G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő

Hasonló dokumentumok
A fotovillamos napenergia-hasznosítás alapjai. Szent István Egyetem Gödöllő

SOLTRAIN G04 eladás Napelem technológiák és jellemzik. G04 eladás*

A napenergia alapjai

Mit sütünk ki mára?! (Napenergia és a Fizika) Dr. Seres István SZIE, Fizika és Folyamatirányítási Tanszék

Mit sütünk ki mára?! (Napenergia és a Fizika) Dr. Seres István SZIE, Fizika és Folyamatirányítási Tanszék

A NAPENERGIA HASZNOSÍTÁSÁNAK HAZAI LEHETŐSÉGEI. Farkas István, DSc egyetemi tanár, intézetigazgató

Betekintés a napelemek világába

A napelemek fizikai alapjai

Őrtechnológia a gyakorlatban

8. Mérések napelemmel

NAPELEMEK KÖRNYEZETI SZEMPONTÚ VIZSGÁLATA AZ ÉLETCIKLUS ELEMZÉS SEGÍTSÉGÉVEL. Darvas Katalin

A napelemek környezeti hatásai

Energetikai Gépek és Rendszerek Tanszék Napelemek

Napenergia Napelemek

Trimo EcoSolutions Trimo EcoSolar PV Integrált fotovoltaikus rendszer

Bevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák

Speciális passzív eszközök

A fotovillamos (és napenergia ) rendszerek egyensúlyának (és potenciálbecslésének) kialakításakor figyelembe veendő klimatikus sajátosságok

G05 eladás Fotovillamos modulok és generátorok

9. Gyakorlat - Optoelektronikai áramköri elemek

5. Laboratóriumi gyakorlat. A p-n ÁTMENET HŐMÉRSÉKLETFÜGGÉSE

Forrás: depositphotos.com

MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELŐK I

Alapfogalmak folytatás

2012. Dec.6. Herbert Ferenc LG-előadás. Napelemek

Laptop: a fekete doboz

Elektromos áram. Vezetési jelenségek

SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK

MIKROELEKTRONIKA 7. MOS struktúrák: -MOS dióda, Si MOS -CCD (+CMOS matrix) -MOS FET, SOI elemek -MOS memóriák

A 27/2012 (VIII. 27.) NGM rendelet (12/2013 (III. 28.) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján.

Farkas István és Seres István HÁLÓZATRA KAPCSOLT FOTOVILLAMOS RENDSZER MŐKÖDTETÉSI TAPASZTALATAI FIZIKA ÉS FOLYAMAT- IRÁNYÍTÁSI TANSZÉK

Napenergiát hasznosító épületgépészeti berendezések

MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I

I. Félvezetődiódák. Tantárgy: Villamos mérések 2. Szakközépiskola 12. évfolyam számára. Farkas Viktor

Elektronika Alapismeretek

Elektromos áramerősség

Napelem modulok, ipari és lakossági felhasználásra.

MAGYAR MÉRNÖKI KAMARA ENERGETIKAI TAGOZAT KÖTELEZŐ SZAKMAI TOVÁBBKÉPZÉS

OPTIKA. Fénykibocsátás mechanizmusa fényforrás típusok. Dr. Seres István

PN átmenet kivitele. (B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) A=anód, K=katód

RÉSZLETEZŐ OKIRAT a NAH /2017 nyilvántartási számú akkreditált státuszhoz

MÉRÉSI UTASÍTÁS. A jelenségek egyértelmű leírásához, a hőmérsékleti skálán fix pontokat kellett kijelölni. Ilyenek a jégpont, ill. a gőzpont.

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás

3. (b) Kereszthatások. Utolsó módosítás: április 1. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék

E (total) = E (translational) + E (rotation) + E (vibration) + E (electronic) + E (electronic

1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak?

2. Laboratóriumi gyakorlat A TERMISZTOR. 1. A gyakorlat célja. 2. Elméleti bevezető

A kimerült nukleáris üzemanyag felhasználása gamma-napelemekhez

Magas hatásfokú, kétoldalas hetero-junction napelem cella gyártás Magyarországon.

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

A napenergia fotovillamos hasznosítása

XXXII. Kandó Konferencia 2016, Budapest november 17., Óbudai Egyetem

I. Nyitó lineáris tartomány II. Nyitó exponenciális tartomány III. Záróirányú tartomány IV. Letörési tartomány

Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István

A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig február 24.

