A chipgyártás vegyész szemmel Alkímia ma

Méret: px
Mutatás kezdődik a ... oldaltól:

Download "A chipgyártás vegyész szemmel Alkímia ma"

Átírás

1 A chipgyártás vegyész szemmel Alkímia ma Rohonczy János ELTE, Kémiai Intézet Budapest, február 7.

2 Mikroelektronika napjainkban számítógép mobiltelefon MP3-lejátszó GPS háztartási gépek: lakásriasztó, mikrosütő, mosógép, TV, DVD labor- és ipari műszerek gépjárművek: gyújtásvezérlés, riasztók, kipörgésgátlók... világítástechnika: energiatakarékos világítás, LED-ek Mikroelektronika alapjai Modern (kvantum)fizika félvezetők Új kémiai anyagok "egzotikus" elemek Fotolitográfia

3 Mikroelektronika történelme W. Shockley, J. Bardeen, W. Brattain 1947 Tranzisztor 1958 Integrált áramkör (IC) 1971 Mikroprocesszor Gordon E. Moore, az Intel egyik alapítója Moore (1965): "A legalacsonyabb árú komponens összetettsége évenként durván a kétszeresére nőtt" A tranzisztorszám 18 havonta megkétszereződik

4 Csíkszélesség csökkenése nm Intel 4004 (1972: Intel 8008) nm Intel 8085 (1979: Intel 8088) nm Intel nm Intel nm Intel nm Intel 80486DX4, (P-I (66MHz), PowerPC 601) nm Intel PentiumPro, (1997: AMD K6) nm Intel P-II (DEC Alpha, AMD K6-2) nm P-III Coppermine nm P-III Tualin nm P nm P-4, Core2, Xeon, AMD Athlon64, IBM Cell nm Intel Xeon, Penryn (2012: 32, 22, 16 nm Intel) 1 nm 4 db Si atom

5 Félvezetés sávelmélete 1 kötés rács szilícium gallium-arzenid Lazító pálya Kötő pálya Vezetési sáv Tiltott sáv Vegyértéksáv Si egykristály sávjai és irányfüggésük Rekombináció: fononokkal - hő GaAs egykristály sávjai Rekombináció fotonnal - fény

6 Félvezető dióda N-P átmenet N-típus e - -vezető P-típus lyukvezető Kiürített réteg (h.dr. V.Gavryushin, h.dr. A. Žukauskas)

7 Bipoláris tranzisztor áramvezérelt eszköz kisebbségi töltéshordozóval

8 Félvezető elemek IV. oszlop elemei: C, Si, Ge, Sn Egyebek: B, P, As, Sb, S, Se,Te, I 2 Legfontosabb: szilícium gyémántrács atomtávolság: 0,24 nm termikus félvezető: E gát =1,12 ev jó hővezető magas olvadáspont jól kristályosodik: 30 cm átmérőjű egykristályok stabil oxidréteg: SiO 2 max. üzemhőmérséklet: 150 fok Energia gát : C gyémánt : 5,50 ev Si : 1,12 ev Ge : 0,66 ev GaAs : 1,41 ev

9 Hagyományos csipgyártás lépései UV fény O 2 + H 2 O Fotolakk HF maratás As-diffúzió HF maratás SiO 2 p-si n-si

10 Planáris bipoláris tranzisztor Planáris tranzisztor kialakítása B/E áram C/E áramot vezérel áramerősítő eszköz

11 MOSFET tranzisztor Kapu-ellenállás > Ohm Feszültségvezérelt eszköz kis fogyasztás, lassú

12 Szilíciumgyártás összefoglalása

13 Szilícium alapanyag-gyártás 1. Ivkemence, SiO 2 felesleg SiO 2 + C Si + 2 CO 2. SiHCl 3, SiCl 4 Si + 3 HCl SiHCl 3 + H 2 (350 C) 3. Desztillálás 4. Redukció (Zn vagy Mg) SiCl Mg Si + MgCl 2 vagy 1150 C 2 SiHCl 3 Si + 2 HCl + SiCl 4 Tisztaság: szennyezők <10-9

14 Si egykristálynövesztés Jan Czochralski 1916 Lengyelország.

15 Egykristálynövesztés zónaolvasztással Germanium ingot in graphite crucible, undergoing zone-melting purification (CSIRO Radiophysics Laboratory, 1953).

16 Ostya szeletelése Gyémántvágó 30 cm átmérő 0.75 mm vastagság {0,0,1} kristálylap

17 Szennyezett réteg kialakítása Ötvözés két szilárd fázis határán a tabletta megolvad, ötvöz n-ge és Au/1Ga tű (aranytűs dióda) Termodiffúzió pl. As p-ge-ba, magas hőmérsékleten Ion-implantáció ionok belövése nagyvákuumban PVD fizikai gőzleválasztás Al, AuNi, ITO Arc-PVD katódos ív-leválasztás TiN, TiAlN, CrN, ZrN, TiAlSiN, C gyémánt, C tetraéderes-amorf

18 Ion-implantáció Csak kevés atom bevitelére (ua ion-áram) Tipikus E = kev (max. 5 MeV) nm behatolás, torzulások E<1 kev ion beam deposition torzulásmentes beépülés néhány nm mély

19 PVD - Sputter leválasztás (sercegő) E = néhány 10 ev ( K), széles energiaspektrum Szubsztrát: félvezető Film: Al, TiN barrier üveg ZnO, SnO 2, TiO 2, ITO műanyag Al (CD, DVD) fém TiN, TiCN (Ti + N 2 reakciójával) ITO = 90% In 2 O % SnO 2 színtelen, vezető film

20 CVD Chemical Vapor Deposition CVD kémiai gőzleválasztás plasma-assisted CVD, hot wall CVD, aerosol spray pyrolysis (ASP) microwave-assisted CVD MOCVD fémorganikus kémiai gőz-leválasztás MOVPE fémorganikus gőzfázisú epitaxia MBE molekula-sugár epitaxia Epitaxiális növesztés Maghatár nélküli, orientált növesztés egykristályon. Me 3 In +PH 3 = InP + 3 CH kpa gáznyomás ELTE, Kémiai Intézet Fizikai Fémorganikus Kémiai Laboratórium (FFKL) Prof. Szepes László, Dr. Vass Gábor

21 CVD Prekurzorok CVD prekurzorok Al Ga In Me 3 Al, Et 3 Al Me 3 Ga, Et 3 Ga, i-pr 3 Ga Me 3 In, Et 3 In, i-pr 2 MeIn Ge i-bugeh 3, Me 2 N-GeCl 3 N Ph-NH-NH 2, Me 2 N-NH 2, NH 3 P PH 3, t-buph 2 As AsH 3, Ph-AsH 2, t-buash 2 Sb Me 3 Sb, Et 3 Sb, SbH 3 Cd Me 2 Cd Te Me 2 Te, Et 2 Te, i-pr 2 Te Felhasználás GaAs AlGaAs AlGaInP AlGaN AlGaP GaAsP GaAs GaN GaP InAlAs InAlP InSb InGaAs InGaN InGaP InN InP InGaAlAs InGaAlN InGaAsN InGaAsP ZnO ZnS ZnSe HgCdTe

22 MOCVD MOVPE Metalorganic chemical vapor deposition, Metalorganic vapor phase epitaxy CVD készülék vázlata Epitaxiális kémiai leválasztás Me 3 In +PH 3 = InP + 3 CH 4

23 MBE -Molecular Beam Epitaxy Molekulasugár-epitaxiális leválasztó berendezés

24 Szigetelő rétegek maratása Litográfiai maszk Szigetelő réteg Félvezető réteg Dielektrikumok SiO 2, Si 3 N 4 low-k: SiO 2 :F, SiO 2 :C, poliimid/sio 2 (SILK),... high-k: TiO 2, ZrO 2, HfO 2 Maratás fajtái Nedves maratás Anizotróp nedves maratás Si: KOH szelektivitása 400 a Si <100> és <111> síkjaira Plazma maratás Anizotróp maratás lényege Gondok Izotróp alámaródás Szelektivitás

25 Nedves és száraz maratási módszerek Réteg anyaga Si Al 80% H 3 PO 4 + 5% ecetsav + 5% HNO 3 + H 2 O (35-45 C) Cl 2, CCl 4, SiCl 4, BCl 3 In 2 O 3 :SnO 2 HCl + HNO 3 + H 2 O (1:0,1:1) (40 C) - Cr Mo, Ta, W Ti szerves HNO 3 + HF SiO 2 CF 4, SF 6, NF 3 HF vagy NH 4 F + HF CF 4, SF 6, NF 3,CCl 2 F 2 Si 3 N 4 85% H 3 PO 4 (180 C, SiO 2 maszk kell) CF 4, SF 6, NF 3 (NH 4 ) 2 Ce(NO 3 ) 6 + HNO 3 vagy HCl - - H 2 SO 4 + H 2 O 2 Nedves (izotróp) maratás - CF 4 BCl 3 O 2 Plazma maratás Plazma-maratás plasma-etching torr plazma, semleges gyökmolekulákat tartalmaz izotróp Reaktív-ion-maratás (RIE) és Deep-RIE 10-3 Torr Torr Ar + ion nagyon anizotróp, rossz szelektivitású Ion-malom, sercegő maratás (Ion milling, vagy sputter etching) 10-4 Torr (10 mpa) Ar + ion nagyon anizotróp, rossz szelektivitású

26 HKMG tranzisztor Régi SiO 2 poli-si kapu HKMG high-k fémkapu Új High-k anyagok TiO 2, ZrO 2, HfO 2

27 Atomi szintű rétegképzés

28 Al vezetékezés PVD-vel Réz jobb vezető lenne, de ötvözi a Si-ot

29 Rézvezetékezés Double Damascene eljárás (coppermine) Eljárás lépései 1. SiO 2 maszk felvitele a félvezetőre 2. SiO 2 árok maratása plazma-maratással 3. Si védése TiN, TaN, TaSiN barrierrel (PVD) 4. Cu kémiai növesztése 5. Cu elektrolízise 6. Polírozás (CMP) 7. Ismétlés akár 9 réteg réz felvitele

30 Rézvezetékezés (Coppermine technológia) Réz felvitele elektrolízissel Kemomechanikai polírozás

31 CMP Kémiai-mechanikai-polírozás Kémiai maratás + csiszolás Polírozott felületek Cu, Al, W, SiO 2, C Polírozószer Anyag: SiO 2, Al 2 O 3, CeO 2 Méret: nm Töménység: % Adalékok: oxidálószerek, pufferek, felületaktív anyagok, komplexképzők, korróziós inhibitorok

32 Csipfelület rézvezetékekkel

33 Csip szeletelése UV-DPSS laser (355 vagy 266 nm) (DPSS Dióda-pumpálásos szilárdtest lézer) Vágási sebesség 150 mm/sec GaAs-ben Szélesség 2.5 µm.

34 Csip bekötése Termokompresszió, ultrahang 40 um Au, 400 C 10 um Cu (barrier kell) Leszorítás: Al Termokompresszió: 95Al5Si Csiphuzalozó robot

35 Flip-csip tokozás AuNi UBM Forrasztás AuNi-hez Forrasztás Cu-hez

36 Nem-szilícium szubsztrát alkalmazása Elektromos vezetés javítása Siggy, see-gee(ibm 1989) Strained silicon (Intel 2002, P-IV Prescott) Si/Ge felületen feszített Si: 35%-al gyorsabb tranzisztor (60 GHz-ig) Szubsztrát 75%Si, 25%Ge réteg d Ge = d Si közvetlenül nem elegyednek -epitaxiális növesztés Si felületen Hővezetés javítása, szivárgási áram csökkentés SOI: silicon on insulator Kiürített szubsztrátok Szubsztrát SiO 2, Si 3 N 4 üveg (LCD) Al 2 O 3 (zafir), Y 2 O 3, La 2 O 3 Ta 2 O 5, ZrO 2, HfO 2, HfSiON gyémánt (GaN/AlGaN epitax.) MOVPE Prekurzorok: SiH 4, SiCl 2 H 2, GeH 4, GeCl 4 Ujabb: i-bugeh 3, RGeCl 3, Me 2 N-GeCl 3 Szilícium zafíron Szilícium szigetelőn

37 Gyémánt-félvezetők Gyémánt hőálló 1000 fok tiltott sáv: 5,50 ev UV-LED: epitaxiális gyártás gyémánt szubsztrát / n-tip. / p-tip. / n-tip. gyémánt polikrist. gyémánt kell, p-tipus: Bór (kék) nyitófeszültség: 20 V rendezetlen {0,0,1} irányú Si-on {1,1,1} irányú Pt-án

38 Epitaxiális gyémántnövesztés Si Mo C 5 kw mikrohullámú CVD berendezés Gáz: mbar H 2, % CH 4, ppm B 2 H 6 Növekedés: µm/óra

39 SiC-félvezetők gyors kapcsoló hőálló 600 fok O 2 -nek ellenálló nagy tiltott sáv felhasználás LED, IC (Patriot rakéta) Más hordozójú félvezetők Si-hordozójú LED (1999 Motorola) GaAs rácsállandója 4%-al nagyobb a Si-nál Si / SrTiO3 / GaAs Gyémánt-félvezető hőálló 1000 fok tiltott sáv: 5,50 ev felhasználás UV-LED: epitaxiális gyártás gyémánt szubsztrát / n-tip. / p-tip. / n-tip. gyémánt polikrist. gyémánt kell, p-tipus: B (kék) nyitófeszültség: 20 V

40 GaAs típusú (III-V) félvezetők GaAs gyors ( GHz) törik nincs tömör oxidréteg védőréteg: SiO 2, Si 3 N 4 nehezen kristályosodik nincs hibátlan egykristály GaAs 800 fokon bomlik (As-gőz túlnyomás, Si 3 N 4 védőréteg) erősen irányfüggő tulajdonságok gőzdiffúció nem jó, epitaxiális szennyezés Al-fémkontaktus ötvözi fémkontaktus: Au/Ge, Au/Zn InP gyors hőállló kisebb küszöbfeszültség

41 Világítódiódák (LED) 1920 H. Round (Marconi Labs), 1955 R. Braunstein (RCA) IR GaAs, AlGaAs Vörös GaAsP, AlGaInP (660, 632, 626 nm) Narancs GaAsP, AlGaInP (615, 611, 605 nm) Sárga GaAsP, AlGaInP (590, 588 nm) Zöld GaP, AlGaP (565 nm) 1971 J. Pankove, 1980 Akasaki + Amano, 1990 kereskedelem Kék SiC, GaN (470 nm) Kék ZnSe / gyémánt Kék InGaN + SiC,Si, zafir szubsztrát (465 nm) Háromszínű InGaN / AlGaNP UV AlN / GaN / AlGaN / AlGaInN ( nm) Fehér UV LED + Y 3 Al 5 O 12 :(Ce/Tb/Gd) gránát

42 Lumineszkáló anyagok UV LED, Hg-gőz- és Xe-lámpákhoz, katódsugárcsőhöz vörös foszfor: Y 2 O 3 :Eu 3+ Y 2 O 2 S:Eu 3+ zöld foszfor kék foszfor fehér foszfor ZnS:Cu,Au Y 2 SiO 5 :Tb,Ce(5%) MgAl 11 O 19 :Ce,Tb BaAl 12 O 19 :Mn ZnS:Ag BaMgAl 10 O 17 :Eu 2+ Ca 5 (PO 4 ) 3 (F,Cl): (Sb/Mn) Y 3 Al 5 O 12 :(Ce/Tb/Gd) gránát

43 Félvezető Lézerek GaAs vörös legelterjedtebb zöld, kék vörössel pumpált átmenetek Anyag Hullámhossz (µm) Anyag Hullámhossz (µm) ZnS ZnO GaN ZnSe CdS ZnTe GaSe CdSe CdTe GaAs InP GaSb InAs Te PbS InSb PbTe PbSe

44 (AlIn)GaN kvantumvölgy lézer MQW Å AuNi kontaktus -féligáteresztő Å GaN:Mg réteg Å AlGaN:Mg réteg Å InGaN (SQW vagy multiple quantum well (MQW)) µm GaN:Si réteg 2. alacsony hőmérsékleten leválasztott GaN:Si vagy AlN puffer réteg µm c-irányú zafír hordozó

