A mágneses térerő mérése roncsolásmentes hibavizsgálat céljából

Hasonló dokumentumok
= Φ B(t = t) Φ B (t = 0) t

azonos sikban fekszik. A vezetőhurok ellenállása 2 Ω. Számítsuk ki a hurok teljes 4.1. ábra ábra

Elektrotechnika. Ballagi Áron

Nanoelektronikai eszközök III.

Gyakorlat 30B-14. a F L = e E + ( e)v B képlet, a gravitációs erőt a (2.1) G = m e g (2.2)

Gépészmérnöki alapszak, Mérnöki fizika 2. ZH, december 05. Feladatok (maximum 3x6 pont=18 pont)

ÓRIÁS MÁGNESES ELLENÁLLÁS

Orvosi jelfeldolgozás. Információ. Információtartalom. Jelek osztályozása De, mi az a jel?

2.) Fajlagos ellenállásuk nagysága alapján állítsd sorrendbe a következő fémeket! Kezd a legjobban vezető fémmel!

Mágneses erőtér. Ahol az áramtól átjárt vezetőre (vagy mágnestűre) erő hat. A villamos forgógépek mutatós műszerek működésének alapja

Szupravezetés. Mágneses tér mérő szenzorok (DC, AC) BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék. Dr. Mészáros István. Előadásvázlat 2013.

3. Laboratóriumi gyakorlat A HŐELLENÁLLÁS

Mágneses mező jellemzése

Számítási feladatok megoldással a 6. fejezethez

Zárt mágneskörű induktív átalakítók

Hálózati egyenirányítók, feszültségsokszorozók Egyenirányító kapcsolások

M ű veleti erő sítő k I.

Az elektromágneses tér energiája

3.1. ábra ábra

1. Milyen módszerrel ábrázolhatók a váltakozó mennyiségek, és melyiknek mi az előnye?

1. fejezet. Gyakorlat C-41

MÁGNESES TÉR, INDUKCIÓ

Rogowski-tekercses árammérő rendszer tervezése és fejlesztése

2000 Szentendre, Bükköspart 74 MeviMR 3XC magnetorezisztív járműérzékelő szenzor

Pótlap nem használható!

1. feladat R 1 = 2 W R 2 = 3 W R 3 = 5 W R t1 = 10 W R t2 = 20 W U 1 =200 V U 2 =150 V. Megoldás. R t1 R 3 R 1. R t2 R 2

Áramköri elemek mérése ipari módszerekkel


Elektromos áramerősség

1 kérdés. Személyes kezdőlap Villamos Gelencsér Géza Simonyi teszt május 13. szombat Teszt feladatok 2017 Előzetes megtekintés

Mérés és adatgyűjtés

Négypólusok helyettesítő kapcsolásai

N I. 02 B. Mágneses anyagvizsgálat G ép A mérés dátuma: A mérés eszközei: A mérés menetének leírása:

A nehézfémek növényi vízháztartásra gyakorolt hatásának vizsgálata Mágneses Rezonancia készülékkel. Készítette: Jakusch Pál Környezettudós

Minden mérésre vonatkozó minimumkérdések

FIZIKA II. Egyenáram. Dr. Seres István

Ferromágneses anyagok mikrohullámú tulajdonságainak vizsgálata

Koincidencia áramkörök

A mérések általános és alapvető metrológiai fogalmai és definíciói. Mérések, mérési eredmények, mérési bizonytalanság. mérés. mérési elv

Mágneses mező jellemzése

SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK

A munkavégzés a rendszer és a környezete közötti energiacserének a D hőátadástól eltérő valamennyi más formája.

Tartalomjegyzék. Emlékeztetõ. Emlékeztetõ. Spektroszkópia. Fényelnyelés híg oldatokban 4/11/2016. A fény; Abszorpciós spektroszkópia

Szilárdtestek mágnessége. Mágnesesen rendezett szilárdtestek

Elektronika Előadás. Modulátorok, demodulátorok, lock-in erősítők

a) Valódi tekercs b) Kondenzátor c) Ohmos ellenállás d) RLC vegyes kapcsolása

71. A lineáris és térfogati hőtágulási tényező közötti összefüggés:

1. Visszacsatolás nélküli kapcsolások

7. L = 100 mh és r s = 50 Ω tekercset 12 V-os egyenfeszültségű áramkörre kapcsolunk. Mennyi idő alatt éri el az áram az állandósult értékének 63 %-át?

