MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
|
|
|
- Tamás Fazekas
- 5 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 13. ELİADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELİK III 1. Hall érzékelı alkalmazások. 13. ELİADÁS: 2. Félvezetı magnetorezisztor-érzékelık. 3. Magnetotranziztorok. 4. Ferromágneses alapú érzékelık: aniztróp mágneses ellenállásváltozási érzékelı (AMR), óriás mágneses ellenállásváltozási érzékelı (GMR) 5. Alkalmazások: ferromágneses tárgyak érzékelése, mágneses érzékelık gépkocsikban. 2008/2009 tanév 1. félév 1 2 LORENTZ ERİ LORENTZ ERİ ÉS ÉRZÉKELÉS A legtöbb mágneses szenzor a Lorentz erıt használja ki F = -q v x B mely az anyagban (fém, félvezetı vagy szigetelı) mozgó elektronra hat. Bár a H mágneses térerı az érzékelendı mennyiség, a B mágneses indukció mely az erıhatást leírja, és ez határozza meg a szenzor válaszát. 3 4 MÁGNESES SZENZOR SZERKEZETEK HALL ÉRZÉKLEİK Mőködése a félvezetıben a külsı mágneses térben az áramot hordozó mozgó töltéshordozókra ható Lorentz erın alapul. A lemez alakú, hosszú de kis vastagságú eszközben a lemezre merıleges irányú mágneses tér a hosszirányú áramot hordozó elektronokat vagy lyukakat keresztirányba eltéríti, így a domináns töltéshordozók elıjelétıl illetve a mágneses tér polaritásától függıen a lemez két szélén ellentétes elıjelő töltések halmozódnak fel, melyek egy keresztirányú feszültséget, az ún. Hall-feszültséget hozzák létre. 5 6
![Az eszköz alapegyenlete HALL ÉRZÉKLEİK U H = K x I x B I - az eszközön átfolyó áram [A], B - az alkalmazott mágneses indukció [Vs/m 2 ], U H - a Hall-feszültség [V], K - érzékenységi állandó [m 2](/docs-images/91/106569192/images/2-2.jpg "/As], mely magában foglalja a geometriai, és a félvezetı anyagi paramétereket. Az eszköz kimenıjele a mágneses tér függvényében lineáris.")
2 Az eszköz alapegyenlete HALL ÉRZÉKLEİK U H = K x I x B I - az eszközön átfolyó áram [A], B - az alkalmazott mágneses indukció [Vs/m 2 ], U H - a Hall-feszültség [V], K - érzékenységi állandó [m 2 /As], mely magában foglalja a geometriai, és a félvezetı anyagi paramétereket. Az eszköz kimenıjele a mágneses tér függvényében lineáris. 7 HALL ÉRZÉKLEİK A Hall-generátor félvezetı alapanyaga általában szilícium (Si), gallium-arzenid (GaAs) vagy indium-antimonid (InSb). A mőködési elvbıl következıen a Hall-generátornál is célszerő nagy elektronmozgékonyságú alapanyagot választani. Ezt a feltételt kielégíti a GaAs (az elektronmozgékonysága kb. ötszöröse mint a szilicíumé) de méginkább az InSb. Ugyanakkor a Si technológiája kiforrottabb, könnyen integrálható az eszköz. Alkalmazások: a magnetorezisztorhoz hasonlóan különféle érzékelési feladatok, illetve kontaktus nélküli (más néven mágneses) potenciométerek. 8 HALL SZONDÁS ÁRAMMÉRİ INTEGRÁLT FLUXUSKONCENTRÁTOROS HALL ÉRZÉKELİ Specifikációk (40 ma gerjesztıáram): Méréshatár (FSD), dc vagy ac csúcs ±350 A (±600 A) Kimenı jel (FSD) ±( ma) ac sávszélesség (3dB) dc-1 khz Hall-szenzor, a tokozásán belül egy integrált mágneses (fluxus) koncentrátorral (Integrated Magnetic Concentrator, IMC). Ez megnöveli az érzékelı érzékenységét, így közvetlenül lehet áramot mérni anélkül, hogy vasmagot alkalmaznánk. A fluxuskoncentrátor alkalmazásával az is elérhetı, hogy megfelelı hídkapcsolásban a szenzor az IC lapkával párhuzamos mágneses térre legyen érzékeny. Érzékenység (0,5-1,1) mva, ill. (0,25-0,55) mv/a 9 10 IMC HALL SZENZOR IMC HALL SZENZOR ALKALMAZÁSOK Az IMC Hall-szenzor standard CMOS alkatrészekbıl, és egy nagy-permeabilitású, alacsony koercitív erejő ferromágneses rétegbıl áll. Ez a réteg szolgál a mágneses fluxus koncentrálására, továbbá tízszeres mágneses erısítést biztosít. Mivel a ferromágneses réteget egy keskeny légrés szakítja meg, így ott a koncentrátor maga átalakítja a felületével párhuzamos mágneses teret rá merılegessé. Két Hall-elem helyezkedik el a réshez közel, melyek kimenetei fordított, mivel a tér iránya ellentétes a két szenzorra. A kimeneteik összegzıdnek, így teszi az egész szenzort a felületére merıleges terekkel szemben érzéketlenné. Természetesen teljesen mindegy, hogy az IC alatt, vagy fölött halad a vezetı, 11 egyedül a távolság változását kell figyelembe venni. 12