45 LED és fluoroszcens anyagok Uub Rg Ds Mt Hs Bh Sg Db Rf Ac Ra Fr Rn At Po Bi Pb Tl Hg Au Pt Ir Os Re W Ta Hf La Ba Cs Xe I Te Sb Sn In Cd Ag Pd Rh Ru Tc Mo Nb Zr Y Sr Rb Kr Br Se As Ge Ga Zn Cu Pd Rh Ru Mn Cr V Ti Sc Ca K Ar Cl S P Si Al Mg Na Ne F O N C B Be Li He H Lr No Md Fm Es Cf Bk Cm Am Pu Np U Pa Th Lu Yb Tm Er Ho Dy Tb Gd Eu Sm Pm Nd Pr Ce

46 Peltier-elem Bi 2 Te 3 neelium- félvezető Nagy termoelektromos koefficiens Fémezett Al 2 O 3 -on: p-típus Bi 2 Te 3 :Sb Mellette: n-típus Bi 2 Te 3 :Se,S

47 Fémes vezetők Vezeték: Cu, Cu/Ag, Cu/Zn, Cu/Sn, Al, Al/Mg/Si, Fe/C Csip-en belül Al/Si, Cu Kapuelektród Al, Si poli, Re, Ta Áramköri lapon: Cu Lágyforrasz: Sn/Pb, Sn/Pb/Sb,... Olvadóbiztosíték Cu, Sn/Pb Kontaktusok: Ag, Au, Pt, W Cu/Ag, Cu/Ag/Au, Ag/W, Cu/Ag/Ni Hőelemek: Cu-Cu/Ni, Fe-Cu/Ni, Pt-Pt/Rh, Cr/Ni-Ni Bimetall: Mn/Cu/Ni, Ni/Mn/Fe Ell.hegesztés: Cu/2Co/0.5Be, Cu/2Co/0.5Si Vastagréteg: Ag, Pd/Ag, Pd/Au, Pt/Au Szupravezetők: Nb 3 Sn (18,1 K), Nb 3 Ge (23,2 K) MgB 2 (39 K)

48 Mágneses anyagok Paramágneses anyagok lágy mágnesek Ferromágnesek kemény mágnesek Antiferromágnek Lágy mágnesek Felhasználás: transzformátor, villanymotor, generátor, fojtótekercs FeSi a-si transzformátor vasmag durva kristályos fémüvegek: mm vastag film METGLAS FeNi, FeCo, Fe (Permalloy mágneses árnyékolás) Lágyferrit: Mn/Zn-ferritek,Ni/Zn-ferritek Mágneses folyadékok: Fe 3 O 4 -szuszpenziók

49 Keménymágnesek Ferritek -Sr-ferrit, Ba-ferrit (pl. BaFe 12 O 19 ) Eá.: sajtolás, mágnesezés Tul.: nem korrodeál, savnak, lúgnak ellenáll Felh.: elektrotechnika, biztonságtechnika, rögzítéstechnika AlNiCo ötvözet (Al/Ni/Co/Fe/Cu) Eá.: öntés Tul.: durvakristályos, kemény, törékeny Felh.: motormágnes, mágnesasztal, kiemelő, jeladó, hangszóró TiConal Fe/25Co/15Ni/3Cu/8Al/2Ti-tartalmú Ritkaföldfém-mágnesek Neodímium -Nd 2 Fe 14 B Eá.: porkohászat Tul.: mérgező, korrodeál védelem: Zn, Ni-bevonat Felh.: motor, kuplung, autóalkatrész, rögzítéstechnika Szamárium -SmCo 5, Sm 2 Fe 17 N, Sm 2 Co 17 Tul.: hőálló, korrózióálló Felh.: motor, kuplung, rögzítéstechnika

50 Antiferromágnesesen csatolt (AFC) média (IBM 2001) 6 Angström (3 atom) Ru-film Adatsűrűség 100 Gbit /inch 2

51 Giant Magnetic Rezisztív olvasófej (GMR) Magnetorezisztív kvantummechanikai jelenség (1988) A. Fert és P. Grünberg 2007 fizikai Nobel-díj A B (B) antiparallel határfelületen nagyobb ellenállás

52 Elektrolit-kondenzátor Alumínium elektrolitkondenzátorok Al -Al 2 O 3 elektrolit/alfém Tantál- és nióbium-kondenzátorok Ta 2 O 5 dielektrikum Ta 2 O 5 dielektrikum Előnyei vékony, jó szigetelő + nagy felület = nagy kapacitás kis méret nedves -száraz elektrolit kevésbbé öregszik Nb 2 O 5 dielektrikum

53 Speciális felhasználási területek Fázisváltó média Ag/In/Sb/Te írható CD, DVD Szilárdtest-lézer Y 3 Al 5 O 12 :(Ce/Tb/Gd) gránát (YAG), Al 2 O 3 :Cr 3+ (rubin) Gáz-lézer He/Ne, CO 2 Fotokatód Cs 3 Sb - félvezető, Cs 2 O, ThO 2 Fotocella CdS, PbS, Se/Au, Si Mikrohullámú oszc. Y 2 Fe 5 O 12 gránát, LnFeO 3 (Ln-ortoferrit) Piezo-kristály SiO 2 (kvarc), BaTiO 3, PbZrTiO 3 Kerámia-szupravezetők YBa 2 Cu 3 O 7 (100 K-en) Dózismérők CaSO4:Dy, CaF2:Dy

54 Kémiai áramforrások Akkumulátorok fajtái Savas Pb NiCd NiMH Li-ion Ni(OH) 2 + OH - = NiO(OH) + H 2 O + e - H 2 O + M + e - = OH - + MH M = AB 5 A:La, Ce, Pr, Nd B: Mn, Co, Ni + Al M = AB 2 A: Ti, V B: Zr, Ni:Cr,Fe,Co,Mn LiC = C + Li + + e - 2 Li 0.5 CoO 2 + Li + + e - = 2 LiCoO 2 (LiMnO 2, LiFePO 4 ) (LiN(SO 2 CF 3 ) 2 ) vagy LiPF 6, LiBF 4, LiClO 4 (éterben, észterben)

55 Izotópok mikro-elektronikai alkalmazása Borofoszfoszilikát üvegek Si-csip felragasztása Kozmikus sugár, vagy atomreaktor: n forrás. DRAM felejt. 10 B + 1 n = 7 Li + 4 He Megoldás: 11 B-tartalmú üveg. 28 Si 16%-al jobb hővezető, mint a természetes Si (4,7% 29 Si) 241 Am füstdetektor (0,2 mg AmO 2, T 1/2 = 432 év)

56 Szén-nanotechnológia Szén-nanocső, mint kapcsolóelem M. J. Biercuk, N. Mason, and C. M. Marcus Nano Lett., Vol. 4, No. 1, 2004

57 PRAM fázisváltó memóra HDD-nél 1000 x gyorsabb 100 millió újraírás 1 pixelen 4 állapot 90 nm technológia

58 Elemek mikro-elektronikai alkalmazása H He Li Be B C N O F Ne Na M g Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Ac Rf Db Sg Bh Hs Mt Ds Rg Uub Ce Pr Nd P m S m Eu Gd Tb Dy Ho Er T m Yb Lu Th Pa U Np Pu A m C m Bk Cf Es F m Md No Lr Csip: Si, Ge, Al, Ar, Ti, Ta, Cr, Mo, W Plazma: C, B, S, O, F, Cl, Ar LED: B, Al, Ga, In, N, P, As, Sb, Zn, S, Se Foszfor: Ba, Y, Cu, Ag, Au, Hg Mágnes:Nd, Sm, Ba, Sr, Fe, Co, Ni Eu, Gd, Tb Lágyforrasz, vezetők: Sn, Pb, Bi, Ag, Au, Cu, Al Kis.cső, He,Ne,Kr

59 Köszönöm figyelmüket!

Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz

Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz Kémiai fizikai alapok I. Vízminőség, vízvédelem 2009-2010. tavasz 1. A vízmolekula szerkezete Elektronegativitás, polaritás, másodlagos kötések 2. Fizikai tulajdonságok a) Szerkezetből adódó különleges

