Digitális Technika I. (VEMIVI1112D)

Méret: px

Mutatás kezdődik a ... oldaltól:

Download "Digitális Technika I. (VEMIVI1112D)"

Zoltán Pintér
7 évvel ezelőtt
Látták:

1 Pannon Egyetem Villamosmérnöki és Információs Tanszék Digitális Technika I. (VEMIVI1112D) Bevezetés. Hol tart ma a digitális technológia? Előadó: Dr. Vörösházi Zsolt voroshazi@vision.vein.hu

2 Feltételek: Tárgy neve (kódja): Digitális Technika I. (VEMIVI1112D) Ajánlott könyvek: Dr. Arató Péter: Logikai rendszerek tervezése (BME kiadó) Franklin P. Posser, David E. Winkel: The Art of Digital Design (Prentice Hall) Óralátogatás: nem kötelező Követelmények: egy ZH lesz ( 13. héten) Megajánlott jegy: Jegy(ZH) >= 4 Vizsgára bocsátás feltétele: a ZH-n legalább 2-es érdemjegy megszerzése PótZH: utolsó héten (aláírás feltétel teljesítése) Vizsga: írásbeli (szóbeli)

Winkel: The Art of Digital Design (Prentice Hall) Óralátogatás: nem kötelező Követelmények: egy ZH lesz ( 13.

3 Kapcsolódó jegyzet, segédanyag: Oktatás Tantárgyak Digitális Technika I. Fóliák, óravázlatok (.ppt) Feltöltésük folyamatosan

4 Oktatási cél: A kombinációs és sorrendi hálózatok klasszikus tervezési módszereinek, illetve megvalósításainak ismertetése. MSI/LSI áramkörök működési táblázatainak, alkalmazásainak, valamint digitális áramkörök (TTL, CMOS) jellemzőinek megismerése

MSI/LSI áramkörök működési táblázatainak, alkalmazásainak,

5 Hol tart ma az digitális technológia?

6 Mikro-minimalizálás elve: Gordon Moore törvénye (1965): rendkívüli jelentőséggel bír a memóriák és a félvezető áramkörök méretcsökkenése esetén. Tanulmány: félvezető áramkörök fejlődése (prognózis) A technológia fejlődésével minden 18 hónapban az 1 felületegységre (mm² Si) eső tranzisztorok száma közel megduplázódik (integritási sűrűség) Ezzel szemben az eszközök ára csökken, vagy stagnál. Jelenleg: Itanium 9300 (Tukwila): 2 milliárd tranzisztor / chip (2010) 3D rétegszerkezet szilíciumon Működő 32nm/45nm csíkszélességű tranzisztor (high K fém dielektrikum, Hafnium) pl: Intel újgenerációs processzoraiban Metal gate (a PolySi ot váltja fel) 2012?: Itanium (Poulson) 32nm / 3.1 milliárd tranz. 50 MB L3 Cache, 12 utasítás/clock

(integritási sűrűség) Ezzel szemben az eszközök ára csökken, vagy stagnál.

7 Year 1. Roadmap projections for Semiconductor technology (prediction) Smallest feature [ m] Dynamic Ram Chip size [mm²] Billions of bits / chip Chip size [mm²] Microprocessors Millions of transistors / cm² On-Chip Clock (MHz) Wiring Levels / chip , , NOW and near future: end of Mbit 500? * 0.03 *EUV: extrem UV lithographical technique I/O /chip

Microprocessors Millions of transistors / cm² On-Chip Clock (MHz) Wiring Levels / chip 1995 0.35 190 0,064 250 4 300 4-5 900 1998 0.

8 Moore s law: Intel processor and memory roadmap Transistors per die / Memory capacity 1,00E+10 1,00E+09 1,00E+08 1,00E+07 1,00E+06 1,00E+05 1,00E+04 1,00E+03 between 70 and K K K 64K K M 4M Intel 386 Intel 286 Intel Core 2 Quad Intel Itanium 2 (Q6600) 2G (9MB Cache) 1G 256M 512M 128M 64M Intel Itanium 2 Intel Pentium 4 16M Intel Itanium Intel Pentium III Intel Pentium II Intel Celeron Intel Pentium Intel 486 4G Intel Core 2 Duo (E4300) Intel Itanium (Tukwila) Intel Core i7 (EE-975) 1,00E+02 1,00E+01 1,00E Year Microprocessor Memory

4004 1K 8080 16K 8008 4K 64K 8086 256K 8088 1M 4M Intel 386 Intel 286 Intel Core 2 Quad Intel Itanium 2 (Q6600) 2G (9MB Cache) 1G 256M 512M 128M 64M Intel