3 FELVEZETİ MAGNETOREZISZTOROK Megfelelıen kialakított vezetıben (széles és vékony, hasábalakú eszköz), keresztirányú mágneses térbe helyezve, a töltéshordozókra (elektronok vagy lyukak) ható Lorentz erı hatására az árampályák elfordulnak, az áramút hossza és így az eszköz ellenállása megnı. Az ellenállásváltozás nagysága az eszköz geometriája, illetve a félvezetı alapanyag megválasztásával optimalizálható. Az ellenállás relatív megváltozása R/R (µb) 2 (µ - mozgékonyság, B - mágneses indukció). FELVEZETİ MAGNETOREZISZTOROK A magnetorezisztor alapanyaga ezért nagy elektronmozgékonysággal rendelkezı félvezetı, legtöbbször indium-antimonid (InSb). Az eszköz ellenállás-mágneses tér jelleggörbéje nagyjából négyzetes, és nem függ a mágneses tér polaritásától. A változás nagysága néhány tized Tesla mágneses indukciónál akár 100 % is lehet. Alkalmazási területei: különféle érzékelési feladatok (helyzet, szögelfordulás, távolság, stb.) illetve kontaktusnélküli potenciométerek InSb MAGNETOREZISZTOR InSb MAGNETOREZISZTOR BIPOLÁRIS MAGENTOTRANZISZTOR Magnetotranzisztorok: mágneses térre érzékeny tarnzisztorok 17 Az eszköz mőködése a Lorentz erın alapul. Merıleges mágneses térben a kollektoráramok közötti különbség a mágnes tér függvénye. 18
4 MŐKÖDÉSI ELV BIPOLÁRIS MAGENTOTRANZISZTOR Kis eltérítési szögek esetén: I 1 -I 2 = 2 j L µ H B j az áramsürőség, L az elektródák távolsága, B az indukció, µ H a Hall-mozgékonyság MAGNETIC FIELD EFFECT TRANSISTOR: MAGFET MAGFET: OSZTOTT DRAIN Hall-MAGFET szerkezeti vázlata A Hall feszültség U H = GI D B/Q ch G geometriai tényezı Q ch felületi töltéssőrőség a vezetı csatornában (= qnt) Az érzékenység S I = G/Q ch = G/C G (U G U T ) C G egységnyi felületre vett gate-kapacitás MOS HALL ÉRZÉKELİ FERROMÁGNSESES ANYAGÚ MAGNETOREZISZTOR 23 Anisotropic Magnetoresistive (AMR) William Thompson, later Lord Kelvin, first observed the magnetoresistive effect in ferromagnetic metals in This discovery had to wait over 100 years before thin film technology could make a practical sensor for application use. Magnetoresistive (MR) sensors come in a variety of shapes and form. The newest market growth for MR sensors is high density read heads for tape and disk drives. Other common applications include automotive wheel speed and crankshaft sensing, compass navigation, vehicle detection, current sensing, and many others. 24
5 AMR ÉRZÉKELİ GMR ÉRZÉKELİ GMR ÉRZÉKELİ GMR ÉRZÉKELİ MÁGNESES ANOMÁLIA Alkalmazás: ferromágneses tárgyak detektálása a Föld mágneses terében általuk okozott mágneses anomália érzékelése révén. Pl. gépkocsi forgalom, vasúti forgalom, szabad/foglalt helyek garázsban, stb. 29 Ferromágneses test által okozott perturbáció mágneses térben: egy mágneses dipólus terének és egy homogén mágneses tér szuperpozicíója 30
6 MÁGNESES ANOMÁLIA ÉRZÉKLEÉSE FERROMÁGNESES TÁRGY ÉRZÉKELÉSE Különbözı tárgyak (gépkocsi, tank, tengeralattjáró) által keltett mágneses anomália a detektálási távolság függvényében. 1 γ = 1 nt. A Föld tere µt (30-60)x104 γ, lassú változása -0,1 γ/nap. 0,01 γ érzékenységnél (ekkor ki kell szőrni a rövididejő geomágneses fluktuációkat) a detektálási távolságok: jeep m, tank kb. 300 m, tengeralattjáró 3-4 km. 31 VÉGE 33 32
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 12. ELİADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELİK II 12. ELİADÁS: 1.
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 11. ELİADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELİK I 11. ELİADÁS: 1.
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 12. ELŐADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELŐK II 2014/2015 tanév 2. félév 1 1. Hall érzékelő alkalmazások. 2. Félvezető magnetorezisztor-érzékelők. 3. Ferromágneses alapú érzékelők: aniztróp
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 8. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK I 8. ELİADÁS 1.
Speciális passzív eszközök
Varisztorok Voltage Dependent Resistor VDR Variable resistor - varistor Speciális passzív eszközök Feszültségfüggő ellenállás, az áram erősen függ a feszültségtől: I=CU α ahol C konstans, α értéke 3 és
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 12. ELŐADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELŐK II
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 12. ELŐADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELŐK II 2015/2016 tanév 2. félév 1 1. Hall érzékelő alkalmazások. 2. Félvezető magnetorezisztor-érzékelők. 3. Ferromágneses alapú érzékelők: aniztróp
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 11. ELŐADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELŐK I 2014/2015 tanév 2. félév 1 1. Mágneses tér mérése, mágneses térerősség (H) és mágneses indukció (B), mértékegységek. 2. Fizikai működési elvek.
