Anyagfelületek funkcionalizálása ionokkal
|
|
- Edit Vassné
- 8 évvel ezelőtt
- Látták:
Átírás
1 Az ECR Ionforrás Laboratórium 20 éves története Pálinkás József a Magyar Tudományos Akadémia elnöke 60 éves Anyagfelületek funkcionalizálása ionokkal Kökényesi Sándor Debreceni Egyetem Kísérleti Fizikai Tanszék
2 Adott egy unikális, multifunkciós, 14.5 GHZ ECR ionforrás!???? Adott egy multifunkciós kutatócsoport, amelyben együttműködhetnek ionfizikával, anyagvizsgálatokkal, nanotechnológiával foglalkozó szakemberek az ATOMKI- ból és a Debreceni Egyetemről, és adott egy témavezető, aki érdekelt az új utak felfedezésében, irányzatok fejlesztésében!
3 Pálinkás József és a kezdő csoport: Kökényesi Sándor, Iván István, Szabó István, Biri Sándor, a csoport további növekedése: Takács Viktor, Csík Attila, Csarnovics István, Hegedüs Csaba, Rácz Richárd Háttér: Úttörő kutatások az USA-ban - National Institute of Standards and Technologymagasan töltött ionok különös kölcsönhatása a szilárdtestek felületével Első kutatások Európában Wienna University of Technology, Electron Beam Ion Trap (Dresden-EBIT)- magasan töltött ionok kölcsönhatása fém és dielektrikum kristályfelületekkel Egy sor különleges, fény-, elektron-, proton- nyalábokra érzékeny, funkcionális félvezető anyag, kristályok és üvegek, amorf rétegek vizsgálatai Debrecenben
4 Ion felület kölcsönhatás: alaptudomány és alkalmazás Mi történhet, amikor az ionok kölcsönhatnak a felülettel? - kis, termikus energiák : fizikai vagy kémiai szorpció vagy deszorpció ev : a molekulák atomokra bomlanak, kötődnek ev : atomokat üthetünk ki a felületből plazma maratás, elektronika - > 1000 ev : atomokat implantálunk adalékolás, elektronika Mindhárom esetben megtörténhet a felület FUNKCIONALIZÁLÁSA, azaz új tulajdonságok kialakulása : - nano- és mikrométer skálán változik a felület szerkezete, érdessége - változhat az összetétele, a vegyi kötések jellege - változik a reakcióképessége Alkalmazás: tisztítás, vékonyítás, litográfia, adalékolás, mechanikai, optikai és elektromos paraméterek, illetve vegyi, biológiai kölcsönhatások megváltoztatása
5 Általános tapasztalat: Néhány száz elektronvoltig gyorsan növekszik a porlasztás γ s hatásfoka, ezen felül már nem függ a bombázó ion kinetikai energiájától: γ s = M i /E t (M i +M t ), ahol E t felületi kötések energiája, M i és M t a bombázó és a felületi atomok tömege. Mi van, ha a töltést, a potenciális energiát változtatjuk? Kezdetek... Ezt várták... J. D. Gillaspy, PHYSICAL REVIEW B VOLUME 55, NUMBER 4 15 JANUARY 1997-II
6 Közben ezeket látták: Friedrich Aumayr 1,6, Stefan Facsko 2, Ayman S El-Said 1,2,3, Christina Trautmann 4 and Marika Schleberger 5, J. Phys.: Condens. Matter 23 (2011) (23pp)1 Institute of Applied Physics, TU Wien, 2 Institut f ur Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 3 Physics Department, Faculty of Science, Mansoura University, Egypt4 GSI Helmholtz Centre for Heavy Ion Research, Darmstadt, Germany,5 Fakult at f ur Physik, Universit at Duisburg-Essen, Germany Topographic contact mode AFM images of CaF2(111) surfaces after irradiation with (a) 870 MeV Xe ions of cm 2 Hillocks formed on the surface of CaF2(111) single crystals: (a) mean hillock volume as a function of electronic energy loss of SHI (b) Mean hillock volume as a function of potential energy of highly charged Xeq+ ions The threshold(s) for nanohillock formation are indicated
7 A kutatásaink fókuszában főleg a laza szerkezetű, Van-der-Waals és kovalens, ionos kötések kombinációjával rendelkező félvezetők voltak. Ezek az anyagok lehetnek egy- vagy kétdimenziós, viszonylag könnyen felbontható szerkezeti elemeket tartalmazó egykristályok ( például Se, SbSI és GaSe), láncolatos vagy réteges elemeket tartalmazó kalkogenid üvegek (GeS 2 ), belőlük készült vékonyrétegek és nanoréteges struktúrák. Ezt láttuk mi különböző funkcionális félvezető anyagokon: 1) Xe +21 kölcsönhatása SbSI kristály sík, hasított felületével: AFM által előállított 3D és felülnézeti kép, valamint a kapott felületi domborzatok keresztmetszete.
8 2) Se felületek bombázása Belövés előtt KeV Xe q+ ionok Belövés után (Xe 20+ ) Belövés után (Xe 24+ )
9 A stimulált változások lehető közös mechanizmusát vizsgáltuk azáltal, hogy az AsSe rétegeket Ne +q (q=4 8) ionokkal bombáztuk. A nagyobb töltésű ionok nagyobb energiát veszíthetnek, de kisebb a behatolási mélységük T/T nm fluence,10 14 ion/cm nm vastag AsSe réteg optikai áteresztésének változása 600 és 640 nm hullámhosszon Ne q+ (q=4..8) ionok bombázása után 1.1 T/T nm fluence, ion/cm 2 (T/T 0 ) sat, rel. units Incident ion charge A sötétedés telítési állapotának függvénye az ionok töltésétől.
10 További érdekességek: 1.Ballisztikus keverés (multirétegek) 3-5 nm, Co/Pt, stb.(se/as2s3 nanomultirétegek) 2. Amorfizáció-kristályosítás (felület megmunkálása, finom maratás) Se, SeTe, Implantáció (félvezetők) 180 KeV, /cm2 + hőkezelés Au nanoszemcsék kialakítása, lokalizált plazmonok 4. Ionok által stimulált változások (hibák, kristálycsírák kialakítása a Ti felületen 5. Erős kötéssel rendelkező, biokompatibilis fedőrétegek (C60, Au, Si, Ce) (Biokompatibilis anyagok felületi aktiválása (strukturálása, funkcionalizálása) mikro-és nano-skálán 6. Cirkónium (Zr) kerámiák felületének funkcionalizálása szilícium (Si) ionokkal. Felületi aktivitás növelése (szilán SiH4 molekulák képződnek)
11 A lézerfény hatására változik a Se, kalkogenid rétegek optikai áteresztése és a vastagsága is, csakúgy, mint a deuteronok hatására. As 2 S 3 rétegek 240 kev Ne +8 ionok ( ion/cm 2 ) hatására sötétednek, de nem tágulnak, csak ion/cm 2 expozíció után látható a maratás nyoma ( és ezen belül a beütések által növesztett dombok ). Tehát finoman kombinálható a maratás és a lokális domborzatok kialakítása
12 Au ionok maratással kísért implantálása GeS rétegbe: maszkolt felület besugárzás utáni AFM képe
13 Biokompatibilis Ti-implantátumok felületét sugároztuk be nagy- és kisebb sűrűségű, különböző töltésekkel rendelkező Ar-ion nyalábbal azzal a céllal, hogy összehasonlítási alapot kapjunk a nanoskálán történő felületi módosításokhoz. Fulleréneket kötöttünk a Ti (TiO2) felületre, megcélozva a további aktív molekulák, gyökök kötését és ezáltal a csontsejtek gyorsabb növekedését. A C60 igen aktív, molekulák és gyökök köthetők a felületére.
14 Human embryonic bone cells were cultured onto the Ti substrates for 48 hours (type: palatal mesenchymal pre-osteoblast, HEPM 1486, ATCC) Cells dual labeled with special markers (FITC-falloidin), actine and vinculine Confocal imaging: laser scanning microscope (LSM 510, Carl Zeiss). Bone cells grown on glass Bone cells grown on Ti+C60 (250 ev)
15 Osteoblastok növekedése Üvegen, kontrol 4A Ti Ti, C60- plasma 8 Ti Üvegen., kontrol 5A Ti
16 A teljes mechanizmus még mindig nem ismert, sok a lehetőség...
17 1. Kökényesi S., Iván I., Takács E., Pálinkás J., Biri S., Valek A. Multipurpose 14.5 GHz ECR ion source: Speciálities and applications for surface modification. Abstr. 8 th Workshop on Fast Ion-Atom Collisions, Sept.1-3, 2004, Deberecen, Hungary, pp Kökényesi S., Iván I., Takács E., Pálinkás J., Biri S., Valek A. Multipurpose 14.5 GHz ECR ion sorce: Special features and application for surface modification. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research SectionB: beam interactions with materials and atoms 233, pp (2005). 3. Kokenyesi S, Ivan I, Takats V, Pálinkás J., Biri S., Szabo I.. Formation of surface structures on amorphous chalcogenide films Journal of Non-cryst. Sol. 353 (13-15): ) 4.Ivan I., Kokenyesi S., Csik A. Ion induced crystallization in amorphous selenium films. Chalcogenide letters, 4, (2007). 5. Palinkas J., Takács E., Kokenyesi S., Biri S., Szitasi G., Ivan I., Fekete E., Hundson L.T. Heavy ion plasmas and highly charged beams, Acta Physica Debrecina, v.xli, (2007). 6.Kokenyesi S., Iván I., Takats V., Pálinkas J., Biri S., Szabo I. Formation of nanostructures on the surface of amorphous chalcogenide films ISNOG2006, Bangalore, India, April, S.Kökényesi Investigations in materials science for micro-and nanotechnologies 2nd MINAEAST NET Workshop, National Centre of Scientifgic Research Demokritos, Athene, Greece, July, S. Kökényesi University of Debrecen, Institute of Physics centre for investigations in materials science for micro- and nanotechnologies. 4th NEXUS IP and NOE meeting, Paris, France, 5-6 December, Kokenyesi S., Takats V., Cserhati Cs., Szabo I., Vojnarovich I., Shiplyak M. Surface relief recording in amorphous chalcogenide nanomultilayers, Int. Conference NANSYS2007, Kiev, Ukraine, Nov.2007, p.349.
18 Köszönöm a figyelmüket! 18
Az ECR program,
Az ECR program, 1992-2012 Biri Sándor Atomki, Részecskegyorsító Centrum Tényleg 20 évesek vagyunk? Beszélgetések, tervek: már a 80-as évek végétől Előadások, tanulmányok: 1990-91 Első plazma Első nyaláb
RészletesebbenFényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában. Csarnovics István
Új irányok és eredményak A mikro- és nanotechnológiák területén 2013.05.15. Budapest Fényérzékeny amorf nanokompozitok: technológia és alkalmazásuk a fotonikában Csarnovics István Debreceni Egyetem, Fizika
RészletesebbenAmorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra. Csarnovics István
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2012.10.03. Mátrafüred Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra Csarnovics István Debreceni
RészletesebbenFotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó rendszerekben
Az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Anyagtudományi és Diffrakciós Szakcsoportjának Őszi Iskolája 2011.10.05 Visegrád Fotoindukált változások vizsgálata amorf félvezető kalkogenid arany nanorészecskéket tartalmazó
RészletesebbenECR röntgendiagnosztika
ECR röntgendiagnosztika Takács Endre Kísérleti Fizika Tanszék, Debreceni Egyetem MTA ATOMKI, Debrecen. 2012. szeptember 10 1992 Egyetemi doktori fokozat az ATOMKI-ben 1995 Oxford és Washington után Kísérleti
RészletesebbenTitán alapú biokompatibilis vékonyrétegek: előállítása és vizsgálata
ELFT Vákuumfizikai, -technológiai és Alkalmazásai Szakcsoport szemináriuma, Balázsi Katalin (balazsi.katalin@ttk.mta.hu) Titán alapú biokompatibilis vékonyrétegek: előállítása és vizsgálata Vékonyrétegfizika
RészletesebbenELTE Fizikai Intézet. FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp
ELTE Fizikai Intézet FEI Quanta 3D FEG kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp mintatartó mikroszkóp nyitott ajtóval Fő egységek 1. Elektron forrás 10-7 Pa 2. Mágneses lencsék 10-5 Pa 3. Pásztázó mágnesek
RészletesebbenElőzmények. a:sige:h vékonyréteg. 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása
a:sige:h vékonyréteg Előzmények 100 rétegből álló a:si/ge rétegrendszer (MultiLayer) H szerepe: dangling bond passzíválása 5 nm vastag rétegekből álló Si/Ge multiréteg diffúziós keveredés során a határfelületek
RészletesebbenTextíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Textíliák felületmódosítása és funkcionalizálása nem-egyensúlyi plazmákkal Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán
RészletesebbenMTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor Kétdimenziós kémia. Balogh Ádám Pósa Szonja Polett. Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós
MTA AKI Kíváncsi Kémikus Kutatótábor 2 0 1 6. Kétdimenziós kémia Balogh Ádám Pósa Szonja Polett Témavezetők: Klébert Szilvia Mohai Miklós A műanyagok és azok felületi kezelése Miért népszerűek napjainkban
RészletesebbenMágnesség és elektromos vezetés kétdimenziós
Mágnesség és elektromos vezetés kétdimenziós molekulakristályokban Jánossy András Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Fizikai Intézet, Fizika Tanszék Kondenzált Anyagok MTA-BME Kutatócsoport
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
1 FEI Quanta 3D SEM/FIB Fókuszált ionsugaras megmunkálás Ratter Kitti 2011. január 19-21. 2 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz
RészletesebbenPeriodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban
Periodikus struktúrák előállítása nanolitográfiával és vizsgálatuk három dimenzióban Zolnai Zsolt MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, H-1525 Budapest, P.O.B. 49, Hungary Tartalom: Kolloid
RészletesebbenAmorf/nanoszerkezetű felületi réteg létrehozása lézersugaras felületkezeléssel
Amorf/nanoszerkezetű felületi réteg létrehozása lézersugaras felületkezeléssel Svéda Mária és Roósz András MTA-ME Anyagtudományi Kutatócsoport 3515-Miskolc-Egyetemváros femmaria@uni-miskolc.hu Absztrakt
RészletesebbenDetektorfejlesztés a késő neutron kibocsájtás jelenségének szisztematikus vizsgálatához. Kiss Gábor MTA Atomki és RIKEN Nishina Center
Detektorfejlesztés a késő neutron kibocsájtás jelenségének szisztematikus vizsgálatához Kiss Gábor MTA Atomki és RIKEN Nishina Center A késő neutron kibocsájtás felfedezése R. B. Roberts, R. C. Meyer és
RészletesebbenDR. LAKATOS ÁKOS PH.D PUBLIKÁCIÓS LISTÁJA B) TUDOMÁNYOS FOLYÓIRATBELI KÖZLEMÉNYEK
DR. LAKATOS ÁKOS PH.D PUBLIKÁCIÓS LISTÁJA VÉGZETTSÉGEK: 1. Fizikus (egyetemi, DE-TTK: 2007) 2. Környezetmérnök (főiskolai, DE-MK: 2007) TUDOMÁNYOS MUNKA A) PH.D DOKTORI ÉRTEKEZÉS [A1] Diffúzió és diffúzió
RészletesebbenFókuszált ionsugaras megmunkálás
FEI Quanta 3D SEM/FIB Dankházi Zoltán 2016. március 1 FIB = Focused Ion Beam (Fókuszált ionnyaláb) Miből áll egy SEM/FIB berendezés? elektron oszlop ion oszlop gáz injektorok detektor CDEM (SE, SI) 2 Dual-Beam
RészletesebbenZárójelentés. D 048594 ny. számú posztdoktori kutatási szerződés
Zárójelentés D 048594 ny. számú posztdoktori kutatási szerződés Témavezető: Dr. Csík Attila Vezető kutató: Dr. Beke Dezső Kutatási téma címe: Határfelületek kialakulása és mozgásuk vizsgálata nanoskálán
RészletesebbenBevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 13. A lézeres l anyagmegmunkálás szempontjából l fontos anyagi tulajdonságok Optikai tulajdonságok Mechanikai tulajdonságok
RészletesebbenFelületmódosító technológiák
ANYAGTUDOMÁNY ÉS TECHNOLÓGIA TANSZÉK Biokompatibilis anyagok 2011. Felületm letmódosító eljárások Dr. Mészáros István 1 Felületmódosító technológiák A leggyakrabban változtatott tulajdonságok a felület
RészletesebbenNanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék
Nanotudományok vívmányai a mindennapokban Lagzi István László Eötvös Loránd Tudományegyetem Meteorológiai Tanszék 2011. szeptember 22. Mi az a nano? 1 nm = 10 9 m = 0.000000001 m Nanotudományok: 1-100
RészletesebbenProtonnyaláb okozta fizikai és kémiai változások vizsgálata polimerekben és alkalmazásaik a protonnyalábos mikromegmunkálásban
TÁMOP-4.2.2/B-10/1-2010-0024. Protonnyaláb okozta fizikai és kémiai változások vizsgálata polimerekben és alkalmazásaik a protonnyalábos mikromegmunkálásban Szilasi Szabolcs Témavezetők: Dr. Rajta István
RészletesebbenÚjabb eredmények a grafén kutatásában
Újabb eredmények a grafén kutatásában Magda Gábor Zsolt Atomoktól a csillagokig 2014. március 13. Új anyag, új kor A kőkortól kezdve egy új anyag felfedezésekor új lehetőségek nyíltak meg, amik akár teljesen
RészletesebbenEBSD-alkalmazások. Minta-elôkészítés, felületkezelés
VISSZASZÓRTELEKTRON-DIFFRAKCIÓS VIZSGÁLATOK AZ EÖTVÖS LORÁND TUDOMÁNYEGYETEMEN 2. RÉSZ Havancsák Károly, Kalácska Szilvia, Baris Adrienn, Dankházi Zoltán, Varga Gábor Eötvös Loránd Tudományegyetem, Természettudományi
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió. Diffúzió. Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
Anyagszerkezettan és anyagvizsgálat 5/6 Diffúzió Dr. Szabó Péter János szpj@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd
RészletesebbenNagyintenzitású lézerfény - anyag kölcsönhatás. Lézer- és gázkisülésfizika
Hartmann Péter Derzsi Aranka Horváth Zoltán György Korolov Ihor Kovács Anikó-Zsuzsa Kutasi Kinga Mezei Pál Rózsa Károly Schulze Julian Thomanné Forgács Judit Tóth József Császár György Sárközi Elek Lézer-
RészletesebbenBevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba
Bevezetés a lézeres anyagmegmunkálásba FBN332E-1 Dr. Geretovszky Zsolt 2010. október 6. Anyagcsaládok Fémek Kerámiák, üvegek Műanyagok Kompozitok A családok közti különbségek tárgyalhatóak: atomi szinten
RészletesebbenMagyarkuti András. Nanofizika szeminárium JC Március 29. 1
Magyarkuti András Nanofizika szeminárium - JC 2012. Március 29. Nanofizika szeminárium JC 2012. Március 29. 1 Abstract Az áram jelentős részéhez a grafén csík szélén lokalizált állapotok járulnak hozzá
RészletesebbenLehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból?
Lehet-e tökéletes nanotechnológiai eszközöket készíteni tökéletlen grafénból? Márk Géza, Vancsó Péter, Nemes-Incze Péter, Tapasztó Levente, Dobrik Gergely, Osváth Zoltán, Philippe Lamin, Chanyong Hwang,
RészletesebbenMunkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél
Munkagázok hatása a hegesztési technológiára és a hegesztési kötésre a CO 2 és a szilárdtest lézersugaras hegesztéseknél Fémgőz és plazma Buza Gábor, Bauer Attila Messer Innovation Forum 2016. december
RészletesebbenA kémiai kötés magasabb szinten
A kémiai kötés magasabb szinten 11-1 Mit kell tudnia a kötéselméletnek? 11- Vegyérték kötés elmélet 11-3 Atompályák hibridizációja 11-4 Többszörös kovalens kötések 11-5 Molekulapálya elmélet 11-6 Delokalizált
RészletesebbenHavancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények
Havancsák Károly Nagyfelbontású kétsugaras pásztázó elektronmikroszkóp az ELTÉ-n: lehetőségek, eddigi eredmények Nanoanyagok és nanotechnológiák Albizottság ELTE TTK 2013. Havancsák Károly Nagyfelbontású
RészletesebbenSugárzások kölcsönhatása az anyaggal
Radioaktivitás Biofizika előadások 2013 december Sugárzások kölcsönhatása az anyaggal PTE ÁOK Biofizikai Intézet, Orbán József Összefoglaló radioaktivitás alapok Nukleononkénti kötési energia (MeV) Egy
RészletesebbenOTDK ápr Grafén nanoszalagok. Témavezető: : Dr. Csonka Szabolcs BME TTK Fizika Tanszék MTA MFA
OTDK 2011. ápr. 27-29. 29. Tóvári Endre Grafén nanoszalagok előáll llítása Témavezető: : Dr. Csonka Szabolcs BME TTK Fizika Tanszék MTA MFA Tóvári Endre: Grafén nanoszalagok előállítása OTDK 2011 2 Tartalom
RészletesebbenSzén nanoszerkezetek grafén nanolitográfiai szimulációja
GYŐR Szén nanoszerkezetek grafén nanolitográfiai szimulációja Dr. László István, Dr. Zsoldos Ibolya BMGE Elméleti Fizika Tanszék, SZE Anyagtudomány és Technológia Tanszék GYŐR Motiváció, előzmény: Grafén
RészletesebbenSzakmai önéletrajz. 2000 szeptember 1.- MTA-ME Anyagtudományi Kutatócsoport Miskolci Egyetem, Anyagtudományi Intézet tudományos segédmunkatárs
Szakmai önéletrajz Személyi adatok: Munkahely: Név: Kissné Dr. Svéda Mária Leánykori név: Svéda Mária Születési hely, év: Miskolc, 1975. november 5. Anyja neve: Simkó Mária Julianna Családi állapot: férjezett
RészletesebbenKerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok
Kerámia, üveg és fém-kerámia implantátumok Bagi István BME MTAT Bevezetés Kerámiák csoportosítása teljesen tömör bioinert porózus bioinert teljesen tömör bioaktív oldódó Definíciók Bioinert a szomszédos
RészletesebbenPublikációs lista. Kummulatív Impakt faktor:
Kummulatív Impakt faktor: 29.129 Publikációs lista Referált folyóírat: Weighted multiplex network of air transportation, European Physical Journal B 89, (6) 139 (2016). DOI: 10.1140/epjb/e2016-60887-x,
RészletesebbenFemtoszekundumos felületi plazmonok által keltett elektronnyalábok vizsgálata
Femtoszekundumos felületi plazmonok által keltett elektronnyalábok vizsgálata Ph. D. házi védés Rácz Péter Témavezető: Dombi Péter Felületi plazmonok Propagáló felületi plazmon Lokalizált felületi plazmon
RészletesebbenMÉRNÖKI ANYAGISMERET AJ002_1 Közlekedésmérnöki BSc szak Csizmazia Ferencné dr. főiskolai docens B 403. Dr. Dogossy Gábor Egyetemi adjunktus B 408
MÉRNÖKI ANYAGISMERET AJ002_1 Közlekedésmérnöki BSc szak Csizmazia Ferencné dr. főiskolai docens B 403 Dr. Dogossy Gábor Egyetemi adjunktus B 408 Az anyag Az anyagot az ember nyeri ki a természetből és
Részletesebben2010. január 31-én zárult OTKA pályázat zárójelentése: K62441 Dr. Mihály György
Hidrosztatikus nyomással kiváltott elektronszerkezeti változások szilárd testekben A kutatás célkitűzései: A szilárd testek elektromos és mágneses tulajdonságait az alkotó atomok elektronhullámfüggvényeinek
RészletesebbenHadronok, atommagok, kvarkok
Zétényi Miklós Hadronok, atommagok, kvarkok Teleki Blanka Gimnázium Székesfehérvár, 2012. február 21. www.meetthescientist.hu 1 26 Atomok Démokritosz: atom = legkisebb, oszthatatlan részecske Rutherford
RészletesebbenSterilizálásra és felületkezelésre alkalmazható utókisülési plazmák modellezése. zárójelentés
Sterilizálásra és felületkezelésre alkalmazható utókisülési plazmák modellezése zárójelentés A kémiailag aktív, illetve UV sugárzó részecskéket tartalmazó kisülési plazmák számos területen találnak alkalmazásra.
Részletesebbenmetzinger.aniko@chem.u-szeged.hu
SZEMÉLYI ADATOK Születési idő, hely: 1988. június 27. Baja Értesítési cím: H-6720 Szeged, Dóm tér 7. Telefon: +36 62 544 339 E-mail: metzinger.aniko@chem.u-szeged.hu VÉGZETTSÉG: 2003-2007: III. Béla Gimnázium,
RészletesebbenKoherens lézerspektroszkópia adalékolt optikai egykristályokban
Koherens lézerspektroszkópia adalékolt optikai egykristályokban Kis Zsolt MTA Wigner Fizikai Kutatóközpont H-1121 Budapest, Konkoly-Thege Miklós út 29-33 2015. június 8. Hogyan nyerjünk információt egyes
RészletesebbenVillamosipari anyagismeret. Program, követelmények ősz
Villamosipari anyagismeret Program, követelmények 2015. ősz I. félév: 2 óra előadás, vizsga II. félév: 1 óra labor, évközi jegy* Követelmények: Előadás látogatása kötelező; ellenőrzése (katalógus) minimum
RészletesebbenG04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik. Szent István Egyetem Gödöllő
G04 előadás Napelem technológiák és jellemzőik Kristályos szilícium napelem keresztmetszete negatív elektróda n-típusú szennyezés pozitív elektróda p-n határfelület p-típusú szennyezés Napelem karakterisztika
RészletesebbenA kémiai kötés magasabb szinten
A kémiai kötés magasabb szinten 13-1 Mit kell tudnia a kötéselméletnek? 13- Vegyérték kötés elmélet 13-3 Atompályák hibridizációja 13-4 Többszörös kovalens kötések 13-5 Molekulapálya elmélet 13-6 Delokalizált
RészletesebbenNAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem NAGY ENERGIA SŰRŰSÉGŰ HEGESZTÉSI ELJÁRÁSOK Dr. Palotás Béla Mechanikai Technológia és Anyagszerkezettani Tanszék Elektronsugaras hegesztés A katódból kilépő
RészletesebbenNano cink-oxid toxicitása stimulált UV sugárzás alatt és az N-acetilcisztein toxicitás csökkentő hatása a Panagrellus redivivus fonálféreg fajra
Nano cink-oxid toxicitása stimulált UV sugárzás alatt és az N-acetilcisztein toxicitás csökkentő hatása a Panagrellus redivivus fonálféreg fajra KISS LOLA VIRÁG, SERES ANIKÓ ÉS NAGY PÉTER ISTVÁN Szent
RészletesebbenAnyagismeret 2016/17. Diffúzió. Dr. Mészáros István Diffúzió
Anyagismeret 6/7 Diffúzió Dr. Mészáros István meszaros@eik.bme.hu Diffúzió Különféle anyagi részecskék anyagon belüli helyváltoztatása Az anyag lehet gáznemű, folyékony vagy szilárd Diffúzió Diffúzió -
RészletesebbenRöntgensugárzás. Röntgensugárzás
Röntgensugárzás 2012.11.21. Röntgensugárzás Elektromágneses sugárzás (f=10 16 10 19 Hz, E=120eV 120keV (1.9*10-17 10-14 J), λ
RészletesebbenMikrohullámú abszorbensek vizsgálata
Óbudai Egyetem Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola Mikrohullámú abszorbensek vizsgálata Balla Andrea Témavezetők: Dr. Klébert Szilvia, Dr. Károly Zoltán MTA Természettudományi Kutatóközpont
RészletesebbenA nanotechnológia mikroszkópja
1 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június 1. FEI Quanta 3D SEM/FIB 2 Havancsák Károly, ELTE Fizikai Intézet A nanotechnológia mikroszkópja EGIS 2011. június
RészletesebbenHibák kristályos anyagokban: hogyan keletkeznek és mire használjuk ket?