9 Flash memory 2006-II. <50 nm 16 Gbit (max 32 GB) 16 milliárd! Samsung CF NOR technology nm 32 Gbit (max 64 GB) Samsung NAND CF (PRAM t) szept.08 ~20 nm 16 Gbit (max 32 GB) Samsung SSD PRAM technology Órajelnövelés helyett Párhuzamosítás! Többmagos tech. Feature Size Millions of trans. Dissipation (TPD/ACP) Intel Core2 Duo/Extreme 65nm 143 mm millió 2.9 GHz W Conroe AMD Athlon 64 X nm SOI 199 mm millió 2.6 GHz W Windsor IBM Power6 (2 magos) 65nm SOI 341 mm millió <5 GHz >100 W Intel Core2 Duo/Extreme 45nm (HKMG) 2x107mm 2 2 x 410 millió 2.6 GHz 130W Penryn Intel Core2 Quad (4 mag) 65nm 2x143mm 2 2 x 291 millió 2.6 GHz 130 W Conroe AMD Phenom Quad(4 m) 65nm SOI 285 mm millió 2.2GHz 95 W Agena IBM Cell (8 magos) - PS3 90nm SOI 221 mm millió 3.2 GHz 85 W Kvantumszámítógép D-Wave 2007.febr. sokváltozós feladatokra: biometrika, parametrikus adatbázisok, pénzügyi számítások számára

Dissipation (TPD/ACP) Intel Core2 Duo/Extreme 65nm 143 mm 2 291 millió 2.9 GHz 65-125 W Conroe AMD Athlon 64 X2 5200+ 90nm SOI 199 mm 2 233 millió 2.

10 Szuperszámítógépek Első szuperszámítógépek LARC: (Livermore US) atom-kutatásokra (1960) IBM 7030 / Strech (1961) MA (2010. nov)!: 1.) Tianhe-1A: NUDT TH MPP, X Ghz + NVIDIA Tesla GPUs, processzor (Intel EM64T Xeon X GHz ), GB memória 2.57 PetaFLOP/s teljesítmény!!! 2.) Jaguar Cray XT5-HE Opteron Six-Core 2.6 GHz (Oak Ridge Laboratory - Tennessee) processzor (1.759 millió GFLOPs (~ 1.76 PetaFLOP teljesítmény) 7.) IBM Roadrunner BladeCenter QS22/LS21 Cluster, (LANL, Los Alamos -) processzoros rendszer (PowerXCell 8i 3.2 GHz ) GB memória (N/A) millió GFLOPs teljesítmény! (~ 1 PetaFLOP sebességtartomány) Lehetőségek: FDE parallelizmus átlapolt végrehajtás (látszólagos) - pipeline teljesen párhuzamos végrehajtás (több processzor) pl. CELL BE Heterogén multi-core-os rendszerek

6 GHz (Oak Ridge Laboratory - Tennessee) 224 162 processzor (1.759 millió GFLOPs (~ 1.76 PetaFLOP teljesítmény) 7.

11 Tianhe-1A

12 Jaguar Cray XT5-HE

13 IBM Roadrunner supercomputer

15 2009. február: AMD X4 Phenom II. (4 mag, 45nm, 3GHz, 758 millió tranzisztor, 125W, Deneb kódnéven)

16 Intel Nehalem-EX: 80 mag ISSC 2007 Polaris: 80 mag 65 nm technológia 3D rétegszerkezet 1 TeraFLOPs GHz W Intel Core i7 EE 980x 32nm 3.3 GHz 6 mag / 12 szál

17 Más alternatíva: D-Wave Kvantumszámítógép 2009: 128 qubit-es változat qubit : a kvantum-rendszer alapegysége, amellyel Boole algebrában ismert 0 és 1 állapotok két normalizált és kölcsönösen ortogonális kvantum állapot-pár segítségével ábrázolhatók { 0 >, 1 > } Félvezetők helyett szupravezető fémet használnak mágneses vákuumban: niobium (ultra alacsony hőmérsékleten) HPC: High Performance Computing alkalmazásokra, (paralel, elosztott számítási struktúra)

ábrázolhatók { 0 >, 1 > } Félvezetők helyett szupravezető fémet használnak mágneses vákuumban: niobium (ultra alacsony

Hasonló dokumentumok

Digitális Technika I. (VEMIVI1112D)

Pannon Egyetem Villamosmérnöki és Inf. Rendszerek Tanszék Digitális Technika I. (VEMIVI1112D) Bevezetés. Hol tart ma a digitális technológia? Előadó: Dr. Vassányi István vassanyi@almos.vein.hu Feltételek: