 = 33 kω. R E = 1,5 kω. R t = 3 kω. h 22E = 50 MΩ -1
1. feladat R B1 = 100 kω R B2 = 47 kω R C = 3 kω R E = 1,5 kω R t = 4 kω A tranzisztor paraméterei: h 21E = 180 h 22E = 30 MΩ -1 a) Számítsa ki a tranzisztor kollektor áramát, ha U CE = 6,5V, a tápfeszültség
RészletesebbenSZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI
SZAKÁLL SÁNDOR, ÁsVÁNY- És kőzettan ALAPJAI 12 KRISTÁLYkÉMIA XII. KÖTÉsTÍPUsOK A KRIsTÁLYOKBAN 1. KÉMIAI KÖTÉsEK Valamennyi kötéstípus az atommag és az elektronok, illetve az elektronok egymás közötti
RészletesebbenMűveleti erősítők - Bevezetés
Analóg és digitális rsz-ek megvalósítása prog. mikroák-kel BMEVIEEM371 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Műveleti erősítők - Bevezetés Takács Gábor Elektronikus Eszközök Tanszéke (BME) 2014.
RészletesebbenElektromosságtan. I. Egyenáramú hálózatok. Magyar Attila
Elektromosságtan I. Egyenáramú hálózatok Magyar Attila Pannon Egyetem Műszaki Informatika Kar Villamosmérnöki és Információs Rendszerek Tanszék amagyar@almos.vein.hu 2010. február 1. Áttekintés Alaptörvények
RészletesebbenDIGITÁLIS DISZKRÉT FÉLVEZETŐ EGYENÁRAMÚ PARAMÉTER TESZTELŐ HASZNÁLATI UTASÍTÁS
DIGITÁLIS DISZKRÉT FÉLVEZETŐ EGYENÁRAMÚ PARAMÉTER TESZTELŐ HASZNÁLATI UTASÍTÁS Tartalomjegyzék I. Bevezetés II. Biztonsági jelölések III. Tulajdonságok IV. Elektromos adatok V. Előlapi kijelzések, csatlakozók
RészletesebbenSZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK ITRISIC (TISZTA) FÉLVEZETŐK E EXTRÉM AGY TISZTASÁG (kb: 10 10 Si, v. Ge, 1 szennyező atom) HIBÁTLA KRISTÁLYSZERKEZET abszolút nulla hőmérsékleten T = 0K = elektron kevés
RészletesebbenElektrotechnika-tételek 3. félév (Elektrotechnika I.) 1. Villamos er tér összefüggései általánosan, pontszer töltésekre, síkkondenzátorra.
3. félév (Elektrotechnika I.) 1. Villamos er tér összefüggései általánosan, pontszer töltésekre, síkkondenzátorra. Villám, villámvédelem. 2. Egyenáramú körök törvényei, feszültség és áramgenerátorok, szuperpozíció.
RészletesebbenProgramozható irányítóberendezések és szenzorrendszerek ZH. Távadók. Érdemjegy
Név Neptun-kód Hallgató aláírása 0-15 pont: elégtelen (1) 16-21 pont: elégséges (2) 22-27 pont: közepes (3) 28-33 pont: jó (4) 34-40 pont: jeles (5) Érzékelők jellemzése Hőmérsékletérzékelés Erő- és nyomásmérés
RészletesebbenA mérés célkitűzései: Kaloriméter segítségével az étolaj fajhőjének kísérleti meghatározása a Joule-féle hő segítségével.
A mérés célkitűzései: Kaloriméter segítségével az étolaj fajhőjének kísérleti meghatározása a Joule-féle hő segítségével. Eszközszükséglet: kaloriméter fűtőszállal digitális mérleg tanulói tápegység vezetékek
RészletesebbenJelölje meg (aláhúzással vagy keretezéssel) Gyakorlatvezetőjét! Györke Gábor Kovács Viktória Barbara Könczöl Sándor. Hőközlés.