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 11. ELŐADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELŐK I
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 11. ELŐADÁS: MÁGNESES ÉRZÉKELŐK I 2015/2016 tanév 2. félév 1 1. Mágneses tér mérése, mágneses térerősség (H) és mágneses indukció (B), mértékegységek. 2. Fizikai működési elvek.
A mágneses tulajdonságú magnetit ásvány, a görög Magnészia városról kapta nevét.
MÁGNESES MEZŐ A mágneses tulajdonságú magnetit ásvány, a görög Magnészia városról kapta nevét. Megfigyelések (1, 2) Minden mágnesnek két pólusa van, északi és déli. A felfüggesztett mágnes - iránytű -
Az N csatornás kiürítéses MOSFET jelleggörbéi.
SZIGETELT VEZÉRLİELEKTRÓDÁS TÉRVEZÉRLÉSŐ TRANZISZTOR (MOSFET) A MOSFET-nek (Metal Oxide Semiconductor, fém-oxid-félvezetı) két alaptípusa a kiürítéses és a növekményes MOSFET. Mindkét típusból készítenek
ÓRIÁS MÁGNESES ELLENÁLLÁS
ÓRIÁS MÁGNESES ELLENÁLLÁS Modern fizikai kísérletek szemináriúm Ariunbold Kherlenzaya Tartalomjegyzék Mágneses ellenállás Óriás mágneses ellenállás FM/NM multirétegek elektromos transzportja Kísérleti
Az elektromágneses tér energiája
Az elektromágneses tér energiája Az elektromos tér energiasűrűsége korábbról: Hasonlóképpen, a mágneses tér energiája: A tér egy adott pontjában az elektromos és mágneses terek együttes energiasűrűsége
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 9. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK II 9. ELİADÁS: NYOMÁS,
1 kérdés. Személyes kezdőlap Villamos Gelencsér Géza Simonyi teszt május 13. szombat Teszt feladatok 2017 Előzetes megtekintés
Személyes kezdőlap Villamos Gelencsér Géza Simonyi teszt 2017. május 13. szombat Teszt feladatok 2017 Előzetes megtekintés Kezdés ideje 2017. május 9., kedd, 16:54 Állapot Befejezte Befejezés dátuma 2017.
Pótlap nem használható!
1. 2. 3. Mondat E1 E2 Össz Gépészmérnöki alapszak Mérnöki fizika 2. ZH NÉV:.. 2018. november 29. Neptun kód:... Pótlap nem használható! g=10 m/s 2 ; εε 0 = 8.85 10 12 F/m; μμ 0 = 4ππ 10 7 Vs/Am; cc = 3
Tervezte és készítette Géczy LászlL. szló 1999-2008
Tervezte és készítette Géczy LászlL szló 1999-2008 ADATHORDOZÓ Különböző ADATHORDOZÓK LEMEZ hajlékonylemez MO lemez merevlemez CDROM, DVDROM lemez CDRAM, DVDRAM lemez ADATHORDOZÓ SZALAG Különböző ADATHORDOZÓK
ADATHORDOZÓ LEMEZ. Különböző ADATHORDOZÓK. MO lemez. hajlékonylemez CDROM, DVDROM. lemez. merevlemez CDRAM, DVDRAM. lemez
ADATHORDOZÓ Különböző ADATHORDOZÓK LEMEZ hajlékonylemez MO lemez merevlemez CDROM, DVDROM lemez CDRAM, DVDRAM lemez ADATHORDOZÓ SZALAG Különböző ADATHORDOZÓK DAT, DATA DATA CARTRIDGE TAPE 1/2 SZALAG A
Időben állandó mágneses mező jellemzése
Időben állandó mágneses mező jellemzése Mágneses erőhatás Mágneses alapjelenségek A mágnesek egymásra és a vastárgyakra erőhatást fejtenek ki. vonzó és taszító erő Mágneses pólusok északi pólus: a mágnestű
Tervezte és készítette Géczy László 1999-2002
Tervezte és készítette Géczy László 1999-2002 ADATHORDOZÓ Különböző ADATHORDOZÓK LEMEZ hajlékonylemez MO lemez merevlemez CDROM, DVDROM lemez CDRAM, DVDRAM lemez ADATHORDOZÓ SZALAG Különböző ADATHORDOZÓK
Mágneses erőtér. Ahol az áramtól átjárt vezetőre (vagy mágnestűre) erő hat. A villamos forgógépek mutatós műszerek működésének alapja