TARTALOMJEGYZÉK. Előszó 9

Gyakorlat 34A-25. kapcsolunk. Mekkora a fűtőtest teljesítménye? I o = U o R = 156 V = 1, 56 A (3.1) ezekkel a pillanatnyi értékek:

Elektromos ellenállás, az áram hatásai, teljesítmény

Összefüggő szakmai gyakorlat témakörei

Tételek Elektrotechnika és elektronika I tantárgy szóbeli részéhez 1 1. AZ ELEKTROSZTATIKA ALAPJAI AZ ELEKTROMOS TÖLTÉS FOGALMA 8 1.

ADATTÁROLÁS: LÁGY- ÉS MEREVLEMEZEK KOVÁCS MÁTÉ

Szupravezető alapjelenségek

RÉSZLETEZŐ OKIRAT (1) a NAH-0162/2018 nyilvántartási számú akkreditált státuszhoz

TxBlock-USB Érzékelőfejbe építhető hőmérséklet távadó

Kirchhoff 2. törvénye (huroktörvény) szerint az áramkörben levő elektromotoros erők. E i = U j (3.1)

Elektronika 2. TFBE1302

MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I

Elektrotechnika 9. évfolyam

Számítási feladatok a 6. fejezethez

Az Ampère-Maxwell-féle gerjesztési törvény

3. (b) Kereszthatások. Utolsó módosítás: április 1. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék

Magnesia. Itt találtak már az ókorban mágneses köveket. Μαγνησία. (valószínű villámok áramának a tere mágnesezi fel őket)

HASZNÁLATI ÚTMUTATÓ Tolatóradarhoz

Jegyzőkönyv. mágneses szuszceptibilitás méréséről (7)

KÖZEG. dv dt. q v. dm q m. = dt GÁZOK, GŐZÖK ÉS FOLYADÉKOK ÁRAMLÓ MENNYISÉGÉNEK MÉRÉSE MÉRNI LEHET:

Elmozdulás mérés BELEON KRISZTIÁN BELEON KRISTIÁN - MÉRÉSELMÉLET - ELMOZDULÁSMÉRÉS 1

MÉRÉSI JEGYZŐKÖNYV. A mérés megnevezése: Potenciométerek, huzalellenállások és ellenállás-hőmérők felépítésének és működésének gyakorlati vizsgálata

BMF, Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar, Híradástechnika Intézet. Aktív Szűrő Mérése - Mérési Útmutató

Elektrotechnika 11/C Villamos áramkör Passzív és aktív hálózatok

Fizika II. feladatsor főiskolai szintű villamosmérnök szak hallgatóinak. Levelező tagozat

X. ANALÓG JELEK ILLESZTÉSE DIGITÁLIS ESZKÖZÖKHÖZ

Fizika minta feladatsor

FIZIKA. Váltóáramú hálózatok, elektromágneses hullámok

TB6600 V1 Léptetőmotor vezérlő

Kompenzációs kör vizsgálata. LabVIEW előadás

Nyári gyakorlat teljesítésének igazolása Hiányzások

A kísérlet, mérés megnevezése célkitűzései: Váltakozó áramú körök vizsgálata, induktív ellenállás mérése, induktivitás értelmezése.

NOVOTECHNICA. LAB 9 Mágneses hurokérzékelõ Szerelési és karbantartási utasítása

Mérés és adatgyűjtés

EGYENÁRAMÚ TÁPEGYSÉGEK

A mágneses tulajdonságú magnetit ásvány, a görög Magnészia városról kapta nevét.

Vezetők elektrosztatikus térben

Feszültségérzékelők a méréstechnikában

A felmérési egység kódja:

Informatikai eszközök fizikai alapjai Lovász Béla

Nemzeti Akkreditáló Testület. RÉSZLETEZŐ OKIRAT a NAT /2014 nyilvántartási számú akkreditált státuszhoz

Digitális mérőműszerek. Kaltenecker Zsolt Hiradástechnikai Villamosmérnök Szinusz Hullám Bt.