MŰSZAKI HŐTAN II.. ZÁRTHELYI Adja meg az Ön képzési kódját! N Név: Azonosító: Terem Helyszám: K - Jelölje meg (aláhúzással vagy keretezéssel) Gyakorlatvezetőjét! Györke Gábor Kovács Viktória Barbara Könczöl
RészletesebbenHasználható segédeszköz: szabványok, táblázatok, gépkönyvek, számológép
A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján. Szakképesítés, azonosító száma és megnevezése 34 522 02 Elektromos gép és készülékszerelő
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Buapesti Műszaki és Gazaságtuományi Egyetem MKROEEKTRONKA, VEEA6 Térvezérelt tranzisztorok. A JFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/11-jfet.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint
RészletesebbenElektromos áram, áramkör, ellenállás
Elektromos áram, áramkör, ellenállás Az anyagok szerkezete Az anyagokat atomok, molekulák építik fel, ezekben negatív elektromos állapotú elektronok és pozitív elektromos állapotú protonok vannak. Az atomokban
RészletesebbenMintavételező és tartó áramkörök
8. Laboratóriumi gyakorlat Mintavételező és tartó áramkörök 1. A dolgozat célja A mintavételező és tartó (Sample and Hold S/H) áramkörök működésének vizsgálata, a tároló kondenzátor értékének és minőségének
RészletesebbenEgységes jelátalakítók
6. Laboratóriumi gyakorlat Egységes jelátalakítók 1. A gyakorlat célja Egységes feszültség és egységes áram jelformáló áramkörök tanulmányozása, átviteli karakterisztikák felvétele, terhelésfüggőségük
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: A tranzisztor, mint kapcsoló
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: A tranzisztor, mint kapcsoló 1 Felhasznált irodalom Oláh András, Tihanyi Attila, Cserey György: Elektronikai alapmérések (előadásvázlatok) Szabó Géza: Elektrotechnika-Elektronika
RészletesebbenKONDENZÁTOR FELTÖLTÉSE ELLENÁLLÁSON KERESZTÜL KONDENZÁTOR KISÜTÉSE ELLENÁLLÁSON KERESZTÜL KAPACITÍV ELLENÁLLÁS INDUKTÍV ELLENÁLLÁS U T + U T X = I R
KODZÁO FLÖLÉS LLÁLLÁSO KSZÜL KODZÁO KSÜÉS LLÁLLÁSO KSZÜL öltetlen kondenzátor egyenáramú feltöltése ellenálláson keresztül: + egyenáramú (D) feszültséggenerátor (pl. akkumulátor) A töltőáram + A feltöltetlen
RészletesebbenHobbi Elektronika. Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET)
Hobbi Elektronika Bevezetés az elektronikába: Térvezérlésű tranzisztorok (FET) 1 Felhasznált irodalom Sulinet Tudásbázis: Unipoláris tranzisztorok Electronics Tutorials: The MOSFET CONRAD Elektronik: Elektronikai
RészletesebbenVillamos hálózatok - áramkörök
Villamos hálózatok - áramkörök Az elektromágneses térnek olyan egyszerűsített leírása, amely csak az erőtér néhány jellemző mennyisége közötti kapcsolatára vonatkozik Áram Töltések rendezett mozgása villamos
Részletesebben2. ábra: A belső érintkezősorok
1.1 Dugaszolós felület A kísérleteket egy labor kísérleti kártyán építjük meg. A 2,54 mm raszteres, 270 kontaktusos dugaszoló felület biztosítja az alkatrészek biztos összekötését. Conrad Szaküzlet 1067
RészletesebbenÁramlástechnikai gépek soros és párhuzamos üzeme, grafikus és numerikus megoldási módszerek (13. fejezet)
Áramlástechnikai gépek soros és párhuzamos üzeme, grafikus és numerikus megoldási módszerek (3. fejezet). Egy H I = 70 m - 50000 s /m 5 Q jelleggörbéjű szivattyú a H c = 0 m + 0000 s /m 5 Q jelleggörbéjű
RészletesebbenElektronika. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke
Elektronika Elektronika előadás Mérnök informatikus szak Dr. Rencz Márta, Dr. Ress Sándor http://www.eet.bme.hu A tantárgy oktatásának módja Az előadások vázlata PDF-formátumban a tanszéki webről letölthető:
Részletesebben- elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetők félvezetők szigetelő anyagok
lektro- és irányítástechnika. jegyzet-vázlat 1. Félvezető anyagok - elektromos szempontból az anyagokat három csoportra oszthatjuk: vezetők félvezetők szigetelő anyagok - vezetők: normál körülmények között
RészletesebbenMATEMATIKA ÉRETTSÉGI TÍPUSFELADATOK MEGOLDÁSAI KÖZÉPSZINT Trigonometria
005-05 MATEMATIKA ÉRETTSÉGI TÍPUSFELADATOK MEGOLDÁSAI KÖZÉPSZINT Trigonometria A szürkített hátterű feladatrészek nem tartoznak az érintett témakörhöz, azonban szolgálhatnak fontos információval az érintett
RészletesebbenSZOLGÁLATI TITOK! KORLÁTOZOTT TERJESZTÉSŰ!
A 10/2007 (II. 27.) SzMM rendelettel módosított 1/2006 (II. 17.) OM rendelet Országos Képzési Jegyzékről és az Országos Képzési Jegyzékbe történő felvétel és törlés eljárási rendjéről alapján. Szakképesítés,
RészletesebbenMUNKAANYAG. Macher Zoltán. Járművek villamossági berendezéseinek, diagnosztikája és javítása I. A követelménymodul megnevezése: Gépjárműjavítás I.