Részletesebben

XLVI. Irinyi János Középiskolai Kémiaverseny 2014. február 6. * Iskolai forduló I.a, I.b és III. kategória

XLVI. Irinyi János Középiskolai Kémiaverseny 2014. február 6. * Iskolai forduló I.a, I.b és III. kategória Tanuló neve és kategóriája Iskolája Osztálya XLVI. Irinyi János Középiskolai Kémiaverseny 201. február 6. * Iskolai forduló I.a, I.b és III. kategória Munkaidő: 120 perc Összesen 100 pont A periódusos

Részletesebben

Az elektronpályák feltöltődési sorrendje

Az elektronpályák feltöltődési sorrendje 3. előadás 12-09-17 2 12-09-17 Az elektronpályák feltöltődési sorrendje 3 Az elemek rendszerezése, a periódusos rendszer Elsőként Dimitrij Ivanovics Mengyelejev és Lothar Meyer vette észre az elemek halmazában

Részletesebben

Villamos tulajdonságok

Villamos tulajdonságok Villamos tulajdonságok A vezetés s magyarázata Elektron függıleges falú potenciálgödörben: állóhullámok alap és gerjesztett állapotok Több elektron: Pauli-elv Sok elektron: Energia sávok Sávelméletlet

Részletesebben

Név:............................ Helység / iskola:............................ Beküldési határidő: Kémia tanár neve:........................... 2013.feb.18. TAKÁCS CSABA KÉMIA EMLÉKVERSENY, IX. osztály,

Részletesebben

Jellemző redoxi reakciók:

Jellemző redoxi reakciók: Kémia a elektronátmenettel járó reakciók, melynek során egyidejű elektron leadás és felvétel történik. Oxidáció - elektron leadás - oxidációs sám nő Redukció - elektron felvétel - oxidációs sám csökken

Részletesebben

ALPHA spektroszkópiai (ICP és AA) standard oldatok

ALPHA spektroszkópiai (ICP és AA) standard oldatok Jelen kiadvány megjelenése után történõ termékváltozásokról, új standardokról a katalógus internetes oldalán, a www.laboreszközkatalogus.hu-n tájékozódhat. ALPHA Az alábbi standard oldatok fémek, fém-sók

Részletesebben

Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás

Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás Redoxi reakciók Elektrokémiai alapok Műszaki kémia, Anyagtan I. 12-13. előadás Dolgosné dr. Kovács Anita egy.doc. PTE MIK Környezetmérnöki Tanszék Redoxi reakciók Például: 2Mg + O 2 = 2MgO Részfolyamatok:

Részletesebben

Szigetelők Félvezetők Vezetők

Szigetelők Félvezetők Vezetők Dr. Báder Imre: AZ ELEKTROMOS VEZETŐK Az anyagokat elektromos erőtérben tapasztalt viselkedésük alapján két alapvető csoportba soroljuk: szigetelők (vagy dielektrikumok) és vezetők (vagy konduktorok).

Részletesebben

Az elemek rendszerezése, a periódusos rendszer

Az elemek rendszerezése, a periódusos rendszer Az elemek rendszerezése, a periódusos rendszer 12-09-16 1 A rendszerezés alapja, az elektronszerkezet kiépülése 12-09-16 2 Csoport 1 2 3 II III IA A B 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 IV V VI VII

Részletesebben

NE FELEJTSÉTEK EL BEÍRNI AZ EREDMÉNYEKET A KIJELÖLT HELYEKRE! A feladatok megoldásához szükséges kerekített értékek a következők:

NE FELEJTSÉTEK EL BEÍRNI AZ EREDMÉNYEKET A KIJELÖLT HELYEKRE! A feladatok megoldásához szükséges kerekített értékek a következők: A Szerb Köztársaság Oktatási Minisztériuma Szerbiai Kémikusok Egyesülete Köztársasági verseny kémiából Kragujevac, 2008. 05. 24.. Teszt a középiskolák I. osztálya számára Név és utónév Helység és iskola

Részletesebben

Minőségi kémiai analízis

Minőségi kémiai analízis Minőségi kémiai analízis Szalai István ELTE Kémiai Intézet 2016 Szalai István (ELTE Kémiai Intézet) Minőségi kémiai analízis 2016 1 / 32 Lewis-Pearson elmélet Bázisok Kemény Lágy Határestek H 2 O, OH,

Részletesebben

RÖNTGEN-FLUORESZCENCIA ANALÍZIS

RÖNTGEN-FLUORESZCENCIA ANALÍZIS RÖNTGEN-FLUORESZCENCIA ANALÍZIS 1. Mire jó a röntgen-fluoreszcencia analízis? A röntgen-fluoreszcencia analízis (RFA vagy angolul XRF) roncsolás-mentes atomfizikai anyagvizsgálati módszer. Rövid idõ alatt

Részletesebben

Általános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás VI

Általános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás VI Általános és szervetlen kémia Laborelıkészítı elıadás VI Redoxiegyenletek rendezésének általános lépései Példák fémoldódási egyenletek rendezésére Halogénvegyületek reakciói A gyakorlaton vizsgált redoxireakciók

Részletesebben

15/2001. (VI. 6.) KöM rendelet. az atomenergia alkalmazása során a levegbe és vízbe történ radioaktív kibocsátásokról és azok ellenrzésérl

15/2001. (VI. 6.) KöM rendelet. az atomenergia alkalmazása során a levegbe és vízbe történ radioaktív kibocsátásokról és azok ellenrzésérl 1. oldal 15/2001. (VI. 6.) KöM rendelet az atomenergia alkalmazása során a levegbe és vízbe történ radioaktív kibocsátásokról és azok ellenrzésérl Az atomenergiáról szóló 1996. évi CXVI. törvény (a továbbiakban:

Részletesebben

1.ábra A kadmium felhasználási területei

1.ábra A kadmium felhasználási területei Kadmium hatása a környezetre és az egészségre Vermesan Horatiu, Vermesan George, Grünwald Ern, Mszaki Egyetem, Kolozsvár Erdélyi Múzeum Egyesület, Kolozsvár (Korróziós Figyel, 2006.46) Bevezetés A fémionok

Részletesebben

9. A felhagyás környezeti következményei (Az atomerőmű leszerelése)

9. A felhagyás környezeti következményei (Az atomerőmű leszerelése) 9. A felhagyás környezeti következményei (Az atomerőmű leszerelése) 9. fejezet 2006.02.20. TARTALOMJEGYZÉK 9. A FELHAGYÁS KÖRNYEZETI KÖVETKEZMÉNYEI (AZ ATOMERŐMŰ LESZERELÉSE)... 1 9.1. A leszerelés szempontjából

Részletesebben

A standardpotenciál meghatározása a cink példáján. A galváncella működése elektrolizáló cellaként Elektródreakciók standard- és formálpotenciálja

A standardpotenciál meghatározása a cink példáján. A galváncella működése elektrolizáló cellaként Elektródreakciók standard- és formálpotenciálja Általános és szervetlen kémia Laborelőkészítő előadás VII-VIII. (október 17.) Az elektródok típusai A standardpotenciál meghatározása a cink példáján Számítási példák galvánelemekre Koncentrációs elemek

Részletesebben

Áramforrások. Másodlagos cella: Használat előtt fel kell tölteni. Használat előtt van a rendszer egyensúlyban. Újratölthető.

Áramforrások. Másodlagos cella: Használat előtt fel kell tölteni. Használat előtt van a rendszer egyensúlyban. Újratölthető. Áramforrások Elsődleges cella: áramot termel kémiai anyagokból, melyek a cellába vannak bezárva. Ha a reakció elérte az egyensúlyt, kimerül. Nem tölthető. Másodlagos cella: Használat előtt fel kell tölteni.

Részletesebben

G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő

G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika

Részletesebben

Vezetési jelenségek, vezetőanyagok

Vezetési jelenségek, vezetőanyagok Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 2015/16 Vezetési jelenségek, vezetőanyagok Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Elektromos vezetési folyamatban töltést továbbító (elmozdulni képes) részecskék: Vezetők

Részletesebben

KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK. 9. osztály C változat

KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK. 9. osztály C változat KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK 9. osztály C változat Beregszász 2005 A munkafüzet megjelenését a Magyar Köztársaság Oktatási Minisztériuma támogatta A kiadásért felel: Orosz Ildikó Felelıs szerkesztı:

Részletesebben

Kémiai alapismeretek 11. hét

Kémiai alapismeretek 11. hét Kémiai alapismeretek 11. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék 2011. május 3. 1/8 2009/2010 II. félév, Horváth Attila c Elektród: Fémes

Részletesebben

AZ MFGI LABORATÓRIUMÁNAK VIZSGÁLATI ÁRAI

AZ MFGI LABORATÓRIUMÁNAK VIZSGÁLATI ÁRAI 1. ELŐKÉSZÍTÉS Durva törés pofás törővel pofás törő 800 Törés, talaj porló kőzetek törése pofás törő+ Fritsch szinterkorund golyósmalommal max. 20 g +szitálás 1000 0,063 mm-es szitán Törés, kőzet masszív

Részletesebben

SZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK

SZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK SZERVETLEN KÉMIAI REAKCIÓEGYENLETEK Budapesti Reáltanoda Fontos! Sok reakcióegyenlet több témakörhöz is hozzátartozik. Zárójel jelzi a reakciót, ami más témakörnél található meg. REAKCIÓK FÉMEKKEL fém

Részletesebben

Félvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2

Félvezetők. Félvezető alapanyagok. Egykristály húzás 15/04/2015. Tiszta alapanyag előállítása. Nyersanyag: kvarchomok: SiO 2 Redukció szénnel SiO 2 Félvezetők Az 1. IC: Jack Kilby 1958 Tiszta alapanyag előállítása Kohászati minőségű Si Félvezető tisztaságú Si Egykristály húzás Szelet készítés Elemgyártás Fotolitográfia, maszkolás, maratás, adalékolás,

Részletesebben

Könnyűfém és szuperötvözetek

Könnyűfém és szuperötvözetek Könnyűfém és szuperötvözetek Anyagismeret a gyakorlatban Dr. Orbulov Imre Norbert Anyagtudomány és Technológia Tanszék Az előadás fő pontjai A könnyűfémek definíciója Alumínium és ötvözetei Magnézium és

Részletesebben

Vékonyrétegek - általános követelmények

Vékonyrétegek - általános követelmények Vékonyrétegek - általános követelmények egyenletes vastagság a teljes szubsztráton azonos összetétel azonos szerkezet (amorf, polikristályos, epitaxiális) azonos fizikai és kémiai tulajdonságok tömörség

Részletesebben

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke. http://www.eet.bme.hu Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/02-pmos-technologia.ppt http://www.eet.bme.hu

Részletesebben

A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24.

A jövő anyaga: a szilícium. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Az atomoktól a csillagokig 2011. február 24. Pavelka Tibor, Tallián Miklós 2/24/2011 Szilícium: mindennapjaink alapvető anyaga A szilícium-alapú technológiák mindenütt jelen vannak Mikroelektronika Számítástechnika,

Részletesebben

Radioizotópok az üzemanyagban

Radioizotópok az üzemanyagban Tartalomjegyzék Radioizotópok az üzemanyagban 1. Radioizotópok friss üzemanyagban 2. Radioizotópok besugárzott üzemanyagban 2.1. Hasadási termékek 2.2. Transzurán elemek 3. Az üzemanyag szerkezetének alakulása

Részletesebben

Vezetési jelenségek, vezetőanyagok. Elektromos vezetési folyamatban töltést továbbító (elmozdulni képes) részecskék:

Vezetési jelenségek, vezetőanyagok. Elektromos vezetési folyamatban töltést továbbító (elmozdulni képes) részecskék: nyagtudomány 2014/15 Vezetési jelenségek, vezetőanyagok Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Elektromos vezetési folyamatban töltést továbbító (elmozdulni képes) részecskék: Vezetők fémek ötvözetek elektrolitok

Részletesebben

Hibrid Integrált k, HIC

Hibrid Integrált k, HIC Hordozók Hibrid Integrált Áramkörök, k, HIC Az alábbi bemutató egyes ábráit a Dr. Illyefalvi Vitéz Zsolt Dr. Ripka Gábor Dr. Harsányi Gábor: Elektronikai technológia, ill. Dr Ripka Gábor: Hordozók, alkatrészek

Részletesebben

1. változat. 4. Jelöld meg azt az oxidot, melynek megfelelője a vas(iii)-hidroxid! A FeO; Б Fe 2 O 3 ; В OF 2 ; Г Fe 3 O 4.

1. változat. 4. Jelöld meg azt az oxidot, melynek megfelelője a vas(iii)-hidroxid! A FeO; Б Fe 2 O 3 ; В OF 2 ; Г Fe 3 O 4. 1. változat z 1-től 16-ig terjedő feladatokban négy válaszlehetőség van, amelyek közül csak egy helyes. Válaszd ki a helyes választ és jelöld be a válaszlapon! 1. Melyik sor fejezi be helyesen az állítást:

Részletesebben

Mérnöki anyagok NGB_AJ001_1

Mérnöki anyagok NGB_AJ001_1 Mérnöki anyagok NGB_AJ001_1 Nem vas fémek és ötvözetek 2011 2010 Dr. Hargitai Hajnalka Forrás: Dr. Dogossy Gábor Nemvas fémek és ötvözetek Könnyűfémek - kis sűrűség - kitűnő korrózióállóság - magas ár

Részletesebben

Bemutatkozás, a tárgy bemutatása, követelmények. Munkavédelmi tájékoztatás.

Bemutatkozás, a tárgy bemutatása, követelmények. Munkavédelmi tájékoztatás. Részletes tematika (14 hetes szorgalmi időszak figyelembe vételével): 1. hét (2 óra) Bemutatkozás, a tárgy bemutatása, követelmények. Munkavédelmi tájékoztatás. Kémiai alapjelenségek ismétlése, sav-bázis,

Részletesebben

SiC kerámiák. (Sziliciumkarbid)

SiC kerámiák. (Sziliciumkarbid) SiC kerámiák (Sziliciumkarbid) >2000 o C a=0,3073, c=1,5123 AB A Romboéderes: ABCB ABCB 0,43595 nm ABC ABC SiC 4 tetraéderekből áll, a szomszédok távolsága 0,189 nm Több, mint 100 kristályszerkezete fordul

Részletesebben

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás

FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK I. Elektrotechnika 4. előadás FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK A leggyakrabban használt félvezető anyagok a germánium (Ge), és a szilícium (Si). Félvezető tulajdonsággal rendelkező elemek: szén (C),

Részletesebben

Fémes szerkezeti anyagok

Fémes szerkezeti anyagok Fémek felosztása: Fémes szerkezeti anyagok periódusos rendszerben elfoglalt helyük alapján, sűrűségük alapján: - könnyű fémek, ha ρ 4,5 kg/ dm 3. olvadáspont alapján:

Részletesebben

Analitikai szenzorok második rész

Analitikai szenzorok második rész 2010.09.28. Analitikai szenzorok második rész Galbács Gábor A szilícium fizikai tulajdonságai A szenzorok egy igen jelentős része ma a mikrofabrikáció eszközeivel, közvetlenül a mikroelektronikai félvezető

Részletesebben

Első alkalomra ajánlott gyakorlópéldák. Második alkalomra ajánlott gyakorlópéldák. Harmadik alkalomra ajánlott gyakorlópéldák

Első alkalomra ajánlott gyakorlópéldák. Második alkalomra ajánlott gyakorlópéldák. Harmadik alkalomra ajánlott gyakorlópéldák Első alkalomra ajánlott gyakorlópéldák 1. Rajzolja fel az alábbi elemek alapállapotú atomjainak elektronkonfigurációját, és szaggatott vonallal jelölje az atomtörzs és a vegyértékhéj határát! Készítsen

Részletesebben

Az anyagok mágneses tulajdonságai

Az anyagok mágneses tulajdonságai BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék Dr. Mészáros István Mágneses tulajdonságok, mágneses anyagok Előadásvázlat 2013. 1 Az anyagok mágneses tulajdonságai Alkalmazási területek Jelentőségük (lágy:

Részletesebben

Elektrokémia. A nemesfém elemek és egymással képzett vegyületeik

Elektrokémia. A nemesfém elemek és egymással képzett vegyületeik Elektrokémia Redoxireakciók: Minden olyan reakciót, amelyben elektron leadás és elektronfelvétel történik, redoxi reakciónak nevezünk. Az elektronleadás és -felvétel egyidejűleg játszódik le. Oxidálószer