13. Román-Magyar Előolimpiai Fizika Verseny Pécs Kísérleti forduló május 21. péntek MÉRÉS NAPELEMMEL (Szász János, PTE TTK Fizikai Intézet)

Dr. Nagy Balázs Vince D428

FOTOELEKTROMOS ENERGIATERMELŐ RENDSZER ÜZEMELTETÉSÉNEK TAPASZTALATAI

Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben

Félvezetők és a digitális világ: anyagtudományi vonatkozások

100 V-os rendszerek és rendszerelemek

Bolyai Farkas Elméleti Líceum TUDEK Napra-forgó

III. félvezetők elméleti kérdések 1 1.) Milyen csoportokba sorolhatók az anyagok a fajlagos ellenállásuk alapján?

Zener dióda karakterisztikáinak hőmérsékletfüggése

GaInAsP/InP LED-ek kutatása és spektroszkópiai alkalmazása a közeli infravörös tartományban

fogyasztói szempontból Dr. Dán András egyetemi tanár BME VET

Mérési útmutató. Nemhagyományos villamos energiaátalakítók Az Elektrotechnika tárgy laboratóriumi gyakorlatok 5. sz. méréséhez

Integrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék

Sugárzás mérés. PTE Pollack Mihály Műszaki és Informatikai Kar DR. GYURCSEK ISTVÁN

RÉSZLETEZŐ OKIRAT (2) a NAH /2017 nyilvántartási számú akkreditált státuszhoz

Fénytechnika. A szem, a látás és a színes látás. Dr. Wenzel Klára. egyetemi magántanár Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem

Orvosi jelfeldolgozás. Információ. Információtartalom. Jelek osztályozása De, mi az a jel?

Napelemek. Bársony István, Gyulai József, Lábadi Zoltán. MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet (MTA MFA)

Mérésadatgyűjtés, jelfeldolgozás.

MIKRO-TÜKÖR BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY

Fényhullámhossz és diszperzió mérése

HŐMÉRSÉKLETMÉRÉS. Elsődleges etalonok / fix pontok / 1064,00 C Arany dermedéspontja. 961,93 C Ezüst dermedéspontja. 444,60 C Kén olvadáspontja

SZENT ISTVÁN EGYETEM. Nagy hatásfokú félvezető alapú napelemek

A napenergia-hasznosítás alapjai

A szerves napelemek technológiája és piaci helyzete

ÓBUDAI EGYETEM NAPELEMES RENDSZEREK ÁRAMÜTÉS ELLENI VÉDELME

1. Energia-sávdiagram erősen adalékolt n, ill. p-típusú félvezető esetén

HŐMÉRSÉKLETMÉRÉS. Elsődleges etalonok / fix pontok / 1064,00 C Arany dermedéspontja. 961,93 C Ezüst dermedéspontja. 444,60 C Kén olvadáspontja

Mérési útmutató. Nemhagyományos villamos energiaátalakítók Az Elektrotechnika tárgy laboratóriumi gyakorlatok 5. sz. méréséhez

PIII napelemek beltéri alkalmazása

19. A fényelektromos jelenségek vizsgálata

Mikro- és nanotechnika I. - Laboratóriumi mérések

Spektrográf elvi felépítése. B: maszk. A: távcső. Ø maszk. Rés Itt lencse, de általában komplex tükörrendszer

Polimerek fizikai, mechanikai, termikus tulajdonságai

Hálózati csatlakozási terv

Elektronika 11. évfolyam

Solar-25 Napelem Modulok Telepítői Útmutató Version: 1.0

F1301 Bevezetés az elektronikába Félvezető diódák

Napelemes Rendszerek a GIENGER-től

A Winaico napelemek előnyei

MÉRÉSI SEGÉDLET PIKO-MŐHOLDAK NAPELEMES ENERGIAELLÁTÓ RENDSZERÉNEK MÉRÉSE. (MH-jelő mérés) V1. épület 1. emelet 105. Őrtechnológia Labor

A töltéshordozók meghatározott irányú rendezett mozgását elektromos áramnak nevezzük. Az áram irányán a pozitív részecskék áramlási irányát értjük.

SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK

Hőmérséklet mérése. Sarkadi Tamás

6.B 6.B. Zener-diódák

Átírás:

G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik

Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés

Napelem karakterisztika megvilágítás nélkül I D I feszültség küszöb V D V 20 V 0.5 V V D I D letörési feszültség

Napelem karakterisztika megvilágítás esetén I I, I D dióda napelem (terhelési oldalról) I PH I PH V D V 20 V 0.5 V V, V D I D napelem (forrás oldalról)

Napelem áramköri megfelelője az egydiódás modell R S I I PH V D R P V I D I P

Cella áram [A] G04 Napelem technológiák Napelem áram - feszültség (I-V) karakterisztikája megvilágítás esetén I SC I Cella feszültség [V] V OC V

Az I-V görbe analitikus leírása (egydiódás modell) I I PH V I o e IR s VT 1 V IR s R p

Napelem áram [A] Kimenő teljesítmény [ W] G04 Napelem technológiák Napelem teljesítmény a munkapont függvényében STC: T = 25 C AM = 1,5 E = 1000 W/m 2 3.5 3.0 I MPP 2.5 Maximális teljesítmény pont (MPP) I SC 1.4 P MPP 1.2 1.0 2.0 0.8 A 1.5 0.6 V 1.0 0.4 0.5 0.2 MPP = Maximum Power Point 0 V OC 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 Napelem feszültség [V] V MPP

