MTA TTK MFA. ttk.mta.hu. mts.
|
|
- Etelka Bakosné
- 8 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Tóth A. L. tud.főmts mts. MTA TTK MFA Research Centre for Natural Sciences, Hungarian Academy of Sciences Institute of Technical Physics and Materials Science ttk.mta.hu
2 Kérdések: 1./ OM-SEM-TEM összevetés, működési elvek min: rajz + elvek A hagyományos SEM (ágyú, oszlop, sugármenet, vákuum, mintakamra, stage, detektor) min: rajz 2 / A SEM-EMA mint analitikai mérőrendszer min: fő részei Jelképző folyamatok, gerjesztett & információs térfogatok min: szórási folyamatok, térfogatokról rajz 3./ BEI, detektálása, kontrasztmechanizmusok min: 2 det. -2 kontr. 4./ SEI, detektálása, kontrasztmechanizmusok min: 1 det. -2 kontr. 5./ XR, detektálása, (ED, WD, drift, ThXRS, PBS) min: 2 det 6./ XR kvantitativ analízis, korrekciós eljárások Csúcsazonosítás, min 2: korrekciós eljárás 7./ LV (FEG) SEM : LEO GEMINI (ágyú, oszlop, sugár-menet, vákuum, mintakamra, stage, detektor) min: a fejlesztés célja + rajz 8./ Pásztázó ion mikroszkópok : ECRIS (Orsay Ph.), ICIS (Vion), LMIS, ALIS (Orion) min: 2 forrás Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
3 A prezentáció a Nanoobjektumok megfigyelése, jellemzése és kialakítása pásztázó sugaras eszközök segítségével című előadássorozat 4 előadásának vázlata Olvasnivaló:. SEM: GoldsteiN-NEWBURY Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis THIRD EDITION 2003 Springer. FIB: Giannuzzi-STEVIE Introduction to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques, and practice, 2005 Springer. FESEM: google -> fe-sem, feg-sem & hitachi, fei, zeiss, jeol, tescan, etc.. Xe FIB: Ga FIB: etc,. Alloy FIB: etc. He ion micr.: Software: Magyarul: DC JOY: lehigh.exe ( Pouchou:STRATAGem ( Drouin & Hovington CASINO ( James Ziegler: SRIM ( Pozsgai Imre A pásztázó elektronmikroszkópia és az elektronsugaras mikroanalízis alapjai 1995 ELTE Eötvös Kiadó Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2012
4 A hagyományos SEM (pásztázó elektronmikroszkóp)
5 A SEM mint mikroszkóp 1x1 um 10x10 cm x
6 Cameca MBX (conventional) electron probe microanalyser Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
7 The conventional sample environment (vacuum system, stage) Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
8 Cameca MBX vacuum system Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
9 Electron optics : crossover demagnification Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
10 Electron optics : lens aberrations Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
11 Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
12 A SEM-EMA mint AMR (analitikai mérőrendszer)
13 Az AMR Application Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.
14 A mérő egységben a vizsgálandó mintát egy δ reagenssel hozzuk köcsönhatásba, mely a minta χ anyagtulajdonságainak függvényében kelti a η analitikai jelet Electrons MR ME Reagens Minta és mennyisége Analitikai jel Detektor ÉE Analitikai információ Elektronsugaras mikroanalízis (EMA) Elektronsugár Elektronoptika + kamra Röntgen spektrométer Gerjesztett térfogat um 3 a szilárd mintafelületen Rtg.sugárzás karakt.csúcsok a gerjesztett térfogatból Számítógép + korrekciós software ZAF, P/B ZAF stb., A gerjeszett um 3 térfogat átlagösszetétele Igy működött Castaing ős-mikroanalizátora (más néven mikroszonda) 1948-ban, ahol optikai mikroszkóp segítségével lehetett a minta különböző részeit elektronokkal besugározni.
15 The SEM as Analytical Measuring System
16 Jelképző folyamatok, gerjesztett & információs térfogatok
17 Signal Technique Properties Studied e γ i backscattered secondary X-ray Optical junction ohmic bulk Sample current BEI SACP SEI EDS WDS XRI CLI EBIC EBIV AEI Qualitative composition Crystal structure Topography Local fields & potentials Qualitative composition Quantitative composition (electr.active) Xtal defects Carrier lifetime - Diffusion length - surface recombination Topography Qualitative composition
18 Analitikai jel (ÜZEMMÓD) Felbontás laterális mélységi ==================================================================== Szekunder elektron (SE) 1-10 nm 1-10 nm E: jó felbontás (=sugárátmérõ), topográfiai kontraszt H: komplex jelképzés (pl.be hozzájárulás) Visszaszórt elektron (BE) um um E: rendszámkontraszt H: gyengébb felbontás (< sugárátmérõ) Áram (EBIC) nm um E: Rácshibák és p-n átmenetek megfigyelhetõk H: Felületi rekombináció hatása Fény (CL) 10nm-1 um um E: fluoreszcens fázisok szelektiv leképzése H: kis intenzitás, sugárzási károsoodás halványit Röntgen sugár (EDS) um um E: szimultán detektálás,nagy tömegérzékenység H: rossz felbontás, nagy holtidõ (WDS) um um E:jó felbontás, nagy intenzitás H: elemenkénti detektálás, rigorozus fókuszálásaes Auger el. (AES, Eo=2-5 kev) nm nm E: Felületi monorétegek elemösszetétele H: Ultratiszta felület és ultrannagy vákuum ====================================================================
19 RUGALMAS SZÓRÁS AZ ATOMMAGON
20 Signal forming mechanisms : Rutherford scattering.
21 History: (micro- range) Conventional SEM Versatile 2-10 nm beam diameter BUT: Eo > 5 kev electron energy CONSEQUENCE: Deep penetration ( nm) Large excited volume SEM basics (courtesy DC Joy)
22 Mit láttunk? Excited volume
23 Penetration depth
24 Excited volume
25 & information volumes
26 charge-up depth of focus
27 BEI detektálása, kontrasztmechanizmusok
28 Signals from elastic scattering: BE Def: E<50eV: secondary- (SE) / E>50eV backscattered (BE) LLE: low loss,- / ERE: single scattered electrons
29 BEI detectors : EHT without collecting field Large area scintillator SC diode array (2-4)
30 BEI contrast mechanisms angular distribution -> topography (BEI-TOPO)
31 BEI contrast mechanisms intensity -> mean Z (BEI-COMPO)
32 Backscattered electron signal (BE) High energy (E~Eo) Elastically scattered electrons Detection: EHT, diode arrays, scintillator (Robinson det.) Contrast: topography (TOPO) mean atomic No (COMPO) orientation local magnetic field
33 RUGALMATLAN SZÓRÁS AZ ATOMHÉJON
34 SEI detektálása, kontrasztmechanizmusok
35 Signals from inelastic scattering: SE Def: E<50eV: secondary- (SE) / E>50eV backscattered (BE) LLE: low loss,- / ERE: single scattered electrons
36 Glory, glory to Everhart & Thornley The Everhart-Thornley detector
37 SEI signal components & resolution
38 SEI contrast mechanisms: SEI: topography
39 Different images from the same surface SEI BEI compo BEI topo XRI Sn
40 Secondary electrons Low energy (E<50eV), Outer shell ionization Detection: EHT, channeltron Contrast: morphology coomposition (work f.) atomic number local electric field local magnetic field
41 RUGALMATLAN SZÓRÁS AZ ATOMHÉJON
42 kvalitativ XR analízis, detektálás
43 Analytical signal : characteristic X-rays Source: inner shell ionization Detection: Spectral (EDS, WDS) Information: point measurement ( 0 dim) energy: qualitative analysis intensity: quantitative analysis line profile (1 dim) and imaging (2 dim) distribution of elements
44 Signals from inner shell ionization: Auger-electron or X-Ray emission
45 X-ray transitions
46 H.G.J. Moseley ( ) Kvalitativ és kvantitativ analizis foto-lemezen Phil.Mag (1912) A röntgenspektroszkópia és analízis atyja
47 Röntgen detektorok
48 WDS n * λ = 2 * d * sin (θ )
49 EDS: Si(Li Li) Imax < cps The solid state EDS utilizes the fact, that X-rays create electron hole pairs in the intrinsic region of the Si(Li) or drift detector (3.6 ev/pair).