Tervezte és készítette Géczy LászlL. szló

Analóg elektronika - laboratóriumi gyakorlatok

Stern Gerlach kísérlet. Készítette: Kiss Éva

örvényáramos vizsgálata a petrolkémiai iparban

Mágnesség, spinszelepek

Mérésadatgyűjtés, jelfeldolgozás.

Nagyfrekvenciás rendszerek elektronikája házi feladat

Speciális passzív eszközök

Összetett hálózat számítása_1

Átírás:

A TERMELÉSI FOLYAMAT MINÕSÉGKÉRDÉSEI, VIZSGÁLATOK 2.5 A mágneses térerő mérése roncsolásmentes hibavizsgálat céljából Tárgyszavak: elektronikus (integrált) áramkörök vizsgálata; vezetékstruktúra ellenőrzése; mágneses térerő; mérés. Számos olyan mágneses detektortípus létezik, amelyek működési elve különböző fizikai tulajdonságokon alapul, azonban közülük csupán néhány alkalmas a tokozott integrált áramkörök vezetékstruktúrájának felmérésére. Az erre a célra alkalmazható detektorral szemben három, alapvető jelentőségű követelményt kell támasztani. Mindenekelőtt az érzékenységnek 1 mikrotesla (µt) határértéken belül kell lennie. Miután előreláthatólag a térgradiens is kicsiny, néhány nt nagyságrendű felbontóképességre, más szavakkal kifejezve 60 db dinamikus tartományra van szükség. Ha csak gradiométeres vizsgálatról van szó, az utóbbi követelmény részben figyelmen kívül hagyható. Ennek ellenére ez az első követelmény kizárja a hagyományos Halldetektor használatának lehetőségét, bár segítségével mikrométer nagyságrendű térbeli felbontóképesség érhető el. A térerő-érzékelés jelenlegi helyzete A jelenleg létező legérzékenyebb mágnestérerő-detektor a Squid. Ennek működése a Josephson-jelenségre épül, amely a fluxus kvantum Φ 0 = 2 10 15 Wb töredékének érzékelését teszi lehetővé. Megfelelő elektronikus hálózat igénybevétele esetében a felbontóképesség 10 20 nagyságrendű lehet, ami egy 1 cm átmérőjű tekercs esetében mintegy 5 ft térerőnek felel meg. Összehasonlítás kedvéért: a Föld mágnesterének fluxusa mintegy 10 nagyságrenddel nagyobb. A szupravezetőknek egészen alacsony hőmérsékleteken nincs villamos ellenállásuk. Az a hőmérséklet, amely alatt szupravezetés jön létre, az anyag sajátos fizikai jellemzője, és kritikus hőmérsékletnek nevezik. Ez alatt a hőmérséklet alatt az áram szabadon áramlik a vezetőn keresztül. Azonban ehhez a szupravezető anyagtól függően cseppfolyós He-ra, vagy N-re, ennek