Üresjárati feszültség [V] Rövidzárási áram [A] G04 Napelem technológiák Üresjárati feszültség (V OC ) és a rövidzárási áram (I SC ) a besugárzás (beeső teljesítménysűrűség) függvényében 0.6 3 0.5 V OC 0.4 I SC 2 0.3 0.2 1 0.1 0 200 400 600 800 1000 Besugárzás [W/m 2 ] 0

Modul áram [A] G04 Napelem technológiák Kristályos szilícium modul I-V görbéi különböző besugárzások esetén állandó napelem hőmérsékletnél 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 5 10 15 20 25 Modul feszültség [V] V MPP tartomány

Modul áram [A] G04 Napelem technológiák Kristályos szilícium modul I-V görbéi különböző napelem hőmérsékletek esetén állandó besugárzásnál 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 10 20 30 40 Modul feszültség [V] MPP feszültség tartomány

A feszültség, áram és teljesítmény hőmérséklet együtthatói (TC) Típus Kristályos Si Amorf Si CIS CdTe GaAs Hőmérséklet együtthatók [%/K] TC feszültség TC áram TC teljesítmény -0.30... -0.45 +0.02... +0.08-0.37... -0.52-0.28... -0.50 +0.06... +0.10-0.10... -0.30-0.26... -0.50 +0.04... +0.10-0.39... -0.45-0.22... -0.43 +0.02... +0.04-0.20... -0.36-0.19... -0.24 +0.02... +0.03-0.20... - 0.24 TC = Temperature Coefficient

Napelem áram [A] Kitöltési tényező definíciója G04 Napelem technológiák 3.5 3.0 I MPP I SC A terület MPP 2.5 B terület 2.0 1.5 1.0 Fläche B B terület Füllfaktor kitöltési FF tényező = ------- Fläche A A terület 0.5 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 Napelem feszültség [V] V MPP V OC

Laboratóriumi illetve termelésbe vont napelem hatásfok értékek (tartomány) Laboratórium Termelés Típus η [%] V OC I SC [ma cm -2 ] FF [%] η [%] egykristályos-si 24.7 0.706 42.2 82.8 15-18 poli-si 19.8 0.654 38.1 79.5 13-16 EFG-Si 16.7 0.601 35.1 79.0 11-14 a-si (egyrétegű) 12.7 0.887 19.4 74.1 7.0 a-si / µc-si 14.5 - - - 12.5 CdTe 16.5 0.845 25.9 75.5 7.0 CIS 18.4 0.669 35.7 77.0 6.5-10 GaAs 25.1 1.022 28.2 87.1 - GaInP/GaInAs/Ge 31.3 2.392 16.0 81.9 27-28

Napelemek gyártásához használt anyagok Napelem típusok osztályozása Az alapanyag és a forma / (kristály-) struktúra alapján egykristályos Szilícium kristályos amorf + µc politikristályos Si vékony réteg CdTe Réz származékok CIS Napelem Összetett félvezetők III - V csoport GaAs, InP, stb. Egyéb rézpiritek GaAs Fényérzékeny festék InP Más elvek Szerves szerkezetek Egyebek Egyebek

Vékonyréteg napelemek monolitikus integrálása háromlépéses szeparációs technikával 1. cella 2. cella hátsó kontaktus aktív réteg TCO 1. vágás: TCO 2. vágás: aktív réteg 3. vágás: hátsó kontaktus üveg hordozófelület 300 Image: PSE, Freiburg, Germany

Három határréteges amorf szilícium (a-si) napelem keresztmetszet Mindegyik cella egy megadott spektrum tartományra érzékeny rövid hullámhosszú fény közepes hullámhosszú fény hosszú hullámhosszú fény TCO p kékre érzékeny cella i n p zöldre érzékeny cella i n p pirosra érzékeny cella i n visszaverő réteg hordozóanyag Graphik: Solarpraxis

Relatív intenzitás G04 Napelem technológiák Három különböző anyagú, három határréteges napelem spektrális érzékenysége 1.0 0.8 0.6 három határréteges napelem spektrális érzékenysége 0.4 kék érzékeny cella zöld érzékeny cella vörös érzékeny cella 0.2 0 300 400 500 600 700 800 900 Hullámhossz [nm]

Kristályos szilícium napelem vázlata A vastagság nem méretarányos! negatív elektróda tértöltési réteg N-típusú szennyezés P-típusú szennyezés pozitív elektróda Image: PSE, Freiburg, Germany

Egy határréteges p-i-n amorf szilícium (a-si) napelem szerkezete üveg előlap SnO 2 p-réteg belső a-si réteg n-réteg ZnO hátsó fém kontaktus Image:Fraunhofer ISE, Freiburg, Germany

CdTe/CdS napelem szerkezete üveg előlap SnO 2 CdS CdTe hátsó fémkontaktus Image:Fraunhofer ISE, Freiburg, Germany

CIS napelem szerkezete G04 Napelem technológiák ZnO CdS CIS hátsó fém kontaktus üveg hordozófelület Image:Fraunhofer ISE, Freiburg, Germany