50 Comparing spectra : WDS v/s Si(Li) EDS WDS EDS
51 EDS: DRIFT Imax ~ cps
52 Comparing spectra : WDS v/s DRIFT EDS WDS EDS up to 1000 up to 1000
53 Thermal XRS The Thermal X-Ray Spectrometer measures the heat, generated by the absorption of the X-ray in a superconducting microcalori-meter, kept at liquid He temperature. When directly mounted to the SEM column, using a mechanical cooling system, vibration can become a serious problem- and the performance of the whole system has to be evaluated. The picture shows a trench line with a resolution of 5.3 nm. Note that the intrinsic resolution of the microscope in this case is 3 nm. Otherwise X-ray waveguides are used to direct the radiation to the remote detector, further increasing the price of the spectrometer.
54 Comparing spectra : ThXRS v/s EDS The basic energy resolution of the system, compared to that of a standard EDS detector can be seen in the X-ray spectrum of TiN, which is used as barrier layer or antireflective coating (see figure). Since the N-Ka-line (392 ev) and the Ti-La line (452 ev) are separated by 60 ev analysis with a standard tool is not successful, whereas the microcalorimeter detection shows a clear separation of the two peaks. The typical energy resolution is determined to be 10 ev@1kev.
55 Comparing: Spectral resolution: Detect.limit,, P/B ratio: Spectrum acq. time: Beam current : WDS / EDS 1/ / * * EDS SI(LI) (LI): general EDS DRIFT*: general WDS: peak, LO speed, LO res. general use, LO general use,, HI speed,, LO res. peak-overlaps, trace elements, layers THERMAL XRS: best of both worlds,, EDS speed with WDS resolution. COST PB-WDS: integrated with EDS simply the BEST (but not cheap)
56 Paralell beam WDS Simply the BEST, EDS solid angle with WDS resolution
57 Comparing spectra : PB-WDS v/s EDS
58 kvantitativ XR analízis, korrekciós eljárások
59 Kvantitativ analizis: korrekció (ZAF) Alaphipotézis: a gerjesztés helyén k X = C X Probléma: a detektor helyén mérünk Fizikai folyamatok: melyek miatt k X C X - rugalmas elektronszórás -> változó gerjesztett térfogat (Z) - rugalmatlan elektronszórás -> változó ionizáció (Z) - anyagfüggő röntgenabszorpció a sugárzás kilépéséig (A) -belső röntgenfluoreszcencia a mintában (F) MR ME Reagens Minta és mennyisége Analitikai jel Detektor ÉE Analitikai információ Elektronsugaras mikroanalízis (EMA) Elektronsugár Elektronoptika + kamra Röntgen spektrométer Gerjesztett térfogat um 3 a szilárd mintafelületen Rtg.sugárzás karakt.csúcsok a gerjesztett térfogatból Számítógép + korrekciós software ZAF, P/B ZAF stb., A gerjeszett um 3 térfogat átlagösszetétele
60 Kvantitativ analizis: korrekció (etalonsor) A korrekció történhet etalonsor mérésével, vagy számításokkal. A minta összetételéhez közeli, ismert koncentrációjú etalonsor a legmegbízhatóbb segítség.
61 Quantitative analysis (iv): interpretation ( B&A ) The utilization of standards of known composition is still the most accurate method, but is limited both in qualitative and quantitative sense. A possible (limited) generalization was the use of empirical factors (BENCE-ALBEE)
62 Kvantitativ analizis: korrekció (ZAF) A ZAF típusú korrekció tapasztalati képletek alapján korrigálja a fenti folyamatokat (FRAME, MAGIC). Kiforrott, sokszorosan tesztelt módszer. Példa: az abszorbciós tényező (A) különböző közelítései:
63 ELTE Kvantitativ analizis: korrekció (nostd.zaf)
64 Kvantitativ analizis: korrekció (PUZAF) The RÖNTEC developed the (PUZAF) where instead of standards the measured background intensity is used as normalization factor
65 Kvantitativ analizis: korrekció (PUZAF) The RÖNTEC developed the (PUZAF) where instead of standards the measured background intensity is used as normalization factor
66 A Bruker Quantax EDS software (PUZAF) D1 SEM Visszaszórt elektronkép (BEI) D2 Cu,Sn és Pb vonalmenti elosztása D3 Cu,Sn és Pb röntgentérképe 5
67 Kvantitativ analizis: korrekció (φρz) A φρz típusú korrekció a Z és A komponenst együtt kezeli a behatolási függvény alapján. Továbbfejlesztett változat: réteg-szerkezetekre (STRATA) A Monte Carlo (MC) számítások elemi lépésekre bontva a folyamatot képesek bonyolult minta-geometriákon is korrekciót végezni.
68 Kvantitativ analizis: korrekció (STRATA) A MINTAKÖRNYEZET egyik leglátványosabb modulálása a gerjesztett térfogat környezetében gázatmoszféra ( GIS ) létrehozása. Ennek célja lehet marás, antikontamináció,esetünkben a prekurzor gáz bomlása után a besugárzott területen Pt leválasztás. A prekurzor organometallikus vegyület, a gáztérből is leválhat karbon, célszerű tehát alaposan megvizsgálni a deponátumot. A LEO GIS prekurzor-bevezető csövei a target felett Egy virtuális összetétel méréssorozat : 5 kev, 1-5 Pt pogácsa + Si, SiO2, Pt és C etalonok EDS spektrumai tothal Elektronsugár által leválasztott Pt jellemzése Az 1-5 perces elektron-besugárzás alatt levált Pt tartalmú pogácsák AFM képe vastagság meghatározásához
69 STRATA-gem: Rel. XR int.=f(eo).-> összetétel (wt% at%) & tömegvastagság (ug/cm2) A leválasztott ismeretlen vastagságú, összetételű és sűrűségű pogácsáknak először a vastagságát határoztuk meg AFM méréssel. Ezután 5, 7.5 és 10 kev primer energiával EDS mérést végzünk. Az eredmények természetesen csak virtuális kocentrációk, hiszen a gerjesztés belelóg a szubsztrátba, de már ezek az adatok is használhatók gyakorlati in-situ vastagságmérésre. Egy speciális program a különböző energiákkal mért relatív intenzitásokból kiszámolja a réteg összetételét és tömegvastagságát, amiből az AFM adatok segítségével a sűrűség meghatározható. Az eredmények: tömegvastagság (ug/cm2) >> AFM vastagság (nm) >> sűrűség (g/cm3) tothal - konstans lerakódási sebesség: (73->277 nm) - magas széntartalom (41- > 31 - > 34 wt%) - változó sűrűség (4,2- > 5,5 - > 4,9 g/cm3) - virtuális Si koncentráci ció (60- > 2,5 wt%) Ez átvezet a nano-technológia SEM megoldásaihoz
70 1024 Kvantitativ analizis: korrekció ( MC ) kev 10 nm dia 20 nm dia Al2O3 tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise
71 (8.példa): nanogömbök kvantitativ EDS analízise Szörényi, tothal & al. Fém alumínium céltárgy desztillált víz alatti ablációjával készült nano-részecskék.nd:yag lézer (532 nm); 9,6 Jcm -2 energiasűrűségű impulzusok.
72 nanogömbök kvantitativ EDS analízise tothal
73 kev 10 nm dia SPH P ox/al = f(d) 200keV TEM geom on FOIL Al 2 O D sphere (nm ) tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise
74 kev 10 nm dia SPH P ox/al = f(d) 5keV SEM geom on BULK Al 2 O tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise
75 1024 Al x O? 153 tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise Ez átvezet a nano-technológia SEM megoldásaihoz
76 Summary (XR) Source: inner shell ionization Detection: Spectral (EDS, WDS) Information: point measurement ( 0 dim) energy: qualitative analysis intensity: quantitative analysis line profile imaging FIB peeling (1 dim) (2 dim) (3 dim) distribution of elements
77 LV (FEG) SEM LEO GEMINI ágyú, oszlop, sugármenet, vákuum, SE detektor
78 Ryssel A hagyományos SEM tipikusan 30 kev körül éri el a maximális felbontást, ki-használva szekunder elektronok kis szökési mélységét ( 5λSE ). Az 1980-as évektől a félvezetőipar azzal a látszólag ellentmondásos igénnyel állt elő, hogy egyre kisebb méretű integrált áramköreit potenciálkontraszt üzemmódban akarják vizsgálni, vagyis a gerjesztett térfogat nem lehet mélyebb mint a védőüveg vastagsága (~100nm). A céget Gordon E. Moore, Andrew Grove és Robert Noyce alapította 1968-ban. Kezdetben négy alkalmazottjuk volt, beleértve magyar származású Vadász Lászlót, aki 1975-től a cég elnökhelyette-se, között pedig az igazgatói tanács tagja. Az ő irányítása alatt készült el 1971-ben a világ első mikro-processzora, az l4004. Grove az 1960-as évektől az 1990-es évekig (nyugdíjazásáig) azon munkálkodott (sikerrel), hogy Ryssel az egy nagy nemzetközi cég legyen.
