MTA TTK MFA. ttk.mta.hu. mts.

Méret: px
Mutatás kezdődik a ... oldaltól:

Download "MTA TTK MFA. toth.attila.lajos @ ttk.mta.hu. mts."

Átírás

1 Tóth A. L. tud.főmts mts. MTA TTK MFA Research Centre for Natural Sciences, Hungarian Academy of Sciences Institute of Technical Physics and Materials Science ttk.mta.hu

2 Kérdések: 1./ OM-SEM-TEM összevetés, működési elvek min: rajz + elvek A hagyományos SEM (ágyú, oszlop, sugármenet, vákuum, mintakamra, stage, detektor) min: rajz 2 / A SEM-EMA mint analitikai mérőrendszer min: fő részei Jelképző folyamatok, gerjesztett & információs térfogatok min: szórási folyamatok, térfogatokról rajz 3./ BEI, detektálása, kontrasztmechanizmusok min: 2 det. -2 kontr. 4./ SEI, detektálása, kontrasztmechanizmusok min: 1 det. -2 kontr. 5./ XR, detektálása, (ED, WD, drift, ThXRS, PBS) min: 2 det 6./ XR kvantitativ analízis, korrekciós eljárások Csúcsazonosítás, min 2: korrekciós eljárás 7./ LV (FEG) SEM : LEO GEMINI (ágyú, oszlop, sugár-menet, vákuum, mintakamra, stage, detektor) min: a fejlesztés célja + rajz 8./ Pásztázó ion mikroszkópok : ECRIS (Orsay Ph.), ICIS (Vion), LMIS, ALIS (Orion) min: 2 forrás Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

3 A prezentáció a Nanoobjektumok megfigyelése, jellemzése és kialakítása pásztázó sugaras eszközök segítségével című előadássorozat 4 előadásának vázlata Olvasnivaló:. SEM: GoldsteiN-NEWBURY Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis THIRD EDITION 2003 Springer. FIB: Giannuzzi-STEVIE Introduction to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques, and practice, 2005 Springer. FESEM: google -> fe-sem, feg-sem & hitachi, fei, zeiss, jeol, tescan, etc.. Xe FIB: Ga FIB: etc,. Alloy FIB: etc. He ion micr.: Software: Magyarul: DC JOY: lehigh.exe (http://www.amc.anl.gov/anlsoftwarelibrary/02-mmslib/monte/montecarlo/) Pouchou:STRATAGem (http://www.samx.com) Drouin & Hovington CASINO (http://www.gel.usherbrooke.ca/casino/index.html), James Ziegler: SRIM (http://www.srim.org) Pozsgai Imre A pásztázó elektronmikroszkópia és az elektronsugaras mikroanalízis alapjai 1995 ELTE Eötvös Kiadó Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2012

4 A hagyományos SEM (pásztázó elektronmikroszkóp)

5 A SEM mint mikroszkóp 1x1 um 10x10 cm x

6 Cameca MBX (conventional) electron probe microanalyser Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

7 The conventional sample environment (vacuum system, stage) Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

8 Cameca MBX vacuum system Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

9 Electron optics : crossover demagnification Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

10 Electron optics : lens aberrations Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

11 Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

12 A SEM-EMA mint AMR (analitikai mérőrendszer)

13 Az AMR Application Tóth Attila Lajos, SEM és ami utána következik, OE, KKVK, 2013 sept.

14 A mérő egységben a vizsgálandó mintát egy δ reagenssel hozzuk köcsönhatásba, mely a minta χ anyagtulajdonságainak függvényében kelti a η analitikai jelet Electrons MR ME Reagens Minta és mennyisége Analitikai jel Detektor ÉE Analitikai információ Elektronsugaras mikroanalízis (EMA) Elektronsugár Elektronoptika + kamra Röntgen spektrométer Gerjesztett térfogat um 3 a szilárd mintafelületen Rtg.sugárzás karakt.csúcsok a gerjesztett térfogatból Számítógép + korrekciós software ZAF, P/B ZAF stb., A gerjeszett um 3 térfogat átlagösszetétele Igy működött Castaing ős-mikroanalizátora (más néven mikroszonda) 1948-ban, ahol optikai mikroszkóp segítségével lehetett a minta különböző részeit elektronokkal besugározni.

15 The SEM as Analytical Measuring System

16 Jelképző folyamatok, gerjesztett & információs térfogatok

17 Signal Technique Properties Studied e γ i backscattered secondary X-ray Optical junction ohmic bulk Sample current BEI SACP SEI EDS WDS XRI CLI EBIC EBIV AEI Qualitative composition Crystal structure Topography Local fields & potentials Qualitative composition Quantitative composition (electr.active) Xtal defects Carrier lifetime - Diffusion length - surface recombination Topography Qualitative composition

18 Analitikai jel (ÜZEMMÓD) Felbontás laterális mélységi ==================================================================== Szekunder elektron (SE) 1-10 nm 1-10 nm E: jó felbontás (=sugárátmérõ), topográfiai kontraszt H: komplex jelképzés (pl.be hozzájárulás) Visszaszórt elektron (BE) um um E: rendszámkontraszt H: gyengébb felbontás (< sugárátmérõ) Áram (EBIC) nm um E: Rácshibák és p-n átmenetek megfigyelhetõk H: Felületi rekombináció hatása Fény (CL) 10nm-1 um um E: fluoreszcens fázisok szelektiv leképzése H: kis intenzitás, sugárzási károsoodás halványit Röntgen sugár (EDS) um um E: szimultán detektálás,nagy tömegérzékenység H: rossz felbontás, nagy holtidõ (WDS) um um E:jó felbontás, nagy intenzitás H: elemenkénti detektálás, rigorozus fókuszálásaes Auger el. (AES, Eo=2-5 kev) nm nm E: Felületi monorétegek elemösszetétele H: Ultratiszta felület és ultrannagy vákuum ====================================================================

19 RUGALMAS SZÓRÁS AZ ATOMMAGON

20 Signal forming mechanisms : Rutherford scattering.

21 History: (micro- range) Conventional SEM Versatile 2-10 nm beam diameter BUT: Eo > 5 kev electron energy CONSEQUENCE: Deep penetration ( nm) Large excited volume SEM basics (courtesy DC Joy)

22 Mit láttunk? Excited volume

23 Penetration depth

24 Excited volume

25 & information volumes

26 charge-up depth of focus

27 BEI detektálása, kontrasztmechanizmusok

28 Signals from elastic scattering: BE Def: E<50eV: secondary- (SE) / E>50eV backscattered (BE) LLE: low loss,- / ERE: single scattered electrons

29 BEI detectors : EHT without collecting field Large area scintillator SC diode array (2-4)

30 BEI contrast mechanisms angular distribution -> topography (BEI-TOPO)

31 BEI contrast mechanisms intensity -> mean Z (BEI-COMPO)

32 Backscattered electron signal (BE) High energy (E~Eo) Elastically scattered electrons Detection: EHT, diode arrays, scintillator (Robinson det.) Contrast: topography (TOPO) mean atomic No (COMPO) orientation local magnetic field

33 RUGALMATLAN SZÓRÁS AZ ATOMHÉJON

34 SEI detektálása, kontrasztmechanizmusok

35 Signals from inelastic scattering: SE Def: E<50eV: secondary- (SE) / E>50eV backscattered (BE) LLE: low loss,- / ERE: single scattered electrons

36 Glory, glory to Everhart & Thornley The Everhart-Thornley detector

37 SEI signal components & resolution

38 SEI contrast mechanisms: SEI: topography

39 Different images from the same surface SEI BEI compo BEI topo XRI Sn

40 Secondary electrons Low energy (E<50eV), Outer shell ionization Detection: EHT, channeltron Contrast: morphology coomposition (work f.) atomic number local electric field local magnetic field

41 RUGALMATLAN SZÓRÁS AZ ATOMHÉJON

42 kvalitativ XR analízis, detektálás

43 Analytical signal : characteristic X-rays Source: inner shell ionization Detection: Spectral (EDS, WDS) Information: point measurement ( 0 dim) energy: qualitative analysis intensity: quantitative analysis line profile (1 dim) and imaging (2 dim) distribution of elements

44 Signals from inner shell ionization: Auger-electron or X-Ray emission

45 X-ray transitions

46 H.G.J. Moseley ( ) Kvalitativ és kvantitativ analizis foto-lemezen Phil.Mag (1912) A röntgenspektroszkópia és analízis atyja

47 Röntgen detektorok

48 WDS n * λ = 2 * d * sin (θ )

49 EDS: Si(Li Li) Imax < cps The solid state EDS utilizes the fact, that X-rays create electron hole pairs in the intrinsic region of the Si(Li) or drift detector (3.6 ev/pair).

50 Comparing spectra : WDS v/s Si(Li) EDS WDS EDS

51 EDS: DRIFT Imax ~ cps

52 Comparing spectra : WDS v/s DRIFT EDS WDS EDS up to 1000 up to 1000

53 Thermal XRS The Thermal X-Ray Spectrometer measures the heat, generated by the absorption of the X-ray in a superconducting microcalori-meter, kept at liquid He temperature. When directly mounted to the SEM column, using a mechanical cooling system, vibration can become a serious problem- and the performance of the whole system has to be evaluated. The picture shows a trench line with a resolution of 5.3 nm. Note that the intrinsic resolution of the microscope in this case is 3 nm. Otherwise X-ray waveguides are used to direct the radiation to the remote detector, further increasing the price of the spectrometer.

54 Comparing spectra : ThXRS v/s EDS The basic energy resolution of the system, compared to that of a standard EDS detector can be seen in the X-ray spectrum of TiN, which is used as barrier layer or antireflective coating (see figure). Since the N-Ka-line (392 ev) and the Ti-La line (452 ev) are separated by 60 ev analysis with a standard tool is not successful, whereas the microcalorimeter detection shows a clear separation of the two peaks. The typical energy resolution is determined to be 10

55 Comparing: Spectral resolution: Detect.limit,, P/B ratio: Spectrum acq. time: Beam current : WDS / EDS 1/ / * * EDS SI(LI) (LI): general EDS DRIFT*: general WDS: peak, LO speed, LO res. general use, LO general use,, HI speed,, LO res. peak-overlaps, trace elements, layers THERMAL XRS: best of both worlds,, EDS speed with WDS resolution. COST PB-WDS: integrated with EDS simply the BEST (but not cheap)

56 Paralell beam WDS Simply the BEST, EDS solid angle with WDS resolution

57 Comparing spectra : PB-WDS v/s EDS

58 kvantitativ XR analízis, korrekciós eljárások

59 Kvantitativ analizis: korrekció (ZAF) Alaphipotézis: a gerjesztés helyén k X = C X Probléma: a detektor helyén mérünk Fizikai folyamatok: melyek miatt k X C X - rugalmas elektronszórás -> változó gerjesztett térfogat (Z) - rugalmatlan elektronszórás -> változó ionizáció (Z) - anyagfüggő röntgenabszorpció a sugárzás kilépéséig (A) -belső röntgenfluoreszcencia a mintában (F) MR ME Reagens Minta és mennyisége Analitikai jel Detektor ÉE Analitikai információ Elektronsugaras mikroanalízis (EMA) Elektronsugár Elektronoptika + kamra Röntgen spektrométer Gerjesztett térfogat um 3 a szilárd mintafelületen Rtg.sugárzás karakt.csúcsok a gerjesztett térfogatból Számítógép + korrekciós software ZAF, P/B ZAF stb., A gerjeszett um 3 térfogat átlagösszetétele

60 Kvantitativ analizis: korrekció (etalonsor) A korrekció történhet etalonsor mérésével, vagy számításokkal. A minta összetételéhez közeli, ismert koncentrációjú etalonsor a legmegbízhatóbb segítség.

61 Quantitative analysis (iv): interpretation ( B&A ) The utilization of standards of known composition is still the most accurate method, but is limited both in qualitative and quantitative sense. A possible (limited) generalization was the use of empirical factors (BENCE-ALBEE)

62 Kvantitativ analizis: korrekció (ZAF) A ZAF típusú korrekció tapasztalati képletek alapján korrigálja a fenti folyamatokat (FRAME, MAGIC). Kiforrott, sokszorosan tesztelt módszer. Példa: az abszorbciós tényező (A) különböző közelítései:

63 ELTE Kvantitativ analizis: korrekció (nostd.zaf)

64 Kvantitativ analizis: korrekció (PUZAF) The RÖNTEC developed the (PUZAF) where instead of standards the measured background intensity is used as normalization factor

65 Kvantitativ analizis: korrekció (PUZAF) The RÖNTEC developed the (PUZAF) where instead of standards the measured background intensity is used as normalization factor

66 A Bruker Quantax EDS software (PUZAF) D1 SEM Visszaszórt elektronkép (BEI) D2 Cu,Sn és Pb vonalmenti elosztása D3 Cu,Sn és Pb röntgentérképe 5

67 Kvantitativ analizis: korrekció (φρz) A φρz típusú korrekció a Z és A komponenst együtt kezeli a behatolási függvény alapján. Továbbfejlesztett változat: réteg-szerkezetekre (STRATA) A Monte Carlo (MC) számítások elemi lépésekre bontva a folyamatot képesek bonyolult minta-geometriákon is korrekciót végezni.

68 Kvantitativ analizis: korrekció (STRATA) A MINTAKÖRNYEZET egyik leglátványosabb modulálása a gerjesztett térfogat környezetében gázatmoszféra ( GIS ) létrehozása. Ennek célja lehet marás, antikontamináció,esetünkben a prekurzor gáz bomlása után a besugárzott területen Pt leválasztás. A prekurzor organometallikus vegyület, a gáztérből is leválhat karbon, célszerű tehát alaposan megvizsgálni a deponátumot. A LEO GIS prekurzor-bevezető csövei a target felett Egy virtuális összetétel méréssorozat : 5 kev, 1-5 Pt pogácsa + Si, SiO2, Pt és C etalonok EDS spektrumai tothal Elektronsugár által leválasztott Pt jellemzése Az 1-5 perces elektron-besugárzás alatt levált Pt tartalmú pogácsák AFM képe vastagság meghatározásához

69 STRATA-gem: Rel. XR int.=f(eo).-> összetétel (wt% at%) & tömegvastagság (ug/cm2) A leválasztott ismeretlen vastagságú, összetételű és sűrűségű pogácsáknak először a vastagságát határoztuk meg AFM méréssel. Ezután 5, 7.5 és 10 kev primer energiával EDS mérést végzünk. Az eredmények természetesen csak virtuális kocentrációk, hiszen a gerjesztés belelóg a szubsztrátba, de már ezek az adatok is használhatók gyakorlati in-situ vastagságmérésre. Egy speciális program a különböző energiákkal mért relatív intenzitásokból kiszámolja a réteg összetételét és tömegvastagságát, amiből az AFM adatok segítségével a sűrűség meghatározható. Az eredmények: tömegvastagság (ug/cm2) >> AFM vastagság (nm) >> sűrűség (g/cm3) tothal - konstans lerakódási sebesség: (73->277 nm) - magas széntartalom (41- > 31 - > 34 wt%) - változó sűrűség (4,2- > 5,5 - > 4,9 g/cm3) - virtuális Si koncentráci ció (60- > 2,5 wt%) Ez átvezet a nano-technológia SEM megoldásaihoz

70 1024 Kvantitativ analizis: korrekció ( MC ) kev 10 nm dia 20 nm dia Al2O3 tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise

71 (8.példa): nanogömbök kvantitativ EDS analízise Szörényi, tothal & al. Fém alumínium céltárgy desztillált víz alatti ablációjával készült nano-részecskék.nd:yag lézer (532 nm); 9,6 Jcm -2 energiasűrűségű impulzusok.

72 nanogömbök kvantitativ EDS analízise tothal

73 kev 10 nm dia SPH P ox/al = f(d) 200keV TEM geom on FOIL Al 2 O D sphere (nm ) tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise

74 kev 10 nm dia SPH P ox/al = f(d) 5keV SEM geom on BULK Al 2 O tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise

75 1024 Al x O? 153 tothal nanogömbök kvantitativ EDS analízise Ez átvezet a nano-technológia SEM megoldásaihoz

76 Summary (XR) Source: inner shell ionization Detection: Spectral (EDS, WDS) Information: point measurement ( 0 dim) energy: qualitative analysis intensity: quantitative analysis line profile imaging FIB peeling (1 dim) (2 dim) (3 dim) distribution of elements

77 LV (FEG) SEM LEO GEMINI ágyú, oszlop, sugármenet, vákuum, SE detektor

78 Ryssel A hagyományos SEM tipikusan 30 kev körül éri el a maximális felbontást, ki-használva szekunder elektronok kis szökési mélységét ( 5λSE ). Az 1980-as évektől a félvezetőipar azzal a látszólag ellentmondásos igénnyel állt elő, hogy egyre kisebb méretű integrált áramköreit potenciálkontraszt üzemmódban akarják vizsgálni, vagyis a gerjesztett térfogat nem lehet mélyebb mint a védőüveg vastagsága (~100nm). A céget Gordon E. Moore, Andrew Grove és Robert Noyce alapította 1968-ban. Kezdetben négy alkalmazottjuk volt, beleértve magyar származású Vadász Lászlót, aki 1975-től a cég elnökhelyette-se, között pedig az igazgatói tanács tagja. Az ő irányítása alatt készült el 1971-ben a világ első mikro-processzora, az l4004. Grove az 1960-as évektől az 1990-es évekig (nyugdíjazásáig) azon munkálkodott (sikerrel), hogy Ryssel az egy nagy nemzetközi cég legyen.

79 Nanotechnology is a X road of disciplines 1nm barrier

80

81 SEM a 2000-es években: a végső határ (?) FEI Helios nanolab (Elstar): Electron beam coincident point kv kv kv RAITH Pioner (GEMINI): Electron Beam Lithography main specifications: Beam size (resolution) 2.5 nm ( 1.6 nm) A B C (D) Annak ellenére, hogy a pásztázó elektronmikroszkópok az elérhető minimális felbontást ostromolják ( a teljesség igénye nélkül például a FEI Elstar 2011-ben nm ZEISS Gemini 2008-ban: 1.6 nm ) a nanotechnológia igénye,és a konkurens módszerek (AFM) paraméterei arra sarkalják a nanosugaras eszközök gyártóit, hogy nézzenek körül. Miért? A választ a (D) ábra mutatja. Az elektronoptikai lencsehibák közül az elektron λ hullámhosszával arányos diffrakciós hiba az eredő sugárátmérő minimumértékéért felel. Ugyanis a más oldalról megkívánt kis energia nem teszi lehetővé, hogy a λ csökkentésének szokásos módját, az energia növelését használják. Marad tehát a lencsehibák lefaragásának fáradságos útja, vagy pedig túllépni az elektronmikroszkóp korlátain, vagyis szakítás az elektronokkal! FEI, ZEISS, Raith, Koops

82 A konstrukőrök az évek folyamán a fizikusi és mérnöki lelemény egész arzenálját vetették be a sugár átmérőjének és energiájának egyidejű csökkentése érdekében. Elérve az 1keV energiát), a behatolás 30 nm-re csökken, a sugár energiájának 95%-a pedig 25nm-en belül disszipálódik (A4). A kisenergiás sugár fókuszálása azonban problematikus, ezért különböző cégek más -és más trükkhöz folyamodtak. CASINO, tothal SEM a 90-es években: a nanokorszak kihívásai

83 Ryssel

84 ZEISS Lencsehibák : a végső határ (?) (D) FEI, ZEISS, Raith, Koops Annak ellenére, hogy a pásztázó elektronmikroszkópok az elérhető minimális felbontást ostromolják, a nanotechnológia igénye,és a konkurens módszerek (AFM) paraméterei arra sarkalták a nanosugaras eszközök gyártóit, hogy nézzenek körül. Miért? A választ a (D) ábra mutatja. Az elektronoptikai lencsehibák közül az elektron λ hullámhosszával arányos diffrakciós hiba felel az eredő sugárátmérő minimumértékéért. Ugyanis a más oldalról megkívánt kis energia nem teszi lehetővé, hogy a λ csökkentésének szokásos módját, az energia növelését használják.

85 HITACHI

86 HITACHI

87 SEM a 2000-es években: FEI Helios nanolab (Elstar): Electron beam coincident point kv // kv kv RAITH Pioner (GEMINI): Electron Beam Lithography main specifications: Beam size (resolution) 2.5 nm ( 1.6 nm) FEI, ZEISS, Raith, Koops

88 FEI

89 FEI

90 FEI

91 1500XB CrossBeam with GEMINI column Tothal & ZEISS

92

93 Gemini column: low beam noise < 1 % cross over free beam path, no significant Boersch effect, high depth of field highly stable thermal FEG< 0.2 % /h variation superb image resolution fhroughout the complete beam energy range, particularly down to 100 ev. high resistance to ambient magnetic stray fields constant conditions at sample surface eliminates ion-beam shift LEO ZEISS GEMINI column ZEISS

94 A téremissziós SEM Gemini közbülső fókuszpont mentes sugármenete, és hibrid objektiv lencséje (mely a fókuszálás mellett detektor és a sugár fékező tér is) kisenergiás működésre lett optimálva (ZEISS). Az eredmény a egy x nominális nagyítású képe egy (szigetelő) Al2O3 pórusairól. A zöld markerek távolsága 7 nm. GEMINI objektív LEO ZEISS GEMINI column Tothal & ZEISS

95 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column

96 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column

97 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column

98 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column

99 Zeiss Merlin with GEMINI-2 column

100 Pásztázó ion mikroszkópok LMIS, ECRIS (Orsay Ph.), ICIS (Vion), ALIS (Orion)

101 Új Remény : három fókuszált ionsugaras bajnok : Ga, Xe, He Mivel a Ga ion hullámhossza két és fél, a He ioné pedig két nagyságrenddel kisebb mint a hasonló energiájú elektronoké, az eredő lencsehiba apertúra függése alapvetően módosul, - a határoló összetevő az minta felületére leképzett ionforrás mérete lett. Eo: kev Ráadásul (látszólag) semmit sem kellett feltalálni. Az ionoptikát ha máshonnan nem a gyorsítókból ismertük. A kisméretű, elektrosztatikus részecskeoptikát elektronokr a hamarabb használták mint a mágneses lencséket. A félvezető ipar a hetvenes évek óta használta a fókuszált ionsugárzást (FIB) maszkjavítási és egyedi áramkör módosításra. A kérdés inkább az, miért ily későn? A félvezető ipar 90-es évek beli megtorpanása kellett ahhoz, hogy a cégek ne csak méregdrága monstrumokat gyártsanak, másrészt most lett rá igény előbb a nanomegmunkálás később az ionmikroszkópiák területén. ZEISS

102 FIB képalkotás A Ga ionsugár gerjesztett és térfogata (SRIM) Az LMIS és az ionpotika eredménye egy fókuszált nagy mélységélességű ion sugár a mintán melynek mérete ~ 6 nm 30 kv ~100 nm 2 kv ionenergián Az ionbombázás hatására bekövetkező köcsönhatások: -Porlódás (sputtering) Semleges atomok Szekunder ionok Visszaszórt ionok Implantált ionok Rácshibák ( vakanciák, intersticiósok, diszlokációk ). Szekunder elektronok Secondary Electron images (SE~10 5 xsi) jó mélységélesség FIB Voltage Contrast (SE) előfeszítés és töltődés egyaránt Secondary Ion imaging (SI) szigetelő mintákhoz FIB Channelling contrast (SE & SI) bár nem ugyanaznaz eredmény. FIB ~ 4x erősebb kontraszt mint a SEM BEI FIB Deformation Contrast az orientációs kontraszt egy változata (SE & SI) a vezetőképesség változását mutatja, FIB Chemical Contrast (SE & SI) pl. oxidháló szemcsehatáron Gianuzzi Intro SEM SE FIB SI tothal, fibics.com

103 A folyékony fém ionforrás (LMIS) Különféle Ga + LMIS FIB oszlopok A1 A2 B 1 4 : Micrion 5 nm 50 kev FEI Magnum 30 kev Orsay Canion31 30 kev Raith NanoFIB 35keV A hetvenes évekig a gyorsítókban megszokott plazmaforrást használták (pl az ARL scanning SIMS duoplazmotron ágyúja). Azóta viszont a mikroszkópiai célú FIB a folyékony fém ionforrást használja (LMIS ). (Eskovitz, Levi-Setti. Orloff, Swanson) Sokféle fémet használnak (Au, Be, Pd,Ni, Sb, és ötvözeteik) de a legelterjedtebb a Ga. Előnye hogy olvadáspontja alacsony (29 C), ráadásul könnyű túlhűteni, ezáltal az ágyú szobahőmérsékleten használható. A nagy atomtömege (69,7 g/mol) miatt jól használható porlasztáshoz (sputtering). Az ágyúban egy (általában hideg) fűtőszálhoz egy W tűt hegesztenek, melyet egyik végén kihegyeznek ( d<100 nm ) másik végére pedig egy spirált helyeznek, melyet folyékony Ga-ba mártanak (A1). A W-ot jól nedvesítő Ga megtölti a spirált, és befedi a felületet, így a csúcsot is. Az ágyú kihúzó tere az olvadt galliumot tovább hegyezi (A2), míg az emittáló felület nagysága 10 nm alá nem csökken. Mivel az LMIS emittáló felülete kicsi, az elektrosztatikus ionoptika nem túl bonyolult, kétlencsés, és kompakt (B1-4). A Gemini oszlophoz hasonlóan sugáráramot elsődlegesen itt is apertúrákkal szabályozzák, valamint igyekeznek elkerülni a Coulomb kölcsönhatást a sugárban. Ez a Boersch-hatás ami kiszélesíti a sugár energiaeloszlását (ΔE= 5 ev-ra) ami által a kromatikus aberráció válik a meghatározó lencsehibává (különösen alacsony energiákon ahol a ΔE/E nagy). Az eltérítést és a sugár kitakarását (blanking) szintén elektrosztatikusan oldják meg. FEI, Koops

104 A félvezetőipar és a nanotechnológia egyre inkább a 3 dimenziós megoldások irányába halad: (device stacking,, wafer bonding) ami nagyobb porlasztási sebességeket és porlasztott anyagmennyiséget jelent, mint ami Ga forrást használva ésszerű marási időkkel megold-ható. Az LMIS konstrukció limitálja a kihúzható maximális áramot, az elkerülhetetlen Ga implantáció pedig lehetetlenné teszi a technológiaközi vizsgálatokat. Mondhatni feltámadt a nosztalgia a jó öreg gáz-alapú plazma ionforrások után,- persze fókuszált sugárral. Az eredmény:. Xe sugaras FIB a nehézsúlyú ionsugaras megmunkáló ECR plazmaforrással és ICP plazmaforrással [Orsay Physics] [FEI] A hűtést nem igénylő ECR (electron cyclotron resonance) mikrohullámú Xe ionforrás átlépi a 2 μa küszöböt, és a korábbi LMIS FIB méreteivel csereszabatos ágyúval a gyártó 40x gyorsabb porlasztást jelentett Ga kontamináció nélkül ( Orsay Physics) Az ICP (inductively coupled plasma) Xe ionágyúra épített FIB berendezés paramétereit a következő oldalon foglaljuk össze.(fei) Orsay Physics, FEI

105 Vion : MIKROSZKÓP? IONSUGARAS MEGMUNKÁLÓ? A Xe sugaras berendezés hozza amire tervezték: 30-40x több anyag kimarására képes adott idő alatt int a Ga sugaras LMIS. Mint mikroszkóp elég jó ahhoz, hogy egysugaras FIB berendezésben 10 pa sugáráram mellett 30 nm felbontással láthassuk munkánk eredményét. Ez azonban az LMIS 1 pa mellett mutatott 7nm sugárátmérőjével együtt messze van attól az 1 nm álomhatártól, amivel az ionsugaras eszközök lencsehibáit bemutató grafikon kecsegtet bennünket. ZEISS, SEMATECH, tothal

106 FIB (microscopy) in nanorange A LEO 1540XB cross beam ( Ga+ + & e ) microscope and preparation system

107 Ga + LMIS FIB képalkotás és marás A B Acél minta FIB-SEI képe (88 O ion-beesési szög) SEM-SEI kép ugyaninnen (45 O elektron-beesési szög) Kihasználva a Ga ionok nagy tömegét a képalkotás mellett nem elhanyagolható a lokális ionporlasztás (sputtering). A dózistól függően ez lehet felülettisztítás, -polírozás, rétegeltávolítás valamint árkok, gödrök kialakítása és nano-objektumok lokális továbbalakítása (TEM lamella kivágás, AFM tű hegyezés, egyedi nanomanipulátorok és szondák kifaragása). X-beam : A SEM és FIB célirányos összeépítésével ugyanazt a területet vizsgálhatjuk akár szimultán is (így lehetséges a FIB marás egyidejű SEM nyomonkövetése). Az ( A ) FIB és ( B ) SEM SE képek ugyanazon, polírzott acél felületről készültek. Megfigyelhetők az orientációs kontraszt eltérései, valamint a porlódási hozam orientációfüggése, egészen addig, hogy a kevésbé porlódó szemcsék határai ferdén rajzolódnak ki. A 10x10 μm négyzeteken mérhető mélységekből három jól elkülönülő porlódási hozam (sputtering yield) mérhető 0,06-0,18 μm 3 /nc között tipikusan 0,01 μm 3 /nc szórással (táblázat). A ( C ) ábrán látható, hogy az orientációs kontraszt (ezáltal egy EBSD ábra minősége) annál jobb, minél kisebb ion-energiával polírozzuk, és minél nagyobb energiájú elektronsugárral készítjük a felvételt. Hátrányok: A Ga LMIS mivel egyensúlyt kell tartani a Taylor kúp stabilitása, az emisszió, és a felületi Ga utánpótlás között- csak i X ~ μa kihúzott ionáram-intervallumban stabil. Ezáltal a vele készült FIB praktikus, kompakt, viszonylag egyszerű és tartós (4-6 ma*h), leképezésre és marásra egyaránt alkalmas. Igazi tízpróbázó, de egyik versenyszámban sem világcsúcstartó. JEOL tothal, ZEISS, fibics.com C SEM E o FIB E o

108 A pásztázó ionsugaras mikroszkóp : He+ ionokkal Előzmény: a tér-ion-mikroszkóp (FIM) hűtött és előfeszített W csúcsának kiemelkedő részeinél ionizálódik a gáz, majd az ernyő felé gyorsulva M FIM ~10 7 nagyítással jeleníti meg a csúcs képét. Az Atomic Level Ion Source ( ALIS ) a FIM leszármazottjának tekinthető. A kémiailag kialakított FIM csúcsot (feltehetően FIB segítségével) tovább hegyezik mindaddig, míg csak 9 esetenként 3 atomra nem redukálják az emissziót. Ebből egyet kiválasztva kapjuk a GFIS (Gas Field Ion Source) emitterét. TULAJDONSÁG He GFIS+SIM Ga LMIS+FIB Virtual source radius ( pm ) Energy spread: ( ev ) 1 5 Extraction voltage ( kv ) Predicted spot size ( nm ) 0,25 6 ZEISS

109 A pásztázó ionsugaras mikroszkóp : He+ ionokkal 150 pm virtuálisforrás esetén az ionoptika feladata nem annyira a kicsinyítés minta a sugár kondícioná-lása. A 4-15 mm munkatávolság kiváló mélység-élességet eredményez. Ahogy a műszer terjed, a használt kontrasztmechanizmusok száma hónapról hónapra nó. Az élvonal (MIT, HP és a svájci EMPA) a litográfiához fejlesztett ELPHY MultiBeam (Raith) mintatartót és softwaret használja He-SIM alapú megmunkáló kisérleteihez, ami pontos dozimetrálást és nanométeres mintamozgatást tesz lehetővé. ZEISS

110 A pásztázó ionsugaras mikroszkóp : He+ ionokkal Összehasonlítva a 35 kev energiájú fókuszált He+ ionsugár gerjesztett térfogatát (SRIM, ZEISS) egy kisenergiás téremissziós LV-FEG-SEM 1 kev-es elektronjai által keltett gerjesztett térfogattal látható, hogy az elektronok adják a legkisebb, a He ionok pedig a legnagyobb térfogatot. A morfológiai vizsgálatokra leggyakrabban használt szekunder elektronok azonban csak a felület alatti 1-10 nm mélységből képesek kilépni, ami a He ionok javára szól. Ebben a mélységben a ugyanis szinte kizárólag kisszögű rugalmas szórás megy végbe, a SE információs térfogatának átmérője tehát gyakorlatilag a sugárátmérővel egyenlő. Ennek köszönhető a 0,24 nm felbontás, amivel beléptünk a PICOPROBE tartományba. ZEISS

111 Kontrasztmechanizmusok a pásztázó He ion mikroszkópban: SEI : anyagkontraszt! SEI : mélységélesség SEI & Rutherford Backscattering Image Channelling Voltage Contrast

112 Kontrasztmechanizmusok: RBI : anyagkontraszt

113 FαB grafén milling

114 FαB milling

115 αbad

116

117 Jó hír: A készülék ára : Rossz hír: USD Jó hír: Az első eladott készüléket magyar ember, egykori ifjú kollégám Vladár András vette meg Rossz hír: Washingtonba, az NIST metrológia laborjába. Azóta sincs sokkal több.

118

119 Kérem az ELSŐ csoport hozza fel az ÖSSZESET! beérkezett dolgozat nélkül nincs jegy mfa.kfki.hu ttk.mta.hu

120 mfa.kfki.hu ttk.mta.hu

121 KFKI XXIII ép. Fszt 22a

Attila L Tóth CSc senior research fellow.

Attila L Tóth CSc senior research fellow. Attila L Tóth CSc senior research fellow tothal @mfa.kfki.hu Attila L Tóth CSc senior research fellow Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences (MTA MFKI) Budapest (Ujpest)

Részletesebben

Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. I. rész: pásztázó elektronmikroszkópia

Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. I. rész: pásztázó elektronmikroszkópia Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. I. rész: pásztázó elektronmikroszkópia Tóth Attila Lajos 1. Bevezetés A pásztázó (scanning) elektronmikroszkópot (SEM), és röntgensugaras kémiai elemzésre

Részletesebben

ELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp

ELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek

Részletesebben

A nanotechnológia mikroszkópja

A nanotechnológia mikroszkópja 1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június

Részletesebben

Kérdések: 02/10/2014. A SEM mint mikroszkóp. ttk.mta.hu. Tóth A. L. tud.főmts.

Kérdések: 02/10/2014. A SEM mint mikroszkóp. ttk.mta.hu. Tóth A. L. tud.főmts. Tóth A. L. tud.főmts. MTA TTK MFA Research Centre for Natural Sciences, Hungarian Academy of Sciences Institute of Technical Physics and Materials Science Kérdések: 1./ OM-SEM-TEM összevetés, működési

Részletesebben

Fókuszált ionsugaras megmunkálás

Fókuszált ionsugaras megmunkálás 1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz

Részletesebben

Pásztázó elektronmikroszkóp. Alapelv. Szinkron pásztázás

Pásztázó elektronmikroszkóp. Alapelv. Szinkron pásztázás Pásztázó elektronmikroszkóp Scanning Electron Microscope (SEM) Rasterelektronenmikroskope (REM) Alapelv Egy elektronágyúval vékony elektronnyalábot állítunk elő. Ezzel pásztázzuk (eltérítő tekercsek segítségével)

Részletesebben

Fókuszált ionsugaras megmunkálás

Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Dankházi Zoltán 2013. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok

Részletesebben

Typotex Kiadó. Tartalomjegyzék

Typotex Kiadó. Tartalomjegyzék Tartalomjegyzék Előszó 1 1. Az alapok 3 1.1. A pásztázó elektronmikroszkópia helye a korszerű tudományban 3 Irodalom 6 1.2. Elektron anyag kölcsönhatás 7 1.2.1. Rugalmas szórás 12 1.2.2. Rugalmatlan szórás

Részletesebben

Mikroszerkezeti vizsgálatok

Mikroszerkezeti vizsgálatok Mikroszerkezeti vizsgálatok Dr. Szabó Péter BME Anyagtudomány és Technológia Tanszék 463-2954 szpj@eik.bme.hu www.att.bme.hu Tematika Optikai mikroszkópos vizsgálatok, klasszikus metallográfia. Kristálytan,

Részletesebben

A nanotechnológia mikroszkópjai. Havancsák Károly, 2011. január

A nanotechnológia mikroszkópjai. Havancsák Károly, 2011. január 1 A nanotechnológia mikroszkópjai Havancsák Károly, 2011. január Az előadás tematikája 2 - Transzmissziós elektronmikroszkóp (SEM), - Pásztázó elektronmikroszkóp (TEM), - Pásztázó alagútmikroszkóp (STM),

Részletesebben

6-7. PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA MEGBÍZHATÓSÁGI HIBAANALITIKA VIETM154 HARSÁNYI GÁBOR, BALOGH BÁLINT

6-7. PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA MEGBÍZHATÓSÁGI HIBAANALITIKA VIETM154 HARSÁNYI GÁBOR, BALOGH BÁLINT 6-7. PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA MEGBÍZHATÓSÁGI HIBAANALITIKA VIETM154 HARSÁNYI GÁBOR, BALOGH BÁLINT BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓP

Részletesebben

Modern fizika laboratórium

Modern fizika laboratórium Modern fizika laboratórium Röntgen-fluoreszcencia analízis Készítette: Básti József és Hagymási Imre 1. Bevezetés A röntgen-fluoreszcencia analízis (RFA) egy roncsolásmentes anyagvizsgálati módszer. Rövid

Részletesebben

Szerkezetvizsgálat ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS (BSc)