Hibák kristályos anyagokban: hogyan keletkeznek és mire használjuk ket? Gubicza Jen ELTE TTK Fizikai Intézet, Anyagfizikai Tanszék Atomoktól a csillagokig eladássorozat ELTE TTK, 2015. január 29. Kristályos
Részletesebben1. SI mértékegységrendszer
I. ALAPFOGALMAK 1. SI mértékegységrendszer Alapegységek 1 Hosszúság (l): méter (m) 2 Tömeg (m): kilogramm (kg) 3 Idő (t): másodperc (s) 4 Áramerősség (I): amper (A) 5 Hőmérséklet (T): kelvin (K) 6 Anyagmennyiség
RészletesebbenRadioaktív sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktív sugárzások detektálása.
Különböző sugárzások tulajdonságai Típus töltés Energia hordozó E spektrum Radioaktí sugárzások tulajdonságai és kölcsönhatásuk az elnyelő közeggel. A radioaktí sugárzások detektálása. α-sugárzás pozití
RészletesebbenMézerek és lézerek. Berta Miklós SZE, Fizika és Kémia Tsz. 2006. november 19.
és lézerek Berta Miklós SZE, Fizika és Kémia Tsz. 2006. november 19. Fény és anyag kölcsönhatása 2 / 19 Fény és anyag kölcsönhatása Fény és anyag kölcsönhatása E 2 (1) (2) (3) E 1 (1) gerjesztés (2) spontán
RészletesebbenÓRIÁS MÁGNESES ELLENÁLLÁS
ÓRIÁS MÁGNESES ELLENÁLLÁS Modern fizikai kísérletek szemináriúm Ariunbold Kherlenzaya Tartalomjegyzék Mágneses ellenállás Óriás mágneses ellenállás FM/NM multirétegek elektromos transzportja Kísérleti
RészletesebbenDR. KOKOVAY ÁGNES. Személyes információk. Születési hely, idő: 1956. május 30. Várpalota. Képzettség
DR. KOKOVAY ÁGNES Személyes információk Születési hely, idő: 1956. május 30. Várpalota Képzettség Középiskolai testnevelő tanár (1978) Aerobic oktató (1983) Kézilabda szakedző (1989) C kategóriás néptáncoktató
RészletesebbenTÁMOP A-11/1/KONV WORKSHOP Június 27.
Fenntartható energetika megújuló energiaforrások optimalizált integrálásával TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0041 WORKSHOP 2014. Június 27. A munkacsoport tagjai: az éves hőveszteségek-hőterhelések elemzése
RészletesebbenKötések kialakítása - oktett elmélet
Kémiai kötések Az elemek és vegyületek halmazai az atomok kapcsolódásával - kémiai kötések kialakításával - jönnek létre szabad atomként csak a nemesgázatomok léteznek elsődleges kémiai kötések Kötések
RészletesebbenRIDEG ANYAGOK FRAKTOGRÁFIÁJA
RIDEG ANYAGOK FRAKTOGRÁFIÁJA Dusza János J - Rudnayová á Emőke Institute of Materials Research, SAS, Košice NANOSMART, Centre of Excellence of SAS VIII. Országos Törésmechanikai Szeminárium Tartalom Korszerű
RészletesebbenEddigi pályám során kutatásaimat a következő területeken végeztem:
Eddigi pályám során kutatásaimat a következő területeken végeztem: elektronoptika elektronspektroszkópia Tőkési Károly elektron-atom, ion-atom ütközési rendszerek kísérleti tanulmányozás elméleti számítások
RészletesebbenElektronspektrométerek fejlesztése az ATOMKI-ben (1970-2013)
Elektronspektrométerek fejlesztése az ATOMKI-ben (1970-2013) Kövér Ákos Atommagkutató Intézet, Magyar Tudományos Akadémia Debrecen Magspektroszkópiától az atomi ütközések fizikájáig 1970-től új kutatási
RészletesebbenKülönböző fényforrások (UV,VIS, IR) működési alapjai, legújabb fejlesztések
Különböző fényforrások (UV,VIS, IR) működési alapjai, legújabb fejlesztések Sugárzás kölcsönhatása az anyaggal Készítette: Fehértói Judit (Z0S8CG) Fábián Balázs (IT23JG) Budapest, 2014.04.15. 1 Bevezetés:
RészletesebbenRéz - szén nanocső kompozit mikroszerkezete és mechanikai viselkedése
Réz - szén nanocső kompozit mikroszerkezete és mechanikai viselkedése P. Jenei a, E.Y. Yoon b, J. Gubicza a, H.S. Kim b, J.L. Lábár a,c, T. Ungár a a Department of Materials Physics, Eötvös Loránd University,
RészletesebbenMethods to measure low cross sections for nuclear astrophysics
Methods to measure low cross sections for nuclear astrophysics Mérési módszerek asztrofizikailag jelentős alacsony magfizikai hatáskeresztmetszetek meghatározására Szücs Tamás Nukleáris asztrofizikai csoport
RészletesebbenGrafén nanoszerkezetek és más kétdimenziós anyagok kialakítása és vizsgálata pásztázószondás módszerekkel. PhD tézisfüzet.