79 Nanotechnology is a X road of disciplines 1nm barrier
80
81 SEM a 2000-es években: a végső határ (?) FEI Helios nanolab (Elstar): Electron beam coincident point kv kv kv RAITH Pioner (GEMINI): Electron Beam Lithography main specifications: Beam size (resolution) 2.5 nm ( 1.6 nm) A B C (D) Annak ellenére, hogy a pásztázó elektronmikroszkópok az elérhető minimális felbontást ostromolják ( a teljesség igénye nélkül például a FEI Elstar 2011-ben nm ZEISS Gemini 2008-ban: 1.6 nm ) a nanotechnológia igénye,és a konkurens módszerek (AFM) paraméterei arra sarkalják a nanosugaras eszközök gyártóit, hogy nézzenek körül. Miért? A választ a (D) ábra mutatja. Az elektronoptikai lencsehibák közül az elektron λ hullámhosszával arányos diffrakciós hiba az eredő sugárátmérő minimumértékéért felel. Ugyanis a más oldalról megkívánt kis energia nem teszi lehetővé, hogy a λ csökkentésének szokásos módját, az energia növelését használják. Marad tehát a lencsehibák lefaragásának fáradságos útja, vagy pedig túllépni az elektronmikroszkóp korlátain, vagyis szakítás az elektronokkal! FEI, ZEISS, Raith, Koops
82 A konstrukőrök az évek folyamán a fizikusi és mérnöki lelemény egész arzenálját vetették be a sugár átmérőjének és energiájának egyidejű csökkentése érdekében. Elérve az 1keV energiát), a behatolás 30 nm-re csökken, a sugár energiájának 95%-a pedig 25nm-en belül disszipálódik (A4). A kisenergiás sugár fókuszálása azonban problematikus, ezért különböző cégek más -és más trükkhöz folyamodtak. CASINO, tothal SEM a 90-es években: a nanokorszak kihívásai
83 Ryssel
84 ZEISS Lencsehibák : a végső határ (?) (D) FEI, ZEISS, Raith, Koops Annak ellenére, hogy a pásztázó elektronmikroszkópok az elérhető minimális felbontást ostromolják, a nanotechnológia igénye,és a konkurens módszerek (AFM) paraméterei arra sarkalták a nanosugaras eszközök gyártóit, hogy nézzenek körül. Miért? A választ a (D) ábra mutatja. Az elektronoptikai lencsehibák közül az elektron λ hullámhosszával arányos diffrakciós hiba felel az eredő sugárátmérő minimumértékéért. Ugyanis a más oldalról megkívánt kis energia nem teszi lehetővé, hogy a λ csökkentésének szokásos módját, az energia növelését használják.
85 HITACHI
86 HITACHI
87 SEM a 2000-es években: FEI Helios nanolab (Elstar): Electron beam coincident point kv // kv kv RAITH Pioner (GEMINI): Electron Beam Lithography main specifications: Beam size (resolution) 2.5 nm ( 1.6 nm) FEI, ZEISS, Raith, Koops
88 FEI
89 FEI
90 FEI
91 1500XB CrossBeam with GEMINI column Tothal & ZEISS
92
93 Gemini column: low beam noise < 1 % cross over free beam path, no significant Boersch effect, high depth of field highly stable thermal FEG< 0.2 % /h variation superb image resolution fhroughout the complete beam energy range, particularly down to 100 ev. high resistance to ambient magnetic stray fields constant conditions at sample surface eliminates ion-beam shift LEO ZEISS GEMINI column ZEISS
94 A téremissziós SEM Gemini közbülső fókuszpont mentes sugármenete, és hibrid objektiv lencséje (mely a fókuszálás mellett detektor és a sugár fékező tér is) kisenergiás működésre lett optimálva (ZEISS). Az eredmény a egy x nominális nagyítású képe egy (szigetelő) Al2O3 pórusairól. A zöld markerek távolsága 7 nm. GEMINI objektív LEO ZEISS GEMINI column Tothal & ZEISS
95 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column
96 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column
97 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column
98 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column
99 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column
100 Pásztázó ion mikroszkópok LMIS, ECRIS (Orsay Ph.), ICIS (Vion), ALIS (Orion)
101 Új Remény : három fókuszált ionsugaras bajnok : Ga, Xe, He Mivel a Ga ion hullámhossza két és fél, a He ioné pedig két nagyságrenddel kisebb mint a hasonló energiájú elektronoké, az eredő lencsehiba apertúra függése alapvetően módosul, - a határoló összetevő az minta felületére leképzett ionforrás mérete lett. Eo: kev Ráadásul (látszólag) semmit sem kellett feltalálni. Az ionoptikát ha máshonnan nem a gyorsítókból ismertük. A kisméretű, elektrosztatikus részecskeoptikát elektronokr a hamarabb használták mint a mágneses lencséket. A félvezető ipar a hetvenes évek óta használta a fókuszált ionsugárzást (FIB) maszkjavítási és egyedi áramkör módosításra. A kérdés inkább az, miért ily későn? A félvezető ipar 90-es évek beli megtorpanása kellett ahhoz, hogy a cégek ne csak méregdrága monstrumokat gyártsanak, másrészt most lett rá igény előbb a nanomegmunkálás később az ionmikroszkópiák területén. ZEISS
102 FIB képalkotás A Ga ionsugár gerjesztett és térfogata (SRIM) Az LMIS és az ionpotika eredménye egy fókuszált nagy mélységélességű ion sugár a mintán melynek mérete ~ 6 nm 30 kv ~100 nm 2 kv ionenergián Az ionbombázás hatására bekövetkező köcsönhatások: -Porlódás (sputtering) Semleges atomok Szekunder ionok Visszaszórt ionok Implantált ionok Rácshibák ( vakanciák, intersticiósok, diszlokációk ). Szekunder elektronok Secondary Electron images (SE~10 5 xsi) jó mélységélesség FIB Voltage Contrast (SE) előfeszítés és töltődés egyaránt Secondary Ion imaging (SI) szigetelő mintákhoz FIB Channelling contrast (SE & SI) bár nem ugyanaznaz eredmény. FIB ~ 4x erősebb kontraszt mint a SEM BEI FIB Deformation Contrast az orientációs kontraszt egy változata (SE & SI) a vezetőképesség változását mutatja, FIB Chemical Contrast (SE & SI) pl. oxidháló szemcsehatáron Gianuzzi Intro SEM SE FIB SI tothal, fibics.com
103 A folyékony fém ionforrás (LMIS) Különféle Ga + LMIS FIB oszlopok A1 A2 B 1 4 : Micrion 5 nm 50 kev FEI Magnum 30 kev Orsay Canion31 30 kev Raith NanoFIB 35keV A hetvenes évekig a gyorsítókban megszokott plazmaforrást használták (pl az ARL scanning SIMS duoplazmotron ágyúja). Azóta viszont a mikroszkópiai célú FIB a folyékony fém ionforrást használja (LMIS ). (Eskovitz, Levi-Setti. Orloff, Swanson) Sokféle fémet használnak (Au, Be, Pd,Ni, Sb, és ötvözeteik) de a legelterjedtebb a Ga. Előnye hogy olvadáspontja alacsony (29 C), ráadásul könnyű túlhűteni, ezáltal az ágyú szobahőmérsékleten használható. A nagy atomtömege (69,7 g/mol) miatt jól használható porlasztáshoz (sputtering). Az ágyúban egy (általában hideg) fűtőszálhoz egy W tűt hegesztenek, melyet egyik végén kihegyeznek ( d<100 nm ) másik végére pedig egy spirált helyeznek, melyet folyékony Ga-ba mártanak (A1). A W-ot jól nedvesítő Ga megtölti a spirált, és befedi a felületet, így a csúcsot is. Az ágyú kihúzó tere az olvadt galliumot tovább hegyezi (A2), míg az emittáló felület nagysága 10 nm alá nem csökken. Mivel az LMIS emittáló felülete kicsi, az elektrosztatikus ionoptika nem túl bonyolult, kétlencsés, és kompakt (B1-4). A Gemini oszlophoz hasonlóan sugáráramot elsődlegesen itt is apertúrákkal szabályozzák, valamint igyekeznek elkerülni a Coulomb kölcsönhatást a sugárban. Ez a Boersch-hatás ami kiszélesíti a sugár energiaeloszlását (ΔE= 5 ev-ra) ami által a kromatikus aberráció válik a meghatározó lencsehibává (különösen alacsony energiákon ahol a ΔE/E nagy). Az eltérítést és a sugár kitakarását (blanking) szintén elektrosztatikusan oldják meg. FEI, Koops