Részletesebben

Elektrokémia a kémiai rendszerek és az elektromos áram kölcsönhatása

Elektrokémia a kémiai rendszerek és az elektromos áram kölcsönhatása 6. előadás Elektrokémia a kémiai rendszerek és az elektromos áram kölcsönhatása A kémiai rendszerek egy része vezeti az elektromosságot, a kémiai reakciók jelentős hányadára hatással vannak az elektromos

Részletesebben

Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal

Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal 1 Képalkotás a pásztázó elektronmikroszkóppal Anton van Leeuwenhoek (1632-1723, Delft) Havancsák Károly, 2011. január FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 A TÁMOP pályázat eddigi történései 3 Időrend A helyiség kialakítás

Részletesebben

0,25 NTU Szín MSZ EN ISO 7887:1998; MSZ 448-2:1967 -

0,25 NTU Szín MSZ EN ISO 7887:1998; MSZ 448-2:1967 - Leírás Fizikaikémiai alapparaméterek Módszer, szabvány (* Nem akkreditált) QL ph (potenciometria) MSZ EN ISO 3696:2000; MSZ ISO 10523:2003; MSZ 148422:2009; EPA Method 150.1 Fajlagos elektromos vezetőképesség

Részletesebben

a NAT-1-1316/2008 számú akkreditálási ügyirathoz

a NAT-1-1316/2008 számú akkreditálási ügyirathoz Nemzeti Akkreditáló Testület RÉSZLETEZÕ OKIRAT a NAT-1-1316/2008 számú akkreditálási ügyirathoz A METALCONTROL Anyagvizsgáló és Minõségellenõrzõ Központ Kft. (3540 Miskolc, Vasgyár u. 43.) akkreditált

Részletesebben

Szupravezetés. Mágneses tér mérő szenzorok (DC, AC) BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék. Dr. Mészáros István. Előadásvázlat 2013.

Szupravezetés. Mágneses tér mérő szenzorok (DC, AC) BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék. Dr. Mészáros István. Előadásvázlat 2013. BME, Anyagtudomány és Technológia Tanszék Dr. Mészáros István Szupravezetés Előadásvázlat 2013. Mágneses tér mérő szenzorok (DC, AC) Erő ill. nyomaték mérésen alapuló eszközök Tekercs (induktív) Magnetorezisztív

Részletesebben

7. előadás 12-09-16 1

7. előadás 12-09-16 1 7. előadás 12-09-16 1 12-10-05 Általános kémia 2011/2012. I. fé ph = - lg[h3o+] 2 12-10-13 Általános kémia 2011/2012. I. fé 3 1./ Só: gyenge sav/erős bázis 12-10-13 Általános kémia 2011/2012. I. fé 4 2./

Részletesebben

A 14. csoport elemei. anglezit(pbso 4 ), ceruzit(pbco 3 ) Si: 1823 Jons Berzelius (név: a latin silex : kovakő szóból) Ge: 1886 Clemens Winkler

A 14. csoport elemei. anglezit(pbso 4 ), ceruzit(pbco 3 ) Si: 1823 Jons Berzelius (név: a latin silex : kovakő szóból) Ge: 1886 Clemens Winkler A 14. csoport elemei anglezit(pbso 4 ), ceruzit(pbc ) Felfedezésük: Si: 1823 Jons Berzelius (név: a latin silex : kovakő szóból) Ge: 1886 Clemens Winkler A szén allotróp módosulatai gyémánt legnagyobb:

Részletesebben

Nem vas fémek és ötvözetek

Nem vas fémek és ötvözetek Nem vas fémek és ötvözetek Anyagtudományi és Technológiai Tanszék Nem vas fémek és ötvözetek Áruk jóval magasabb, mint a vasötvözeteké, nagyon sok ipari területen alkalmazzák. Tulajdonságaik alacsony fajsúly,

Részletesebben

Kémiai alapismeretek 7.-8. hét

Kémiai alapismeretek 7.-8. hét Kémiai alapismeretek 7.-8. hét Horváth Attila Pécsi Tudományegyetem, Természettudományi Kar, Kémia Intézet, Szervetlen Kémiai Tanszék 2012. október 16.-október 19. 1/12 2012/2013 I. félév, Horváth Attila

Részletesebben

Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei

Adatgyőjtés, mérési alapok, a környezetgazdálkodás fontosabb mőszerei GazdálkodásimodulGazdaságtudományismeretekI.Közgazdaságtan KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSIMÉRNÖKIMScTERMÉSZETVÉDELMIMÉRNÖKIMSc Tudományos kutatásmódszertani, elemzési és közlési ismeretek modul Adatgyőjtés, mérési

Részletesebben

Elektromos áram. Vezetési jelenségek

Elektromos áram. Vezetési jelenségek Elektromos áram. Vezetési jelenségek Emlékeztető Elektromos áram: töltéshordozók egyirányú áramlása Áramkör részei: áramforrás, vezető, fogyasztó Áramköri jelek Emlékeztető Elektromos áram hatásai: Kémiai

Részletesebben

Havancsák Károly, ELTE TTK Fizikai Intézet. A nanovilág. tudománya és technológiája

Havancsák Károly, ELTE TTK Fizikai Intézet. A nanovilág. tudománya és technológiája Havancsák Károly, ELTE TTK Fizikai Intézet 1 A nanovilág tudománya és technológiája Miről lesz szó 2 - Mi a manó az a nano? - Fontos-e a méret? - Miért akarunk egyre kisebb eszközöket gyártani? - Mikor

Részletesebben

... Dátum:... (olvasható név)

... Dátum:... (olvasható név) ... Dátum:... (olvasható név) (szak) Szervetlen kémia írásbeli vizsga A hallgató aláírása:. Pontok összesítése: I.. (10 pont) II/A. (10 pont) II/B. (5 pont) III.. (20 pont) IV.. (20 pont) V.. (5 pont)

Részletesebben

Gyakorló feladatok. Egyenletrendezés az oxidációs számok segítségével

Gyakorló feladatok. Egyenletrendezés az oxidációs számok segítségével Gyakorló feladatok Egyenletrendezés az oxidációs számok segítségével 1. Határozzuk meg az alábbi anyagokban a nitrogén oxidációs számát! a/ NH 3 b/ NO c/ N 2 d/ NO 2 e/ NH 4 f/ N 2O 3 g/ N 2O 4 h/ HNO

Részletesebben

Mágneses tér anyag kölcsönhatás leírása

Mágneses tér anyag kölcsönhatás leírása Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 2012/13 Mágneses anyagok Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Mágneses tér anyag kölcsönhatás leírása B = µ H B = µ µ H = µ H + M ) 0 r 0 ( 1 1 M = κh = Pi = P V V

Részletesebben

Sindely Dániel Sindely László: Atommag modellek és szimmetriáik 325

Sindely Dániel Sindely László: Atommag modellek és szimmetriáik 325 Sindely Dániel Sindely László: Atommag modellek és szimmetriáik 325 MODELLEK ÉS SZIMMETRIÁK BEVEZETÉS Az atomokról alkotott elképzelésünket állandóan módosítják az újabb felfedezések. Az atom modelljének

Részletesebben

Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal. Dr. Vincze Árpád vincze@oah.hu

Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal. Dr. Vincze Árpád vincze@oah.hu Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal Dr. Vincze Árpád vincze@oah.hu Mitől függ a kölcsönhatás? VÁLASZ: Az anyag felépítése A sugárzások típusai, forrásai és főbb tulajdonságai A sugárzások és az anyag

Részletesebben

Mérnöki anyagismeret. Szerkezeti anyagok

Mérnöki anyagismeret. Szerkezeti anyagok Mérnöki anyagismeret Szerkezeti anyagok 1 Szerkezeti anyagok Fémek Vas, acél, réz és ötvözetei, könnyűfémek és ötvözeteik Műanyagok Hőre lágyuló és hőre keményedő műanyagok, elasztomerek Kerámiák Kristályos,

Részletesebben

Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész

Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM GYŐR Felületi technológiák Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész 4. Gőzfázisból történő bevonatolás PVD eljárás CVD eljárás 5. Ionimplantáció 6. Passziválás Áttekintés

Részletesebben

Integrált áramkörök/1. Informatika-elekronika előadás 10/20/2007

Integrált áramkörök/1. Informatika-elekronika előadás 10/20/2007 Integrált áramkörök/1 Informatika-elekronika előadás 10/20/2007 Mai témák Fejlődési tendenciák, roadmap-ek VLSI alapfogalmak A félvezető gyártás alapműveletei A MOS IC gyártás lépései 10/20/2007 2/48 Integrált

Részletesebben

29. Sztöchiometriai feladatok

29. Sztöchiometriai feladatok 29. Sztöchiometriai feladatok 1 mól gáz térfogata normál állapotban (0 0 C, légköri nyomáson) 22,41 dm 3 1 mól gáz térfogata szobahőmérsékleten (20 0 C, légköri nyomáson) 24,0 dm 3 1 mól gáz térfogata

Részletesebben

Javítókulcs (Kémia emelt szintű feladatsor)

Javítókulcs (Kémia emelt szintű feladatsor) Javítókulcs (Kémia emelt szintű feladatsor) I. feladat 1. A katalizátorok a kémiai reakciót gyorsítják azáltal, hogy az aktiválási energiát csökkentik, a reakció végén változatlanul megmaradnak. 2. Biológiai

Részletesebben

Előtétszó Jele Szorzó milli m 10-3 mikro 10-6 nano n 10-9 piko p 10-12 femto f 10-15 atto a 10-18

Előtétszó Jele Szorzó milli m 10-3 mikro 10-6 nano n 10-9 piko p 10-12 femto f 10-15 atto a 10-18 1 Az anyagmennyiség, a periódusos rendszer Előtétszavak (prefixumok) Előtétszó Jele Szorzó milli m 10-3 mikro 10-6 nano n 10-9 piko p 10-12 femto f 10-15 atto a 10-18 Az anyagmennyiség A részecskék darabszámát

Részletesebben

SOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead

SOIC Small outline IC. QFP Quad Flat Pack. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier. QFN Quad Flat No-Lead 1. Csoportosítsa az elektronikus alkatrészeket az alábbi szempontok szerint! Funkció: Aktív, passzív Szerelhetőség: furatszerelt, felületszerelt, tokozatlan chip Funkciók száma szerint: - diszkrét alkatrészek

Részletesebben

KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ

KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ KÉMIA 10. Osztály I. FORDULÓ 1) A rejtvény egy híres ember nevét és halálának évszámát rejti. Nevét megtudod, ha a részmegoldások betűit a számozott négyzetekbe írod, halálának évszámát pedig pici számolással.

Részletesebben

A kémiai egyensúlyi rendszerek

A kémiai egyensúlyi rendszerek A kémiai egyensúlyi rendszerek HenryLouis Le Chatelier (1850196) Karl Ferdinand Braun (18501918) A bemutatót összeállította: Fogarasi József, Petrik Lajos SZKI, 011 A kémiai egyensúly A kémiai egyensúlyok

Részletesebben

Mágneses tér anyag kölcsönhatás leírása

Mágneses tér anyag kölcsönhatás leírása Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 2014/15 Mágneses anyagok Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Mágneses tér anyag kölcsönhatás leírása B H B H H M ) 0 1 M H V 1 r r 0 ( 1 Pi P V H : az anyagra ható

Részletesebben

I. Atomszerkezeti ismeretek (9. Mozaik Tankönyv:10-30. oldal) 1. Részletezze az atom felépítését!

I. Atomszerkezeti ismeretek (9. Mozaik Tankönyv:10-30. oldal) 1. Részletezze az atom felépítését! I. Atomszerkezeti ismeretek (9. Mozaik Tankönyv:10-30. oldal) 1. Részletezze az atom felépítését! Az atom az anyagok legkisebb, kémiai módszerekkel tovább már nem bontható része. Az atomok atommagból és

Részletesebben

a NAT-1-1088/2008 számú akkreditált státuszhoz

a NAT-1-1088/2008 számú akkreditált státuszhoz Nemzeti Akkreditáló Testület SZÛKÍTETT RÉSZLETEZÕ OKIRAT a NAT-1-1088/2008 számú akkreditált státuszhoz A Országos Munkahigiénés és Foglalkozás-egészségügyi Intézet Kémiai Laboratórium (1096 Budapest,

Részletesebben

A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok

A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok A periódusos rendszer, periodikus tulajdonságok Szalai István ELTE Kémiai Intézet 1/45 Az előadás vázlata ˆ Ismétlés ˆ Történeti áttekintés ˆ Mengyelejev periódusos rendszere ˆ Atomsugár, ionsugár ˆ Ionizációs

Részletesebben

Aktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György

Aktuátorok korszerű anyagai. Készítette: Tomozi György Aktuátorok korszerű anyagai Készítette: Tomozi György Technológiai fejlődés iránya Mikro nanotechnológia egyre kisebb aktuátorok egyre gyorsabb aktuátorok nem feltétlenül villamos, hanem egyéb csatolás

Részletesebben

1. feladat Összesen: 10 pont

1. feladat Összesen: 10 pont 1. feladat Összesen: 10 pont Minden feladatnál a betűjel bekarikázásával jelölje meg az egyetlen helyes, vagy az egyetlen helytelen választ! I. Melyik sorban szerepelnek olyan vegyületek, amelyek mindegyike

Részletesebben

Optika Gröller BMF Kandó MTI. Optikai alapfogalmak. Fény: transzverzális elektromágneses hullám. n = c vákuum /c közeg. Optika Gröller BMF Kandó MTI

Optika Gröller BMF Kandó MTI. Optikai alapfogalmak. Fény: transzverzális elektromágneses hullám. n = c vákuum /c közeg. Optika Gröller BMF Kandó MTI Optikai alapfogalmak Fény: transzverzális elektromágneses hullám n = c vákuum /c közeg 1 Az elektromágneses spektrum 2 Az anyag és s a fény f kölcsk lcsönhatása Visszaverődés, reflexió Törés, kettőstörés,

Részletesebben

KRISTÁLYOK GEOMETRIAI LEÍRÁSA

KRISTÁLYOK GEOMETRIAI LEÍRÁSA KRISTÁLYOK GEOMETRIAI LEÍRÁSA Kristály Bázis Pontrács Ideális Kristály: hosszútávúan rendezett hibamentes, végtelen szilárd test Kristály Bázis: a kristály legkisebb, ismétlœdœ atomcsoportja Rácspont:

Részletesebben

Elektronátadás és elektronátvétel

Elektronátadás és elektronátvétel Általános és szervetlen kémia 11. hét Elızı héten elsajátítottuk, hogy a közös elektronpár létrehozásával járó reakciók csoportjában milyen jellemzıi vannak sav-bázis és komplexképzı reakcióknak Mai témakörök

Részletesebben

Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft

Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Dr. JUVANCZ ZOLTÁN Óbudai Egyetem Dr. FENYVESI ÉVA CycloLab Kft Környezetvédelemben felhasznált elektroanalitikai módszerek csoportosítása Potenciometria (ph, Li +, F - ) Voltametria (oldott oxigén) Coulometria

Részletesebben

NEMKOHERENS FÉNYFORRÁSOK I TERMIKUS ÉS LUMINESCENS SUGÁRZÓK

NEMKOHERENS FÉNYFORRÁSOK I TERMIKUS ÉS LUMINESCENS SUGÁRZÓK NEMKOHERENS FÉNYFORRÁSOK I TERMIKUS ÉS LUMINESCENS SUGÁRZÓK BEVEZETÉS Fényforrások a fotonikában: információ bevitelére, továbbítására és rögzítésére szolgáló fotonok létrehozása (emissziója), információ

Részletesebben

Periódusosság. 9-1 Az elemek csoportosítása: a periódusostáblázat

Periódusosság. 9-1 Az elemek csoportosítása: a periódusostáblázat Periódusosság 9-1 Az elemek csoportosítása: aperiódusos táblázat 9-2 Fémek, nemfémek és ionjaik 9-3 Az atomok és ionok mérete 9-4 Ionizációs energia 9-5 Elektron affinitás 9-6 Mágneses 9-7 Az elemek periódikus

Részletesebben

Általános Kémia, 2008 tavasz

Általános Kémia, 2008 tavasz 9 Elektrokémia 9-1 Elektródpotenciálok mérése 9-1 Elektródpotenciálok mérése 9-2 Standard elektródpotenciálok 9-3 E cell, ΔG, és K eq 9-4 E cell koncentráció függése 9-5 Elemek: áramtermelés kémiai reakciókkal

Részletesebben

1. táblázat. Szórt bevonatokhoz használható fémek és kerámiaanyagok jellemzői

1. táblázat. Szórt bevonatokhoz használható fémek és kerámiaanyagok jellemzői 5.3.1. Termikus szórási eljárások általános jellemzése Termikus szóráskor a por, granulátum, pálca vagy huzal formájában adagolt hozag (1 és 2. táblázatok) részleges vagy teljes megolvasztásával és így

Részletesebben

Moore & more than Moore

Moore & more than Moore 1 Moore & more than Moore Fürjes Péter E-mail:, www.mems.hu 2 A SZILÍCIUM (silex) 3 A SZILÍCIUM Felfedező: Jons Berzelius 1823, Svédország Természetes előfordulás: gránit, kvarc, agyag, homok 2. leggyakoribb

Részletesebben

Miért vonzza a vegyészt a mágnes? Németh Zoltán, Magkémiai Laboratórium, ELTE Alkímia ma - 2011.03.31.