Grafén nanoszerkezetek és más kétdimenziós anyagok kialakítása és vizsgálata pásztázószondás módszerekkel PhD tézisfüzet Magda Gábor Zsolt Témavezető: Dr. Tapasztó Levente Konzulens: Dr. Csonka Szabolcs
RészletesebbenÖNÉLETRAJZ Dr Czél Györgyné sz.janovszky Dóra
ÖNÉLETRAJZ Dr Czél Györgyné sz.janovszky Dóra SZEMÉLYI ADATOK: Születési hely és idő: Budapest, 1960.02.23 Anyja neve: Pál Eszter Állampolgárság: magyar Telefon: 06-46-412-928 e-mail: fekjd@uni-miskolc.hu
RészletesebbenŐrlés hatására porokban végbemenő kristályos-amorf szerkezetváltozás tanulmányozása
Őrlés hatására porokban végbemenő kristályos-amorf szerkezetváltozás tanulmányozása K. Tomolya*, D. Janovszky, A. Sycheva, A. Roósz 1,2,3,4 MTA-ME Anyagtudományi Kutatócsoport, Miskolc-Egyetemváros *femkinga@uni-miskolc.hu
RészletesebbenKémiai kötések. Kémiai kötések kj / mol 0,8 40 kj / mol
Kémiai kötések A természetben az anyagokat felépítő atomok nem önmagukban, hanem gyakran egymáshoz kapcsolódva léteznek. Ezeket a kötéseket összefoglaló néven kémiai kötéseknek nevezzük. Kémiai kötések
Részletesebben3. A kémiai kötés. Kémiai kölcsönhatás
3. A kémiai kötés Kémiai kölcsönhatás ELSŐDLEGES MÁSODLAGOS OVALENS IONOS FÉMES HIDROGÉN- KÖTÉS DIPÓL- DIPÓL, ION- DIPÓL, VAN DER WAALS v. DISZPERZIÓS Kémiai kötések Na Ionos kötés Kovalens kötés Fémes
RészletesebbenSZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK
SZENZOROK ÉS MIKROÁRAMKÖRÖK 24. ELŐADÁS: NANOÉRZÉKELŐK ÉS NANO- ELEKTROMECHANIKAI RENDSZEREK (NEMS) 2014/2015 2. félév 1 Az érzékelők/beavatkozók forradalma Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) A mikroelektronikai
RészletesebbenMIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I
MIKROELEKTRONIKAI ÉRZÉKELİK I Dr. Pıdör Bálint BMF KVK Mikroelektronikai és Technológia Intézet és MTA Mőszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet 8. ELİADÁS: MECHANIKAI ÉRZÉKELİK I 8. ELİADÁS 1.
RészletesebbenAz atommag összetétele, radioaktivitás
Az atommag összetétele, radioaktivitás Az atommag alkotórészei proton: pozitív töltésű részecske, töltése egyenlő az elektron töltésével, csak nem negatív, hanem pozitív: 1,6 10-19 C tömege az elektron
RészletesebbenDiffúzió. Diffúzió sebessége: gáz > folyadék > szilárd (kötőerő)
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat (fonon, elektron, atom, ion, hőmennyiség...) Elektromos vezetés (Ohm) töltés áram elektr. potenciál grad. Hővezetés (Fourier) energia áram hőmérséklet különbség Kémiai
RészletesebbenRöntgen sugárzás. Wilhelm Röntgen. Röntgen feleségének keze
Röntgendiffrakció Kardos Roland 2010.03.08. Előadás vázlata Röntgen sugárzás Interferencia Huygens teória Diffrakció Diffrakciós eljárások Alkalmazás Röntgen sugárzás 1895 röntgen sugárzás felfedezés (1901
RészletesebbenKS - 303.150.10 HORDOZHATÓ KIVITEL
KS - 303.150.10 24 ÓRÁS, FOLYAMATOS ÜZEMŰ NAGYTÉRFOGATÁRAMÚ AEROSZOL, SZÁLLÓPOR MINTAVEVŐ KÉSZÜLÉK IMMISSZIÓS, MUNKAHELYI ÉS HÁTTÉRSZENNYEZETTSÉGI VIZSGÁLATOKRA HORDOZHATÓ KIVITEL 1. Rendeltetés A KS-303.150.10
RészletesebbenEgyetemi doktori (PhD) értekezés tézisei Abstract of PhD Thesis
Egyetemi doktori (PhD) értekezés tézisei Abstract of PhD Thesis Plazmadiagnosztikai vizsgálatok, ionnyaláb- és műszaki fejlesztések az ATOMKI elektron-ciklotronrezonanciás (ECR) ionforrásán Plasma diagnostic
RészletesebbenRöntgen-gamma spektrometria
Röntgen-gamma spektrométer fejlesztése radioaktív anyagok elemi összetétele és izotópszelektív radioaktivitása egyidejű meghatározására Szalóki Imre, Gerényi Anita, Radócz Gábor Nukleáris Technikai Intézet
RészletesebbenPublikációs lista Szabó Szilárd
Publikációs lista Szabó Szilárd Tanulmányok Börcsök Áron - Bernáth Zsolt - Kircsi Andrea - Kiss Márta - Kósa Beatrix - Szabó Szilárd 1998. A Kisgyőri - medence és galya egyedi tájértékei - A "Nem védett
RészletesebbenA legforróbb munkahelyek acélkohók és öntödék
A legforróbb munkahelyek acélkohók és öntödék Prof. dr. Kaptay György ATOMKI, 2014. május 15. Vegyületbevonat és C-nanocső fejlesztés [Kaptay-Kuznetsov: Plasmas & Ions 2 (1999) 45-56 (0/40) / Kaptay-Sytchev-Miklósi-
RészletesebbenFeloldóképesség 2009.12.08. Mikroszkópos módszerek. DIC mikroszkópia. Fáziskontraszt mikroszkópia. Barkó Szilvia A MIKROSZKÓPIA RÖVID TÖRTÉNETE
A MIKROSZKÓPIA RÖVID TÖRTÉNETE Mikroszkópos módszerek Barkó Szilvia 1667: Robert Hooke cellulákat ír le parafában összetett mikroszkóp segítségével. 1674: Antony van Leeuwenhoek élő mikróbákat figyel meg