104 A félvezetőipar és a nanotechnológia egyre inkább a 3 dimenziós megoldások irányába halad: (device stacking,, wafer bonding) ami nagyobb porlasztási sebességeket és porlasztott anyagmennyiséget jelent, mint ami Ga forrást használva ésszerű marási időkkel megold-ható. Az LMIS konstrukció limitálja a kihúzható maximális áramot, az elkerülhetetlen Ga implantáció pedig lehetetlenné teszi a technológiaközi vizsgálatokat. Mondhatni feltámadt a nosztalgia a jó öreg gáz-alapú plazma ionforrások után,- persze fókuszált sugárral. Az eredmény:. Xe sugaras FIB a nehézsúlyú ionsugaras megmunkáló ECR plazmaforrással és ICP plazmaforrással [Orsay Physics] [FEI] A hűtést nem igénylő ECR (electron cyclotron resonance) mikrohullámú Xe ionforrás átlépi a 2 μa küszöböt, és a korábbi LMIS FIB méreteivel csereszabatos ágyúval a gyártó 40x gyorsabb porlasztást jelentett Ga kontamináció nélkül ( Orsay Physics) Az ICP (inductively coupled plasma) Xe ionágyúra épített FIB berendezés paramétereit a következő oldalon foglaljuk össze.(fei) Orsay Physics, FEI
105 Vion : MIKROSZKÓP? IONSUGARAS MEGMUNKÁLÓ? A Xe sugaras berendezés hozza amire tervezték: 30-40x több anyag kimarására képes adott idő alatt int a Ga sugaras LMIS. Mint mikroszkóp elég jó ahhoz, hogy egysugaras FIB berendezésben 10 pa sugáráram mellett 30 nm felbontással láthassuk munkánk eredményét. Ez azonban az LMIS 1 pa mellett mutatott 7nm sugárátmérőjével együtt messze van attól az 1 nm álomhatártól, amivel az ionsugaras eszközök lencsehibáit bemutató grafikon kecsegtet bennünket. ZEISS, SEMATECH, tothal
106 FIB (microscopy) in nanorange A LEO 1540XB cross beam ( Ga+ + & e ) microscope and preparation system tothal@mfa.kfki.hu
107 Ga + LMIS FIB képalkotás és marás A B Acél minta FIB-SEI képe (88 O ion-beesési szög) SEM-SEI kép ugyaninnen (45 O elektron-beesési szög) Kihasználva a Ga ionok nagy tömegét a képalkotás mellett nem elhanyagolható a lokális ionporlasztás (sputtering). A dózistól függően ez lehet felülettisztítás, -polírozás, rétegeltávolítás valamint árkok, gödrök kialakítása és nano-objektumok lokális továbbalakítása (TEM lamella kivágás, AFM tű hegyezés, egyedi nanomanipulátorok és szondák kifaragása). X-beam : A SEM és FIB célirányos összeépítésével ugyanazt a területet vizsgálhatjuk akár szimultán is (így lehetséges a FIB marás egyidejű SEM nyomonkövetése). Az ( A ) FIB és ( B ) SEM SE képek ugyanazon, polírzott acél felületről készültek. Megfigyelhetők az orientációs kontraszt eltérései, valamint a porlódási hozam orientációfüggése, egészen addig, hogy a kevésbé porlódó szemcsék határai ferdén rajzolódnak ki. A 10x10 μm négyzeteken mérhető mélységekből három jól elkülönülő porlódási hozam (sputtering yield) mérhető 0,06-0,18 μm 3 /nc között tipikusan 0,01 μm 3 /nc szórással (táblázat). A ( C ) ábrán látható, hogy az orientációs kontraszt (ezáltal egy EBSD ábra minősége) annál jobb, minél kisebb ion-energiával polírozzuk, és minél nagyobb energiájú elektronsugárral készítjük a felvételt. Hátrányok: A Ga LMIS mivel egyensúlyt kell tartani a Taylor kúp stabilitása, az emisszió, és a felületi Ga utánpótlás között- csak i X ~ μa kihúzott ionáram-intervallumban stabil. Ezáltal a vele készült FIB praktikus, kompakt, viszonylag egyszerű és tartós (4-6 ma*h), leképezésre és marásra egyaránt alkalmas. Igazi tízpróbázó, de egyik versenyszámban sem világcsúcstartó. JEOL tothal, ZEISS, fibics.com C SEM E o FIB E o
108 A pásztázó ionsugaras mikroszkóp : He+ ionokkal Előzmény: a tér-ion-mikroszkóp (FIM) hűtött és előfeszített W csúcsának kiemelkedő részeinél ionizálódik a gáz, majd az ernyő felé gyorsulva M FIM ~10 7 nagyítással jeleníti meg a csúcs képét. Az Atomic Level Ion Source ( ALIS ) a FIM leszármazottjának tekinthető. A kémiailag kialakított FIM csúcsot (feltehetően FIB segítségével) tovább hegyezik mindaddig, míg csak 9 esetenként 3 atomra nem redukálják az emissziót. Ebből egyet kiválasztva kapjuk a GFIS (Gas Field Ion Source) emitterét. TULAJDONSÁG He GFIS+SIM Ga LMIS+FIB Virtual source radius ( pm ) Energy spread: ( ev ) 1 5 Extraction voltage ( kv ) Predicted spot size ( nm ) 0,25 6 ZEISS
109 A pásztázó ionsugaras mikroszkóp : He+ ionokkal 150 pm virtuálisforrás esetén az ionoptika feladata nem annyira a kicsinyítés minta a sugár kondícioná-lása. A 4-15 mm munkatávolság kiváló mélység-élességet eredményez. Ahogy a műszer terjed, a használt kontrasztmechanizmusok száma hónapról hónapra nó. Az élvonal (MIT, HP és a svájci EMPA) a litográfiához fejlesztett ELPHY MultiBeam (Raith) mintatartót és softwaret használja He-SIM alapú megmunkáló kisérleteihez, ami pontos dozimetrálást és nanométeres mintamozgatást tesz lehetővé. ZEISS
110 A pásztázó ionsugaras mikroszkóp : He+ ionokkal Összehasonlítva a 35 kev energiájú fókuszált He+ ionsugár gerjesztett térfogatát (SRIM, ZEISS) egy kisenergiás téremissziós LV-FEG-SEM 1 kev-es elektronjai által keltett gerjesztett térfogattal látható, hogy az elektronok adják a legkisebb, a He ionok pedig a legnagyobb térfogatot. A morfológiai vizsgálatokra leggyakrabban használt szekunder elektronok azonban csak a felület alatti 1-10 nm mélységből képesek kilépni, ami a He ionok javára szól. Ebben a mélységben a ugyanis szinte kizárólag kisszögű rugalmas szórás megy végbe, a SE információs térfogatának átmérője tehát gyakorlatilag a sugárátmérővel egyenlő. Ennek köszönhető a 0,24 nm felbontás, amivel beléptünk a PICOPROBE tartományba. ZEISS
111 Kontrasztmechanizmusok a pásztázó He ion mikroszkópban: SEI : anyagkontraszt! SEI : mélységélesség SEI & Rutherford Backscattering Image Channelling Voltage Contrast
112 Kontrasztmechanizmusok: RBI : anyagkontraszt
113 FαB grafén milling
114 FαB milling
115 αbad
116
117 Jó hír: A készülék ára : Rossz hír: USD Jó hír: Az első eladott készüléket magyar ember, egykori ifjú kollégám Vladár András vette meg Rossz hír: Washingtonba, az NIST metrológia laborjába. Azóta sincs sokkal több.
118
119 Kérem az ELSŐ csoport hozza fel az ÖSSZESET! beérkezett dolgozat nélkül nincs jegy mfa.kfki.hu ttk.mta.hu
120 mfa.kfki.hu ttk.mta.hu
121 KFKI XXIII ép. Fszt 22a
Attila L Tóth CSc senior research fellow.