Szerkezetvizsgálat ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS (BSc) Szerkezetvizsgálat ANYAGMÉRNÖK ALAPKÉPZÉS (BSc) TANTÁRGYI KOMMUNIKÁCIÓS DOSSZIÉ MISKOLCI EGYETEM MŰSZAKI ANYAGTUDOMÁNYI KAR ANYAGTUDOMÁNYI INTÉZET Miskolc, 2008. 1. Tantárgyleírás Szerkezetvizsgálat kommunikációs

Részletesebben

Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal

Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal 1 Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal Anton van Leeuwenhoek (1632-1723, Delft) Havancsák Károly, 2011. január FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 A TÁMOP pályázat eddigi történései 3 Időrend A helyiség kialakítás

Részletesebben

Sugárzás és anyag kölcsönhatásán alapuló módszerek

Sugárzás és anyag kölcsönhatásán alapuló módszerek Sugárzás és anyag kölcsönhatásán alapuló módszerek Elektronmikroszkópok A leképzendő mintára elektronsugarakat bocsátunk. Mivel az elektronsugár (mint hullám) hullámhossza kb. 5 nagyságrenddel kisebb a

Részletesebben

Elektronmikroszkópia. Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47

Elektronmikroszkópia. Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47 Elektronmikroszkópia Nagy Péter (peter.v.nagy@gmail.com) Debreceni Egyetem, Biofizikai és Sejtbiológiai Intézet 1/47 x Miért van szükség elektronmikroszkópra? intenzitásprofil képernyő apertúra Egy fénnyel

Részletesebben

Energia-diszperzív röntgen elemanalízis és Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB

Energia-diszperzív röntgen elemanalízis és Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB Energia-diszperzív röntgen elemanalízis és Fókuszált ionsugaras megmunkálás FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2015. március 1 Energia-diszperzív Fókuszált ionsugaras röntgen megmunkálás elemanalízis

Részletesebben

Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. II. rész: A röntgensugaras mérés és interpretációja

Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. II. rész: A röntgensugaras mérés és interpretációja Elektronsugaras mikroanalízis restaurátoroknak. II. rész: A röntgensugaras mérés és interpretációja Tóth Attila Lajos 1. Bevezetés Jelen cikksorozat első részében megismertük, hogy a különböző kölcsönhatások

Részletesebben

Radioaktív sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktív sugárzások detektálása.

Radioaktív sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktív sugárzások detektálása. Különböző sugárzások tulajdonságai Típus töltés Energia hordozó E spektrum Radioaktí sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktí sugárzások detektálása. α-sugárzás pozití

Részletesebben

Képrekonstrukció 2. előadás

Képrekonstrukció 2. előadás Képrekonstrukció 2. előadás Balázs Péter Képfeldolgozás és Számítógépes Grafika tanszék Szegedi Tudományegyetem Az atomszerkezet Atommag (nukleusz): {protonok (poz. töltés) és neutronok} = nukleonok Keringő

Részletesebben

Pásztázó elektronmikroszkópia (SEM) Elektronsugaras mikroanalízis (EPMA)

Pásztázó elektronmikroszkópia (SEM) Elektronsugaras mikroanalízis (EPMA) Pásztázó elektronmikroszkópia (SEM) Elektronsugaras mikroanalízis (EPMA) Anyagtudományi analitikai vizsgálati módszerek Koczka Béla Szervetlen és Analitikai kémia Tanszék Mikroszkópos leképezési technikák

Részletesebben

Pásztázó elektronmikroszkóp (SEM scanning electronmicroscope)

Pásztázó elektronmikroszkóp (SEM scanning electronmicroscope) Pásztázó elektronmikroszkóp (SEM scanning electronmicroscope) Laborgykorlat Thiele Ádám Az EM és az OM összehasonlítása Az elektronmikroszkóp (EM) működési elve azonos az optikai mikroszkópéval (OM). Az

Részletesebben

Rövid ismertető. Modern mikroszkópiai módszerek. A mikroszkóp. A mikroszkóp. Az optikai mikroszkópia áttekintése

Rövid ismertető. Modern mikroszkópiai módszerek. A mikroszkóp. A mikroszkóp. Az optikai mikroszkópia áttekintése Rövid ismertető Modern mikroszkópiai módszerek Nyitrai Miklós 2010. március 16. A mikroszkópok csoportosítása Alapok, ismeretek A működési elvek Speciális módszerek A mikroszkópia története ld. Pdf. Minél

Részletesebben

A TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI

A TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI A TÖMEGSPEKTROMETRIA ALAPJAI web.inc.bme.hu/csonka/csg/oktat/tomegsp.doc alapján tömeg-töltés arány szerinti szétválasztás a legérzékenyebb módszerek közé tartozik (Nagyon kis anyagmennyiség kimutatására

Részletesebben

EBSD-alkalmazások. Minta-elôkészítés, felületkezelés

EBSD-alkalmazások. Minta-elôkészítés, felületkezelés VISSZASZÓRTELEKTRON-DIFFRAKCIÓS VIZSGÁLATOK AZ EÖTVÖS LORÁND TUDOMÁNYEGYETEMEN 2. RÉSZ Havancsák Károly, Kalácska Szilvia, Baris Adrienn, Dankházi Zoltán, Varga Gábor Eötvös Loránd Tudományegyetem, Természettudományi

Részletesebben

Lakos István WESSLING Hungary Kft. Zavaró hatások kezelése a fémanalitikában

Lakos István WESSLING Hungary Kft. Zavaró hatások kezelése a fémanalitikában Lakos István WESSLING Hungary Kft. Zavaró hatások kezelése a fémanalitikában AAS ICP-MS ICP-AES ICP-AES-sel mérhető elemek ICP-MS-sel mérhető elemek A zavarások felléphetnek: Mintabevitel közben Lángban/Plazmában

Részletesebben

Ni és Ge felületi rétegekb l keltett K-Auger spektrumok elemzése Analysis of K-Auger spectra excited from surface layers of Ni and Ge

Ni és Ge felületi rétegekb l keltett K-Auger spektrumok elemzése Analysis of K-Auger spectra excited from surface layers of Ni and Ge Ni és Ge felületi rétegekb l keltett K-Auger spektrumok elemzése Analysis of K-Auger spectra excited from surface layers of Ni and Ge doktori (PhD) értekezés tézisei abstracts of Ph.D. thesis Egri Sándor

Részletesebben

Analitikai Elektronmikroszkópia (AEM)

Analitikai Elektronmikroszkópia (AEM) Analitikai Elektronmikroszkópia (AEM) Lábár János MTA MFKI, 135 Budapest, Fóti út 56, Pf. 76., tel: (1) 169-1-, fax: (1) 169-8-37, tel/fax: (1) 169-35-41, E-mail: labar@falcon.mufi.hu Bevezetés Jelen előadássorozat

Részletesebben

Technoorg Linda Ltd. Co. Budapest, Hungary. Innováció és Kommunikáció február 20.

Technoorg Linda Ltd. Co. Budapest, Hungary. Innováció és Kommunikáció február 20. Egy high tech cég g 17 éve Út t a kutatói ötletektıl l a világsz gszínvonalú termékekig egy tudományos mőszerfejlesztm szerfejlesztı vállalkozás s példp ldáján Technoorg Linda Ltd. Co. Budapest, Hungary

Részletesebben

Abszorpciós spektroszkópia

Abszorpciós spektroszkópia Tartalomjegyzék Abszorpciós spektroszkópia (Nyitrai Miklós; 2011 február 1.) Dolgozat: május 3. 18:00-20:00. Egész éves anyag. Korábbi dolgozatok nem számítanak bele. Felmentés 80% felett. A fény; Elektromágneses

Részletesebben

Új típusú anyagok (az autóiparban) és ezek vizsgálati lehetőségei (az MFA-ban)

Új típusú anyagok (az autóiparban) és ezek vizsgálati lehetőségei (az MFA-ban) Új típusú anyagok (az autóiparban) és ezek vizsgálati lehetőségei (az MFA-ban) Menyhárd Miklós Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet Támogatás NTPCRASH: # TECH_08-A2/2-2008-0104 Győr, 2010 október

Részletesebben

Részecske azonosítás kísérleti módszerei

Részecske azonosítás kísérleti módszerei Részecske azonosítás kísérleti módszerei Galgóczi Gábor Előadás vázlata A részecske azonosítás létjogosultsága Részecske azonosítás: Módszerek Detektorok ALICE-ból példa A részecskeazonosítás létjogosultsága

Részletesebben

ATOMEMISSZIÓS SPEKTROSZKÓPIA

ATOMEMISSZIÓS SPEKTROSZKÓPIA ATOMEMISSZIÓS SPEKTROSZKÓPIA Elvi jellemzők, amelyek meghatározzák a készülék felépítését magas hőmérsékletű fényforrás (elsősorban plazma, szikra, stb.) kis méretű sugárforrás (az önabszorpció csökkentése

Részletesebben

Műszeres analitika. Abrankó László. Molekulaspektroszkópia. Kémiai élelmiszervizsgálati módszerek csoportosítása

Műszeres analitika. Abrankó László. Molekulaspektroszkópia. Kémiai élelmiszervizsgálati módszerek csoportosítása Abrankó László Műszeres analitika Molekulaspektroszkópia Minőségi elemzés Kvalitatív Cél: Meghatározni, hogy egy adott mintában jelen vannak-e bizonyos ismert komponensek. Vagy ismeretlen komponensek azonosítása

Részletesebben

Török Zsófia, Huszánk Róbert, Csedreki László, Kertész Zsófia és Dani János. Fizikus Doktoranduszok Konferenciája Balatonfenyves,