következtében a vizsgált minta és a detektor között viszonylag nagy távolság betartására van szükség. A fluxuskapu-detektor kis telítésű ferromágneses maggal van ellátva. Bár elvileg nt nagyságrendű felbontóképességet képes elérni a mag mérete következtében nem biztosíthat mikrométer nagyságrendű térbeli felbontóképességet. Az anyag mágneses permeabilitásának változásán alapuló GMI (giant magneto-impedance, óriás mágneses impedancia) eszközzel különösen rezonancia-áramkörbe kapcsolt formában rendkívül hatékony detektálórendszer megvalósítására nyílik lehetőség. Azonban a GMI magját nem lehet mikrométer nagyságrendűre csökkenteni, ha még elfogadható érzékenységre törekszünk. Tehát a térbeli felbontóképesség a második alapvető követelmény. Azonban a térbeli felbontóképesség egyáltalán nem érvényesül, ha a detektor nincs elég közel a vizsgálandó minta felületéhez. Első közelítésben a térbeli felbontóképesség nagyságrendje a vizsgálati távolságnak felel meg. Ez viszont függ a detektor méretétől. Vagyis a lehetséges vizsgálati távolság a mágneses detektor konstrukciójának harmadik alapvető fontosságú tényezője. Bár a Squid-detektorokkal érhető el a legnagyobb érzékenység, a mélyhűtési igény miatt a vizsgálati távolság nem felel meg a mikrométeren belüli felbontóképesség követelményének még akkor sem, ha magának a detektornak a mérete mikrométer nagyságrendű. Másrészt méretük és az elérhető vizsgálati távolság következtében a Hall-detektorok segítségével van némi lehetőség helyileg korlátozott mágneses információ érzékelésére. A szobahőmérsékleten felhasználható magnetorezisztív alkatrészek mikrométer nagyságrendű konstrukciós megoldást tesznek lehetővé. Ezért szóba kerülhet az AMR (anizotróp mágneses ellenállás) és GMR (óriás megneses ellneállás) detektorok felhasználása. Az AMR detektor ellenállás-változása néhány % nagyságrendű, míg a GMR esetében 100% fölötti. A többi (Squid, fluxuskapu) detektorhoz viszonyítva ezek a detektorok kedvező kompromiszszumot képviselnek a méret és az érzékenység között. Kísérleti eredmények Vezetékstruktúra-felmérő rendszer Különböző magneto-ellenállásos detektorok összehasonlító értékelése céljából koordináta-mérőasztalból és szinkronizált differenciál detektáló áramkörből álló rendszert állítottak össze. A nyomtatott áramkörös áramforrást koordináta-mérőasztalon rögzítették. A detektor az erre a síkra merőleges irányban elmozdítható. A mérőáramkör a zajos detektorjel amplitúdóját és fázisát érzékeli. A zaj nagy részét keskenysávú szűrőhálózat szűri ki. A jelfrekvenciát és ennek megfelelően a szűrő át-

eresztési sávját az a referenciajel szabja meg, amelyet a szinkronizált detektálási folyamattal együtt érzékel az áramkör. A referenciajel a mérendő jel modulációs frekvenciájával egyezik meg. A mérés automatizálására és az eredmények kimentésére alkalmas szoftvert dolgoztak ki. Anizotróp magneto-ellenállásos (AMR) detektorok A magnetorezisztív hatás lényege, hogy az anyag ellenállása a mágneses tér hatására megváltozik. Az AMR detektor igen érzékeny a gyenge mágneses terekre. Maximális ellenállás-változásuk 3 4 % nagyságrendű. A detektor anyaga mágnesesen anizotróp, ferromágneses vékonyréteg (permalloy). A detektor érzékenysége függ a mágneses hiszterézishurok szélességétől és az ellenállás fajlagos változásától. Akkor változik meg az ellenállás, ha a mágneses vektor külső mágnestér hatására a könnyű mágnesezhetőség irányából 90 -kal elfordul. Az ellenállás-változás feszültséggé való átalakítása céljából a detektort Wheatstone-hídba kapcsolt négy önálló ellenállás formájában valósítják meg. Az első vizsgálatokhoz egy, a kereskedelemből beszerezhető AMR detektort használtak fel. A Honeywell gyártmányú, HMC1001 detektor lényegében egyszerű, hídkapcsolású ellenállás, amely csupán tápfeszültséget igényel. A szilíciumszeletre, sávellenállás formájában felvitt nikkel-vas vékonyréteg mágnesezési vektora a rá merőleges irányú mágneses tér hatására elfordul. A vektor irányszögének megváltozása következtében módosul a villamos ellenállás, és ennek megfelelően megváltozik a Wheatstone-híd kapcsolás kimeneti feszültsége. A detektorokat úgy gyártják, hogy a könnyű mágnesezés iránya a vékonyréteg hosszába mutasson. Ebben az esetben, adott feszültség esetén maximális lesz a permalloy vékonyréteg ellenállásának változása. Amennyiben azonban a könnyű mágnesezhetőség irányában túl nagy (10 gauss fölötti) a mágnestér, a vékonyréteg mágnesezési polaritása átbillen, és ezzel megváltozik a detektor jelleggörbéje. Ilyen esetben rövid ideig ható, nagy ellenirányú mágnestérrel kell visszaállítani a detektor eredeti jelleggörbéjét. A detektort a vizsgált nyomtatott áramkör vezetőmintázatával párhuzamosan, azoktól 500 mikrométer távolságra helyezték el. A Wheatstone-híd kapcsolás négy eleme közül kettőt leárnyékoltak, hogy ellenállásuk a mágnestér jelenlétében ne változzon. Ezzel a kapcsolással közvetlenül lehet mérni a mágnestér hatására létrejövő változásokat. A huzalhálózat fölött elmozdított detektor jelét néhány khz frekvenciával modulálták. A vizsgálatot három huzalon végezték. A középső huzal feszültségmentes volt. A huzalok 5 ma áramterhelésig pontosan detektálhatók. Ez 2 µt mért térerőnek felel meg. Ezek a megfigyelt értékek megfelelnek a kereskedelmileg szavatolt adatoknak.