Attila L Tóth CSc senior research fellow tothal @mfa.kfki.hu Attila L Tóth CSc senior research fellow Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences (MTA MFKI) Budapest (Ujpest)
RészletesebbenElektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. I. rész: pásztázó elektronmikroszkópia
Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. I. rész: pásztázó elektronmikroszkópia Tóth Attila Lajos 1. Bevezetés A pásztázó (scanning) elektronmikroszkópot (SEM), és röntgensugaras kémiai elemzésre
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
RészletesebbenELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp
ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek
RészletesebbenKérdések: 02/10/2014. A SEM mint mikroszkóp. ttk.mta.hu. Tóth A. L. tud.főmts.
Tóth A. L. tud.főmts. MTA TTK MFA Research Centre for Natural Sciences, Hungarian Academy of Sciences Institute of Technical Physics and Materials Science Kérdések: 1./ OM-SEM-TEM összevetés, működési
RészletesebbenA nanotechnológia mikroszkópja
1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június
RészletesebbenHavancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
RészletesebbenPásztázó elektronmikroszkóp. Alapelv. Szinkron pásztázás
Pásztázó elektronmikroszkóp Scanning Electron Microscope (SEM) Rasterelektronenmikroskope (REM) Alapelv Egy elektronágyúval vékony elektronnyalábot állítunk elő. Ezzel pásztázzuk (eltérítő tekercsek segítségével)
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Dankházi Zoltán 2013. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok
RészletesebbenDankházi Z., Kalácska Sz., Baris A., Varga G., Ratter K., Radi Zs.*, Havancsák K.
Dankházi Z., Kalácska Sz., Baris A., Varga G., Ratter K., Radi Zs.*, Havancsák K. ELTE, TTK KKMC, 1117 Budapest, Pázmány Péter sétány 1/A. * Technoorg Linda Kft., 1044 Budapest, Ipari Park utca 10. Műszer:
RészletesebbenHavancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja. Archeometriai műhely ELTE TTK 2013.
Havancsák Károly Az ELTE TTK kétsugaras pásztázó elektronmikroszkópja Archeometriai műhely ELTE TTK 2013. Elektronmikroszkópok TEM SEM Transzmissziós elektronmikroszkóp Átvilágítós vékony minta < 100
RészletesebbenTypotex Kiadó. Tartalomjegyzék
Tartalomjegyzék Előszó 1 1. Az alapok 3 1.1. A pásztázó elektronmikroszkópia helye a korszerű tudományban 3 Irodalom 6 1.2. Elektron anyag kölcsönhatás 7 1.2.1. Rugalmas szórás 12 1.2.2. Rugalmatlan szórás
RészletesebbenQuanta 3D SEM/FIB Kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp. Havancsák Károly
Quanta 3D SEM/FIB Kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp Havancsák Károly http://sem.elte.hu 1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Anton van Leeuwenhoek (1632-1723, Delft) FEI (Philips) Eindhoven 2 A Képképzés fajtái
RészletesebbenNagyműszeres vegyész laboratórium programja. 8:15-8:25 Rövid vizuális ismerkedés a SEM laborral. (Havancsák Károly)
Nagyműszeres vegyész laboratórium programja 8:15-8:25 Rövid vizuális ismerkedés a SEM laborral. (Havancsák Károly) 8:30-9:15 A pásztázó elektronmikroszkópia (SEM) alapjai. (Havancsák Károly) 9:30-10:15
RészletesebbenMikroszerkezeti vizsgálatok
Mikroszerkezeti vizsgálatok Dr. Szabó Péter BME Anyagtudomány és Technológia Tanszék 463-2954 szpj@eik.bme.hu www.att.bme.hu Tematika Optikai mikroszkópos vizsgálatok, klasszikus metallográfia. Kristálytan,
RészletesebbenModern fizika laboratórium
Modern fizika laboratórium Röntgen-fluoreszcencia analízis Készítette: Básti József és Hagymási Imre 1. Bevezetés A röntgen-fluoreszcencia analízis (RFA) egy roncsolásmentes anyagvizsgálati módszer. Rövid
Részletesebben6-7. PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA MEGBÍZHATÓSÁGI HIBAANALITIKA VIETM154 HARSÁNYI GÁBOR, BALOGH BÁLINT
6-7. PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA MEGBÍZHATÓSÁGI HIBAANALITIKA VIETM154 HARSÁNYI GÁBOR, BALOGH BÁLINT BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓP
RészletesebbenNagyműszeres vegyész laboratórium programja. 9:15-9:25 Rövid vizuális ismerkedés a SEM laborral. (Havancsák Károly)
Nagyműszeres vegyész laboratórium programja 9:15-9:25 Rövid vizuális ismerkedés a SEM laborral. (Havancsák Károly) 9:30-11:00 A pásztázó elektronmikroszkópia (SEM) alapjai és visszaszórtelektron diffrakció
RészletesebbenSzerkezetvizsgálat ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS (BSc)
Szerkezetvizsgálat ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS (BSc) TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM MŰSZAKI ANYAGTUDOMÁNYI KAR ANYAGTUDOMÁNYI INTÉZET Miskolc, 2008. 1. Tantárgyleírás Szerkezetvizsgálat kommunikációs
RészletesebbenA nanotechnológia mikroszkópjai. Havancsák Károly, 2011. január
1 A nanotechnológia mikroszkópjai Havancsák Károly, 2011. január Az előadás tematikája 2 - Transzmissziós elektronmikroszkóp (SEM), - Pásztázó elektronmikroszkóp (TEM), - Pásztázó alagútmikroszkóp (STM),
RészletesebbenKépalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal
1 Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal Anton van Leeuwenhoek (1632-1723, Delft) Havancsák Károly, 2011. január FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 A TÁMOP pályázat eddigi történései 3 Időrend A helyiség kialakítás
RészletesebbenAnyagvizsgálati módszerek Elemanalitika. Anyagvizsgálati módszerek
Anyagvizsgálati módszerek Elemanalitika Anyagvizsgálati módszerek Pannon Egyetem Mérnöki Kar Anyagvizsgálati módszerek Kémiai szenzorok 1/ 18 Elemanalitika Elemek minőségi és mennyiségi meghatározására
RészletesebbenEnergia-diszperzív röntgen elemanalízis
Fókuszált ionsugaras megmunkálás Energia-diszperzív röntgen elemanalízis FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 EDS = Energy Dispersive Spectroscopy Hol található a SEM/FIB berendezésen?
RészletesebbenFEI Quanta 3D. Nanoszerkezetek vizsgálatára alkalmas kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTE TTK-n
FEI Quanta 3D Nanoszerkezetek vizsgálatára alkalmas kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTE TTK-n Havancsák Károly, Dankházi Zoltán, Varga Gábor, Ratter Kitti ELTE TTK Anyagfizikai Tanszék ELFT
RészletesebbenRöntgen-gamma spektrometria
Röntgen-gamma spektrométer fejlesztése radioaktív anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű meghatározására Szalóki Imre, Gerényi Anita, Radócz Gábor Nukleáris Technikai Intézet
RészletesebbenEnergia-diszperzív röntgen elemanalízis és Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB
Energia-diszperzív röntgen elemanalízis és Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2015. március 1 Energia-diszperzív Fókuszált ionsugaras röntgen megmunkálás elemanalízis
RészletesebbenSugárzás és anyag kölcsönhatásán alapuló módszerek
Sugárzás és anyag kölcsönhatásán alapuló módszerek Elektronmikroszkópok A leképzendő mintára elektronsugarakat bocsátunk. Mivel az elektronsugár (mint hullám) hullámhossza kb. 5 nagyságrenddel kisebb a
RészletesebbenElektronmikroszkópia. Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47
Elektronmikroszkópia Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47 x Miért van szükség elektronmikroszkópra? intenzitásprofil képernyő apertúra Egy fénnyel
RészletesebbenGamma-röntgen spektrométer és eljárás kifejlesztése anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű elemzésére
Gamma-röntgen spektrométer és eljárás kifejlesztése anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű elemzésére OAH-ABA-23/16-M Dr. Szalóki Imre, fizikus, egyetemi docens Radócz Gábor,
RészletesebbenElektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. II. rész: A röntgensugaras mérés és interpretációja
Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. II. rész: A röntgensugaras mérés és interpretációja Tóth Attila Lajos 1. Bevezetés Jelen cikksorozat első részében megismertük, hogy a különböző kölcsönhatások
RészletesebbenMilyen simaságú legyen a minta felülete jó minőségű EBSD mérésekhez
1 Milyen simaságú legyen a minta felülete jó minőségű EBSD mérésekhez Havancsák Károly Dankházi Zoltán Ratter Kitti Varga Gábor Visegrád 2012. január Elektron diffrakció 2 Diffrakció - kinematikus elmélet
RészletesebbenRadioaktív sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktív sugárzások detektálása.
