Laboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában
|
|
- Emil Csonka
- 8 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 1 Laboratóriumi gyakorlat az MTA TTK MFA MMS Laboratóriumában Ádám Antalné, Csikósné Dr Pap Andrea Edit Cím: 1121 Budapest, Konkoly-Thege Miklós út 29-33, KFKI Campus 18/D épület Megközelíthető: a Széll Kálmán térről (Várfok utca megállóhelyről) induló 21-es buszokkal (végállomás, KFKI), közvetlenül a KFKI Telephely portája előtt áll meg a járat. Belépéshez szükséges: személyi igazolvány.
2 2 Bevezetés MEMS eljárások, technológiák 1. Kiindulási pont: Si egykristály szelet Elvárások: - nagy görbületi sugár - kristályrács-hiba mentes - egy vagy két oldalon polírozott, atomi simaságú - definiált orientációjú (leggyakrabban 100) 2. Felületkezelés, kémiai tisztítás: - füstölgő HNO 3 és forró HNO 3 (feloxidált felület) - RCA tisztítás két lépésben szerves anyagok eltávolítása: NH 4 OH és H 2 O 2 fémszennyeződés eltávolítása: HCl és H 2 O 2 3. Oxidáció Funkciói: - maszkoló réteg - szigetelő réteg - passziváló réteg Kialakítás: - termikus oxidáció, magas hőmérsékleten, száraz vagy nedves közegben - kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) - anódos oxidáció (elektrolízis pl KOH-ban) - plazma oxidáció (RF porlasztás) Minősítés (pl. C-V mérés, szivárgási áram mérése, stb.): - vastagság/homogenitás - tisztaság 4. Ionimplantáció (Adalékolás, felgyorsított részecskék - ionok, ioncsoportok szilárd testekbe való belövése.) Funkciói: - elődiffúzió megelőzése predepozíció - p-n átmenetek kialakítása - MOS tranzisztorok küszöbfeszültségének beállítása, forrás és nyelő területeinek önillesztett kialakítása - amorfizálás, getterezés - felületi réteg mechanikai, elektorom, kémiai, optikai tulajdonságainak megváltoztatása úgy, hogy azok térfogati tartományban nem változnak meg, de lokálisan homogének lesznek Megvalósítás: - nagy vákuumban - ionforrásból kilépő, gyorsított ionok tömegszeparátoron áthaladva érkeznek a Si felületre - kezelendő felületet söpörtetik az ionnyalábbal a homogenitás érdekében - gyorsító feszültség reprodukálható, precízen beállított - kontrollált minőségű target 5. Vékonyréteg leválasztás Elvárások: - egyenletes eloszlás a teljes szubsztráton - azonos összetétel, szerkezet - azonos fizikai, kémiai tulajdonságok - tömörség; szivacs vs. réteg, tűlyuk - jó tapadás - kis termomechanikai feszültség - lépcsőfedés - speciális követelmények, pl. súrlódás, nedvesítés, biokompatibilitás
3 3 - gazdaságosság Alkalmazás: - félvezető gyártástechnológia - Mikro-elektromechnaikai rendszerek (MEMS) - hővezető bevonatok - napelemek - optikai alkalmazások, pl. szűrők, rácsok, antireflexiós rétegek, stb. - kopásálló bevonatok, pl. szerszámok, optikai elemek, humán protézisek, stb. - korrózióálló bevonatok - dekorációs bevonatok Megvalósítás: - fizikai módszerek szilárd forrásból; párologtatással, porlasztással (dc, rf, magnetron, Molecular Beam Epitaxy) olvadékból (Liquide Phase Epitaxy) - kémiai módszerek elektrolitból; galvanizálással oldatból; szuszpenzióból lecsapással, szol-gél technikával gázfázisból; Cemical Vapour Deposition (CVD), Vapor Phase Epitaxy, Metal Organic CVD, Low Pressure CVD, Plasma Enhanced CVD, Micro Wave CVD, Photon/Plasma Assisted CVD, Atomic Layer CVD 6. Si 3D megmunkálása Lásd később részletesebben! Felületi mikromechanikai eljárás: segédréteggel pl. oxid rétegen polisi leválasztása, majd az oxid eltávolítása. Tömbi mikromechanikai eljárás: nedves kémiai (izotróp, anizotróp) vagy száraz kémiai marásokkal. 7. Fotólitográfia Lásd később részletesebben! Funkciói: - ábrakészítés, mintázat átvitel - védelem Elvárások: - méret és alakzat megtartása - reprodukálhatóság
4 4 6. Si 3D megmunkálása Mikromegmunkálás száraz és nedves kémiai maratással 6.1. Ábrakészítés vékonyrétegekben Ábra kialakítása vékonyrétegben történhet szubsztraktív módon (1.ábra), vékonyréteg marással vagy additív módon "lift-off" technikával (2.ábra). A vékonyréteg kémiai tulajdonságát figyelembe véve alkalmazzuk az egyik, vagy a másik módszert. A szubsztraktív eljárások során használunk folyadék halmazállapotú marószereket ("nedves marás"), ill. gázhalmazállapotú, plazmás eljárásokat. Amennyiben az a folyadék marószer, amelyben oldódik a vékonyréteg, nem korrozív az ábrát megadó lakkréteggel szemben, a marás sebessége nem kíván 80 C-nál magasabb hőmérsékletet és a kialakítandó ábra mérete jóval nagyobb a vékonyréteg vastagságánál (min. 3-4-szerese), a technikailag legegyszerűbb nedves szubsztraktív módszert használjuk. 1. ábra: Szubsztraktív ábrakialakítás (marás, v. etch-back) lépései 2 ábra: Additív ábrakialakítás lépései: Lift-off technika
5 Szubsztraktív ábrakialakítás A szubsztraktív ábrakialakítás során különbséget teszünk az izotróp, ill. anizotróp jellegű marási profilok között (3. ábra). A kétféle marás között - különösen a fizikai és kémiai hatásokat ötvöző plazmás eljárások során - átmeneti állapotok is léteznek, ilyenkor a marás "anizotrópia fokát" határozzuk meg (marás mélysége/oldalirányú alámarás). fotolakk y alalámarás szubsztrát, v. egy másik vékonyréteg 3. ábra: Izotróp (x=y, bal oldalon) és ideálisan anizotróp (y>>x, jobb oldalon) marási profil. A középső ábra részlegesen anizotróp jelleget mutat. A marószerekkel - marási eljárásokkal szemben támasztott általános követelmények: egyenletes marási sebesség a teljes hordozó (szubsztrát) felületén nagy szelektivitás a maszkoló rétegre (általában fotolakk, de más is lehet) nagy szelektivitás a hordozó rétegre (v réteg /v hordozó > ) a marandó vékonyrétegek tipikus méretének megfelelő marási sebesség ( 0,1-1µm/perc) lehetőleg kémiai reakció által legyen kontrollált (nem transzportfolyamat által) Nedves kémiai marások A nedves kémiai marások általában izotróp jellegűek, de egyes marószerek az egykristályokat anizotrópan marják. A Si félvezető ill. MEMS technológiákban leggyakrabban előforduló vékonyrétegek a SiO 2, Si 3 N 4, SiO x N y, polikristályos-szilícium, fémek: Ti, W, Mo, Pt, Pd és ezek szilicidjei, alumínium, arany, permalloy (Ni:Fe=81:19). Ezek marószerei a technológiai összefoglaló tankönyvekben megtalálhatók. Itt csak néhány példán mutatjuk be a szubsztraktív ábrakialakítás jellegzetes technikáit. Példák: Si - izotróp marása 3Si + 4 HNO 3 +18HF 3H 2 SiF 6 +4NO +8H 2 O [ HNO 3 oxidál, a HF az oxidot oldja ] HF:HNO 3 :CH 3 COOOH = (3:5:3) 80µm/perc, ( 2:5:15) 5µm/perc HF:HNO 3 :H 2 O = (3:50:20) polikristályos Si marása 0,8µm/perc Si - anizotróp marása szervetlen és szerves lúgokban Si 3 N 4 Si 3 N HF H 2 SiF 6 + 2(NH 4 ) 2 SiF 6 - tömény HF-ban, (v = 5-6nm/perc) 3Si 3 N 4 +27H 2 O +4H 3 PO 4 4(NH 4 ) 3 PO 4 + 9H 2 SiO 3 ( o C)
6 6 SiO 2 SiO 2 +6HF H 2 SiF 6 +2H 2 O sebesség a HF ( H +, F -, HF 2 - ) koncentrációtól függ NH 4 F:HF puffer oldatban, ph=4,5 T=24 C, v=0,1µm/perc Al savban: 2Al +6H + 2Al H 2 lúgban: 2Al +2OH - + 6H 2 O 2[Al(OH) 4 ] - + 3H Plazmamarások A plazmamarások során csökkentett nyomáson (1-10 mbar) rádiófrekvenciás (esetenként mikrohullámú) gerjesztéssel a marandó anyagnak alkalmasan megválasztott gázokban plazmakisülést hozunk létre. A plazmakisülés során a töltéssel bíró részecskék a változó tér irányának megfelelően gyorsulnak és a gáz egyéb alkotóival ütközések sorozatában vesznek részt, melyek eredményeként kémiailag aktív termékek széles skálája keletkezik. Ha sikerül olyan körülményeket beállítani, ahol a kémiailag aktív részecskék élettartama elegendően nagy ahhoz, hogy a munkatérben elhelyezett hordozó felületére is nagy számban eljussanak, akkor létrejön a kívánt marás - feltéve, hogy a heterogén reakció terméke is gázhalmazállapotú és deszorbeálódik a felületről. A gyakorlatban halogén: F, Cl, néha Br alapú plazmákat használnak. A marási profil izotróp, v. anizotróp jellegét a kémiai reagens minősége és az alkalmazott plazmamaró konfiguráció tulajdonságai határozzák meg. Általánosságban elmondható, hogy a marások többsége izotróp jellegű, de a szubsztrát megfelelő előfeszítésével az izotróp kémiai marás kombinálható egy irányított "porlasztással", így a fizikai-kémiai reakció különböző fokú anizotróp marási profilt eredményezhet. Ennek a technikának a mai áramkörök tized-mikrométeres méretei mellett különleges jelentősége van. Példák: Si és Si vegyülteinek marása A legelterjedtebben alkalmazott CF 4 (és homológjaiból képzett) plazmában a képződő fluor atomok és CF 3 játsszák a fő szerepet a Si és a Si vegyületeinek marásában. Általánosságban megfogalmazható, hogy a F atomok a Si és a Si 3 N 4, a CF 3 gyök pedig a SiO 2 marószere. Ennek megfelelően a CF 4 alapú plazmák marási tulajdonságai, a fenti rétegek marásakor mutatott szelektivitása a plazmák összetételével az változtatható, melyet az alábbiakban foglalunk össze. CF 4 + e - CF 3 +F + e - (elektron ütközéses disszociáció) Si + 4F SiF 4 marás CF 3 + F CF 4 rekombináció: ez domináns A gyökök rövid élettartama miatt a tiszta CF 4 plazmában kicsi a Si és a SiO 2 marási sebessége is. Si (és Si 3 N 4 ) marása O 2 hozzáadásával az alábbi reakciók miatt növelhető a F (és csökken a CF 3 tartalom). CF 3 + O 2 COF 2 + OF CF 3 + OF COF 2 + 2F OF + OF [O 2 F 2 ] O 2 + 2F
7 7 A fluor tartalom növelésére 5-20% O 2 -t keverünk a CF 4 gázhoz. Hasonlóképpen alkalmazzák a SF 6 + O 2, elegyet, ill. az NF 3 -ot. Ez utóbbi két gáz komoly előnye, hogy a bizonytalan összetételű és inhibitorként működő bizonytalan összetételű polimerek kialakulásának a veszélye nulla, ugyanakkor korrozív jellegük, mérgező tulajdonságuk, ill. az NF 3 magas ára miatt használatuk nem feltétlenül ideális. SiO 2 marása A SiO 2 marásakor lejátszódó reakció: 4CF 3 + 3SiO 2 3SiF 4 + 2CO + 2CO 2 A fentiek alapján értelemszerűen a CF 3 koncentrációt növelni, a F tartalmat csökkenteni kell. Ennek legegyszerűbb útja, ha a rendszerbe H 2 adagolunk, ugyanis a hidrogén a F atomokkal rendkívül stabil HF molekulát képez, így az egyensúly a szilícium-dioxidot maró CF 3 képződésének irányába tolódik el. 2F + H 2 2HF stabil CF x (x=1-3) + SiO 2 SiF 4 + CO + CO 2 + COF 2 CF x (x=1-3) + Si Si F x + C (C x Si y F z - polimer marás leáll) A leggyakrabban alkalmazott marógázok: CF 4 +H 2, CHF 3, C 2 F 6 + H 2, C 3 F 8 + H 2 A legutolsó egyenlet nemcsak a reduktív jellegű CF plazmák Si-ra mutatott nagy szelektivitásának okát érzékelteti, de jelzi a polimer képződés nyújtotta lehetőségeket, ill. annak veszélyeit is. Ha nem sikerül a nemkívánatos polimerektől megszabadulni, a megmunkált minta használhatatlan lesz: pl. egy elektromos Si kontaktust beborító vékony szigetelő réteg az egész áramkört használhatatlanná teszi. Ugyanakkor jól definiált körülmények között egy hasonló jellegű polimer képződés kiválóan felhasználható a marás anizotrópia fokának növelésére. Egy olyan rendszerben, ahol a fizikai és kémiai hatások egyszerre érvényesülnek (szubsztrát előfeszítés) a két lépés periodikus változtatásával előállítható egy meredek falú árok: az első lépésben irányított kémiai-fizikai marással kimarjuk a kívánt réteget, majd a másodikban olyan gázösszetételt (esetleg fizikai paramétereket) állítunk be, amely a kimart gödröt vékony rétegben polimerrel borítja. Ezután megint az első művelet következik, de itt az irányított marás már csak a gödör alján alkalmas arra, hogy a elporlassza vékony polimert és a marószer számára szabaddá tegye a felületet, ugyanakkor az oldalfal továbbra is védett marad. Ezeknek a lépéseknek az ismétlésével egészen mély, meredek falú gödrök marhatók, amelyeknek a szubsztrát polimer 4. ábra: Mély árok készítése ciklikus marási eljárással: Marás-polimerleválasztás-ionbombázásos anizotróp polimermarás-marás bonyolult áramkörök több szinten elhelyezett fémvezetékeinek összekötésénél, ill. a 3D MEMS eszközök kialakításában van rendkívüli jelentőségük (4. ábra).
8 Additív ábrakialakítás Az additív ( lift-off ) ábrakialakítás feltétele, hogy a leoldandó segédréteg oldalfalán a leválasztott vékonyréteg ne legyen folytonos, azaz a lépcsőfedés ne legyen ideális. Ez a geometriai méretek függvényében megvalósítható egyszerű lakkábrával és a rossz lépcsőfedést adó vákuumgőzöléssel, de két segédréteg alkalmazásával - ha a második réteget izotróp marással alakítjuk ki - szinte minden típusú lépcsőfedéshez előállíthatók a technika szükséges feltételei. (5. ábra) lakk 2. segédréteg 5. ábra: egyszerű és két segédréteges szerkezet a lift-off technikájú ábrakialakításhoz Az optikai litográfia elméleti alapjai 7. Fotólitográfia Fotókémiai reakció A fotólitográfiás műveletek során egy fényérzékeny, többkomponensű polimer filmből egy lakkmintázat készül. Kémiai összetételét tekintve a polimerfilm, röviden lakk, vagy reziszt, három különböző komponensből áll, a novolakk filmképző polimerből, a fényérzékenyítőből és a két komponenst oldatban tartó oldószerelegyből. Szárazanyagának tömegszázaléka a vízben nem oldódó diazonaftokinon (DQ) fényérzékenyítő, mely inhibitor hatása folytán korlátozza a másik komponens oldékonyságát a hívó oldatban. 6. ábra Pozitív fotólakk oldékonysága a hívó oldatban a fényérzékenyítő anyag koncentrációja függvényében az exponált és nem exponált lakk esetén. Az exponálás során, a fénnyel megvilágított helyeken fotókémiai reakció játszódik le, a lakk naftokinondiazid (DQ) komponense átalakul, ennek reakcióterméke az indékarbonsav (ICA).
9 9 Az exponált lakk a hívó oldatban rendkívül jól oldódik, ha megfelelően nagy a DQ koncentráció, ezzel együtt nő a kontraszt is, azaz az exponált és nem exponált lakk oldékonyságának különbsége (6. ábra). Az exponáláshoz az u.v. fényforráson kívül egy ú.n. maszkra van szükség. A maszk egy speciális planparallel üveglemez, melynek egyik oldalán króm vékonyréteg mintázatot alakítottak ki. Az exponálás során az üveglemez átlátszó részén áthatoló fény okozta fotokémiai reakció a fentiek szerint megy végbe. A novolakk filmképző polimer nem fényérzékeny, illetve a vizsgált nm-es tartományban kémiailag stabil. Ez az a hullámhossz tartomány, amelyen belül használjuk az közeli u.v. tarományban érzékeny pozítív fotólakkokat. A fentiekben leírt fotólakk pozitív működésű, ami azt jelenti, hogy a maszkon levő átlátszatlan mitázat a lakkban azonos kontraszttal képződik le, vagyis a maszk mintázatnak megfelelő lakk mintázat alakul ki a szilícium szeleten. A pozitív fotólakkok előnyös tulajdonságai miatt elterjedtebbek, mint a negatív fotólakkok, mivel a pozitív lakk alkalmas nagyfelbontású, finom mintázat kialakítására, a finom minta megőrzi az alakját az előhívás folyamata alatt is, s ellenálló a plazma-műveletekkel szemben Az előhívás folyamata Az exponált lakk oldékonysága a hívó oldatban egy adott dózis küszöbértéknél D min hirtelen megváltozik, vagyis a fotokémiai reakció az exponált terület alatti teljes térfogatban lejátszódik megfelelő hatásfokkal. Az optimális dózis D min -nál mindig nagyobb, de közel esik a munkapont ehhez az értékhez (lásd 7. ábra). 7. ábra Az előhívás után meg maradó lakkvastagság az exponálás dózisa függvényében A hőkezelés folyamata A maszk mintázatnak a fotólakkra történt exponálása és előhívása után kialakul egy olyan lakkmintázat a hordozón, melynél a mintázat topológiája szerint fedett és fedetlen területek vannak. A lakkal fedett részeken a fotólakk az erős ásványi savakkal szemben ellenállóvá válik, ha további hőkezelésnek vetik alá. A polimer háló kialakulása az alábbi reakció szerint megy végbe:
10 10 Az inhibítor molekula és a novolakk észter kötést hoz létre, s az így létrejött makromolekula nemcsak a szobahőmérsékleten, hanem egészen 60-80C -ig is stabil marad ásványi savak elegyében akár néhányszor 10 percig is. A salétromsav roncsolja a lakkot, így csak nagyon kis mennyiségben szabad tartalmaznia az alkalmazott marószernek (lásd Al maró oldat) A fotólitográfiás maszkillesztő berendezések elvi működése, az optikai ábraleképzés Kontakt és proximity másolás A maszkillesztő és exponáló berendezések segítségével a szeleten már előzőleg kialakított mintázathoz egy következő maszkszintnek megfelelő ábrát lehet nagy pontossággal hozzáilleszteni. A berendezések egyik fő része, a mechanikus mozgató rendszer, mely képes a szelet x,y pozícióját, valamint a szögállását 1 mikronnál kisebb eltéréssel beállítani, még akkor is, ha maga a berendezés a higanygőzlámpa G vonalára van optimalizálva. A várható felbontóképesség a kontakt másolásnál: 2b = 3 0,5 λd ahol λ = exponáló fény hullámhossza, d = lakkréteg vastagsága, 2b = minimális periódus méret, s = maszk-lakk távolság, Kontakt másolás esetén a lakk és a maszk között közel optikai kontaktus alakul ki. Ha λ = 400 nm, d=1 µm, akkor 0,7 µm-os felbontást kapunk. Proximity másolásnál egy bizonyos rést alakítanak ki a lakkréteg és a maszk között, így a felbontóképesség ugyan romlik, de a maszk nem szennyeződik, mivel a lakkréteg és a maszk nem érinti egymást. A felbontóképesség egyenlete tartalmazza az s tagot is: 2b = 3 s+0,5 λd Ha λ = 400 nm, s = 10 µm és d = 1 µm, akkor b = 3.0 µm-os felbontást kapunk.
11 11 8. ábra A maszkillesztő berendezés elvi vázlatát és a lakkban kialakult intenzitás-eloszlást mutatja a következő ábra a maszkon levő átlátszó és átlátszatlan területek periodikus mintázata esetén: A maszkillesztő berendezés optikája egy kollimátor lencserendszerrel biztosítja a párhuzamos fényt, melynek fényforrása a nagynyomású higanygőzlámpa. Emissziós spektruma az alábbi ábrán látható. Az üvegből készült optika a 365 nm-nél kisebb hullámhosszúságú fényt már szinte teljes mértékben elnyeli, ezért ha a felbontóképességet tovább akarjuk növelni az alkalmazott hullámhossz csökkentésével, az üveg optikát kvarc optikára kell lecserélni. 9. ábra. A nagynyomású higanygőzlámpa emissziós spektruma Technológiai lépések Általános megfogalmazásban optikai litográfiával mintázatokat lehet kialakítani egy hordozóra felvitt vékonyrétegben. Először a fényérzékeny polimert (fotólakk oldatot) terítik a mintára, ezt követően a lakkréteg szárítása történik két lépésben. A lakkal fedett mintára helyezett maszk
12 12 megvilágítása után az előhívás, azaz az exponált lakk szelektív kioldása következik. További hőkezelés után, a lakkal nem fedett helyeken kimarják a vékonyréteget. Ennek értelmében az alábbi technológiai lépések szükségesek a lakkmintázat, majd a vékonyréteg mintázat előállításához Dehidratálás A művelet célja, hogy a megmunkálandó vékonyréteg felülete hidrofób legyen. Általában, a frissen leválasztott fémrétegek, a szilícium-nitrid, poli-szilícium, valamint a magas hőmérsékleten készített szilícium-dioxid réteg felülete hidrofób, ezért a dehidratálásra nincs szükség. Ezzel szemben, minden vizes művelet után a szilícium-dioxid rétegen a felületre fizikailag kötött vizet 300 C-os, egy órás szárítással távolítjuk el, a kémiailag kötött vizet 900 C-os hőkezeléssel. Ha a magas hőmérsékletű hőkezelésre nincs lehetőség, a szilícium-dioxid felületére egy tapadásnövelő réteget, ú.n. primert vihetünk fel centrifugával. Nagy illékonysága miatt egy monomolekulás réteg alakul ki. A primer kémiai elnevezése: hexametil-diszilazán, röviden HMDS. Poláros csoportjai a kémiailag kötött vízhez, az -OH csoportokhoz kötődnek, míg az apoláros részek beborítják a felszínt, a hidrofóbbá vált felületén jó nedvesítés alakul ki a lakkréteg és a primerrel borított felület között Lakkfelvitel Centrifuga segítségével, két lépésben visszük fel az egyenletes vastagságú lakkréteget. Az első lépés a lakkterítés 600 rpm-en 2 másodpercig, a második lépés a szárítás rpm-en 30 másodpercig tart (10.a. és10.b. ábra). Fotólakk Lakk adagoló A felesleges lakk lepereg a forgás alatt Vákuum csatlakozó 10.a. ábra Lakkterítő centrifuga
13 13 Fordulatszám Lakkszárítás, Lakk terítés 10.b. ábra A lakk centrifugálás folyamata A lakkréteg vastagságát a lakkoldat szárazanyag tartalma, viszkozitása, a centrifuga fordulatszáma és a környezet hőmérséklete határozza meg. Az oldószer illékonysága kisebb mértékben, de szintén hat a film vastagságára. Kiválasztásakor újabban a polimerek oldhatóságán és a filmképzési tulajdonságok optimalizálásán kívül a környezetre, az egészségre való káros hatást is figyelembe veszik. A lakkfelvitel hibái: - Striation (bordázat): sugárirányú színes vonalak, melyek vastagsága kb.20-30nm-el tér el a környezetétől - Lakkperem: Vastagság eltérés a kerület mentén, mely maximum nm-el tér el a szelet közepén mért vastagságtól. - Ellipszis alakú mintázat radiális irányban. Szilárd részecskék, porszemek okozzák Lakkszárítás A művelet célja a lakkfilmben megkötött oldószerek eltávolítása, a réteg tömörítése. Pozitív lakk esetén a hőciklus tipikusan 90-95C -on konvekciós kályhában történik, vagy Cº u.n. hot plate-en (11. ábra). Az iparban mikrohullámú és infravörös kályhás szárítást használnak. Hot plate használata előnyös, mert gyors, nem képződik a lakkfelszínen kéreg, így az nem zárja el az elpárologtatandó oldószer útját, a művelet jól ellenőrizhető. Jó a termikus kontaktus, mivel sík a felülete. A lakkvastagság kb. 25%-al csökken a lakkszárítás folyamata alatt. fotólakk oldószer Si szelet 11. ábra A hot plate-s szárítás Hot plate chuck Pontos szárítási hőmérséklet-idő paraméter párok szükségesek a lakkábra geometriai méreteinek reprodukálására. Az előhívás ideje is függ a szárítási hőmérséklet-idő paraméterektől az exponált területen, de függ a sötét terület korróziója is a fenti paraméterektől. Az exponálatlan
14 14 területek oldódása rontja a kontrasztot (a lakk oldalfalak laposabbá válnak), valamint rontja a lakk kémiai ellenálló-képességét is. A 100 ºC-os szárítás már nagymértékben roncsolja a fényérzékenyítő komponenst, magasabb hőmérsékleten már a kioldás sem lehetséges (12. ábra). Oldási sebesség [nm/sec] Hőmérséklet[ºC] 12. ábra Pozitív fotólakk oldási sebessége a szárítási hőmérséklet függvényében az exponálást követően Maszkillesztés, exponálás Többmaszkos technológia esetén, a szeleten levő, korábban kialakított ábrához illesztik maszkon levő ábrát egy mikroszkóppal felszerelt maszkillesztő-berendezés segítségével. Az illesztőberendezés exponáló része egy ultraibolya fényforrást tartalmaz, egy nagynyomású higanygőzlámpát, és egy kollimátor rendszert. Az intenzitás sűrűséget egy fényintegrátor állítja be automatikusan a maszkillesztő berendezésen. A kapott lakkábra kontrasztja a maszkhoz viszonyítva az alkalmazott lakk tulajdonságától függ (lsd 13. ábra). A lakkban látens kép alakul Előhívás - nedves kémiai Si Maszk:üveg hordozón króm bevonat. NEGATÍV FOTÓLAKK A fény hatására a lakk polimerizálódik, így oldhatatlanná válik az előhívó oldattal szemben. POZITÍV FOTÓLAKK A fény hatására elbomlik az inhibítor, a lakk így oldhatóvá válik az előhívó oldatban. 13. Exponálás UV fénnyel, egyenletes megvilágítás
15 Előhívás Az exponálással kialakított látszólagos képet az előhívó oldatba mártással, szelektív kioldással alakítjuk ki. Előhívás után lakkal fedett és fedetlen területek határán alakulnak ki a lakk oldalfalak. Ezek meredeksége adja az ábra kontrasztját, minél meredekebb a fal, annál jobb a kontraszt és annál nagyobb a felbontóképesség. A forgalomban levő előhívó oldatok koncentrátumok, így további hígításra kerülnek. Az előhívó oldat koncentrációja, a lakk réteg vastagsága és az exponáló dózis határozzák meg az előhívási időt. Az említett paramétereket úgy kell megválasztani, hogy az előhívás ideje sec között legyen. A kontraszt ilyen hívási idők mellett lesz optimális Beégetés A művelet stabilizálja az előhívott mintázatot, kémiailag ellenállóvá teszi a polimer filmet, valamint eltávolítja az oldószer maradványokat. A fotólakk film plasztikus folyásának mértéke a hőmérséklettől függ, ezt mutatja a 14. ábra. A lakkábra magasság-szélesség arányától függően változik a lakkábra laterális mérete, bizonyos fokú stressz képződik a rétegben. Magasabb hőmérsékletű és hosszabb ideig tartó hőkezelés után nehezebb feloldani a lakkot az oldószerben. 14. A fotólakk folyásának hőmérséklet függése A nem beégetett, vagy alacsony hőmérsékleten beégetett lakkréteget és maradványai általában az alábbi oldószerekben leoldhatók: aceton, triklóetilén, fenol alapú ú.n. sztripperek. Magas hőmérsékletű beégetés esetén az alábbi oldási módszerek állnak rendelkezésre: N-metil- 2pirolidon, füstölgő salétromsav, plazmás eltávolítás O 2 plazmában. A feladat Szubsztraktív ábrakészítés Al vékonyrétegen. Az izotróp marások okozta méretváltozások ellenőrzése optikai mikroszkóppal, okulár mikrométerrel és az eredmények értékelése.
16 16 MOS tranzisztor Kialakítása, karakterizóciója 1. Elméleti összefoglaló 1.1. A MOS kapacitás 1. ábra: MOS kapacitás sematikus rajza (fenn), sávdiagrammja (középen), töltés eloszlása inverzióban (lenn) A struktúrán a térerősség hatására a fémen pozitív töltések jelennek meg, a p típusú félvezetőben először egy kiürített réteg jön létre, majd adott térerősségnél negatív mozgásképes töltéshordozók az ún. inverziós töltések. Az a feszültség, amit a struktúrára kell adni, hogy az inverziós csatorna létrejöjjön a V T küszöbfeszültség. V T értékét a következő tényezők befolyásolják: az alkalmazott anyagok kilépési munkája, az oxid vastagsága, töltései és permittivitása, a Si adalékolása és permittivitása 1.2. MOS tranzisztorok A MOS tranzisztor egy source és egy drain elektródával kiegészített MOS kapacitás. n csatornás eszköz: p típusú szubsztráton, az inverziós csatornát elektronok alkotják, ezeket kontaktálja az n + source és drain. p csatornás eszköz: n típusú szubsztrátban p + source és drain, az inverziós csatorna lyukakból áll. Növekményes (enhancement mode) MOS tranzisztor: ha V GS = 0 esetén nincs áramvezető csatorna. Kiürítéses (depletion mode) MOS tranzisztor, ha V GS = 0 esetén van áramvezető csatorna.
17 17 2. ábra: A MOS tranzisztor szerkezetének sematikus rajza (a), áramköri jelölése (b) 1.3. Az n-csatornás MOS tranzisztor működése Ha a V GS gate feszültség nagyobb mint a V T küszöbfeszültség, a Si és SiO 2 átmenetnél egy elektronokból álló inverziós réteg alakul ki, ld. 3.a ábra. Az n + - source tartomány a MOS kapacitás inverziós töltéseinek gyors megjelenését biztosítja. 3a. ábra: Az inverziós réteg kialakulása A drain előfeszítésének hatásai V DS < V GS -V T esetén, ld. 3b. ábra: Az n + drain tartomány pozitív előfeszítése hatására az inverziós csatornában a source-tól a drain felé áram folyik. 3b. ábra: A MOS tranzisztor működése kis drain feszültségnél (lineáris tartomány) A pozitív feszültség a drain körüli p-n átmenetet záróirányban feszíti elő, ennek eredménye a széles kiürített réteg a drain körül. Az inverziós csatorna töltéseinek számát V GS szabályozza. A drain feszültség miatt az inverziós csatornán feszültség esik, ezért a csatorna a drain felé szűkül.
18 18 Egy adott drain feszültségnél (V DSsat, telítési feszültség) a csatorna a drain-nél elzáródik (pinch-off), ld. 3c. ábra. Ugyanis ha V DS > V GS -V T, a drain-nél nem tud inverziós csatorna kialakulni. A telítési, vagy szaturációs feszültség értéke: V DSsat = V GS - V T Az elzáródás bekövetkezte után a MOS tranzisztor un. telítéses üzemmódban dolgozik, a drain feszültség tovább nem befolyásolja a csatorna áramot A MOS tranzisztor karakterisztikái Kimeneti karakterisztika: I D = f(u DS ) 3.c ábra: A MOS tranzisztor töltés viszonyai a telítési tartomány kezdetén 4. ábra: A kimeneti karakterisztika: I D =f(u DS ). A paraméter: U GS Transzfer karakterisztika: I D =f(u GS ) 5. ábra: A transzfer karakterisztika: I D =f(u GS )
19 A MOS tranzisztor egyenletei A MOS tranzisztor egyenlete a lineáris tartományban: ahol w a gate szélessége, L a gate hosszúsága, ε ox az oxid permittivitása, t ox az oxid vastagsága, µ n a csatorna töltéshordozóinak mozgékonysága, V GS a gate-source feszültség, V T a tranzisztor küszöbfeszültsége, V DS a drain source feszültség. A MOS tranzisztor egyenlete a lineáris tartományban: A MOS tranzisztor egyenlete a telítéses tartományban: 2. Mérési feladatok Az MFA Mikrotechnológiai Laboratóriumában készített technológia monitorozó chipeken a CMOS technológia folyamatainak ellenőrzésére és az eszközparaméterek vizsgálatára alkalmas szerkezetek vannak. A kialakított alakzatok rajzolatai köztük a különböző geometriájú n- és p-csatornás tranzisztorok a 6. ábrán láthatóak.
20 20 6. ábra: A technológia monitorozó chip rajzolata. A mérési gyakorlaton egy w/l = 1 es geometriával jellemezhető n-csatornás MOS tranzisztor kimenő karakterisztikáját fogjuk felvenni. A görbesereg felvétele egy még felfűrészeletlen Si szelet egyik chipjéről, tűs mérő segítségével fog megtörténni. A méréshez használt műszer: Hewlett-Packard 4140B típusú pa mérő/dc feszültségforrás. A mérést számítógéppel vezéreljük, az adatokat szintén a PC gyűjti. Feladatok: 1. Vegye fel az előzőekben leírt tranzisztor kimeneti karakterisztikáját (I D =f(v DS ) felvétele, különböző V GS feszültségeknél) 2. Ábrázolja a mért eredményeket! 3. Határozza meg a lineáris/telítési tartomány határát, rajzolja be a görbeseregbe! 4. A telítési tartomány egy adott V DS értékénél (pl. +5V) leolvasható I D -V GS érték párok alapján ábrázolja az I 1/2 D = f(v GS ) görbét! 5. Határozza meg az eszköz küszöbfeszültségét az így kapott görbéből! 6. A görbe meredekségéből számítsa ki a mozgékonyságot! Adatok, kiegészítések a feladatokhoz:
21 21 ε 0 = 8,854*10-12 F/m ε r = 3,9 (SiO 2 ) t ox = 600 nm = 6*10-7 m w = 400 µm L = 400 µm A w/l = 1 es geometriával jellemezhető tranzisztorok mérési eredményéből a mozgékonyság értéke egyszerűen kiszámítható, hiszen az I D 1/2 = f(v GS ) görbe meredeksége az oxid jellemzőin kívül csak a mozgékonyságtól függ. A ilyen nagy, 400 µm*400 µm-es méret pedig azért célszerű, mert a fotolitográfiás és egyéb műveletek méret változtatása csak relatív kis hibát okoz a kalkulációban.
A félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter
A félvezetıgyártás ábrakialakítási módszerei Készítette: Fekete Zoltán, Dr. Fürjes Péter A mérés célja: A gyakorlat célja az optikai litográfia elméleti alapjainak, valamint az ábrakészítés lépéseinek
RészletesebbenA technológiában a fotolitográfiás lépés ismétlődik Fabrication of pmos (poly gate) transistor 4 level mask set. Source Gate Drain. Process sequence 1
1 2 Fotólitográfia Egy sok lépésből álló művelet, amely során először lakk ábrák kialakítása történik fény hatására egy fényérzékeny bevonatban. Ezután ezt a mintázatot visszük át különböző vékonyrétegekbe.
RészletesebbenZH November 27.-én 8:15-től
ZH-2 2017 November 27.-én 8:15-től Érzékelési elvek Érzékelési módszerek Mikrotechnológia http://www.mogi.bme.hu/tamop/mikromechanika/math-index.html 1 Mikrotechnológia alapjai Mikrotechnológia = szerszámkészlet
RészletesebbenVékonyrétegek - általános követelmények
Vékonyrétegek - általános követelmények egyenletes vastagság a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet (amorf, polikristályos, epitaxiális) azonos fizikai és kémiai tulajdonságok tömörség
RészletesebbenMEMS eszköz: a tranzisztor elektromechanikus analógja
1 MTA TTK Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Csikósné Dr Pap Andrea Edit
RészletesebbenMEMS, szenzorok. Tóth Tünde Anyagtudomány MSc
MEMS, szenzorok Tóth Tünde Anyagtudomány MSc 2016. 05. 04. 1 Előadás vázlat MEMS Története Előállítása Szenzorok Nyomásmérők Gyorsulásmérők Szögsebességmérők Áramlásmérők Hőmérsékletmérők 2 Mi is az a
RészletesebbenMEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS alkalmazási területei - szemelvények. MEMS technológiák, eljárások - Oxidáció
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS technológia kialakulása MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA
2 FÉLVEZETŐ ALAPÚ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁJA 2-05 MINTÁZAT- ÉS SZERKEZET-KIALAKÍTÁS FÉLVEZETŐ SZELETEN ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS
RészletesebbenMEMS. Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök. MEMS technológia kialakulása
MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet MEMS Laboratórium 1121 Budapest, Konkoly - Thege Miklós út 29-33 MEMS Micro Electro Mechanical Systems Eljárások és eszközök Pap Andrea Edit pap@mfa.kfki.hu
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mond valamit? MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 Szilícium
RészletesebbenTextíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu
RészletesebbenIntegrált áramkörök/2. Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék
Integrált áramkörök/2 Rencz Márta Elektronikus Eszközök Tanszék Mai témák MOS áramkörök alkatrészkészlete Bipoláris áramkörök alkatrészkészlete 11/2/2007 2/27 MOS áramkörök alkatrészkészlete Tranzisztorok
Részletesebben3D bútorfrontok (előlapok) gyártása
3D bútorfrontok (előlapok) gyártása 1 2 3 4 5 6 7 8 9 MDF lapok vágása Marás rakatolás Tisztítás Ragasztófelhordás 3D film laminálás Szegély eltávolítása Tisztítás Kész bútorfront Membránpréses kasírozás
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok II. A MOSFET-ek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/12-mosfet1.ppt http://www.eet.bme.hu Ismétlés: Működési
RészletesebbenLaptop: a fekete doboz
Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3
RészletesebbenTermészetes vizek, keverékek mindig tartalmaznak oldott anyagokat! Írd le milyen természetes vizeket ismersz!