Óriás magneto-ellenállásos (GMR) detektor Az óriási magneto-ellenállásos hatás olyan kvantummechanikai jelenség, amikor a rendkívül vékony mágneses rétegből álló struktúrán áthaladó elektronok spin-állapotukkal összhangban nagy szóródás hatásának vannak kitéve. Ennek megfelelően változik (általában 10%-nál nagyobb mértékben) az anyag villamos ellenállása. Az ilyen elven működő legegyszerűbb struktúra két, egymással nem egyenértékű ferromágneses rétegből áll, amelyeket nem mágneses távtartó réteg választ el egymástól. Ezek a különlegesen vékony, általában néhány nm vastag rétegek olyan óriási mágneses molekulaként viselkednek, amelyekben a kvantummechanikai kölcsönhatási erő elég nagy ahhoz, hogy teljesen ellensúlyozza a dipólusteret és az egyes rétegekben rendezze a spinirányokat. Ennek következtében az egyes rétegek úgy viselkednek, mintha egyetlen spin-vektorral, vagy mágneses momentummal rendelkeznének. A külső tér intenzitásának hatására a vektor iránya megváltozik, de nagysága állandó marad. Amikor a rétegek mágnesezettsége azonos irányú, mindkét irányba végighaladhatnak rajtuk az elektronok, anélkül, hogy számottevően szóródnának. Amikor azonban a rétegek mágnesezettsége ellenirányú, kis térerő hatására az egyik spin-állapot erősen szóródásos, ami nagyon megnöveli a teljes ellenállást. A GMR detektorok mágneses rétegek által közrefogott rézötvözetből készülnek. A mágneses rétegek sem homogének, hanem kobalt-vas kettős rétegek. A detektor ellenállás-változása elérheti a 70%-ot. A GMR detektorok kimenőjele nagyobb, mint a hagyományos anizotróp magneto-ellenállásos detektoroké. Ezen túlmenőleg a nagy térerő nem bilenti át a GMR detektorokat, mint ahogy az az AMR detektorok esetében történik. A GMR detektor (NVE AA002) felhasználásakor mindenekelőtt azt vizsgálták, mekkora a minimálisan detektálható áramerősség. A mérésnél a detektor a nyomtatott áramkör vezetékhálózatától 200 µm távolságra volt. A minimális érzékelhető áramerősség 1 µa nagyságrendű volt, ami 1 ntnak felel meg. A térbeli felbontóképesség szempontjából a detektor és a nyomtatott áramköri huzalozás közötti vizsgálati távolság túl nagy ahhoz, hogy a mérés megbízható eredményt adjon. Következtetések A GMR detektorokkal végzett kísérletek során a felbontóképesség szempontjából kedvező eredményeket értek el. Ennek ellenére ez a megoldás a detektor mérete következtében még távolról sem elégíti ki a nagymértékben integrált áramkörök vizsgálatának követelményeit. A továbbiakban meg kell vizsgálni, milyen más lehetőségek kínálkoznak a detektorméret csökkentésére. (Dr. Barna Gyögyné)

Crépel, O.; Goupil, C. stb.: Magnetic field measurements for non destructive failure analysis. = Microelectronics Reliability, 42. k. 9 11. sz. 2002. p. 1763 1766. Gwinn, J. P.; Webb, R. L.: Performance and testing of thermal interface materials. = Microelectronics Journal, 34. k. 3. sz. 2003. p. 215 222.