Különböző sugárzások tulajdonságai Típus töltés Energia hordozó E spektrum Radioaktí sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktí sugárzások detektálása. α-sugárzás pozití
RészletesebbenKéprekonstrukció 2. előadás
Képrekonstrukció 2. előadás Balázs Péter Képfeldolgozás és Számítógépes Grafika tanszék Szegedi Tudományegyetem Az atomszerkezet Atommag (nukleusz): {protonok (poz. töltés) és neutronok} = nukleonok Keringő
RészletesebbenRöntgensugárzás az orvostudományban. Röntgen kép és Komputer tomográf (CT)
Röntgensugárzás az orvostudományban Röntgen kép és Komputer tomográf (CT) Orbán József, Biofizikai Intézet, 2008 Hand mit Ringen: print of Wilhelm Röntgen's first "medical" x-ray, of his wife's hand, taken
RészletesebbenPásztázó elektronmikroszkópia (SEM) Elektronsugaras mikroanalízis (EPMA)
Pásztázó elektronmikroszkópia (SEM) Elektronsugaras mikroanalízis (EPMA) Anyagtudományi analitikai vizsgálati módszerek Koczka Béla Szervetlen és Analitikai kémia Tanszék Mikroszkópos leképezési technikák
RészletesebbenA TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI
A TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI web.inc.bme.hu/csonka/csg/oktat/tomegsp.doc alapján tömeg-töltés arány szerinti szétválasztás a legérzékenyebb módszerek közé tartozik (Nagyon kis anyagmennyiség kimutatására
RészletesebbenMTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor Kétdimenziós kémia. Balogh Ádám Pósa Szonja Polett. Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós
MTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor 2 0 1 6. Kétdimenziós kémia Balogh Ádám Pósa Szonja Polett Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós A műanyagok és azok felületi kezelése Miért népszerűek napjainkban
RészletesebbenPásztázó elektronmikroszkóp (SEM scanning electronmicroscope)
Pásztázó elektronmikroszkóp (SEM scanning electronmicroscope) Laborgykorlat Thiele Ádám Az EM és az OM összehasonlítása Az elektronmikroszkóp (EM) működési elve azonos az optikai mikroszkópéval (OM). Az
RészletesebbenRövid ismertető. Modern mikroszkópiai módszerek. A mikroszkóp. A mikroszkóp. Az optikai mikroszkópia áttekintése
Rövid ismertető Modern mikroszkópiai módszerek Nyitrai Miklós 2010. március 16. A mikroszkópok csoportosítása Alapok, ismeretek A működési elvek Speciális módszerek A mikroszkópia története ld. Pdf. Minél
RészletesebbenTechnoorg Linda Ltd. Co. Budapest, Hungary. Innováció és Kommunikáció február 20.
Egy high tech cég g 17 éve Út t a kutatói ötletektıl l a világsz gszínvonalú termékekig egy tudományos mőszerfejlesztm szerfejlesztı vállalkozás s példp ldáján Technoorg Linda Ltd. Co. Budapest, Hungary
RészletesebbenLakos István WESSLING Hungary Kft. Zavaró hatások kezelése a fémanalitikában
Lakos István WESSLING Hungary Kft. Zavaró hatások kezelése a fémanalitikában AAS ICP-MS ICP-AES ICP-AES-sel mérhető elemek ICP-MS-sel mérhető elemek A zavarások felléphetnek: Mintabevitel közben Lángban/Plazmában
RészletesebbenEBSD-alkalmazások. Minta-elôkészítés, felületkezelés
VISSZASZÓRTELEKTRON-DIFFRAKCIÓS VIZSGÁLATOK AZ EÖTVÖS LORÁND TUDOMÁNYEGYETEMEN 2. RÉSZ Havancsák Károly, Kalácska Szilvia, Baris Adrienn, Dankházi Zoltán, Varga Gábor Eötvös Loránd Tudományegyetem, Természettudományi
RészletesebbenNi és Ge felületi rétegekb l keltett K-Auger spektrumok elemzése Analysis of K-Auger spectra excited from surface layers of Ni and Ge
Ni és Ge felületi rétegekb l keltett K-Auger spektrumok elemzése Analysis of K-Auger spectra excited from surface layers of Ni and Ge doktori (PhD) értekezés tézisei abstracts of Ph.D. thesis Egri Sándor
RészletesebbenGamma-röntgen spektrométer és eljárás kifejlesztése anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű elemzésére
Gamma-röntgen spektrométer és eljárás kifejlesztése anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű elemzésére OAH-ABA-16/14-M Dr. Szalóki Imre, egyetemi docens Radócz Gábor, PhD
RészletesebbenSugárzások és anyag kölcsönhatása
Sugárzások és anyag kölcsönhatása Az anyaggal kölcsönhatásba lépő részecskék Töltött részecskék Semleges részecskék Nehéz Könnyű Nehéz Könnyű T D p - + n Radioaktív sugárzás + anyag energia- szóródás abszorpció
RészletesebbenAbszorpciós spektroszkópia
Tartalomjegyzék Abszorpciós spektroszkópia (Nyitrai Miklós; 2011 február 1.) Dolgozat: május 3. 18:00-20:00. Egész éves anyag. Korábbi dolgozatok nem számítanak bele. Felmentés 80% felett. A fény; Elektromágneses
RészletesebbenÚj típusú anyagok (az autóiparban) és ezek vizsgálati lehetőségei (az MFA-ban)
Új típusú anyagok (az autóiparban) és ezek vizsgálati lehetőségei (az MFA-ban) Menyhárd Miklós Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet Támogatás NTPCRASH: # TECH_08-A2/2-2008-0104 Győr, 2010 október
RészletesebbenAnalitikai Elektronmikroszkópia (AEM)
Analitikai Elektronmikroszkópia (AEM) Lábár János MTA MFKI, 135 Budapest, Fóti út 56, Pf. 76., tel: (1) 169-1-, fax: (1) 169-8-37, tel/fax: (1) 169-35-41, E-mail: labar@falcon.mufi.hu Bevezetés Jelen előadássorozat
RészletesebbenRészecske azonosítás kísérleti módszerei
Részecske azonosítás kísérleti módszerei Galgóczi Gábor Előadás vázlata A részecske azonosítás létjogosultsága Részecske azonosítás: Módszerek Detektorok ALICE-ból példa A részecskeazonosítás létjogosultsága
RészletesebbenMűszeres analitika. Abrankó László. Molekulaspektroszkópia. Kémiai élelmiszervizsgálati módszerek csoportosítása
Abrankó László Műszeres analitika Molekulaspektroszkópia Minőségi elemzés Kvalitatív Cél: Meghatározni, hogy egy adott mintában jelen vannak-e bizonyos ismert komponensek. Vagy ismeretlen komponensek azonosítása
RészletesebbenTörök Zsófia, Huszánk Róbert, Csedreki László, Kertész Zsófia és Dani János. Fizikus Doktoranduszok Konferenciája Balatonfenyves,
Török Zsófia, Huszánk Róbert, Csedreki László, Kertész Zsófia és Dani János Fizikus Doktoranduszok Konferenciája Balatonfenyves, 2013.06.21-23 PIXE Particle Induced X-ray Emission Részecske indukált röntgenemissziós
RészletesebbenJASCO FTIR KIEGÉSZÍTŐK - NE CSAK MÉRJ, LÁSS IS!
JASCO FTIR KIEGÉSZÍTŐK - NE CSAK MÉRJ, LÁSS IS! Szakács Tibor, Szepesi Ildikó ABL&E-JASCO Magyarország Kft. 1116 Budapest, Fehérvári út 132-144. ablehun@ablelab.com www.ablelab.com JASCO SPEKTROSZKÓPIA
RészletesebbenATOMEMISSZIÓS SPEKTROSZKÓPIA
ATOMEMISSZIÓS SPEKTROSZKÓPIA Elvi jellemzők, amelyek meghatározzák a készülék felépítését magas hőmérsékletű fényforrás (elsősorban plazma, szikra, stb.) kis méretű sugárforrás (az önabszorpció csökkentése
RészletesebbenAbszorpciós fotometria
abszorpció Abszorpciós fotometria Spektroszkópia - Színképvizsgálat Spektro-: görög; jelente kép/szín -szkópia: görög; néz/látás/vizsgálat Ujfalusi Zoltán PTE ÁOK Biofizikai Intézet 2012. február Vizsgálatok
RészletesebbenMikro- és nanomechanika avagy mire IS lehet használni SEM/FIB-et. Lendvai János ELTE Anyagfizikai Tanszék
Mikro- és nanomechanika avagy mire IS lehet használni SEM/FIB-et Lendvai János ELTE Anyagfizikai Tanszék 1947-ben kezdődött a bipoláris germánium tranzisztor létrehozásával (Bell Laboratory). mikrotechnológia
RészletesebbenEDX EBSD. Elméleti háttér Spektrumok alakja Gyakorlati alkalmazása
EDX Elméleti háttér Spektrumok alakja Gyakorlati alkalmazása EBSD Elméleti háttér Felület előkészítése Orientálás Hough-transzformáció IPF, IQ Felület minősége 2 Elektron besugárzás Röntgen foton kisugárzás
RészletesebbenA HÉLIUM AUTOIONIZÁCIÓS ÁLLAPOTAI KÖZÖTTI INTERFERENCIA (e,2e) KÍSÉRLETI VIZSGÁLATA
Multidiszciplináris tudományok, 4. kötet. (2014) 1. sz. pp. 59-66. A HÉLIUM AUTOIONIZÁCIÓS ÁLLAPOTAI KÖZÖTTI INTERFERENCIA (e,2e) KÍSÉRLETI VIZSGÁLATA Paripás Béla 1 és Palásthy Béla 2 1 egyetemi tanár,
RészletesebbenMikroszkóp vizsgálata Folyadék törésmutatójának mérése
KLASSZIKUS FIZIKA LABORATÓRIUM 8. MÉRÉS Mikroszkóp vizsgálata Folyadék törésmutatójának mérése Mérést végezte: Enyingi Vera Atala ENVSAAT.ELTE Mérés időpontja: 2011. október 12. Szerda délelőtti csoport
RészletesebbenDr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft
Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Atom- és molekula-spektroszkópiás módszerek Módszer Elv Vizsgált anyag típusa Atom abszorpciós spektrofotometria (AAS) A szervetlen Lángfotometria
RészletesebbenA sugárzás és az anyag kölcsönhatása. A béta-sugárzás és anyag kölcsönhatása
A sugárzás és az anyag kölcsönhatása A béta-sugárzás és anyag kölcsönhatása Cserenkov-sugárzás v>c/n, n törésmutató cos c nv Cserenkov-sugárzás Pl. vízre (n=1,337): 0,26 MeV c 8 m / s 2. 2* 10 A sugárzás
RészletesebbenMIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II
NANO MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 4. ELŐADÁS: ELEKTRON- ÉS IONSUGARAS NANOMEGMUNKÁLÁS 2012/2013 tanév 1. félév 1 4. ELŐADÁS: ELEKTRON-
RészletesebbenSZERKEZETVIZSGÁLAT. ANYAGMÉRNÖK BSc KÉPZÉS (nappali munkarendben) TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ
SZERKEZETVIZSGÁLAT ANYAGMÉRNÖK BSc KÉPZÉS (nappali munkarendben) TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM MŰSZAKI ANYAGTUDOMÁNYI KAR FÉMTANI, KÉPLÉKENYALAKÍTÁSI ÉS NANOTECHNOLÓGIAI INTÉZET Miskolc,
RészletesebbenGeokémia gyakorlat. 1. Geokémiai adatok értelmezése: egyszerű statisztikai módszerek. Geológus szakirány (BSc) Dr. Lukács Réka
Geokémia gyakorlat 1. Geokémiai adatok értelmezése: egyszerű statisztikai módszerek Geológus szakirány (BSc) Dr. Lukács Réka MTA-ELTE Vulkanológiai Kutatócsoport e-mail: reka.harangi@gmail.com ALAPFOGALMAK:
RészletesebbenJegyzet. Kémia, BMEVEAAAMM1 Műszaki menedzser hallgatók számára Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár Dr Madarász János, egyetemi docens.
Kémia, BMEVEAAAMM Műszaki menedzser hallgatók számára Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár Dr Madarász János, egyetemi docens Jegyzet dr. Horváth Viola, KÉMIA I. http://oktatas.ch.bme.hu/oktatas/konyvek/anal/
RészletesebbenEffect of the different parameters to the surface roughness in freeform surface milling
19 November 0, Budapest Effect of the different parameters to the surface roughness in freeform surface milling Balázs MIKÓ Óbuda University 1 Abstract Effect of the different parameters to the surface
RészletesebbenSZILÁRD FÁZISÚ EXTRAKCIÓ MINDIG UGYANÚGY
SZILÁRD FÁZISÚ EXTRAKCIÓ MINDIG UGYANÚGY Szakács Tibor, Szepesi Ildikó ABL&E-JASCO Magyarország Kft. 1116 Budapest, Fehérvári út 130. ablehun@ablelab.com www.ablelab.com SZILÁRD FÁZISÚ EXTRAKCIÓ SOLID
RészletesebbenAz elektromágneses sugárzás kölcsönhatása az anyaggal
Az elektromágneses sugárzás kölcsönhatása az anyaggal Radiometriai alapfogalmak Kisugárzott felületi teljesítmény Besugárzott felületi teljesítmény A fény kölcsönhatása az anyaggal 1. M ΔP W ΔA m 2 E be
RészletesebbenVÍZGŐZKONCENTRÁCIÓ-MÉRÉS DIÓDALÉZERES FOTOAKUSZTIKUS MÓDSZERREL
VÍZGŐZKONCENTRÁCIÓ-MÉRÉS DIÓDALÉZERES FOTOAKUSZTIKUS MÓDSZERREL BOZÓKI ZOLTÁN, MOHÁCSI ÁRPÁD, SZAKÁLL MIKLÓS, FARKAS ZSUZSA, VERES ANIKÓ, SZABÓ GÁBOR, BOR ZSOLT Szegedi Tudományegyetem Optikai és Kvantum
RészletesebbenElőzmények. a:sige:h vékonyréteg. 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása
a:sige:h vékonyréteg Előzmények 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása 5 nm vastag rétegekből álló Si/Ge multiréteg diffúziós keveredés során a határfelületek
RészletesebbenRONCSOLÁSMENTES VIZSGÁLATTECHNIKA
RONCSOLÁSMENTES VIZSGÁLATTECHNIKA NDT TECHNICS FÉMLEMEZEK VASTAGSÁGÁNAK MÉRÉSE RÖNTGENSUGÁRZÁS SEGÍTSÉGÉVEL THICKNESS MEASURING OF METAL SHEETS WITH X-RAY METHODDS BOROMISZA LÁSZLÓ Kulcsszavak: vastagság
RészletesebbenTartalomjegyzék. Emlékeztetõ. Emlékeztetõ. Spektroszkópia. Fényelnyelés híg oldatokban 4/11/2016. A fény; Abszorpciós spektroszkópia
Tartalomjegyzék PÉCS TUDOMÁNYEGYETEM ÁLTALÁNOS ORVOSTUDOMÁNY KAR A fény; Abszorpciós spektroszkópia Elektromágneses hullám kölcsönhatása anyaggal; (Nyitrai Miklós; 2016 március 1.) Az abszorpció mérése;
RészletesebbenAz NMR és a bizonytalansági elv rejtélyes találkozása
Az NMR és a bizonytalansági elv rejtélyes találkozása ifj. Szántay Csaba MTA Kémiai Tudományok Osztálya 2012. február 21. a magspínek pulzus-gerjesztésének értelmezési paradigmája GLOBÁLISAN ELTERJEDT
RészletesebbenRöntgen. W. C. Röntgen. Fizika-Biofizika
Röntgen Fizika-Biofizika 2014. 11. 11. Thomas Edison (1847-1931, USA) Első működő fluoroszkóp (röntgen-készülék) feltalálása, 1896 Sugárvédelem hiánya égési sérülések Clarence Madison Dally (Edison aszisztense):
RészletesebbenFEI Quanta 3D SEM/FIB. Havancsák Károly 2010. december
1 Havancsák Károly 2010. december 2 Időrend A helyiség kialakítás tervezése 2010. május Mágneses tér, vibráció mérése 2010. május A helyiség kialakítása 2010. augusztus 4 22. A berendezés szállítása 2010.