Összefoglalás Víz Természetes víz. Melyik anyagcsoportba tartozik? Sorolj fel természetes vizeket. Mitől kemény, mitől lágy a víz? Milyen okokból kell a vizet tisztítani? Kémiailag tiszta víz a... Sorold
RészletesebbenG04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
RészletesebbenMikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter. MEMS technológia - marások
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia / lift-off izotróp
RészletesebbenSOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead
1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek
RészletesebbenVÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK
3 VÉKONYRÉTEGEK ÉS ELŐÁLLÍTÁSUK 3-01 VÉKONYRÉTEG TECHNOLÓGIA ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA ÉS ANYAGISMERET VIETAB00 BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY TARTALOM
RészletesebbenAnalitikai szenzorok második rész
2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető
RészletesebbenAdatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei
Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Gazdálkodási modul Gazdaságtudományi ismeretek I. Közgazdasá Adatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSI
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás
FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK A leggyakrabban használt félvezető anyagok a germánium (Ge), és a szilícium (Si). Félvezető tulajdonsággal rendelkező elemek: szén (C),
RészletesebbenNév: Dátum: Oktató: 1.)
1.) Jelölje meg az egyetlen helyes választ (minden helyes válasz 1 pontot ér)! i). Redős szűrőpapírt akkor célszerű használni, ha a). növelni akarjuk a szűrés hatékonyságát; b). a csapadékra van szükségünk;
RészletesebbenA jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.
Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,
Részletesebben1. feladat Összesen: 18 pont. 2. feladat Összesen: 9 pont
1. feladat Összesen: 18 pont Különböző anyagok vízzel való kölcsönhatását vizsgáljuk. Töltse ki a táblázatot! második oszlopba írja, hogy oldódik-e vagy nem oldódik vízben az anyag, illetve ha reagál,
Részletesebben6. változat. 3. Jelöld meg a nem molekuláris szerkezetű anyagot! A SO 2 ; Б C 6 H 12 O 6 ; В NaBr; Г CO 2.
6. változat Az 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Jelöld meg azt a sort, amely helyesen
RészletesebbenA mikromechanikai technológiák alapjai
1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Vegyészmérnöki és Biomérnöki Kar Anyagtudományi Labor A mikromechanikai technológiák alapjai I. Fotólitográfia Holczer Eszter, Dr. Pongrácz Anita, Vázsonyi
Részletesebben1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak?
Ellenörző kérdések: 1. előadás 1/5 1. előadás 1. Egy lineáris hálózatot mikor nevezhetünk rezisztív hálózatnak és mikor dinamikus hálózatnak? 2. Mit jelent a föld csomópont, egy áramkörben hány lehet belőle,
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
RészletesebbenAz egyensúly. Általános Kémia: Az egyensúly Slide 1 of 27
Az egyensúly 6'-1 6'-2 6'-3 6'-4 6'-5 Dinamikus egyensúly Az egyensúlyi állandó Az egyensúlyi állandókkal kapcsolatos összefüggések Az egyensúlyi állandó számértékének jelentősége A reakció hányados, Q:
RészletesebbenMikromechanikai technológiák
1 Mikromechanikai technológiák Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 Ismétlés MEMS / mikromechanika litográfia pozitív / negatív reziszt lift-off CVD / ALD izotróp / anizotróp marás RIE / DRIE 3 TECHNOLÓGIA:
RészletesebbenNYÁK technológia 2 Többrétegű HDI
NYÁK technológia 2 Többrétegű HDI 1 Többrétegű NYHL pre-preg Hatrétegű pakett rézfólia ónozatlan Cu huzalozás (fekete oxid) Pre-preg: preimpregnated material, félig kikeményített, üvegszövettel erősített
RészletesebbenBevezetés az analóg és digitális elektronikába. V. Félvezető diódák
Bevezetés az analóg és digitális elektronikába V. Félvezető diódák Félvezető dióda Félvezetőknek nevezzük azokat az anyagokat, amelyek fajlagos ellenállása a vezetők és a szigetelők közé esik. (Si, Ge)
Részletesebben5. Laboratóriumi gyakorlat
5. Laboratóriumi gyakorlat HETEROGÉN KÉMIAI REAKCIÓ SEBESSÉGÉNEK VIZSGÁLATA A CO 2 -nak vízben történő oldódása és az azt követő egyensúlyra vezető kémiai reakció az alábbi reakcióegyenlettel írható le:
RészletesebbenAnyagos rész: Lásd: állapotábrás pdf. Ha többet akarsz tudni a metallográfiai vizsgálatok csodáiról, akkor: http://testorg.eu/editor_up/up/egyeb/2012_01/16/132671554730168934/metallografia.pdf
Részletesebben13 Elektrokémia. Elektrokémia Dia 1 /52
13 Elektrokémia 13-1 Elektródpotenciálok mérése 13-2 Standard elektródpotenciálok 13-3 E cella, ΔG és K eq 13-4 E cella koncentráció függése 13-5 Elemek: áramtermelés kémiai reakciókkal 13-6 Korrózió:
RészletesebbenFényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
RészletesebbenNagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC)
Nagyhatékonyságú folyadékkromatográfia (HPLC) Kromatográfiás módszerek osztályba sorolása 2 Elúciós technika A mintabevitel ún. dugószerűen történik A mozgófázis a kromatogram kifejlesztése alatt folyamatosan
RészletesebbenMérés és adatgyűjtés
Mérés és adatgyűjtés 7. óra Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2013. április 11. MA - 7. óra Verzió: 2.2 Utolsó frissítés: 2013. április 10. 1/37 Tartalom I 1 Szenzorok 2 Hőmérséklet mérése 3 Fény
Részletesebben5. Az adszorpciós folyamat mennyiségi leírása a Langmuir-izoterma segítségével
5. Az adszorpciós folyamat mennyiségi leírása a Langmuir-izoterma segítségével 5.1. Átismétlendő anyag 1. Adszorpció (előadás) 2. Langmuir-izoterma (előadás) 3. Spektrofotometria és Lambert Beer-törvény
RészletesebbenLakos István WESSLING Hungary Kft. Zavaró hatások kezelése a fémanalitikában
Lakos István WESSLING Hungary Kft. Zavaró hatások kezelése a fémanalitikában AAS ICP-MS ICP-AES ICP-AES-sel mérhető elemek ICP-MS-sel mérhető elemek A zavarások felléphetnek: Mintabevitel közben Lángban/Plazmában
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
RészletesebbenMinta feladatsor. Az ion neve. Az ion képlete O 4. Szulfátion O 3. Alumíniumion S 2 CHH 3 COO. Króm(III)ion
Minta feladatsor A feladatok megoldására 90 perc áll rendelkezésére. A megoldáshoz zsebszámológépet használhat. 1. Adja meg a következő ionok nevét, illetve képletét! (8 pont) Az ion neve.. Szulfátion
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
RészletesebbenSzepes László ELTE Kémiai Intézet
Szepes László ELTE Kémiai Intézet Szárnyaló molekulák felületi rétegek ALKÍMIA MA c. előadássorozat 2013. február 14. Az előadás témája és vázlata Téma: felületi gőzfázisú rétegleválasztás (Chemical Vapour
RészletesebbenSav bázis egyensúlyok vizes oldatban
Sav bázis egyensúlyok vizes oldatban Disszociációs egyensúlyi állandó HAc H + + Ac - ecetsav disszociációja [H + ] [Ac - ] K sav = [HAc] NH 4 OH NH 4 + + OH - [NH + 4 ] [OH - ] K bázis = [ NH 4 OH] Ammóniumhidroxid
RészletesebbenAktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György
Aktuátorok korszerű anyagai Készítette: Tomozi György Technológiai fejlődés iránya Mikro nanotechnológia egyre kisebb aktuátorok egyre gyorsabb aktuátorok nem feltétlenül villamos, hanem egyéb csatolás
RészletesebbenBudapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem. Elektronikus Eszközök Tanszéke. A modern CMOS. eet.bme.hu
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A modern CMOS A MOS tranzisztor Ezt tanultuk Ez pedig a valóság, 2013 14nm. A MOS tranzisztor skálázása ugyanazt, kicsiben
RészletesebbenA 27/2012. (VIII. 27.) NGM rendelet (29/2016. (VIII. 26.) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján.
A 27/2012. (VIII. 27.) NGM rendelet (29/2016. (VIII. 26.) NGM rendelet által módosított) szakmai és vizsgakövetelménye alapján. Szakképesítés azonosítószáma és megnevezése 54 524 03 Vegyész technikus Tájékoztató
RészletesebbenFélvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2
Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,
Részletesebben$% % & #&' ( ,,-."&#& /0, 1!! Félvezetk &2/3 4#+ 5 &675!! "# " $%&"" Az 1. IC: Jack Kilby # + 8 % 9/99: "#+ % ;! %% % 8/</< 4: % !
Félvezetk $ & &' ( )*+,,-.&& /0, 1 &2/3 4+ 56 5 &675 $& Az 1. I: Jack Kilby 1958 4 + 8 9/99: + ; 8/
RészletesebbenELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp
ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek
RészletesebbenOPTIKA. Fénykibocsátás mechanizmusa fényforrás típusok. Dr. Seres István
OPTIKA Fénykibocsátás mechanizmusa Dr. Seres István Bohr modell Niels Bohr (19) Rutherford felfedezte az atommagot, és igazolta, hogy negatív töltésű elektronok keringenek körülötte. Niels Bohr Bohr ezt
RészletesebbenLótuszvirág effektuson alapuló öntisztuló felületek képzésére alkalmas vízbázisú bevonat
Lótuszvirág effektuson alapuló öntisztuló felületek képzésére alkalmas vízbázisú bevonat Nanocolltech Kft. Jól ismert, hogy a lótuszvirág levelét és virágát a víz és más folyadékok nem nedvesítik, olyan
RészletesebbenÁltalános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás I.
Általános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás I. Halmazállapotok, fázisok Fizikai állapotváltozások (fázisátmenetek), a Gibbs-féle fázisszabály Fizikai módszerek anyagok tisztítására - Szublimáció
Részletesebben1. SI mértékegységrendszer
I. ALAPFOGALMAK 1. SI mértékegységrendszer Alapegységek 1 Hosszúság (l): méter (m) 2 Tömeg (m): kilogramm (kg) 3 Idő (t): másodperc (s) 4 Áramerősség (I): amper (A) 5 Hőmérséklet (T): kelvin (K) 6 Anyagmennyiség
RészletesebbenMűanyagok galvanizálása
BAJOR ANDRÁS Dr. FARKAS SÁNDOR ORION Műanyagok galvanizálása ETO 678.029.665 A műanyagok az ipari termelés legkülönbözőbb területein speciális tulajdonságaik révén kiszorították az egyéb anyagokat. A hőre
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA 7. MOS struktúrák: -MOS dióda, Si MOS -CCD (+CMOS matrix) -MOS FET, SOI elemek -MOS memóriák
MIKROELEKTRONIKA 7. MOS struktúrák: -MOS dióda, Si MOS -CCD (+CMOS matrix) -MOS FET, SOI elemek -MOS memóriák Fém-félvezetó p-n A B Heteroátmenet MOS Metal-oxide-semiconductor (MOS): a mikroelektronika
RészletesebbenFotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2011.10.05 Visegrád Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó
RészletesebbenMéréstechnika. Hőmérséklet mérése
Méréstechnika Hőmérséklet mérése Hőmérséklet: A hőmérséklet a termikus kölcsönhatáshoz tartozó állapotjelző. A hőmérséklet azt jelzi, hogy egy test hőtartalma milyen szintű. Amennyiben két eltérő hőmérsékletű
RészletesebbenSzervetlen kémia I. kollokvium, (DEMO) , , K/2. Írják fel a nevüket, a Neptun kódjukat és a dátumot minden lapra!
Szervetlen kémia I. kollokvium, (DEMO) 16. 05. 17., 00-12 00, K/2 Írják fel a nevüket, a Neptun kódjukat és a dátumot minden lapra! TESZT KÉRDÉSEK Kérdésenként 60 s áll rendelkezésre a válaszadásra. Csak
RészletesebbenAdatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei
Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Gazdálkodási modul Gazdaságtudományi ismeretek I. Közgazdasá Adatgyűjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb műszerei KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSI
RészletesebbenSZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK
SZIGETELŐK, FÉLVEZETŐK, VEZETŐK ITRISIC (TISZTA) FÉLVEZETŐK E EXTRÉM AGY TISZTASÁG (kb: 10 10 Si, v. Ge, 1 szennyező atom) HIBÁTLA KRISTÁLYSZERKEZET abszolút nulla hőmérsékleten T = 0K = elektron kevés
RészletesebbenÁltalános Kémia, 2008 tavasz
9 Elektrokémia 9-1 Elektródpotenciálok mérése 9-1 Elektródpotenciálok mérése 9-2 Standard elektródpotenciálok 9-3 E cell, ΔG, és K eq 9-4 E cell koncentráció függése 9-5 Elemek: áramtermelés kémiai reakciókkal
RészletesebbenAz N csatornás kiürítéses MOSFET jelleggörbéi.
SZIGETELT VEZÉRLİELEKTRÓDÁS TÉRVEZÉRLÉSŐ TRANZISZTOR (MOSFET) A MOSFET-nek (Metal Oxide Semiconductor, fém-oxid-félvezetı) két alaptípusa a kiürítéses és a növekményes MOSFET. Mindkét típusból készítenek
RészletesebbenKerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok
Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok Bagi István BME MTAT Bevezetés Kerámiák csoportosítása teljesen tömör bioinert porózus bioinert teljesen tömör bioaktív oldódó Definíciók Bioinert a szomszédos
RészletesebbenMikroelektronika és technológia, VI. sz gyakorlat Mérések a CMOS IC gyártási eljárás ellenõrzésére
Mikroelektronika és technológia, VI. sz gyakorlat Mérések a CMOS IC gyártási eljárás ellenõrzésére Célkitûzés: A gyakorlat célja a CMOS IC-k viselkedésének megismerése, kapcsolat keresése az eszköz tulajdonságok
Részletesebben1. változat. 4. Jelöld meg azt az oxidot, melynek megfelelője a vas(iii)-hidroxid! A FeO; Б Fe 2 O 3 ; В OF 2 ; Г Fe 3 O 4.
1. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:
RészletesebbenMikromechanikai technológiák. Rétegeltávolítás, marások. Fürjes Péter.
1 Mikromechanikai technológiák Rétegeltávolítás, marások Fürjes Péter E-mail: furjes@mfa.kfki.hu, www.mems.hu 2 Mit tudtok a témáról? Mit jelent? MEMS / NEMS mikromechanika IC / CMOS (technológia) litográfia
RészletesebbenAz anyagi rendszer fogalma, csoportosítása
Az anyagi rendszer fogalma, csoportosítása A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 2011 1 1 A rendszer fogalma A körülöttünk levő anyagi világot atomok, ionok, molekulák építik
RészletesebbenGLYCUNIC SOLAR EX napkollektor hőközlő folyadék
Termék leírás: A GLYCUNIC SOLAR EX alacsony toxicitású propilénglikol alapú hőközlő folyadék koncentrátum, minden napkollektoros alkalmazáshoz A GLYCUNIC SOLAR EX szerves sav inhibitor technológiát alkalmaz.
RészletesebbenNanoelektronikai eszközök III.