Miért vonzza a vegyészt a mágnes? Németh Zoltán, Magkémiai Laboratórium, ELTE Alkímia ma - 2011.03.31. Miért vonzza a vegyészt a mágnes? Németh Zoltán, Magkémiai Laboratórium, ELTE Alkímia ma - 2011.03.31. Mítosz Magnesz görög pásztor az Ida-hegyen sétálgatva odatapadt a földhöz vastalpú szandáljával /

Részletesebben

a réz(ii)-ion klorokomplexének előállítása...

a réz(ii)-ion klorokomplexének előállítása... Általános és szervetlen kémia Laborelőkészítő előadás IX-X. (2008. október 18.) A réz(i)-oxid és a lecsapott kén előállítása Metallurgia, a fém mangán előállítása Megfordítható redoxreakciók Szervetlen

Részletesebben

EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA

EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA ÉRETTSÉGI VIZSGA 2016. május 13. KÉMIA EMELT SZINTŰ ÍRÁSBELI VIZSGA 2016. május 13. 8:00 Az írásbeli vizsga időtartama: 240 perc Pótlapok száma Tisztázati Piszkozati EMBERI ERŐFORRÁSOK MINISZTÉRIUMA Kémia

Részletesebben

M Sulyok Gábor A HUMANITÁRIUS INTERV ENC IÓ EL MÉ L ETE É S G Y AK O RL ATA P h.d. é r t e k e z é s t é z i s e i i s k o l c 2 0 0 3. M I. A KUTATÁSI FELADAT A k u t a t á s a h u ma n i t á r i u s

Részletesebben

KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK. 9. osztály A változat

KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK. 9. osztály A változat KÉMIA TEMATIKUS ÉRTÉKELİ FELADATLAPOK 9. osztály A változat Beregszász 2005 A munkafüzet megjelenését a Magyar Köztársaság Oktatási Minisztériuma támogatta A kiadásért felel: Orosz Ildikó Felelıs szerkesztı:

Részletesebben

(3) (3) (3) (3) (2) (2) (2) (2) (4) (2) (2) (3) (4) (3) (4) (2) (3) (2) (2) (2)

(3) (3) (3) (3) (2) (2) (2) (2) (4) (2) (2) (3) (4) (3) (4) (2) (3) (2) (2) (2) TAKÁCS CSABA KÉMIA EMLÉKVERSENY, IX. osztály, II. forduló - megoldás 2009 / 2010 es tanév, XV. évfolyam 1. a) Albertus, Magnus; német polihisztor (1250-ben) (0,5 p) b) Brandt, Georg; svéd kémikus (1735-ben)

Részletesebben

NÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL. Neuróhr Katalin. Témavezető: Péter László. SZFKI Fémkutatási Osztály

NÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL. Neuróhr Katalin. Témavezető: Péter László. SZFKI Fémkutatási Osztály NÉHÁNY KÜLÖNLEGES FÉMES NANOSZERKEZET ELŐÁLLÍTÁSA ELEKTROKÉMIAI LEVÁLASZTÁSSAL Neuróhr Katalin Témavezető: Péter László SZFKI Fémkutatási Osztály 2011. május 31. PhD témám: Fémes nanoszerkezetek elektrokémiai

Részletesebben

a NAT-1-1054/2006 számú akkreditálási ügyirathoz

a NAT-1-1054/2006 számú akkreditálási ügyirathoz Nemzeti Akkreditáló Testület MELLÉKLET a NAT-1-1054/2006 számú akkreditálási ügyirathoz A Debreceni Egyetem Agrártudományi Centrum Mezõgazdaságtudományi Kar Agrármûszerközpont (4032 Debrecen, Böszörményi

Részletesebben

Nagy érzékenyégű módszerek hosszú felezési idejű nehéz radioizotópok analitikájában. Vajda N., Molnár Zs., Bokori E., Groska J., Mácsik Zs., Széles É.

Nagy érzékenyégű módszerek hosszú felezési idejű nehéz radioizotópok analitikájában. Vajda N., Molnár Zs., Bokori E., Groska J., Mácsik Zs., Széles É. RADANAL Kft. www.radanal.kfkipark.hu MTA Izotópkutató Intézet www.iki.kfki.hu Nagy érzékenyégű módszerek hosszú felezési idejű nehéz radioizotópok analitikájában Vajda N., Molnár Zs., Bokori E., Groska

Részletesebben

F1301 Bevezetés az elektronikába Félvezető diódák

F1301 Bevezetés az elektronikába Félvezető diódák F1301 Bevezetés az elektronikába Félvezető diódák FÉLVEZETŐ DÓDÁK Félvezető P- átmeneti réteg (P- átmenet, kiürített réteg): A félvezető kristály két ellentétesen szennyezett tartományának határán kialakuló

Részletesebben

Laptop: a fekete doboz

Laptop: a fekete doboz Laptop: a fekete doboz Dankházi Zoltán ELTE Anyagfizikai Tanszék Lássuk a fekete doboz -t NÉZZÜK MEG! És hány GB-os??? SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 2 ... hát akkor... SZEDJÜK SZÉT!!!.2.2. AtomCsill 3

Részletesebben

Szilárdtestek mágnessége. Mágnesesen rendezett szilárdtestek

Szilárdtestek mágnessége. Mágnesesen rendezett szilárdtestek Szilárdtestek mágnessége Mágnesesen rendezett szilárdtestek 2 Mágneses anyagok Permanens atomi mágneses momentumok: irány A kétféle spin-beállású elektronok betöltöttsége különbözik (spin-polarizáció)

Részletesebben

AKCIÓS KATALÓGUS 2013 / 3

AKCIÓS KATALÓGUS 2013 / 3 Minden gépünkre 1+2 év kiterjesztett garanciát biztosítunk internetes regisztrálást követően. Az akció érvényes: 2013. szeptember 1-jétől visszavonásig, illetve a készlet erejéig. Az esetleges nyomdai

Részletesebben

Speciális passzív eszközök

Speciális passzív eszközök Varisztorok Voltage Dependent Resistor VDR Variable resistor - varistor Speciális passzív eszközök Feszültségfüggő ellenállás, az áram erősen függ a feszültségtől: I=CU α ahol C konstans, α értéke 3 és

Részletesebben

1 A fémek és ötvözetek kristályosodása

1 A fémek és ötvözetek kristályosodása 1 A fémek és ötvözetek kristályosodása A fémek, ötvözetek atomjai olvadt állapotaikban a rövidtávú rendezettség állapotában találhatók; az atomokra nem hatnak az azokat rácspontokba rögzítő atomos kötőerők,

Részletesebben

RADIOAKTÍV HULLADÉKOK MINŐSÍTÉSE A PAKSI ATOMERŐMŰBEN

RADIOAKTÍV HULLADÉKOK MINŐSÍTÉSE A PAKSI ATOMERŐMŰBEN RADIOAKTÍV HULLADÉKOK MINŐSÍTÉSE A PAKSI ATOMERŐMŰBEN Bujtás T., Ranga T., Vass P., Végh G. Hajdúszoboszló, 2012. április 24-26 Tartalom Bevezetés Radioaktív hulladékok csoportosítása, minősítése A minősítő

Részletesebben