Macher Zoltán Járművek villamossági berendezéseinek, diagnosztikája és javítása I. A követelménymodul megnevezése: Gépjárműjavítás I. A követelménymodul száma: 0675-06 A tartalomelem azonosító száma és
RészletesebbenBETONACÉLOK HAJLÍTÁSÁHOZ SZÜKSÉGES l\4"yomaték MEGHATÁROZÁSÁNAK EGYSZERŰ MÓDSZERE
BETONACÉLOK HAJLÍTÁSÁHOZ SZÜKSÉGES l\4"yomaték MEGHATÁROZÁSÁNAK EGYSZERŰ MÓDSZERE BACZY"SKI Gábor Budape?ti 1Iűszaki Egyetem, Közlekedésmérnöki Kar Epítő- és Anyagmozgató Gépek Tanszék Körkeresztmetszet{Í
RészletesebbenVezérlés és irányítástechnológia (Mikroprocesszoros irányítás)
Vezérlés és irányítástechnológia (Mikroprocesszoros irányítás) 2.7. DC motor bekapcsolása 2.08. DC motor forgásirány változtatása (jelfogós kapcsolás) 2.09. DC motor forgásirány változtatás (integrált
RészletesebbenAz ideális feszültségerősítő ELEKTRONIKA 2
Az ideális feszültségerősítő ELEKTONIKA Erősítők: Erősítőknek nevezzük azokat az áramköröket amelyek: Nagyobb teljesítményt képesek a kimeneti áramkörben szolgáltatni mind amennyit a bemeneti jelforrástól
RészletesebbenXXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN
2007. február 6. 1 Pálinkás József: Fizika 2. XXV. ELEKTROMOS VEZETÉS SZILÁRD TESTEKBEN Bevezetés: Az előző fejezetekben megismertük, hogy a kvantumelmélet milyen jól leírja az atomok és a molekulák felépítését.
Részletesebben(1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London)
100 éve született Gábor Dénes Gábor Dénes a holográfia atyja (1900. június 5. Budapest 1979. február 8. London) A jövõt nem lehet megjósolni, de jövõnket föl lehet találni. Gábor Dénes Gábor Dénes, angol
RészletesebbenElőgyergyártott konzolos és konzolos támfalas közlekedési vasbeton elemcsaládok a kerékpáros és gyalogos közlekedési területek növelésére
Előgyergyártott konzolos és konzolos támfalas közlekedési vasbeton elemcsaládok a kerékpáros és gyalogos közlekedési területek növelésére Adott esetben hegy- és dombvidéken, vízparton, hídfőknél az egyetlen
RészletesebbenA stabil üzemű berendezések tápfeszültségét a hálózati feszültségből a hálózati tápegység állítja elő (1.ábra).
3.10. Tápegységek Az elektronikus berendezések (így a rádiók) működtetéséhez egy vagy több stabil tápfeszültség szükséges. A stabil tápfeszültség időben nem változó egyenfeszültség, melynek értéke független
RészletesebbenKompromisszum. Levegőtisztaság-védelem. Lehetséges tisztítási módszerek. Légszennyezettség csökkentésére ismert alternatív lehetőségek
Kompromisszum Levegőtisztaság-védelem A levegőszennyezés elleni védekezés lehetőségei Az emissziók szabályozásának mértéke: A környezet minőségére vonatkozó társadalmi igény Az ország gazdasági lehetőségei
RészletesebbenEllenállások méretezése. Elektronikus elemek. Fix ellenállások: Elektronikus berendezésekben használatos eszközök.
Ellenállások méretezése Elektronikus berendezésekben használatos eszközök Palóc Péter BMF KVK Mikroelektronikai és Technológiai Intézet Megengedett max. disszipáció, Tőrés (értéksorok) Különleges ellenállásoknál:
RészletesebbenSzigetelők Félvezetők Vezetők
Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).
RészletesebbenHasználható segédeszköz: szabványok, táblázatok, gépkönyvek, számológép
A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III.28) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján. Szakképesítés, azonosító száma és megnevezése 34 522 02 Elektromos gép- és készülékszerelő
Részletesebben2. Egymástól 130 cm távolságban rögzítjük az 5 µ C és 10 µ C nagyságú töltéseket. Hol lesz a térerısség nulla? [0,54 m]
1. Elektrosztatika 1. Egymástól 30 m távolságban rögzítjük az 5 µ C és 25 µ C nagyságú töltéseket. Hová helyezzük a 12 µ C nagyságú töltést, hogy egyensúlyban legyen? [9,27 m] 2. Egymástól 130 cm távolságban
RészletesebbenMéréstechnika. 3. Mérőműszerek csoportosítása, Elektromechanikus műszerek általános felépítése, jellemzőik.