Mágneses erőtér Ahol az áramtól átjárt vezetőre (vagy mágnestűre) erő hat A villamos forgógépek mutatós műszerek működésének alapja Magnetosztatikai mező: nyugvó állandó mágnesek és egyenáramok időben
1. feladat R 1 = 2 W R 2 = 3 W R 3 = 5 W R t1 = 10 W R t2 = 20 W U 1 =200 V U 2 =150 V. Megoldás. R t1 R 3 R 1. R t2 R 2
1. feladat = 2 W R 2 = 3 W R 3 = 5 W R t1 = 10 W R t2 = 20 W U 1 =200 V U 2 =150 V U 1 R 2 R 3 R t1 R t2 U 2 R 2 a. Számítsd ki az R t1 és R t2 ellenállásokon a feszültségeket! b. Mekkora legyen az U 2
Hall-szondák alkalmazásai
Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet Mikro- és nanotechnika (KMENT14TND, KMENT14TLD) Laboratóriumi gyakorlatok Mérési útmutató Hall-szondák alkalmazásai
Elmozdulás mérés BELEON KRISZTIÁN BELEON KRISTIÁN - MÉRÉSELMÉLET - ELMOZDULÁSMÉRÉS 1
Elmozdulás mérés BELEON KRISZTIÁN 2016.11.17. 2016.11.17. BELEON KRISTIÁN - MÉRÉSELMÉLET - ELMOZDULÁSMÉRÉS 1 Mérési eljárás szerint Rezisztív Induktív Kapacitív Optikai Mágneses 2016.11.17. BELEON KRISTIÁN
FIZIKA II. Az áram és a mágneses tér kapcsolata
Az áram és a mágneses tér kapcsolata Mágneses tér jellemzése: Mágneses térerősség: H (A/m) Mágneses indukció: B (T) B = μ 0 μ r H 2Seres.Istvan@gek.szie.hu Sztatikus terek Elektrosztatikus tér: forrásos
FIZIKA II. Az áram és a mágneses tér kapcsolata
Az áram és a mágneses tér kapcsolata Mágneses tér jellemzése: Mágneses térerősség: H (A/m) Mágneses indukció: B (T = Vs/m 2 ) B = μ 0 μ r H 2Seres.Istvan@gek.szie.hu Sztatikus terek Elektrosztatikus tér:
Félvezetk vizsgálata
Félvezetk vizsgálata jegyzkönyv Zsigmond Anna Fizika BSc III. Mérés vezetje: Böhönyei András Mérés dátuma: 010. március 4. Leadás dátuma: 010. március 17. Mérés célja A mérés célja a szilícium tulajdonságainak
Hall-szondák alkalmazásai
Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet Szenzor laboratórium, Mikro- és nanotechnika Laboratóriumi gyakorlatok Mérési útmutató Hall-szondák alkalmazásai
1. ERŐMÉRÉS NYÚLÁSMÉRŐ BÉLYEG ALKALMAZÁSÁVAL
1. ERŐMÉRÉS NYÚLÁSMÉRŐ BÉLYEG LKLMZÁSÁVL nyúlásmérő bélyegek mechanikai deformációt alakítanak át ellenállás-változássá. lkalmazásukkal úgy készítenek erőmérő cellát, hogy egy rugalmas alakváltozást szenvedő
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELŐK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELŐK I Dr. Pődör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 2. ELŐADÁS: LABORMÉRÉSEK 2008/2009 tanév 1. félév
Gyakorlat 30B-14. a F L = e E + ( e)v B képlet, a gravitációs erőt a (2.1) G = m e g (2.2)
2. Gyakorlat 30B-14 Az Egyenlítőnél, a földfelszín közelében a mágneses fluxussűrűség iránya északi, nagysága kb. 50µ T,az elektromos térerősség iránya lefelé mutat, nagysága; kb. 100 N/C. Számítsuk ki,
Elektrotechnika. Ballagi Áron
Elektrotechnika Ballagi Áron Mágneses tér Elektrotechnika x/2 Mágneses indukció kísérlet Állandó mágneses térben helyezzünk el egy l hosszúságú vezetőt, és bocsássunk a vezetőbe I áramot! Tapasztalat:
-2σ. 1. A végtelen kiterjedésű +σ és 2σ felületi töltéssűrűségű síklapok terében az ábrának megfelelően egy dipól helyezkedik el.
1. 2. 3. Mondat E1 E2 Össz Energetikai mérnöki alapszak Mérnöki fizika 2. ZH NÉV:.. 2018. május 15. Neptun kód:... g=10 m/s 2 ; ε 0 = 8.85 10 12 F/m; μ 0 = 4π 10 7 Vs/Am; c = 3 10 8 m/s Előadó: Márkus
Tételek Elektrotechnika és elektronika I tantárgy szóbeli részéhez 1 1. AZ ELEKTROSZTATIKA ALAPJAI AZ ELEKTROMOS TÖLTÉS FOGALMA 8 1.
