Laue-módszer (transzmissziós):egykristályok orientációjának meghatározása Laue-módszer (hársóreflexiós(



Hasonló dokumentumok
Szerkezetvizsgálat ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS (BSc)

Szerkezetvizsgálat szintjei



Mikroszerkezeti vizsgálatok

Mikroszerkezet Krisztallitonként Tömbi Polikristályos Mintában

Milyen simaságú legyen a minta felülete jó minőségű EBSD mérésekhez

Fémüvegek alacsonyhőmérsékleti képlékeny deformációja: belső feszültségek mérése

Diffrakciós szerkezetvizsgálati módszerek

Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.

Correlation & Linear Regression in SPSS

Induction: Circuit équivalent

Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények


Finomszerkezetvizsgálat

Szerkezetvizsgálat szintjei



ELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp

On The Number Of Slim Semimodular Lattices

Probl me J1 - Le trident

Construction of a cube given with its centre and a sideline


FIATAL MŰSZAKIAK TUDOMÁNYOS ÜLÉSSZAKA

Röntgendiffrakció. Orbán József PTE, ÁOK, Biofizikai Intézet november

Nagyműszeres vegyész laboratórium programja. 9:15-9:25 Rövid vizuális ismerkedés a SEM laborral. (Havancsák Károly)

JASCO FTIR KIEGÉSZÍTŐK - NE CSAK MÉRJ, LÁSS IS!

Termékismertető. Wilo-Sevio AIR,

Méthodes Électriques: Résistivité Électrique

Alloy 718 UNS: N 07718


fajtái anyagmegmunkálás anyagmegmunk

Elektrokémiai fémleválasztás. Kristálytani alapok A kristályos állapot szerepe a fémleválásban

Röntgen sugárzás. Wilhelm Röntgen. Röntgen feleségének keze

FÖLDRAJZ FRANCIA NYELVEN

Correlation & Linear Regression in SPSS




















MEDINPROT Gépidő Pályázat támogatásával elért eredmények

Fókuszált ionsugaras megmunkálás

A Raman spektroszkópia alkalmazása fémipari kutatásokban Raman spectroscopy in metallurgical research Dénes Éva, Koós Gáborné, Kőszegi Szilvia


Orvosi tomográkus képalkotás/ct technika alapja


SAR AUTOFÓKUSZ ALGORITMUSOK VIZSGÁLATA ÉS GYAKORLATI ALKALMAZÁSA 2

Miskolci Egyetem Gazdaságtudományi Kar Üzleti Információgazdálkodási és Módszertani Intézet. Correlation & Linear. Petra Petrovics.

Dankházi Z., Kalácska Sz., Baris A., Varga G., Ratter K., Radi Zs.*, Havancsák K.








Festival de la Francophonie Concours «dis-moi dix mots à la folie!»





Pro sensors Measurement sensors to IP Thermo Professional network

Quanta 3D SEM/FIB Kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp. Havancsák Károly

Typotex Kiadó. Tartalomjegyzék




















A nanotechnológia mikroszkópja

Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft

Átírás:

Röntgensugaras vizsgálatok Laue-módszer (transzmissziós):egykristályok orientációjának meghatározása Laue-módszer (hársóreflexiós( hársóreflexiós): egykristályok orientációjának Debye Scherrer Scherrer-módszer: rácsállandó, szemcseméret, kvalitatív kémiai analízis Guinier-módszer: rácsállandó, szemcseméret pontosabb mérése Diffraktométeres mérés Bragg Brentano Brentano-goniométerrel: általános fázianalízis Diffraktométeres mérés textúragoniométerrel: : hidegalakítási, lágyítási, újrakristályosodási textúra vizsgálata Kisszögű röntgenszórás: diszlokációszerkezet,, többfázisú anyagok inhomogenitásai Röntgensugaras mikroanalízis (elektronmikroszkpos vizsgálatoknál) Röntgensugaras topográfia és tomográfia Elektronsugaras vizsgálatok (TEM, SEM stb.) Neutronsugaras vizsgálatok Pásztázó sugaras mikroszkópiai vizsgálatok (STM, AFM stb.) Spektroszkópiai vizsgálatok

A Comparison of Surface Analysis Techniques Technique Depth Resolution Lateral Resolution XPS/ESCA 5to30nm > 250 um AES/SAM 2to30nm > 30 nm FTIR ZnSE-ATR: 2-4µ GE-ATR: 0.4-1µ Depth Profiling Ion-etching Angle-resolved Ion-etching Angle-resolved Analytic Probes Imaging & Mapping Quantitative Accuracy None 5% SEM elemental &chemical 20% Detection Limits 0.1 monolayer 0.1 at. % Z > 2 0.1 monolayer 0.1 at. % Z > 2 Sample Consideration Ultra-high vacuum UHV e-beam damag Charging 10 µ see ATR No Low%(solution) ng - µg Yes Raman 5µ 1 µ Limited Yes No µg Yes EDS ~1 um ~1 um No SEM elemental line-scans Topographic Probes 5% 10 ppm Z > 5 High vacuum e-beam damag Technique Lateral Vertical Resolution Range Resolution Range Sample Considerations Additional Capabilities SEM 3nm N/A N/A N/A AFM/STM < 0.1 nm 100 um < 0.1 nm 7um High vacuum e-beam damage Air or Liquid < 25 mm diam. < 10 mm high Backscatter mode Lateral force nano-scale indentation