RészletesebbenÁltalános Kémia, BMEVESAA101
Általános Kémia, BMEVESAA101 Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár Az anyag Készítette: Dr. Csonka Gábor egyetemi tanár, csonkagi@gmail.com 1 Jegyzet Dr. Csonka Gábor http://web.inc.bme.hu/csonka/ Óravázlatok:
RészletesebbenAlapvető eljárások Roncsolásmentes anyagvizsgálat
Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 2015/16 Roncsolásmentes anyagvizsgálat Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Alapvető eljárások Szemrevételezés (vizuális vizsgálat, VT) Folyadékbehatolásos vizsgálat
RészletesebbenA villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa*
t DR. DÉKÁNY BHG LÁZLÓNÉ- DR. TKI K O R M Á N Y T E R É Z A villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa* ETO 621.3.066.6.004.62 A gyengeáramú érintkezők megbízhatóságát a felületükön lejátszódó
RészletesebbenMikroszerkezet Krisztallitonként Tömbi Polikristályos Mintában
Mikroszerkezet Krisztallitonként Tömbi Polikristályos Mintában Ribárik Gábor, Zilahi Gyula és Ungár Tamás Anyagfizikai Tanszék TAMOP Szeminárium, Visegrád 2012, január 18-20. Diffrakciós vonalak kiszélesedése
RészletesebbenNagy érzékenységű AMS módszerek hosszú felezési idejű könnyű radioizotópok elemzésében
Nagy érzékenységű AMS módszerek hosszú felezési idejű könnyű radioizotópok elemzésében Molnár M., Rinyu L., Palcsu L., Mogyorósi M., Veres M. MTA ATOMKI - Isotoptech Zrt. Hertelendi Ede Környezetanalitikai
Részletesebben62. MEE Vándorgyűlés, Síófok 2015 Szetember Csernoch Viktor, ABB Components. Vacuum Tap-Changers Minősítése
62. MEE Vándorgyűlés, Síófok 2015 Szetember Csernoch Viktor, ABB Components Vacuum Tap-Changers Minősítése Tartalomjegyzék Fokozatkapcsoló design Technológiai áttekintés Áttétel váltás folyamata Tipikus
RészletesebbenNÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL. Neuróhr Katalin. Témavezető: Péter László. SZFKI Fémkutatási Osztály
NÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL Neuróhr Katalin Témavezető: Péter László SZFKI Fémkutatási Osztály 2011. május 31. PhD témám: Fémes nanoszerkezetek elektrokémiai
RészletesebbenPeriódusosság. Általános Kémia, Periódikus tulajdonságok. Slide 1 of 35
Periódusosság 11-1 Az elemek csoportosítása: a periódusos táblázat 11-2 Fémek, nemfémek és ionjaik 11-3 Az atomok és ionok mérete 11-4 Ionizációs energia 11-5 Elektron affinitás 11-6 Mágneses 11-7 Az elemek
Részletesebbenelektronmikroszkóppal
JÖVÕNK ANYAGAI, TECHNOLÓGIÁI ROVATVEZETÕK: dr. Buzáné dr. Dénes Margit és dr. Klug Ottó SZABÓ PÉTER JÁNOS A lokális szemcseorientáció meghatározása pásztázó elektronmikroszkóppal A pásztázó elektronmikroszkópos
RészletesebbenHíradástechnikai anyagok és eszközök elektronmikroszondás vizsgálata
DR. KORMÁNY TERÉZ Távközlési Kutató Intézet NAGY GÉZA MTA Geokémiai Kutató Laboratórium Híradástechnikai anyagok és eszközök elektronmikroszondás vizsgálata ETO 643.423.8:546.28 I. Az elektronmikroszonda
RészletesebbenSzervetlen komponensek analízise. A, Atomspektroszkópia B, Molekulaspektroszkópia C, Elektrokémia D, Egyéb (radiokémia, termikus analízis, stb.
Szervetlen komponensek analízise A, Atomspektroszkópia B, Molekulaspektroszkópia C, Elektrokémia D, Egyéb (radiokémia, termikus analízis, stb.) A fény λ i( k r ωt + φ0 ) Elektromágneses sugárzás E( r,
RészletesebbenSpin Hall effect. Egy kis spintronika Spin-pálya kölcsönhatás. Miért szeretjük mégis? A spin-injektálás buktatói
Spin Hall effect Egy kis spintronika Spin-pálya kölcsönhatás Miért nem szeretjük a spin-pálya pálya kölcsönhatást? Miért szeretjük mégis? A spin-injektálás buktatói Spin Hall effect: a kezdetek Dyakonov
RészletesebbenTartalomjegyzék. Emlékeztetõ. Emlékeztetõ. Spektroszkópia. Fényelnyelés híg oldatokban A fény; Abszorpciós spektroszkópia
Tartalomjegyzék PÉCS TUDOMÁNYEGYETEM ÁLTALÁNOS ORVOSTUDOMÁNY KAR A fény; Abszorpciós spektroszkópia Elektromágneses hullám kölcsönhatása anyaggal; (Nyitrai Miklós; 2015 január 27.) Az abszorpció mérése;
RészletesebbenÁltalános Kémia, BMEVESAA101 Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár. Az anyag Készítette: Dr. Csonka Gábor egyetemi tanár,
Általános Kémia, BMEVESAA101 Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár Az anyag Készítette: Dr. Csonka Gábor egyetemi tanár, csonkagi@gmail.com 1 Jegyzet Dr. Csonka Gábor http://web.inc.bme.hu/csonka/ Facebook,
RészletesebbenA szubmikronos anyagtudomány néhány eszköze. Havancsák Károly ELTE TTK Központi Kutató és Műszer Centrum július.
1 A szubmikronos anyagtudomány néhány eszköze Havancsák Károly ELTE TTK Központi Kutató és Műszer Centrum 2012. július. Mikroszkópok 2 - Transzmissziós elektronmikroszkóp (TEM), - Pásztázó elektronmikroszkóp
RészletesebbenLehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból?
Lehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból? Márk Géza, Vancsó Péter, Nemes-Incze Péter, Tapasztó Levente, Dobrik Gergely, Osváth Zoltán, Philippe Lamin, Chanyong Hwang,
RészletesebbenPeriódusosság. Általános Kémia, Periódikus tulajdonságok. Slide 1 of 35
Periódusosság 3-1 Az elemek csoportosítása: a periódusos táblázat 3-2 Fémek, nemfémek és ionjaik 3-3 Az atomok és ionok mérete 3-4 Ionizációs energia 3-5 Elektron affinitás 3-6 Mágneses 3-7 Az elemek periodikus
RészletesebbenNAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem NAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK Dr. Palotás Béla Mechanikai Technológia és Anyagszerkezettani Tanszék Elektronsugaras hegesztés A katódból kilépő
RészletesebbenPásztázó mikroszkópiás módszerek
Pásztázó mikroszkópiás módszerek - Pásztázó alagútmikroszkóp, Scanning tunneling microscope, STM - Pászázó elektrokémiai mikroszkóp, Scanning electrochemical microscopy, SECM - pásztázó közeli mező optikai
RészletesebbenFÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK
Nagy Gábor1 1 - Vincze Árpád 2 FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK Absztrakt Mindennapi életünkben igen gyakori feladat a radioaktív sugárzások mérése, pl. laboratóriumokban, üzemekben,
Részletesebben4. Szervetlen anyagok atomemissziós színképének meghatározása
Környezet diagnosztika fizikai módszerei, Környezettudományi MSc, környezetfizika szakirány 4. Szervetlen anyagok atomemissziós színképének meghatározása 1.1. Emissziós lángspektrometria, 1.2. Induktív
RészletesebbenJózsef Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat.
1 MESTERSÉGEM CÍMERE F, mint FIZIKUS Tateyama Kagaku Ind. Co. Ltd., Toyama, Japan 3 irányú szilícium gyorsulásérzékelő József Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi
RészletesebbenA kerámiaipar struktúrája napjainkban Magyarországon
A 1. század lehetőségei a kerámiák kutatása és fejlesztése területén Gömze A. László, Kerámia- és Szilikátmérnöki Intézeti Tanszék Miskolci Egyetem Tel.: +36 30 746 714 femgomze@uni-miskolc.hu http://keramia.uni-miskolc.hu
RészletesebbenSupporting Information
Supporting Information Cell-free GFP simulations Cell-free simulations of degfp production were consistent with experimental measurements (Fig. S1). Dual emmission GFP was produced under a P70a promoter
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
Részletesebben