RészletesebbenPásztázó elektronmikroszkóp. Alapelv. Szinkron pásztázás
Pásztázó elektronmikroszkóp Scanning Electron Microscope (SEM) Rasterelektronenmikroskope (REM) Alapelv Egy elektronágyúval vékony elektronnyalábot állítunk elő. Ezzel pásztázzuk (eltérítő tekercsek segítségével)
RészletesebbenAz elektronpályák feltöltődési sorrendje
3. előadás 12-09-17 2 12-09-17 Az elektronpályák feltöltődési sorrendje 3 Az elemek rendszerezése, a periódusos rendszer Elsőként Dimitrij Ivanovics Mengyelejev és Lothar Meyer vette észre az elemek halmazában
RészletesebbenHavancsák Károly, ELTE TTK Fizikai Intézet. A nanovilág. tudománya és technológiája
Havancsák Károly, ELTE TTK Fizikai Intézet 1 A nanovilág tudománya és technológiája Miről lesz szó 2 - Mi a manó az a nano? - Fontos-e a méret? - Miért akarunk egyre kisebb eszközöket gyártani? - Mikor
RészletesebbenAnyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész
SZÉCHENYI ISTVÁN EGYETEM GYŐR Felületi technológiák Anyagfelvitellel járó felületi technológiák 2. rész 4. Gőzfázisból történő bevonatolás PVD eljárás CVD eljárás 5. Ionimplantáció 6. Passziválás Áttekintés
RészletesebbenFBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40. I. előadás. Geretovszky Zsolt
Bevezetés s az anyagtudományba nyba FBN206E-1 és FSZV00-4 csütörtökönte 12-13:40 I. előadás Geretovszky Zsolt Követelmények Az előadások látogatása kvázi-kötelező. 2010. május 21. péntek 8:00-10:00 kötelező
RészletesebbenMTA Atommagkutató Intézet, 4026 Debrecen, Bem tér 18/c.
Negatív hidrogénionok keletkezése 7 kev-es OH + + Ar és OH + + aceton ütközésekben: Egy általános mechanizmus hidrogént tartalmazó molekuláris rendszerekre JUHASZ Zoltán a), BENE Erika a), RANGAMA Jimmy
RészletesebbenElektronegativitás. Elektronegativitás
Általános és szervetlen kémia 3. hét Elektronaffinitás Az az energiaváltozás, ami akkor következik be, ha 1 mól gáz halmazállapotú atomból 1 mól egyszeresen negatív töltésű anion keletkezik. Mértékegysége:
Részletesebbendinamikai tulajdonságai
Szilárdtest rácsok statikus és dinamikai tulajdonságai Szilárdtestek osztályozása kötéstípusok szerint Kötések eredete: elektronszerkezet k t ionok (atomtörzsek) tö Coulomb- elektronok kölcsönhatás lokalizáltak
RészletesebbenSugárzások és anyag kölcsönhatása
Sugárzások és anyag kölcsönhatása Az anyaggal kölcsönhatásba lépő részecskék Töltött részecskék Semleges részecskék Nehéz Könnyű Nehéz Könnyű T D p - + n Radioaktív sugárzás + anyag energia- szóródás abszorpció
RészletesebbenA Standard modellen túli Higgs-bozonok keresése
A Standard modellen túli Higgs-bozonok keresése Elméleti fizikai iskola, Gyöngyöstarján, 2007. okt. 29. Horváth Dezső MTA KFKI Részecske és Magfizikai Kutatóintézet, Budapest és ATOMKI, Debrecen Horváth
RészletesebbenDiffúzió 2003 március 28
Diffúzió 3 március 8 Diffúzió: különféle anyagi részecskék (szilárd, folyékony, gáznemű) anyagon belüli helyváltozása. Szilárd anyagban való mozgás Öndiffúzió: a rácsot felépítő saját atomok energiaszint-különbség
Részletesebben1. Bevezetés. 2. Az elért eredmények. 2.1. A 60 Cu radioizotóp termelése
Szakmai beszámoló az Új réz és mangán radioizotópok Pozitron Emissziós Tomográf (PET) vizsgálatokhoz című OTKA kutatás keretében végzett munkáról és az elért eredményekről (2002-2005) 1. Bevezetés Az utóbbi
RészletesebbenGrafén nanoszerkezetek
Grafén nanoszerkezetek Dobrik Gergely Atomoktól a csillagokig 2012 február 16 Nanométer : 10-9 m 1 méter 1 000 000 000 = 1 nanométer 10 m 10 cm 1 mm 10 µm 100 nm 1 nm 1 m 1 cm 100 µm 1 µm 10 nm 1Å A szén
RészletesebbenRádl Attila december 11. Rádl Attila Spalláció december / 21
Spalláció Rádl Attila 2018. december 11. Rádl Attila Spalláció 2018. december 11. 1 / 21 Definíció Atommagok nagyenergiás részecskével történő ütközése során másodlagos részecskéket létrehozó rugalmatlan
RészletesebbenAZ ACETON ÉS AZ ACETONILGYÖK NÉHÁNY LÉGKÖRKÉMIAILAG FONTOS ELEMI REAKCIÓJÁNAK KINETIKAI VIZSGÁLATA
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem, Fizikai Kémia Tanszék Ph.D. értekezés tézisei AZ ACETON ÉS AZ ACETONILGYÖK NÉHÁNY LÉGKÖRKÉMIAILAG FONTOS ELEMI REAKCIÓJÁNAK KINETIKAI VIZSGÁLATA Készítette
RészletesebbenAtomok és molekulák elektronszerkezete
Atomok és molekulák elektronszerkezete Szabad atomok és molekulák Schrödinger egyenlete Tekintsünk egy kvantummechanikai rendszert amely N n magból és N e elektronból áll. Koordinátáikat jelölje rendre
Részletesebben