Tételek Elektrotechnika és elektronika I tantárgy szóbeli részéhez 1 1. AZ ELEKTROSZTATIKA ALAPJAI 8 1.1 AZ ELEKTROMOS TÖLTÉS FOGALMA 8 1.2 AZ ELEKTROMOS TÉR 9 1.3 COULOMB TÖRVÉNYE 10 1.4 AZ ELEKTROMOS
EHA kód:...2009-2010-1f. As,
MŰSZAKI FIZIKA I. RMINB135/22/v/4 1. ZH A csoport Név:... Mérnök Informatikus EHA kód:...29-21-1f ε 1 As = 9 4π 9 Vm µ = 4π1 7 Vs Am 1) Két ± Q = 3µC nagyságú töltés közti távolság d = 2 cm. Határozza
Az elektromágneses indukció jelensége
Az elektromágneses indukció jelensége Korábban láttuk, hogy az elektromos áram hatására mágneses tér keletkezik (Ampère-féle gerjesztési törvény) Kérdés, hogy vajon ez megfordítható-e, és a mágneses tér
Gépészmérnöki alapszak, Mérnöki fizika 2. ZH, december 05. Feladatok (maximum 3x6 pont=18 pont)
1. 2. 3. Mondat E1 E2 NÉV: Gépészmérnöki alapszak, Mérnöki fizika 2. ZH, 2017. december 05. Neptun kód: Aláírás: g=10 m/s 2 ; ε 0 = 8.85 10 12 F/m; μ 0 = 4π 10 7 Vs/Am; c = 3 10 8 m/s Előadó: Márkus /
A II. kategória Fizika OKTV mérési feladatainak megoldása
Nyomaték (x 0 Nm) O k t a t á si Hivatal A II. kategória Fizika OKTV mérési feladatainak megoldása./ A mágnes-gyűrűket a feladatban meghatározott sorrendbe és helyre rögzítve az alábbi táblázatban feltüntetett
Műszertechnikai és Automatizálási Intézet MÉRÉSTECHNIKA LABORATÓRIUMI MÉRÉSEK ÚTMUTATÓ
Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Műszertechnikai és Automatizálási Intézet MÉRÉSTECHNIKA LABORATÓRIUMI MÉRÉSEK ÚTMUTATÓ 20/3. sz. mérés Villamos mennyiségek mérése Mágneses mennyiségek Hall
FIZIKA KÖZÉPSZINTŐ SZÓBELI FIZIKA ÉRETTSÉGI TÉTELEK Premontrei Szent Norbert Gimnázium, Gödöllı, 2012. május-június
1. Egyenes vonalú mozgások kinematikája mozgásokra jellemzı fizikai mennyiségek és mértékegységeik. átlagsebesség egyenes vonalú egyenletes mozgás egyenes vonalú egyenletesen változó mozgás mozgásokra
Fizika A2 Alapkérdések
Fizika A2 Alapkérdések Összeállította: Dr. Pipek János, Dr. zunyogh László 20. február 5. Elektrosztatika Írja fel a légüres térben egymástól r távolságban elhelyezett Q és Q 2 pontszer pozitív töltések
Mechanikai érzékelők I. Érzékelési módszerek
Mechanikai érzékelők I. Érzékelési módszerek Battistig Gábor MTA EK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet Mikrotechnológiai laboratórium battistig@mfa.kfki.hu 1 MECHANIKAI ÉRZÉKELŐK Érzékelő: a mérendő
UNIPOLÁRIS TRANZISZTOR
UNIPOLÁRIS TRANZISZTOR Az unipoláris tranzisztorok térvezérléső tranzisztorok (Field Effect Transistor). Az ilyen tranzisztorok kimeneti áramának nagyságát a bemeneti feszültséggel létrehozott villamos
mérırendszerek Mérések fényében
mérırendszerek Mérések fényében Optikai mérırendszerek a mőszaki élet számára Új, megbízható megoldások a mérnöki világ számára fontos paraméterek mérésére, adatgyőjtésre és feldolgozásra: - megnyúlás
Mágneses mező jellemzése
pólusok dipólus mező mező jellemzése vonalak pólusok dipólus mező vonalak Tartalom, erőhatások pólusok dipólus mező, szemléltetése meghatározása forgatónyomaték méréssel Elektromotor nagysága különböző
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 5. ELİADÁS (OPTIKAI SUGÁRZÁSÉRZÉKELİK, 2. RÉSZ) 5.
Laptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
EGYENÁRAM. 1. Mit mutat meg az áramerısség? 2. Mitıl függ egy vezeték ellenállása?
EGYENÁRAM 1. Mit utat eg az áraerısség? 2. Mitıl függ egy vezeték ellenállása? Ω 2 3. Mit jelent az, hogy a vas fajlagos ellenállása 0,04? 4. Írd le Oh törvényét! 5. Milyen félvezetı eszközöket isersz?
Elektrotechnika 9. évfolyam
Elektrotechnika 9. évfolyam Villamos áramkörök A villamos áramkör. A villamos áramkör részei. Ideális feszültségforrás. Fogyasztó. Vezeték. Villamos ellenállás. Ohm törvénye. Részfeszültségek és feszültségesés.
Spin Hall effect. Egy kis spintronika Spin-pálya kölcsönhatás. Miért szeretjük mégis? A spin-injektálás buktatói
Spin Hall effect Egy kis spintronika Spin-pálya kölcsönhatás Miért nem szeretjük a spin-pálya pálya kölcsönhatást? Miért szeretjük mégis? A spin-injektálás buktatói Spin Hall effect: a kezdetek Dyakonov
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK ITRISIC (TISZTA) FÉLVEZETŐK E EXTRÉM AGY TISZTASÁG (kb: 10 10 Si, v. Ge, 1 szennyező atom) HIBÁTLA KRISTÁLYSZERKEZET abszolút nulla hőmérsékleten T = 0K = elektron kevés
= Φ B(t = t) Φ B (t = 0) t
4. Gyakorlat 32B-3 Egy ellenállású, r sugarú köralakú huzalhurok a B homogén mágneses erőtér irányára merőleges felületen fekszik. A hurkot gyorsan, t idő alatt 180 o -kal átforditjuk. Számitsuk ki, hogy
I. Nyitó lineáris tartomány II. Nyitó exponenciális tartomány III. Záróirányú tartomány IV. Letörési tartomány
A DIÓDA. A dióda áramiránytól függı ellenállású alkatrész. Az egykristály félvezetı diódákban a p-n átmenet tulajdonságait használják ki. A p-n átmenet úgy viselkedik, mint egy áramszelep, az áramot az
7. L = 100 mh és r s = 50 Ω tekercset 12 V-os egyenfeszültségű áramkörre kapcsolunk. Mennyi idő alatt éri el az áram az állandósult értékének 63 %-át?