2 Méréstechnika 1. A méréstechnika tárgya, mérés célja. Mértékegységrendszer kialakulása, SI mértékegységrendszer felépítése, alkalmazása. Villamos jelek felosztása, jelek jellemző mennyiségei, azok kiszámítása.
RészletesebbenGingl Zoltán, Szeged, :44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok
Gingl Zoltán, Szeged, 2016. 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 1 2016. 12. 13. 7:44 Elektronika - Diódák, tranzisztorok 2 Egyenirányító (rectifier) Mint egy szelep deális dióda Nyitó
RészletesebbenTermészettudomány. 1-2. témakör: Atomok, atommodellek Anyagok, gázok
Természettudomány 1-2. témakör: Atomok, atommodellek Anyagok, gázok Atommodellek viták, elképzelések, tények I. i.e. 600. körül: Thálész: a víz az ősanyag i.e. IV-V. század: Démokritosz: az anyagot parányi
RészletesebbenBudapesti Muszaki és Gazdaságtudományi Egyetem, Közlekedésmérnöki Kar, Közlekedésautomatikai Tanszék Elektrotechnika 3. félév
Budapesti Muszaki és Gazdaságtudományi Egyetem, Közlekedésmérnöki Kar, Közlekedésautomatikai Tanszék Elektrotechnika 3. félév 1. Villamos erotér összefüggései általánosan, pontszeru töltésekre, síkkondenzátorra.
RészletesebbenMagyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben
Erdélyi Magyar Műszaki Tudományos Társaság Magyar nyelvű szakelőadások a 2000-2001-es tanévben Kolozsvári Műszaki Egyetem Számítástechnika Kar Szerzők dr. Baruch Zoltán Bíró Botond dr. Buzás Gábor dr.
RészletesebbenAutóipari beágyazott rendszerek. Fedélzeti elektromos rendszer
Autóipari beágyazott rendszerek Fedélzeti elektromos rendszer 1 Személygépjármű fedélzeti elektromos rendszerek 12V (néha 24V) névleges feszültség Energia előállítás Generátor Energia tárolás Akkumulátor
RészletesebbenB+ B- A+ A- G Y 1 C1 2 3 C2 4
230V BE Trafó 230V/16V Min 30VA Amennyiben nincs beltéri sziréna, akkor a B és B pontok közé be kell kötni 1db 1kiloohmos ellenállást! Akku 12V/7Ah 3,15A Biztosító BA BA B B A A G Y 1 C1 2 3 C2 4 1 A A
RészletesebbenAnalízis elo adások. Vajda István. 2012. szeptember 24. Neumann János Informatika Kar Óbudai Egyetem. Vajda István (Óbudai Egyetem)
Vajda István Neumann János Informatika Kar Óbudai Egyetem 1/8 A halmaz alapfogalom, tehát nem definiáljuk. Jelölés: A halmazokat általában nyomtatott nagybetu vel jelöljük Egy H halmazt akkor tekintünk
RészletesebbenMérési útmutató Periodikus, nem szinusz alakú jelek értékelése, félvezetős egyenirányítók
BUDAPESTI MŰSZAKI ÉS GAZDASÁGTUDOMÁYI EGYETEM VILLAMOSMÉRÖKI ÉS IFORMATIKAI KAR VILLAMOS EERGETIKA TASZÉK Mérési útmutató Periodikus, nem szinusz alakú jelek értékelése, félvezetős egyenirányítók vizsgálata
RészletesebbenORSZÁGOS KÖRNYEZETEGÉSZSÉGÜGYI INTÉZET
ORSZÁGOS KÖRNYEZETEGÉSZSÉGÜGYI INTÉZET 197 Budapest, Gyáli út 2-6. Levélcím: 1437 Budapest Pf.: 839 Telefon: (6-1) 476-11 Fax: (6-1) 21-148 http://efrirk.antsz.hu/oki/ A PARLAGFŰ POLLENSZÓRÁSÁNAK ALAKULÁSA
RészletesebbenHázi dolgozat. Minta a házi dolgozat formai és tartalmi követelményeihez. Készítette: (név+osztály) Iskola: (az iskola teljes neve)
Házi dolgozat Minta a házi dolgozat formai és tartalmi követelményeihez Készítette: (név+osztály) Iskola: (az iskola teljes neve) Dátum: (aktuális dátum) Tartalom Itt kezdődik a címbeli anyag érdemi kifejtése...
Részletesebben