Török Zsófia, Huszánk Róbert, Csedreki László, Kertész Zsófia és Dani János. Fizikus Doktoranduszok Konferenciája Balatonfenyves, Török Zsófia, Huszánk Róbert, Csedreki László, Kertész Zsófia és Dani János Fizikus Doktoranduszok Konferenciája Balatonfenyves, 2013.06.21-23 PIXE Particle Induced X-ray Emission Részecske indukált röntgenemissziós

Részletesebben

A HÉLIUM AUTOIONIZÁCIÓS ÁLLAPOTAI KÖZÖTTI INTERFERENCIA (e,2e) KÍSÉRLETI VIZSGÁLATA

A HÉLIUM AUTOIONIZÁCIÓS ÁLLAPOTAI KÖZÖTTI INTERFERENCIA (e,2e) KÍSÉRLETI VIZSGÁLATA Multidiszciplináris tudományok, 4. kötet. (2014) 1. sz. pp. 59-66. A HÉLIUM AUTOIONIZÁCIÓS ÁLLAPOTAI KÖZÖTTI INTERFERENCIA (e,2e) KÍSÉRLETI VIZSGÁLATA Paripás Béla 1 és Palásthy Béla 2 1 egyetemi tanár,

Részletesebben

Abszorpciós fotometria

Abszorpciós fotometria abszorpció Abszorpciós fotometria Spektroszkópia - Színképvizsgálat Spektro-: görög; jelente kép/szín -szkópia: görög; néz/látás/vizsgálat Ujfalusi Zoltán PTE ÁOK Biofizikai Intézet 2012. február Vizsgálatok

Részletesebben

Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft

Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Atom- és molekula-spektroszkópiás módszerek Módszer Elv Vizsgált anyag típusa Atom abszorpciós spektrofotometria (AAS) A szervetlen Lángfotometria

Részletesebben

Mikroszkóp vizsgálata Folyadék törésmutatójának mérése

Mikroszkóp vizsgálata Folyadék törésmutatójának mérése KLASSZIKUS FIZIKA LABORATÓRIUM 8. MÉRÉS Mikroszkóp vizsgálata Folyadék törésmutatójának mérése Mérést végezte: Enyingi Vera Atala ENVSAAT.ELTE Mérés időpontja: 2011. október 12. Szerda délelőtti csoport

Részletesebben

Az NMR és a bizonytalansági elv rejtélyes találkozása

Az NMR és a bizonytalansági elv rejtélyes találkozása Az NMR és a bizonytalansági elv rejtélyes találkozása ifj. Szántay Csaba MTA Kémiai Tudományok Osztálya 2012. február 21. a magspínek pulzus-gerjesztésének értelmezési paradigmája GLOBÁLISAN ELTERJEDT

Részletesebben

FEI Quanta 3D SEM/FIB. Havancsák Károly 2010. december

FEI Quanta 3D SEM/FIB. Havancsák Károly 2010. december 1 Havancsák Károly 2010. december 2 Időrend A helyiség kialakítás tervezése 2010. május Mágneses tér, vibráció mérése 2010. május A helyiség kialakítása 2010. augusztus 4 22. A berendezés szállítása 2010.

Részletesebben

MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II

MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II NANO MIKRO- ÉS NANOTECHNIKA II Dr. Pődör Bálint Óbudai Egyetem KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet 4. ELŐADÁS: ELEKTRON- ÉS IONSUGARAS NANOMEGMUNKÁLÁS 2012/2013 tanév 1. félév 1 4. ELŐADÁS: ELEKTRON-

Részletesebben

Effect of the different parameters to the surface roughness in freeform surface milling

Effect of the different parameters to the surface roughness in freeform surface milling 19 November 0, Budapest Effect of the different parameters to the surface roughness in freeform surface milling Balázs MIKÓ Óbuda University 1 Abstract Effect of the different parameters to the surface

Részletesebben

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK Nagy Gábor1 1 - Vincze Árpád 2 FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, MINT SUGÁRZÁSÉRZÉKELŐ DETEKTOROK Absztrakt Mindennapi életünkben igen gyakori feladat a radioaktív sugárzások mérése, pl. laboratóriumokban, üzemekben,

Részletesebben

VÍZGŐZKONCENTRÁCIÓ-MÉRÉS DIÓDALÉZERES FOTOAKUSZTIKUS MÓDSZERREL

VÍZGŐZKONCENTRÁCIÓ-MÉRÉS DIÓDALÉZERES FOTOAKUSZTIKUS MÓDSZERREL VÍZGŐZKONCENTRÁCIÓ-MÉRÉS DIÓDALÉZERES FOTOAKUSZTIKUS MÓDSZERREL BOZÓKI ZOLTÁN, MOHÁCSI ÁRPÁD, SZAKÁLL MIKLÓS, FARKAS ZSUZSA, VERES ANIKÓ, SZABÓ GÁBOR, BOR ZSOLT Szegedi Tudományegyetem Optikai és Kvantum

Részletesebben

SZILÁRD FÁZISÚ EXTRAKCIÓ MINDIG UGYANÚGY

SZILÁRD FÁZISÚ EXTRAKCIÓ MINDIG UGYANÚGY SZILÁRD FÁZISÚ EXTRAKCIÓ MINDIG UGYANÚGY Szakács Tibor, Szepesi Ildikó ABL&E-JASCO Magyarország Kft. 1116 Budapest, Fehérvári út 130. ablehun@ablelab.com www.ablelab.com SZILÁRD FÁZISÚ EXTRAKCIÓ SOLID

Részletesebben

Nagy érzékenységű AMS módszerek hosszú felezési idejű könnyű radioizotópok elemzésében

Nagy érzékenységű AMS módszerek hosszú felezési idejű könnyű radioizotópok elemzésében Nagy érzékenységű AMS módszerek hosszú felezési idejű könnyű radioizotópok elemzésében Molnár M., Rinyu L., Palcsu L., Mogyorósi M., Veres M. MTA ATOMKI - Isotoptech Zrt. Hertelendi Ede Környezetanalitikai

Részletesebben

Általános Kémia, BMEVESAA101

Általános Kémia, BMEVESAA101 Általános Kémia, BMEVESAA101 Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár Az anyag Készítette: Dr. Csonka Gábor egyetemi tanár, csonkagi@gmail.com 1 Jegyzet Dr. Csonka Gábor http://web.inc.bme.hu/csonka/ Óravázlatok:

Részletesebben

NÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL. Neuróhr Katalin. Témavezető: Péter László. SZFKI Fémkutatási Osztály

NÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL. Neuróhr Katalin. Témavezető: Péter László. SZFKI Fémkutatási Osztály NÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL Neuróhr Katalin Témavezető: Péter László SZFKI Fémkutatási Osztály 2011. május 31. PhD témám: Fémes nanoszerkezetek elektrokémiai

Részletesebben

A villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa*

A villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa* t DR. DÉKÁNY BHG LÁZLÓNÉ- DR. TKI K O R M Á N Y T E R É Z A villamos érintkező felületek hibásodási mechanizmusa* ETO 621.3.066.6.004.62 A gyengeáramú érintkezők megbízhatóságát a felületükön lejátszódó

Részletesebben

elektronmikroszkóppal

elektronmikroszkóppal JÖVÕNK ANYAGAI, TECHNOLÓGIÁI ROVATVEZETÕK: dr. Buzáné dr. Dénes Margit és dr. Klug Ottó SZABÓ PÉTER JÁNOS A lokális szemcseorientáció meghatározása pásztázó elektronmikroszkóppal A pásztázó elektronmikroszkópos

Részletesebben

Gyorsítók. Veszprémi Viktor ATOMKI, Debrecen. Supported by NKTH and OTKA (H07-C 74281) 2009. augusztus 17 Hungarian Teacher Program, CERN 1

Gyorsítók. Veszprémi Viktor ATOMKI, Debrecen. Supported by NKTH and OTKA (H07-C 74281) 2009. augusztus 17 Hungarian Teacher Program, CERN 1 Gyorsítók Veszprémi Viktor ATOMKI, Debrecen Supported by NKTH and OTKA (H07-C 74281) 2009. augusztus 17 Hungarian Teacher Program, CERN 1 Az anyag felépítése Részecskefizika kvark, lepton Erős, gyenge,

Részletesebben

Szervetlen komponensek analízise. A, Atomspektroszkópia B, Molekulaspektroszkópia C, Elektrokémia D, Egyéb (radiokémia, termikus analízis, stb.

Szervetlen komponensek analízise. A, Atomspektroszkópia B, Molekulaspektroszkópia C, Elektrokémia D, Egyéb (radiokémia, termikus analízis, stb. Szervetlen komponensek analízise A, Atomspektroszkópia B, Molekulaspektroszkópia C, Elektrokémia D, Egyéb (radiokémia, termikus analízis, stb.) A fény λ i( k r ωt + φ0 ) Elektromágneses sugárzás E( r,

Részletesebben

RONCSOLÁSMENTES VIZSGÁLATTECHNIKA

RONCSOLÁSMENTES VIZSGÁLATTECHNIKA RONCSOLÁSMENTES VIZSGÁLATTECHNIKA NDT TECHNICS FÉMLEMEZEK VASTAGSÁGÁNAK MÉRÉSE RÖNTGENSUGÁRZÁS SEGÍTSÉGÉVEL THICKNESS MEASURING OF METAL SHEETS WITH X-RAY METHODDS BOROMISZA LÁSZLÓ Kulcsszavak: vastagság

Részletesebben

Lehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból?

Lehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból? Lehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból? Márk Géza, Vancsó Péter, Nemes-Incze Péter, Tapasztó Levente, Dobrik Gergely, Osváth Zoltán, Philippe Lamin, Chanyong Hwang,

Részletesebben

Tartalomjegyzék. Emlékeztetõ. Emlékeztetõ. Spektroszkópia. Fényelnyelés híg oldatokban A fény; Abszorpciós spektroszkópia

Tartalomjegyzék. Emlékeztetõ. Emlékeztetõ. Spektroszkópia. Fényelnyelés híg oldatokban A fény;  Abszorpciós spektroszkópia Tartalomjegyzék PÉCS TUDOMÁNYEGYETEM ÁLTALÁNOS ORVOSTUDOMÁNY KAR A fény; Abszorpciós spektroszkópia Elektromágneses hullám kölcsönhatása anyaggal; (Nyitrai Miklós; 2015 január 27.) Az abszorpció mérése;

Részletesebben

Általános Kémia, BMEVESAA101 Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár. Az anyag Készítette: Dr. Csonka Gábor egyetemi tanár,

Általános Kémia, BMEVESAA101 Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár. Az anyag Készítette: Dr. Csonka Gábor egyetemi tanár, Általános Kémia, BMEVESAA101 Dr Csonka Gábor, egyetemi tanár Az anyag Készítette: Dr. Csonka Gábor egyetemi tanár, csonkagi@gmail.com 1 Jegyzet Dr. Csonka Gábor http://web.inc.bme.hu/csonka/ Facebook,

Részletesebben

Híradástechnikai anyagok és eszközök elektronmikroszondás vizsgálata

Híradástechnikai anyagok és eszközök elektronmikroszondás vizsgálata DR. KORMÁNY TERÉZ Távközlési Kutató Intézet NAGY GÉZA MTA Geokémiai Kutató Laboratórium Híradástechnikai anyagok és eszközök elektronmikroszondás vizsgálata ETO 643.423.8:546.28 I. Az elektronmikroszonda

Részletesebben

4. Szervetlen anyagok atomemissziós színképének meghatározása

4. Szervetlen anyagok atomemissziós színképének meghatározása Környezet diagnosztika fizikai módszerei, Környezettudományi MSc, környezetfizika szakirány 4. Szervetlen anyagok atomemissziós színképének meghatározása 1.1. Emissziós lángspektrometria, 1.2. Induktív

Részletesebben

Sugárzáson, és infravörös sugárzáson alapuló hőmérséklet mérés.

Sugárzáson, és infravörös sugárzáson alapuló hőmérséklet mérés. Sugárzáson, és infravörös sugárzáson alapuló hőmérséklet mérés. A sugárzáson alapuló hőmérsékletmérés (termográfia),azt a fizikai jelenséget használja fel, hogy az abszolút nulla K hőmérséklet (273,16

Részletesebben

József Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat.

József Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat. 1 MESTERSÉGEM CÍMERE F, mint FIZIKUS Tateyama Kagaku Ind. Co. Ltd., Toyama, Japan 3 irányú szilícium gyorsulásérzékelő József Attila Gimnázium és Eü. Szakközépiskola spec. mat. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi

Részletesebben

NEUTRON-DETEKTOROK VIZSGÁLATA. Mérési útmutató BME NTI 1997

NEUTRON-DETEKTOROK VIZSGÁLATA. Mérési útmutató BME NTI 1997 NEUTRON-DETEKTOROK VIZSGÁLATA Mérési útmutató Gyurkócza Csaba, Balázs László BME NTI 1997 Tartalomjegyzék 1. Bevezetés 3. 2. Elméleti összefoglalás 3. 2.1. A neutrondetektoroknál alkalmazható legfontosabb

Részletesebben

Mérés és adatgyűjtés

Mérés és adatgyűjtés Mérés és adatgyűjtés 7. óra Mingesz Róbert Szegedi Tudományegyetem 2013. április 11. MA - 7. óra Verzió: 2.2 Utolsó frissítés: 2013. április 10. 1/37 Tartalom I 1 Szenzorok 2 Hőmérséklet mérése 3 Fény

Részletesebben

A kerámiaipar struktúrája napjainkban Magyarországon

A kerámiaipar struktúrája napjainkban Magyarországon A 1. század lehetőségei a kerámiák kutatása és fejlesztése területén Gömze A. László, Kerámia- és Szilikátmérnöki Intézeti Tanszék Miskolci Egyetem Tel.: +36 30 746 714 femgomze@uni-miskolc.hu http://keramia.uni-miskolc.hu

Részletesebben

NAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK

NAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem NAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK Dr. Palotás Béla Mechanikai Technológia és Anyagszerkezettani Tanszék Elektronsugaras hegesztés A katódból kilépő

Részletesebben

Modern Fizika Labor Fizika BSC

Modern Fizika Labor Fizika BSC Modern Fizika Labor Fizika BSC A mérés dátuma: 2009. május 4. A mérés száma és címe: 9. Röntgen-fluoreszencia analízis Értékelés: A beadás dátuma: 2009. május 13. A mérést végezte: Márton Krisztina Zsigmond

Részletesebben

Pásztázó mikroszkópiás módszerek

Pásztázó mikroszkópiás módszerek Pásztázó mikroszkópiás módszerek - Pásztázó alagútmikroszkóp, Scanning tunneling microscope, STM - Pászázó elektrokémiai mikroszkóp, Scanning electrochemical microscopy, SECM - pásztázó közeli mező optikai

Részletesebben

Az elektron hullámtermészete. Készítette Kiss László

Az elektron hullámtermészete. Készítette Kiss László Az elektron hullámtermészete Készítette Kiss László Az elektron részecske jellemzői Az elektront Joseph John Thomson fedezte fel 1897-ben. 1906-ban Nobel díj! Az elektronoknak, az elektromos és mágneses

Részletesebben

A Raman spektroszkópia alkalmazása fémipari kutatásokban Raman spectroscopy in metallurgical research Dénes Éva, Koós Gáborné, Kőszegi Szilvia

A Raman spektroszkópia alkalmazása fémipari kutatásokban Raman spectroscopy in metallurgical research Dénes Éva, Koós Gáborné, Kőszegi Szilvia MŰSZERES ANALITIKA ANALYSIS WITH INSTRUMENT A Raman spektroszkópia alkalmazása fémipari kutatásokban Raman spectroscopy in metallurgical research Dénes Éva, Koós Gáborné, Kőszegi Szilvia Kulcsszavak: Raman

Részletesebben

A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok

A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok Szalai István ELTE Kémiai Intézet 1/45 Az előadás vázlata ˆ Ismétlés ˆ Történeti áttekintés ˆ Mengyelejev periódusos rendszere ˆ Atomsugár, ionsugár ˆ Ionizációs

Részletesebben

DR. LAKATOS ÁKOS PH.D PUBLIKÁCIÓS LISTÁJA B) TUDOMÁNYOS FOLYÓIRATBELI KÖZLEMÉNYEK

DR. LAKATOS ÁKOS PH.D PUBLIKÁCIÓS LISTÁJA B) TUDOMÁNYOS FOLYÓIRATBELI KÖZLEMÉNYEK DR. LAKATOS ÁKOS PH.D PUBLIKÁCIÓS LISTÁJA VÉGZETTSÉGEK: 1. Fizikus (egyetemi, DE-TTK: 2007) 2. Környezetmérnök (főiskolai, DE-MK: 2007) TUDOMÁNYOS MUNKA A) PH.D DOKTORI ÉRTEKEZÉS [A1] Diffúzió és diffúzió

Részletesebben

Az opakásványok infravörös-mikroszkópos sajátosságai és ezek jelentősége a fluidzárvány vizsgálatokban

Az opakásványok infravörös-mikroszkópos sajátosságai és ezek jelentősége a fluidzárvány vizsgálatokban ELTE TTK, Ásványtani Tanszék Az opakásványok infravörös-mikroszkópos sajátosságai és ezek jelentősége a fluidzárvány vizsgálatokban Takács Ágnes & Molnár Ferenc 6. Téli Ásványtudományi Iskola, Balatonfüred

Részletesebben

Munkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél

Munkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél Munkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél Fémgőz és plazma Buza Gábor, Bauer Attila Messer Innovation Forum 2016. december

Részletesebben

Mágnesség és elektromos vezetés kétdimenziós

Mágnesség és elektromos vezetés kétdimenziós Mágnesség és elektromos vezetés kétdimenziós molekulakristályokban Jánossy András Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Fizikai Intézet, Fizika Tanszék Kondenzált Anyagok MTA-BME Kutatócsoport

Részletesebben

3. (b) Kereszthatások. Utolsó módosítás: április 1. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék

3. (b) Kereszthatások. Utolsó módosítás: április 1. Dr. Márkus Ferenc BME Fizika Tanszék 3. (b) Kereszthatások Utolsó módosítás: 2013. április 1. Vezetési együtthatók fémekben (1) 1 Az elektrongáz hővezetési együtthatója A levezetésben alkalmazott feltételek: 1. Minden elektron ugyanazzal

Részletesebben

Szerkezetvizsgálat szintjei

Szerkezetvizsgálat szintjei Anyagtudomány 2013/14 Szerkezetvizsgálat Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Szerkezetvizsgálat szintjei Atomi elrendeződés vizsgálata (röntgendiffrakció, transzmissziós elektronmikroszkóp, atomerő-mikroszkóp)

Részletesebben

----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------2.beugro

----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------2.beugro ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------2.beugro -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------3.beugró