1. Jelöld H -val, ha hamis, I -vel ha igaz szerinted az állítás!...két elektromos töltés között fellépő erőhatás nagysága arányos a két töltés nagyságával....két elektromos töltés között fellépő erőhatás
ELKON S-304 autó villamossági mőszer áramköri leírása
ELKON S-304 autó villamossági mőszer áramköri leírása 7.1 Tápegység A mérımőszer tápegysége a T 105, T 106 tranzisztorokból, a D 111, 115 diódákból, a C 131, 132 kondenzátorokból és az R 145 ellenállásokból
Mágneses szuszceptibilitás mérése
Mágneses szuszceptibilitás mérése (Mérési jegyzőkönyv) Hagymási Imre 2006. március 12. (hétfő délelőtti csoport) 1. A mérés elmélete Az anyagok külső mágneses tér hatására polarizálódnak. Általában az
8.B 8.B. 8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok
8.B Félvezetı áramköri elemek Unipoláris tranzisztorok Értelmezze az unipoláris tranzisztorok felépítését, mőködését, feszültség- és áramviszonyait, s emelje ki a térvezérlés szerepét! Rajzolja fel a legfontosabb
Elektromos alapjelenségek
Elektrosztatika Elektromos alapjelenségek Dörzselektromos jelenség: egymással szorosan érintkező, vagy egymáshoz dörzsölt testek a szétválasztásuk után vonzó, vagy taszító kölcsönhatást mutatnak. Ilyenkor
Elektron mozgása kristályrácsban Drude - féle elektrongáz
Elektron mozgása kristályrácsban Drude - féle elektrongáz Dr. Berta Miklós bertam@sze.hu 2017. október 13. 1 / 24 Drude - féle elektrongáz Tapasztalat alapján a fémekben vannak szabad töltéshordozók. Szintén
Magnesia. Itt találtak már az ókorban mágneses köveket. Μαγνησία. (valószínű villámok áramának a tere mágnesezi fel őket)
Mágnesség Schay G. Magnesia Μαγνησία Itt találtak már az ókorban mágneses köveket (valószínű villámok áramának a tere mágnesezi fel őket) maghemit Köbös Fe 2 O 3 magnetit Fe 2 +Fe 3 +2O 4 mágnesvasérc
Jegyzetelési segédlet 8.
Jegyzetelési segédlet 8. Informatikai rendszerelemek tárgyhoz 2009 Szerkesztett változat Géczy László Billentyűzet, billentyűk szabványos elrendezése funkció billentyűk ISO nemzetközi írógép alap billentyűk
Tengelyanyák Szorítóhüvelyek Biztosítólemezek Öntöttvas- és lemez Y csapágyházak Öntöttvas osztott, álló csapágyházak. www.adix.hu
A mágneses szuszceptibilitás vizsgálata
Bán Marcell ETR atonosító BAMTACT.ELTE Beadási határidő: 2012.12.13 A mágneses szuszceptibilitás vizsgálata 1.1 Mérés elve Anyagokat mágneses térbe helyezve, a tér hatására az anygban mágneses dipólusmomentum
Mérés és adatgyűjtés
Mérés és adatgyűjtés 7. óra Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2013. április 11. MA - 7. óra Verzió: 2.2 Utolsó frissítés: 2013. április 10. 1/37 Tartalom I 1 Szenzorok 2 Hőmérséklet mérése 3 Fény
2.) Fajlagos ellenállásuk nagysága alapján állítsd sorrendbe a következő fémeket! Kezd a legjobban vezető fémmel!
1.) Hány Coulomb töltést tartalmaz a 72 Ah ás akkumulátor? 2.) Fajlagos ellenállásuk nagysága alapján állítsd sorrendbe a következő fémeket! Kezd a legjobban vezető fémmel! a.) alumínium b.) ezüst c.)
MÁGNESESSÉG. Türmer Kata
MÁGESESSÉG Türmer Kata HOA? év: görög falu Magnesia, sok természetes mágnes Ezeket iodestones (iode= vonz), magnetitet tartalmaznak, Fe3O4. Kínaiak: iránytű, két olyan hely ahol maximum a vonzás Kínaiak
Orvosi jelfeldolgozás. Információ. Információtartalom. Jelek osztályozása De, mi az a jel?
Orvosi jelfeldolgozás Információ De, mi az a jel? Jel: Információt szolgáltat (információ: új ismeretanyag, amely csökkenti a bizonytalanságot).. Megjelent.. Panasza? információ:. Egy beteg.. Fáj a fogam.
Mágneses mező tesztek. d) Egy mágnesrúd északi pólusához egy másik mágnesrúd déli pólusát közelítjük.