Nanoelektronikai eszközök III. Dr. Berta Miklós bertam@sze.hu 2017. november 23. 1 / 10 Kvantumkaszkád lézer Tekintsünk egy olyan, sok vékony rétegbõl kialakított rendszert, amelyre ha külsõ feszültséget
RészletesebbenMűvelettan 3 fejezete
Művelettan 3 fejezete Impulzusátadás Hőátszármaztatás mechanikai műveletek áramlástani műveletek termikus műveletek aprítás, osztályozás ülepítés, szűrés hűtés, sterilizálás, hőcsere Komponensátadás anyagátadási
RészletesebbenKÉMIA ÍRÁSBELI ÉRETTSÉGI- FELVÉTELI FELADATOK 1997
1. oldal KÉMIA ÍRÁSBELI ÉRETTSÉGI- FELVÉTELI FELADATOK 1997 JAVÍTÁSI ÚTMUTATÓ I. A HIDROGÉN, A HIDRIDEK 1s 1, EN=2,1; izotópok:,, deutérium,, trícium. Kétatomos molekula, H 2, apoláris. Szobahőmérsékleten
RészletesebbenJavítókulcs (Kémia emelt szintű feladatsor)
Javítókulcs (Kémia emelt szintű feladatsor) I. feladat 1. C 2. B. fenolos hidroxilcsoport, éter, tercier amin db. ; 2 db. 4. észter 5. E 6. A tercier amino-nitrogén. 7. Pl. a trimetil-amin reakciója HCl-dal.
Részletesebbena. 35-ös tömegszámú izotópjában 18 neutron található. b. A 3. elektronhéján két vegyértékelektront tartalmaz. c. 2 mól atomjának tömege 32 g.
MAGYAR TANNYELVŰ KÖZÉPISKOLÁK IX. ORSZÁGOS VETÉLKEDŐJE AL IX.-LEA CONCURS PE ŢARĂ AL LICEELOR CU LIMBĂ DE PREDARE MAGHIARĂ FABINYI RUDOLF KÉMIA VERSENY - SZERVETLEN KÉMIA Marosvásárhely, Bolyai Farkas
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A MOS inverterek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/13-mosfet2.ppt http://www.eet.bme.hu Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER
RészletesebbenT I T - M T T. Hevesy György Kémiaverseny. A megyei forduló feladatlapja. 8. osztály. A versenyző jeligéje:... Megye:...
T I T - M T T Hevesy György Kémiaverseny A megyei forduló feladatlapja 8. osztály A versenyző jeligéje:... Megye:... Elért pontszám: 1. feladat:... pont 2. feladat:... pont 3. feladat:... pont 4. feladat:...
RészletesebbenBevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 6. Anyagcsaládok Fémek Kerámiák, üvegek Műanyagok Kompozitok A családok közti különbségek tárgyalhatóak: atomi szinten
RészletesebbenSzámítások ph-val kombinálva
Bemelegítő, gondolkodtató kérdések Igaz-e? Indoklással válaszolj! A A semleges oldat ph-ja mindig éppen 7. B A tömény kénsav ph-ja 0 vagy annál is kisebb. C A 0,1 mol/dm 3 koncentrációjú sósav ph-ja azonos
RészletesebbenÁltalános kémia vizsgakérdések
Általános kémia vizsgakérdések 1. Mutassa be egy atom felépítését! 2. Mivel magyarázza egy atom semlegességét? 3. Adja meg a rendszám és a tömegszám fogalmát! 4. Mit nevezünk elemnek és vegyületnek? 5.
RészletesebbenMikrohullámú abszorbensek vizsgálata
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
Részletesebben1. feladat Összesen: 15 pont. 2. feladat Összesen: 10 pont
1. feladat Összesen: 15 pont Vizsgálja meg a hidrogén-klorid (vagy vizes oldata) reakciót különböző szervetlen és szerves anyagokkal! Ha nem játszódik le reakció, akkor ezt írja be! protonátmenettel járó
RészletesebbenBevonás. Az előadás felépítése
Bevonás Az előadás felépítése 1. A bevonandó anyagok jellemzése /fizikai paraméterek, méret/. Eljárástani paraméterek 3. Bevonó anyagok / összehasonlítások 4. Bevonási hibák 1 Fizikai jellemzők Bevonandó
RészletesebbenIpari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban
Gyártás 08 konferenciára 2008. november 6-7. Ipari jelölő lézergépek alkalmazása a gyógyszer- és elektronikai iparban Szerző: Varga Bernadett, okl. gépészmérnök, III. PhD hallgató a BME VIK ET Tanszékén
RészletesebbenNégyszögrúd. Körrúd. Ötvözet: EN-AW-6060, 6063, 6005A Súly (kg/m) = 0,0027 x a2 mm (ha r=0) Hossz 6 méter. * EN-AW-6082 (AlMgSi1) Sapa profil
Négyszögrúd (kg/m) = 0,0027 x a2 mm (ha r=0) a r kg/m a r kg/m 40098 * 8 1 0,172 40071 * 22 1 1,306 40001 * 10 1 0,270 40026 * 25 1 1,687 40004 * 12 1 0,389 40031 * 30 1,5 2,430 40007 * 14 1 0,529 40083
RészletesebbenKontakt korrózió vizsgálata
Kontakt korrózió vizsgálata Haraszti Ferenc 1, Kovács Tünde 1 1 Óbudai Egyetem Bánki Donát Gépész és Biztonságtechnikai Mérnöki Kar, Budapest, Népszínház u. 8, Magyarország Abstract. A korrózió összetett,
RészletesebbenKészítette: Geda Dávid
Készítette: Geda Dávid A ph fogalma A ph (pondus Hidrogenii, hidrogénion-kitevő) egy dimenzió nélküli kémiai mennyiség, mely egy adott oldat kémhatását (savasságát vagy lúgosságát) jellemzi. A tiszta víz
RészletesebbenA nanotechnológia mikroszkópja
1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június
Részletesebben9. Laboratóriumi gyakorlat NYOMÁSÉRZÉKELŐK
9. Laboratóriumi gyakorlat NYOMÁSÉRZÉKELŐK 1.A gyakorlat célja Az MPX12DP piezorezisztiv differenciális nyomásérzékelő tanulmányozása. A nyomás feszültség p=f(u) karakterisztika megrajzolása. 2. Elméleti
Részletesebben1. feladat Összesen: 8 pont. 2. feladat Összesen: 11 pont. 3. feladat Összesen: 7 pont. 4. feladat Összesen: 14 pont
1. feladat Összesen: 8 pont 150 gramm vízmentes nátrium-karbonátból 30 dm 3 standard nyomású, és 25 C hőmérsékletű szén-dioxid gáz fejlődött 1800 cm 3 sósav hatására. A) Írja fel a lejátszódó folyamat
RészletesebbenHőkezelő technológia tervezése
Miskolci Egyetem Gépészmérnöki Kar Gépgyártástechnológiai Tanszék Hőkezelő technológia tervezése Hőkezelés és hegesztés II. című tárgyból Név: Varga András Tankör: G-3BGT Neptun: CP1E98 Feladat: Tervezze
RészletesebbenSzerves Kémiai Problémamegoldó Verseny
Szerves Kémiai Problémamegoldó Verseny 2015. április 24. Név: E-mail cím: Egyetem: Szak: Képzési szint: Évfolyam: Pontszám: Név: Pontszám: / 3 pont 1. feladat Egy C 4 H 10 O 3 összegképletű vegyület 0,1776
RészletesebbenSzakértesítő 1 Interkerám szakmai füzetek A folyósító szerek viselkedése a kerámia anyagokban
Szakértesítő 1 Interkerám szakmai füzetek A folyósító szerek viselkedése a kerámia anyagokban A folyósító szerek viselkedése a kerámia anyagokban Bevezetés A kerámia masszák folyósításkor fő cél az anyag
RészletesebbenKémiai alapismeretek 6. hét
Kémiai alapismeretek 6. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék biner 2013. október 7-11. 1/15 2013/2014 I. félév, Horváth Attila c Egyensúly:
Részletesebben1 Műszaki hőtan Termodinamika. Ellenőrző kérdések-02 1
1 Műszaki hőtan Termodinamika. Ellenőrző kérdések-02 1 Kérdések. 1. Mit mond ki a termodinamika nulladik főtétele? Azt mondja ki, hogy mindenegyes termodinamikai kölcsönhatáshoz tartozik a TDR-nek egyegy
Részletesebben