öntgensugaras vizsgálatok

Röntgen Bragg & Bragg Bragg Wulff Wulff-egyenlet

röntgensugaras gerjesztés

röntgensugaras gerjesztés Az anódba csapódó elektron lefékeződése A röntgensugárzás forrása

röntgencsövek főbb jellemzői

aue-módszer: fehér röntgenfénnyel

aue-módszer: ehér röntgenfénnyel Transzmissziós Hátsóreflexiós

aue-módszer: Cink-szulfid (1912.) fehér röntgenfénnyel NaCl ( 1 0 0 ) Cu-egykristály

aue-módszer: fehér röntgenfénnyel Silicon Wafer Laue Pattern

aue-módszer: fehér röntgenfénnyel The cubic symmetry of atoms in the tantalum ore mineral microlite is drawn in yellow on this photograph of the diffraction pattern. Sample size 0.1 mm. When tantalum is hosted by calciotantite, the diffraction pattern shows hexagonal symmetry. Sample size 0.1 mm. Calciotantite is extremely rare: only a few grains are known to exist

ebye Scherrer Scherrer-módszer: arakterisztikus sugárzással Debye-gyűrűk, ill. D S-filmD A Debye Scherrer Scherrer-módszernél egy-egy adott Miller-indexű indexű kristálysíkseregről diffraktált nyaláb egy-egy 4Θ4 nyílásszögű kúpfelületet alkot. A D S-kamraD belső, hengeres falára helyezet filmen (ez a detektor) ott jön létre feketedés, ahol a kúpfelületek metszik a hengerpalástot.

Guinier-módszer: arakterisztikus sugárzással A Guinier-kamera vázlata Guinier-film

iffraktométeres-módszer: módszer: arakterisztikus ugárzással

iffraktométeres-módszer módszer AMORF RISTÁLYOS

iffraktométeres-módszer: módszer: arakterisztikus sugárzással

iffraktométeres-módszer: módszer: arakterisztikus sugárzással A vonalprofil jellemzői: a csúcs helye a csúcs intenzitása a csúcs szimmetriája a csúcs eltolódása a csúcs kiszélesedése

iffraktométeres-módszer módszer Textúravizsgálat Sztereografikus vetítés Orientációs mikroszkópia Goss-textúra, kockatextúra

Stress is determined by recording the angular shift of a given Bragg reflection as a function of sample tilt (psi). This actually provides a measure of strain in the sample from which the stress can then be calculated by plotting the change in d-spacing against sin 2 psi.

2D-s s röntgentor ntgentopográfia X-Ray Refraction Computer Tomography (CT) of Carbon/Carbon ceramic matrix composite (CC-CMC); left: sample arrangement, middle: conventional (X-ray absorption) CT, right: cracks by refraction computer topography

3D-s s röntgentor ntgentomográfia Percolation d'une fissure entre les sphères de renfort d'un composite à matrice d'aluminium observé pendant un essai de traction in situ en tomographie aux rayons X sur la ligne ID19

3D-s s röntgentor ntgentomográfia

3D-s s röntgentomogrr ntgentomográfia

3D-s s röntgentomogrr ntgentomográfia

D-s s röntgentor ntgentomográfia a déformation superplastique 'alliages monophasés (Al, Mg) induit n endommagement par cavitation, ui conduit à une ruine prématurée u matériau. Cet endommagement st généralement caractérisé par des esures de variation de densité ou ar métallurgie quantitative effectuée ur des sections. Une nouvelle echnique de caractérisation a été tilisée dans le cadre d'expériences enées à l'esrf de Grenoble : la icro-tomographie X. Celle-ci permet e visualiser en 3D les cavités formées t ainsi d'obtenir des renseignements els que le nombre de cavités, leurs olumes ou leurs formes. On peut insi suivre la variation de tels aramètres avec la déformation, ainsi ue l'illustre la figure 1.

D-s s röntgentor ntgentomográfia CHERCHEZ LA FAILLE... Ces deux photos montrent le męme objet, une fibre de carbure de silicium de 140 microns de large dans une matrice d'aluminium. Mais la premičre obtenue par tomographie X ŕ haute résolution (ŕ gauche) a été prise ŕ l'intérieur męme du matériau, alors que la deuxičme réalisée par miscrocopie électronique, n'a pu ętre observé qu'en coupant le matériau.