Mágneses mező tesztek 1. Melyik esetben nem tapasztalunk vonzóerőt? a) A mágnesrúd északi pólusához vasdarabot közelítünk. b) A mágnesrúd közepéhez vasdarabot közelítünk. c) A mágnesrúd déli pólusához
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK II
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK II Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 3. ELİADÁS: GÁZÉRZÉKELİK I 3. ELİADÁS 1. Bevezetés
1.A 1.A. 1.A Villamos alapfogalmak Feszültség, áram, töltés, ellenállás
1.A Villamos alapfogalmak Feszültség, áram, töltés, ellenállás Definiálja a feszültség, az áram, a töltés, az ellenállás és a vezetıképesség fogalmát, jellemzıit! Ismertesse a feszültség, az áram, a töltés,
VILLANYSZERELŐ KÉPZÉS MÁGNESES TÉR ÖSSZEÁLLÍTOTTA NAGY LÁSZLÓ MÉRNÖKTANÁR
VIANYSZEREŐ KÉPZÉS 2 0 5 MÁGNESES TÉR ÖSSZEÁÍTOTTA NAGY ÁSZÓ MÉRNÖKTANÁR - 2 - Tartalomjegyzék Mágneses tér fogalma, jellemzői...3 A mágneses tér hatása az anyagokra...4 Elektromágneses indukció...6 Mozgási
Zárt mágneskörű induktív átalakítók
árt mágneskörű induktív átalakítók zárt mágneskörű átalakítók felépítésükből következően kis elmozdulások mérésére használhatók megfelelő érzékenységgel. zárt mágneskörű induktív átalakítók mágnesköre
azonos sikban fekszik. A vezetőhurok ellenállása 2 Ω. Számítsuk ki a hurok teljes 4.1. ábra ábra
4. Gyakorlat 31B-9 A 31-15 ábrán látható, téglalap alakú vezetőhurok és a hosszúságú, egyenes vezető azonos sikban fekszik. A vezetőhurok ellenállása 2 Ω. Számítsuk ki a hurok teljes 4.1. ábra. 31-15 ábra
Elektromos áramerősség
Elektromos áramerősség Két különböző potenciálon lévő fémet vezetővel összekötve töltések áramlanak amíg a potenciál ki nem egyenlítődik. Az elektromos áram iránya a pozitív töltéshordozók áramlási iránya.
Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet. Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC)
Óbudai Egyetem Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar Mikroelektronikai és Technológia Intézet Mikro- és nanotechnika (KMENT14TNC) Laboratóriumi gyakorlatok Mérési útmutató 3. Hall-szondák alkalmazásai a. Félvezető
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK II. Elektrotechnika 5. előadás A tranzisztor felfedezése A tranzisztor kifejlesztését a Lucent Technologies kutatóintézetében, a Bell Laboratóriumban végezték el. A laboratóriumban három
ADATTÁROLÁS: LÁGY- ÉS MEREVLEMEZEK KOVÁCS MÁTÉ
ADATTÁROLÁS: LÁGY- ÉS MEREVLEMEZEK KOVÁCS MÁTÉ 2017. 05. 10. HAJLÉKONYLEMEZ 2 TÖRTÉNETE 8 inch floppy Fejlesztés: 1967 IBM Megjelenés: 1971, 80kB (Shugart) Első írható floppy: Memorex 650, 1972, 175 kb
Fizika II. feladatsor főiskolai szintű villamosmérnök szak hallgatóinak. Levelező tagozat
Fizika. feladatsor főiskolai szintű villamosmérnök szak hallgatóinak Levelező tagozat 1. z ábra szerinti félgömb alakú, ideális vezetőnek tekinthető földelőbe = 10 k erősségű áram folyik be. föld fajlagos
1. Elektromos alapjelenségek
1. Elektromos alapjelenségek 1. Bizonyos testek dörzsölés hatására különleges állapotba kerülhetnek: más testekre vonzerőt fejthetnek ki, apróbb tárgyakat magukhoz vonzhatnak. Ezt az állapotot elektromos
MIB02 Elektronika 1. Passzív áramköri elemek
MIB02 Elektronika 1. Passzív áramköri elemek ELLENÁLLÁSOK -állandóértékű ellenállások - változtatható ellenállások - speciális ellenállások (PTK, NTK, VDR) Állandó értékű ellenállás Felépítés: szigetelő
TARTALOMJEGYZÉK. Előszó 9
TARTALOMJEGYZÉK 3 Előszó 9 1. Villamos alapfogalmak 11 1.1. A villamosság elő for d u lá s a é s je le n t ősége 12 1.1.1. Történeti áttekintés 12 1.1.2. A vil la mos ság tech ni kai, tár sa dal mi ha
Műveleti erősítők - Bevezetés
Analóg és digitális rsz-ek megvalósítása prog. mikroák-kel BMEVIEEM371 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Műveleti erősítők - Bevezetés Takács Gábor Elektronikus Eszközök Tanszéke (BME) 2014.
Villamos tér. Elektrosztatika. A térnek az a része, amelyben a. érvényesülnek.
III. VILLAMOS TÉR Villamos tér A térnek az a része, amelyben a villamos erőhatások érvényesülnek. Elektrosztatika A nyugvó és időben állandó villamos töltések által keltett villamos tér törvényeivel foglalkozik.