Részletesebben

OPTIKA. Fénykibocsátás mechanizmusa fényforrás típusok. Dr. Seres István

OPTIKA. Fénykibocsátás mechanizmusa fényforrás típusok. Dr. Seres István OPTIKA Fénykibocsátás mechanizmusa Dr. Seres István Bohr modell Niels Bohr (19) Rutherford felfedezte az atommagot, és igazolta, hogy negatív töltésű elektronok keringenek körülötte. Niels Bohr Bohr ezt

Részletesebben

ANYAGTECHNOLÓGIA. Betonfelületek vízzáróságát fokozó anyagok permeabilitása

ANYAGTECHNOLÓGIA. Betonfelületek vízzáróságát fokozó anyagok permeabilitása ANYAGTECHNOLÓGIA Betonfelületek vízzáróságát fokozó anyagok permeabilitása Csányi Erika Józsa Zsuzsanna Varga Ákos Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Építőanyagok és Mérnökgeológia Tanszék

Részletesebben

Feloldóképesség 2009.12.08. Mikroszkópos módszerek. DIC mikroszkópia. Fáziskontraszt mikroszkópia. Barkó Szilvia A MIKROSZKÓPIA RÖVID TÖRTÉNETE

Feloldóképesség 2009.12.08. Mikroszkópos módszerek. DIC mikroszkópia. Fáziskontraszt mikroszkópia. Barkó Szilvia A MIKROSZKÓPIA RÖVID TÖRTÉNETE A MIKROSZKÓPIA RÖVID TÖRTÉNETE Mikroszkópos módszerek Barkó Szilvia 1667: Robert Hooke cellulákat ír le parafában összetett mikroszkóp segítségével. 1674: Antony van Leeuwenhoek élő mikróbákat figyel meg

Részletesebben

A vízfelvétel és - visszatartás (hiszterézis) szerepe a PM10 szabványos mérésében

A vízfelvétel és - visszatartás (hiszterézis) szerepe a PM10 szabványos mérésében A vízfelvétel és - visszatartás (hiszterézis) szerepe a PM10 szabványos mérésében Imre Kornélia 1, Molnár Ágnes 1, Gelencsér András 2, Dézsi Viktor 3 1 MTA Levegőkémia Kutatócsoport 2 Pannon Egyetem, Föld-

Részletesebben

PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA

PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA 1 Havancsák Károly, Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék PÁSZTÁZÓ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA 1. BEVEZETÉS A hagyományos optikai mikroszkóp felbontóképessége a diffrakciós korlát

Részletesebben

Plazmasugaras felülettisztítási kísérletek a Plasmatreater AS 400 laboratóriumi kisberendezéssel

Plazmasugaras felülettisztítási kísérletek a Plasmatreater AS 400 laboratóriumi kisberendezéssel Plazmasugaras felülettisztítási kísérletek a Plasmatreater AS 400 laboratóriumi kisberendezéssel Urbán Péter Kun Éva Sós Dániel Ferenczi Tibor Szabó Máté Török Tamás Tartalom A Plasmatreater AS400 működési

Részletesebben

XXXVIII. KÉMIAI ELŐADÓI NAPOK

XXXVIII. KÉMIAI ELŐADÓI NAPOK Magyar Kémikusok Egyesülete Csongrád Megyei Csoportja és a Magyar Kémikusok Egyesülete rendezvénye XXXVIII. KÉMIAI ELŐADÓI NAPOK Program és előadás-összefoglalók Szegedi Akadémiai Bizottság Székháza Szeged,

Részletesebben

IMFP meghatározása Co, Cu, Ge, Si és Au mintákban 56

IMFP meghatározása Co, Cu, Ge, Si és Au mintákban 56 3.1.2. IMFP meghatározása Co, Cu, Ge, Si és Au mintákban 56 3.1.2. Elektronok rugalmatlan szórási közepes szabad úthosszának meghatározása Co, Cu, Ge, Si és Au mintákban, a 2-10 kev elektron energia tartományban

Részletesebben

Az ipari komputer tomográfia vizsgálati lehetőségei

Az ipari komputer tomográfia vizsgálati lehetőségei Az ipari komputer tomográfia vizsgálati lehetőségei Dr. Czinege Imre, Kozma István Széchenyi István Egyetem 6. ANYAGVIZSGÁLAT A GYAKORLATBAN KONFERENCIA Cegléd, 2012. június 7-8. Tartalom A CT technika

Részletesebben

Performance Modeling of Intelligent Car Parking Systems

Performance Modeling of Intelligent Car Parking Systems Performance Modeling of Intelligent Car Parking Systems Károly Farkas Gábor Horváth András Mészáros Miklós Telek Technical University of Budapest, Hungary EPEW 2014, Florence, Italy Outline Intelligent

Részletesebben

Kutatási beszámoló. 2015. február. Tangens delta mérésére alkalmas mérési összeállítás elkészítése

Kutatási beszámoló. 2015. február. Tangens delta mérésére alkalmas mérési összeállítás elkészítése Kutatási beszámoló 2015. február Gyüre Balázs BME Fizika tanszék Dr. Simon Ferenc csoportja Tangens delta mérésére alkalmas mérési összeállítás elkészítése A TKI-Ferrit Fejlsztő és Gyártó Kft.-nek munkája

Részletesebben

Elektronmikorszonda: EMPA, EPMA

Elektronmikorszonda: EMPA, EPMA Elektronmikroszonda Elektronmikorszonda: EMPA, EPMA Raimond Castaing, francia vegyész az 1950-es évek elején építette (Ph.D. disszertáció) EMPA egy roncsolásmentes mikroanalitikai módszer - kismennyiségű

Részletesebben

Finomszerkezetvizsgálat

Finomszerkezetvizsgálat Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 2015/16 Finomszerkezetvizsgálat Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Szerkezetvizsgálat szintjei Atomi elrendeződés vizsgálata (röntgendiffrakció, transzmissziós elektronmikroszkóp,

Részletesebben

Szerkezetvizsgálat szintjei

Szerkezetvizsgálat szintjei Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 2015/16 Finomszerkezetvizsgálat Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Szerkezetvizsgálat szintjei Atomi elrendeződés vizsgálata (röntgendiffrakció, transzmissziós elektronmikroszkóp,

Részletesebben

Szilícium karbid nanokristályok előállítása és jellemzése - Munkabeszámoló -

Szilícium karbid nanokristályok előállítása és jellemzése - Munkabeszámoló - Szilícium karbid nanokristályok előállítása és jellemzése - Munkabeszámoló - Beke Dávid Balogh István Szekrényes Zsolt Veres Miklós Fisher Éva Fazakas Éva Bencs László Varga Lajos Károly Kamarás Katalin

Részletesebben

Zárójelentés. ICP-OES paraméterek

Zárójelentés. ICP-OES paraméterek Zárójelentés Mivel az előző, 9. részfeladat teljesítésekor optimáltuk a mérőrendszer paramétereit, ezért most a korábbi optimált paraméterek mellett, a feladat teljesítéséhez el kellett végezni a módszer

Részletesebben

Titán alapú biokompatibilis vékonyrétegek: előállítása és vizsgálata

Titán alapú biokompatibilis vékonyrétegek: előállítása és vizsgálata ELFT Vákuumfizikai, -technológiai és Alkalmazásai Szakcsoport szemináriuma, Balázsi Katalin (balazsi.katalin@ttk.mta.hu) Titán alapú biokompatibilis vékonyrétegek: előállítása és vizsgálata Vékonyrétegfizika

Részletesebben

E (total) = E (translational) + E (rotation) + E (vibration) + E (electronic) + E (electronic

E (total) = E (translational) + E (rotation) + E (vibration) + E (electronic) + E (electronic Abszorpciós spektroszkópia Abszorpciós spektrofotometria 29.2.2. Az abszorpciós spektroszkópia a fényabszorpció jelenségét használja fel híg oldatok minőségi és mennyiségi vizsgálatára. Abszorpció Az elektromágneses

Részletesebben

First experiences with Gd fuel assemblies in. Tamás Parkó, Botond Beliczai AER Symposium 2009.09.21 25.

First experiences with Gd fuel assemblies in. Tamás Parkó, Botond Beliczai AER Symposium 2009.09.21 25. First experiences with Gd fuel assemblies in the Paks NPP Tams Parkó, Botond Beliczai AER Symposium 2009.09.21 25. Introduction From 2006 we increased the heat power of our units by 8% For reaching this

Részletesebben

S3 stratégia és a fizikai kutatások lehetőségei

S3 stratégia és a fizikai kutatások lehetőségei Research Institute for Technical Physics and Materials Science of the S3 stratégia és a fizikai kutatások lehetőségei B. Pécz Institute for Technical Physics and Materials Science, Centre for Energy Research,

Részletesebben

Megmérjük a láthatatlant

Megmérjük a láthatatlant Megmérjük a láthatatlant (részecskefizikai detektorok) Hamar Gergő MTA Wigner FK 1 Tartalom Mik azok a részecskék? mennyi van belőlük? miben különböznek? Részecskegyorsítók, CERN mire jó a gyorsító? hogy

Részletesebben

Sciex X500R készülék bemutatása a SWATH alkalmazásai tükrében. Szabó Pál, MTA TTK

Sciex X500R készülék bemutatása a SWATH alkalmazásai tükrében. Szabó Pál, MTA TTK Sciex X500R készülék bemutatása a SWATH alkalmazásai tükrében Szabó Pál, MTA TTK Hagyományos QTOF rendszer Aggályok: Termetes Bonyolultnak tűnő Nem rutin feladatokra való Következmény: Nem merjük megvenni

Részletesebben