Buapesti Műszaki és Gazaságtuományi Egyetem MKROEEKTRONKA, VEEA6 Térvezérelt tranzisztorok. A JFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/11-jfet.ppt http://www.eet.bme.hu
Vizsgált absztrakciós szint RENSZER (SYSTEM) RÉSZEGYSÉG (MOE) KAP (GATE) ÁRAMKÖR (CRCT) V in V out ESZKÖZ (EVCE) G S n n 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11
A JFET FET Fiel Effect Transistor a töltéshorozók áramlását elektromos térerősséggel befolyásoljuk (kapu) (forrás) Csatorna (nyelő) JNCTON FET: pn-átmenet kiürített rétege zárja el a csatornát egfontosabb paraméter: elzáróási feszültség Keresztirányú térerő vezérel nipoláris eszköz: többségi töltéshorozók vezetnek Vezérlő teljesítmény Normally on evice: ha nem csinálok vele semmit, vezet 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11
A JFET egy lehetséges kivitel: ezárt PN átmenet kiürített rétegének a vastagsága szabályozza a csatorna vezetőképességét PN átmenet PN junction junction FET PN átmenet Sperrschicht Sperrschicht záróréteg záróréteges FET 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 4
A JFET Jelölések: Karakterisztikák: vezérelhető ellenállás (lás MOSFET trióa tartomány) elzáróási feszültség 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 5
Az elzáróási feszültség számítása (x) W csatorna geometriai vastagsága h (x) Elzáróás: geometriai vastagság x kiürített réteg vastagsága x S kiürített réteg szélessége ε ε qn qn qn 8ε 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 6
PÉA Határozzuk meg egy Si JFET elzáróási feszültségét, ha a csatorna vastagsága 4 μm és aalékolása N 1 15 /cm! qn 8ε 19 1 1,6 1 1 6 (4 1 ), 6V 1 8 11,8 8,86 1 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 7
A karakterisztika egyenlete ( x)? ( x ) h h ε ( x) ( x) qn 1 1/ ( x ) G 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 8
A karakterisztika egyenlete W h σe ( x ) ( x ) G h 1 1/ Wσ x 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 9 x W σ W G h h h σ x x
A karakterisztika egyenlete h 1 1/ W σ G h W σ Csatornavezetés G W σ G 1 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 1 G 1/ W σ G / / G
11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 11 G G G G / / A karakterisztika egyenlete G G / G Áram állanó G / [ ] ) ( ) ( G F F / ) ( F A trióa tartományra!
A karakterisztika egyenlete [ F( ) F( )] G A teljes tartományra! F( ) F( ) 1 / ha ha < Csak telítésben: / 1 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 1
Kisjelű paraméterek, helyettesítőkép Mereekség g m S áll Kimeneti vezetés g S áll Feszültség erősítés A u u u ki be g m R t 1 g 11-1-8 Térvezérelt tranzisztorok.: A JFET-ek Poppe Anrás & Székely Vlaimír, BME-EET 8-11 1