A BIPOLÁRIS TRANZISZTOR.
A BIPOLÁRIS TRANZISZTOR. A bipoláris tranzisztor kialakításához a félvezetı kristályt három rétegben n-p-n vagy p-n-p típusúra adalékolják. Az egyes rétegek elnevezése emitter (E), bázis (B), kollektor
Összefüggő szakmai gyakorlat témakörei
Összefüggő szakmai gyakorlat témakörei Villamosipar és elektronika ágazat Elektrotechnika gyakorlat 10. évfolyam 10 óra Sorszám Tananyag Óraszám Forrasztási gyakorlat 1 1.. 3.. Forrasztott kötés típusai:
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába. III. Villamos és mágneses tér
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába III. Villamos és mágneses tér Villamos tér A térnek az a része, amelyben a villamos erőhatások érvényesülnek. Elektrosztatika A nyugvó és időben állandó villamos
Diszkrét aktív alkatrészek
Aktív alkatrészek Az aktív alkatrészek képesek kapcsolási és erősítési feladatokat ellátni. A digitális elektronika és a teljesítményelektronika gyors kapcsolókra épül, az analóg technikában elsősorban
A mágneses térerő mérése roncsolásmentes hibavizsgálat céljából
A TERMELÉSI FOLYAMAT MINÕSÉGKÉRDÉSEI, VIZSGÁLATOK 2.5 A mágneses térerő mérése roncsolásmentes hibavizsgálat céljából Tárgyszavak: elektronikus (integrált) áramkörök vizsgálata; vezetékstruktúra ellenőrzése;
LI 2 W = Induktív tekercsek és transzformátorok
Induktív tekercsek és transzformátorok A tekercsek olyan elektronikai alkatrészek, amelyek mágneses terükben jelentős elektromos energiát képesek felhalmozni. A mágneses tér a tekercset alkotó vezetéken
2. Ideális esetben az árammérő belső ellenállása a.) nagyobb, mint 1kΩ b.) megegyezik a mért áramkör eredő ellenállásával
Teszt feladatok A választásos feladatoknál egy vagy több jó válasz lehet! Számításos feladatoknál csak az eredményt és a mértékegységet kell megadni. 1. Mitől függ a vezetők ellenállása? a.) a rajta esett
3.1. ábra ábra
3. Gyakorlat 28C-41 A 28-15 ábrán két, azonos anyagból gyártott ellenállás látható. A véglapokat vezető 3.1. ábra. 28-15 ábra réteggel vonták be. Tételezzük fel, hogy az ellenállások belsejében az áramsűrűség
1. fejezet. Gyakorlat C-41
1. fejezet Gyakorlat 3 1.1. 28C-41 A 1.1 ábrán két, azonos anyagból gyártott ellenállás látható. A véglapokat vezető réteggel vonták be. Tételezzük fel, hogy az ellenállások belsejében az áramsűrűség bármely,
Elektronika 2. TFBE1302
Elektronika 2. TFBE1302 Mérőműszerek Analóg elektronika Feszültség és áram mérése Feszültségmérő: V U R 1 I 1 igen nagy belső ellenállású mérőműszer párhuzamosan kapcsolandó a mérendő alkatrésszel R 3
1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak?
Ellenörző kérdések: 1. előadás 1/5 1. előadás 1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak? 2. Mit jelent a föld csomópont, egy áramkörben hány lehet belőle,
Zéró Mágneses Tér Laboratórium építése Nagycenken
Zéró Mágneses Tér Laboratórium építése Nagycenken Erdős Géza 1, Nagy János 1, Németh Zoltán 1, Veres Miklós 1, Lemperger István 2, Wesztergom Viktor 2 (1) MTA Wigner Fizikai Kutatóközpont (2) MTA CSFK
Térvezérlésű tranzisztor
Térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztorok a vékonyréteg félvezetős eszközök kategoriájába sorolhatók és a tranzisztorok harmadik generációját képviselik. 1948-ban jelentik be amerikai kutatók
Szupravezetés. Mágneses tér mérő szenzorok (DC, AC) BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék. Dr. Mészáros István. Előadásvázlat 2013.
BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék Dr. Mészáros István Szupravezetés Előadásvázlat 2013. Mágneses tér mérő szenzorok (DC, AC) Erő ill. nyomaték mérésen alapuló eszközök Tekercs (induktív) Magnetorezisztív
Foglalkozási napló a 20 /20. tanévre
Foglalkozási napló a 20 /20. tanévre Erősáramú elektrotechnikus szakma gyakorlati oktatásához OKJ száma: 54 522 01 A napló vezetéséért felelős: A napló megnyitásának dátuma: A napló lezárásának dátuma:
Elektromágnesség tesztek
Elektromágnesség tesztek 1. Melyik esetben nem tapasztalunk onzóerőt? a) A mágnesrúd északi pólusához asdarabot közelítünk. b) A mágnesrúd közepéhez asdarabot közelítünk. c) A mágnesrúd déli pólusához
Elektrosztatikai alapismeretek
Elektrosztatikai alapismeretek THALÉSZ: a borostyánt (élektron) megdörzsölve az a könnyebb testeket magához vonzza. Az egymással szorosan érintkező anyagok elektromosan feltöltődnek, elektromos állapotba
Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei
GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekI.Közgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési